【課題】デジタル画像上で測定を実施する。
【解決手段】 共通座標系内の第一の画像内の対応する構造上に第二の画像の構造を写像するために、第二画像に幾何学的変換を用いることにより、第一及び第二の画像を共通座標系内で表示する。初期値から出発して、費用関数の評価結果を考慮して幾何学的変換のパラメーターを更新する。測定は共通座標系内で行なわれる。 （もっと読む）

【課題】 アライメントマークが認識領域から外れた状況下でも、比較的短時間でアライメントマークを検出することを可能とするアライメントマーク、及びアライメントマークの検出方法を提供する。
【解決手段】 本発明のアライメントマーク１は、位置検出に使用されるメインパターン１ｍと、メインパターン１ｍの周囲に近接して設けられた複数のサブパターン１ｓを備える。サブパターン１ｓはメインパターン１ｍと異なる形状を有しており、メインパターン１ｍとサブパターン１ｓとの間隔を、位置ずれによりメインパターン１ｍが認識領域外に位置するときに、少なくとも１のサブパターン１ｓが認識領域内に位置する間隔とすることで、サブパターン１ｓによりフォーカスを合わせることが可能となる。認識エラーによる測長ＳＥＭの動作停止を回避することができるとともに、比較的短時間で、位置検出を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】 比較的簡単なソフトを用いて、電極等の尖頭部の位置を正確に検出することのできるＸ線透視装置を提供する。
【解決手段】 透視対象物Ｗを透過したＸ線を検出するＸ線検出器２の出力に基づくＸ線透視像を画像処理する画像処理装置７に、透視対象物Ｗの尖頭部の座標を計測する機能を持たせ、その機能においては、Ｘ線透視像の輝度情報から粒子解析に基づいて透視対象物の端点を検出して、尖頭部の直交座標のうちの一方の座標を決定し、その座標情報に基づくエッジ検出により、他方の座標を決定する。 （もっと読む）

検出されたウェハ欠陥座標値をＣＡＤデータを用いてレチクル座標値に変換する為のシステムと方法が記載される。ウェハ検査画像が得られ、前記ウェハの欠陥である可能性のある座標値が測定される。その後、前記ウェハ検査画像は、所定の画像フォーマットに変換される。試験中のデバイスのＣＡＤデータは、その後第２の画像作成の為に用いられが、その際も前記の所定の画像フォーマットによる。前記ＣＡＤ由来の画像と前記ウェハ由来の画像は、その後整合され、前記ウェハの欠陥である可能性のある座標値は、ＣＡＤ座標値に変換される。その後前記ＣＡＤ座標値は、前記検出されたウェハ欠陥に相当するレチクル欠陥の位置を特定するために、前記ウェハに代わって前記レチクルを介して進路を指示するように使用される。
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【課題】
非破壊検査などでは、物体の透過データを測定して、画像処理により物体の２次元もしくは３次元の画像を作成、画像から物体上での対象物の位置、あるいは大きさなどの計測を行う。透過データを検出する検出面には幾何学歪がある場合、透過データに幾何学歪が内在する。従来の手法はこの検出面の幾何学歪を測定する手段と物体座標―画像座標を関連づける測定を個別に行っていたため、測定が煩雑でより誤差を含む課題があった。
【解決手段】
本発明では、物体座標を測定する物体基準治具と、検出面幾何学歪および検出座標と物体座標を同時に関連図ける検出面基準治具との組み合わせで、検出面の幾何学歪の計測と物体座標―画像座標との関連づけを同時に測定することを実現するため、より簡便で高精度な補正パラメータの測定とその補正パラメータを用いた幾何学補正を達成する。 （もっと読む）

【課題】 荷電粒子線応用装置及び測長装置などにおける所要の倍率範囲における倍率誤差を小さくする。
【解決手段】試料に対する倍率を実測した第１の画像を記録し、試料に対する倍率が未知の第２画像を記録し、画像解析を用いて第１の画像に対する第２の画像の倍率を解析することによって、試料に対する第２の画像の倍率を実測する。以後、第２の画像を第１の画像として上記倍率解析を繰り返す事により、全倍率範囲において倍率を実測する。全倍率範囲で試料に対する画像の倍率を実測して校正することにより、倍率誤差を一桁小さくすることができる。 （もっと読む）

本発明は、半導体ウェファのようなオブジェクト内の欠陥を分析する方法とデバイスとシステムを提供する。ある実施の形態において、それは半導体製造施設内での製造中に半導体ウェファの欠陥をキャラクタライズする方法を提供する。その方法は以下のようなアクションからなる。半導体ウェファは検査されて欠陥を探し出される。そして、探し出された欠陥に対応する位置が欠陥ファイルに格納される。複式荷電粒子ビームシステムが、欠陥ファイルからの情報を用いて、自動的にその欠陥位置の近傍にナビゲートされる。その欠陥が自動的に特定され、欠陥の荷電粒子ビーム画像が得られる。そして、その荷電粒子ビーム画像は分析され、欠陥をキャラクタライズする。次いで、欠陥の更なる分析のためにレシピが決められる。このレシピが自動的に実行されて、荷電粒子ビームを用いて欠陥部分をカットする。そのカット位置は荷電粒子ビーム画像の分析に基づく。最後に、荷電粒子ビームカットによって露呈された表面が画像化されて、欠陥についての追加の情報を得る。
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【課題】微細ラインパターン上のエッジラフネスのうち、デバイスの作成上あるいは材料やプロセスの解析上特に評価が必要となる空間周波数の成分を抽出し、指標で表す。
【解決手段】エッジラフネスのデータは十分長い領域に渡って取得し、パワースペクトル上で操作者が設定した空間周波数領域に対応する成分を積算し、測長SEM上で表示する。または、十分長い領域のエッジラフネスデータを分割し、統計処理と理論計算によるフィッティングを行って、任意の検査領域に対応する長周期ラフネスと短周期ラフネスを算出し測長SEM上で表示する。 （もっと読む）

【課題】
ＳＥＭの２次電子画像信号量の傾斜角依存性を利用して平坦な面や垂直に近い面についても高精度な立体形状計測を可能にしたＳＥＭによる立体形状計測方法およびその装置を提供することにある。
【解決手段】
本発明は、被計測対象パターンにおいて傾斜角変化に対して感度が低い領域（平坦部領域）ａ、ｃ１については、チルト像取得部１５２１で観察方向φ（２）からチルト像（チルト２次電子画像）Ｉ（２）を取得し、形状計測部１５２３，１５２４で取得されるチルト像を用いて勾配（表面傾斜角）を推定し、該推定された勾配推定値（表面傾斜角推定値）を積分することによって立体形状Ｓ２ａ、Ｓ２ｃの計測を行うことで、高精度な３次元プロファイル（立体形状）の計測を可能にすることにある。 （もっと読む）

【課題】 同一寸法校正パターンへの位置決めを可能にする。
【解決手段】 不連続な格子状の寸法校正パターン26とその近傍に特定の位置決め用アライメントパターンを形成する。 （もっと読む）

本発明は画像内にあるオブジェクトをスケーリングする画像処理装置に関する。前記画像処理装置は、マーカの実際の寸法と、画像内にあるこのマーカのピクセル単位での寸法との間の関係から得られる較正係数に基づいて前記オブジェクトをスケーリングするキャリブレータを有し、ここでキャリブレータはさらに、前記画像内において識別される複数の異なる配向のマーカを使用して得られる複数の較正係数を生成する。画像（Ｉ）は、解剖学的構造（２）対してこれらオブジェクトの異なる位置合わせとなる、空間において異なって配向される複数のオブジェクト（３、８、９）を有する。前記オブジェクト（３）は計測ツールにリンクされ、これは前記オブジェクト（３）のピクセル単位での長さを計測し、マーカ（Ａ）から決められる較正係数を使用して、前記オブジェクト（３）の実際の寸法を計算する。前記マーカは空間においてオブジェクト（３）と同様に位置合わせされる。画像（Ｉ）はさらに、計測ツールにリンクされるオブジェクトを有し、これは、これらオブジェクトのピクセル単位での夫々の長さに基づいてこれらオブジェクト（８、９）の実際の長さ、及び前記マーカ（Ｂ）を使用して決められる較正係数を計算する。好ましくは、別々のマーカに対応するオブジェクトがグループ化され、較正グループを形成し、これにより、較正係数の更新が同じ較正グループ内にある全てのオブジェクトに対する実際の寸法の自動更新となる。好ましくは、各較正グループはユーザの便宜に対し別々に識別される。本発明はさらに、画像内にあるオブジェクトのスケーリングを可能にするためのイメージングシステム、コンピュータプログラム及び方法にも関する。
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CSCTでは、多色性一次放射線に対して、各ボクセルの散乱機能の正確な再構築を行う方法は、知られていない。本発明の一実施例では、再構築の前に、ビーム硬化補正が行われ、等価水厚さから得られた一次放射線平均減衰データに基づいて、見かけ上正確な再構築を実施することが可能となる。等価水厚さから、エネルギーシフトが算定され、これを用いて、散乱放射線の初期の平均エネルギーが補正される。また、CT再構築は、CSCT再構築の前に実施され、ビーム硬化補正が可能となる。これにより、改良された画質を得ることができ、散乱機能の分解能が向上するという利点が得られる。
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本発明は、方法および測定システムを提供する。当該方法は：測定画像情報を含む測定モデルを提供するステップと；上記測定画像情報を利用することにより測定領域を突き止めるステップと；測定結果情報を提供する為に少なくとも一つの測定を実施するステップと；を含む。
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