【課題】
コンクリートを始めとする媒質中の異性物の変質部、特に異性物である金属又は鉄筋の変質部である腐蝕部の厚さの計測を可能とする。
【解決手段】
媒質の表面に対向して設けられた送信アンテナから電磁波を前記媒質に向けて発信し、信号伝播モデルに基づく予測波形と実際に得られた波形とのパターンマッチングにより、前記変質部の上面からの反射波と前記変質部の下面からの反射波の大きさ及び伝播時間の差を求めることにより前記変質部の厚さを測定する。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、停止時のドリフトが小さいステージ機構およびそれを備えた電子顕微鏡装置を提供することを目的とする。
【解決手段】
上記課題を解決するために、本発明では、２以上の伸縮或いは揺動が可能な駆動素子を有し、当該２つの駆動素子の協働によりステージを移動させる試料ステージを提供する。２つの駆動素子の協働により、当該２つの駆動素子の動作を組合わせることによる種々の制御が可能となり、結果として、ステージの移動のみならず、停止時のドリフトの抑制が可能なステージ機構の提供が可能となる。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、複数のパターンを含むテンプレートを用いたマッチングの際に、一部のパターンの変形や、テンプレートとＳＥＭ画像間に倍率誤差がある場合であっても、高精度なマッチングが可能な方法、及び装置の提供にある。
【解決手段】
上記課題を解決するための一手法として、設計データの所定領域内に配置された複数のパターンのうち、一部を選択的に用いてマッチングを行う方法、及びそれを実現するための装置を提案する。また、上記課題を解決するための他の手法として、設計データの所定領域内に配置された複数のパターンに基づく第１のマッチングを行った後、前記所定領域内に配置された複数のパターンのうち、一部を用いて第２のマッチングを行う方法、及びそれを実現する装置を提案する。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、同種画像間の画像認識に用いられるテンプレートと同等の情報を、設計データに基づいて形成されるテンプレートに付加することで、実画像を取得することなく、設計データに基づいてテンプレートを作成することのできる容易性の維持と、テンプレートと実画像の一致度を高めることによる画像認識技術性能向上の両立にある。
【解決手段】
上記目的を達成するために、以下に設計データに基づいて、画像認識用のテンプレートを作成する際に、当該テンプレートによって特定される領域の材料情報に基づいて、当該テンプレート内の各位置の輝度情報を設定する方法，装置、及びプログラムを提案する。また、その一例として、材料の情報に加えて、上記領域上に配置されたパターンの大きさ，画像取得装置の装置条件，試料の層情報，パターンの線分情報の少なくとも１つの情報に基づいて、輝度レベルを設定する。 （もっと読む）

【課題】CD-SEMによる半導体パターンの寸法計測において，パターンの断面形状に依存して寸法計測値と実際のパターンの寸法との誤差が変動することにより、計測精度が悪くなる問題があった。
【解決手段】
予め形状の異なる複数パターンのAFM計測結果と，同一形状のパターンをCD-SEMで計測したときの前記AFM計測結果との寸法計測誤差とを対応付けてデータベースに保存しておき，実際の寸法計測時には，計測対象パターンの少数箇所から得たAFM計測結果を前記データベースに照合し，最も形状が類似した側壁形状に対応したCD-SEM計測の寸法計測誤差を呼び出し，次に計測対象パターンのCD-SEM計測結果を前記呼び出した寸法計測誤差に基づき補正することにより，パターンの断面形状に依存した寸法誤差を低減した補正寸法値を算出する。 （もっと読む）

【課題】Ｘ線ＣＴ装置を用いることなく、Ｘ線透視を行うことにより、アルミダイキャスト部品のボイド等の欠陥をはじめとして、透視対象物内部の特異部位の３次元位置情報を正確に知ることができ、加えて３次元の概略形状を知ることのできるＸ線透視を用いた３次元観測方法と、その方法を用いたＸ線透視装置を提供する。
【解決手段】Ｘ線源１とＸ線検出器２の対と透視対象物Ｗとの相対位置を変化させ張ることにより、透視方向を少なくとも３方向に相違させた透視対象物Ｗの透視像を取得し、その各透視像上で特異部位の像を抽出し、各透視方向の透視像上で抽出された特異部位の像対応付けした後、各透視方向の透視像上の特異部位の像と、これらの各透視像を得たときのＸ線源１とＸ線検出器２の透視対象物Ｗに対する相対的な３次元位置情報を用いて、特異部位の３次元位置および／または３次元形状を算出し、表示する。 （もっと読む）

【課題】ＳＥＭによるマスクパターン計測値を実際のマスクパターン転写に適応した値に補正することで、マスク転写特性の予想やＯＰＣの調整を正確に行い、実用的に信頼性が高いフォトマスクのパターン寸法測定方法およびフォトマスクを提供する。
【解決手段】ＳＥＭで測定するフォトマスクのパターン寸法測定方法であって、各パターン寸法における回折光強度を測定するステップと、前記パターンをＳＥＭで測定して測長値を得るステップと、電磁場解析シミュレーションを行い、回折光強度のシミュレーション値を得るステップと、前記回折光強度測定と前記シミュレーションとから算出されたパターン寸法値と前記ＳＥＭで測定した測長値とのオフセット量から補正値を決定するステップと、前記補正値を前記ＳＥＭで測定した他のパターン寸法値に適用するステップと、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】試験構造を有する基板上のダブルパターニング・オーバレイ誤差の計算の信頼性を改良する。
【解決手段】基板上の第一構造と第二構造の間のオーバレイを測定する方法が提供される。構造は、平行線などの等距離要素を備え、第一及び第二構造の等距離要素が交互になる。本発明によれば、第一構造の要素の設計幅ＣＤ₁は、第二構造の要素の設計幅ＣＤ₂と異なる。設計幅の差を使用して、不適切に測定されたオーバレイ誤差を有する測定点を識別することができる。 （もっと読む）

【課題】短時間に組立品を構成する各部品間の３次元的位置関係を求めて、被検査体である組立品の内部状態の検査を行う検査システムを提供する。
【解決手段】設計データを格納し、計算投影図を作成・編集するデータ編集処理部２と、前記計算投影図に基づいて抽出すべき部品の境界近傍の輝度を算出する輝度算出部３と、前記算出した輝度に基づいて当該境界近傍の投影像が鮮明になるように撮影装置５の感度を設定する感度設定部４と、搬送された前記組立品に対して複数の方向の投影像を取得する撮影装置５と、前記投影像を電気信号に変換して実投影図として画像処理を行う画像処理部６と、前記実投影図における部品が、前記データ編集処理部より取得した前記計算投影図の部品の許容範囲内に存在するか否かにより、前記組立品の合否を判定する判定部８とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】エッジ部分のコントラストが希薄であってもラインプロファイルに基づくエッジを適切に判定し、パターンの測長を実行することのできるパターン寸法測定方法及び装置を提供する。
【解決手段】本発明は荷電粒子線の走査によって試料上に形成されたパターンの寸法を測定するパターン寸法測定方法及び装置に関する。当該方法及び装置では、荷電粒子線の走査によって、試料上の画像を形成し、形成された画像の一部の領域を選択し、選択された画像の一部の領域を他の像に置換し、画像の一部が他の像に置換された画像を用いて、パターンの寸法測定を行うようにしている。 （もっと読む）

【課題】
外乱等の影響に依らず、焦点等の調整が行われた高画質画像に基づく測定が可能な試料
の検査，測定方法を提供すること。
【解決手段】
焦点調整が行われた電子ビームを走査して、前記パターンを測定するための画像、或いは測定のための位置合わせを行うための画像を形成し、当該画像の評価値と、予め取得された参照画像の画像評価値を比較し、当該参照画像との比較によって、前記形成された画像が所定の条件を満たさないと判断される場合に、前記電子ビームの焦点調整を再度実行する方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】探索画像中にテンプレートと類似したパターンが存在する場合でも正確なマッチング位置を出力する検査装置及び方法を提供する。
【解決手段】画像探索部にテンプレート選択画像におけるテンプレートの相対位置と探索画像における現在探索中の場所の相対位置を比較してその位置ずれ量を出力する相対位置比較部を有し、マッチング位置決定部において探索画像類似度分布情報のみならず、前記位置ずれ量をも考慮しマッチング位置を決定する。 （もっと読む）

【課題】フォトマスクやウエハ上に形成されたパターンを、設計データとの比較により、回路パターンの欠陥を精度良く、かつ高速に検出する手段の提供。
【解決手段】半導体パターンを撮影した画像からパターンの輪郭データ０１０７を抽出する手段と、前記半導体の設計データ０１０２から、パターンの方向に関するデータを生成する手段と、前記輪郭データからパターンの方向のデータを求め、前記輪郭データのパターン位置に対応する前記設計データから生成したパターンの方向に関するデータとの比較により、パターンの欠陥を検出する手段を備えた評価方法、及び検査システムを構築する。 （もっと読む）

【課題】両眼立体視・マルチエネルギー透過画像を用いて材料を識別する方法を提供する。
【解決手段】両眼立体視・マルチエネルギー透過画像を用いて、放射線方向に重なっている物体に対して、その中で放射線吸収の主要成分である障害物を剥離し、本来放射線吸収の副次成分であるため明らかでなかった物体を明らかになるようにし、その材料属性（例えば有機物、混合物、金属等）が識別できる。本発明の方法によれば、放射線方向における非主要成分に対して材料識別ができ、これはコンテナに遮られている爆発物、麻薬等その他の有害物を自動識別することの基礎となる。 （もっと読む）

【課題】装置毎、或いは日々の変動に合わせて設定する必要のあった画像取得対象個所を自動で設定することができる、試料の管理機能を提供する。
【解決手段】機差測定を行う為にウェハ上に当該ウェハ上で測定済みのパターンの箇所及び当該測定済みの箇所を測定した装置の情報をマーキングするための領域（レプリカ領域等）を設け、当該マーキングを参照することにより、試料を管理する。マーキングの方法としては、電子線照射によるコンタミネーション付着を挙げられる。この場合、コンタミが付き易いように電子線照射密度を上げる。このために、倍率を上げる、プローブ電流の増加、積算フレーム枚数の増加などを実施することができる。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、半導体パターンやコンタクトホールの変形や側壁の傾斜のできばえを判定することができる走査型電子顕微鏡を提供することを目的とする。
【解決手段】
半導体ウェーハ上に形成された回路パターンの画像をあらかじめ設定された条件で撮像する撮像手段、該撮像手段で撮像された画像と予め記憶された基準画像とを比較して撮像された画像の特徴量を算出する算出手段，該算出手段で算出された特徴量に基づいて、半導体ウェーハのできばえ評価を実行するコンピュータを備え、特徴量の算出は、２次電子画像，反射電子画像に関して独立に行われる。 （もっと読む）

【課題】フォトマスク及びウェハー上に形成された測定対象パターンの測定領域を設定し、測定領域の測定位置を自動的に特定し、パターン計測できるパターン計測装置及びパターン計測方法を提供することを目的とする。
【解決手段】計測機能を有する走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）等のパターン観察・計測手段１０と、パターン描画データより測定対象パターンの設計図形パターンを取り出す描画データ抽出・変換手段２０と、測定対象パターンに設計図形パターンの形状を合わせ込むパターン形状合わせ込み手段３０と、測定対象パターンの測定領域を設定する測定領域設定手段４０と、測定対象パターンの前記測定領域内のパターン計測を行うパターン計測手段５０と、計測データを処理して、最適のパターン計測値を判定する判定手段６０と、装置全体の制御をつかさどる制御手段７０と、から構成されているパターン計測装置である。 （もっと読む）

【課題】高速かつ高精度のパターン検査方法およびパターン検査装置を提供する。
【解決手段】走査領域内で所望のパターンの寸法を測定し、測定結果から統計量を算出し、算出結果が所定の閾値を超えた場合に、寸法測定に誤差が含まれていたものと判定して補正処理を実行する。 （もっと読む）

【課題】入力画像の画像幅が変化しても、高い精度にて欠陥検出処理を行うことができる画像処理装置を備えた外観検査装置を提供する。
【解決手段】画像処理装置は、入力画像を、各々、入力画像の画像幅と同一の画像幅を有し、且つ、所定の画像長さを有する、複数の画像ブロックに分割する。この画像ブロックを、隣接する２つの繰返しパターン毎に比較し、両者の差から欠陥を検出する。画像処理装置は、入力画像の画像幅と画像ブロックの画像長さに関するデータを有しており、入力画像の画像幅が変化しても、画像ブロックの各々を格納することができる画像メモリを有する。 （もっと読む）

【課題】ＳＥＭ画質のよしあしをリアルタイムで判断することができる検査方法及び検査装置を提供する。
【解決手段】荷電粒子ビーム装置により撮像された複数枚のスキャン画像を積算して、１枚のＳＥＭ画像を構成し、電子線を用いて、線幅や欠陥を検査する方法及び装置において、スキャン画像毎に設計データとのマッチングを行い、マッチングの結果として、Ｓｈｉｆｔ_ｘ，Ｓｈｉｆｔ_ｙを算出し、スキャン画像毎のＳｈｉｆｔ_ｘの差分δｘ，Ｓｈｉｆｔ_ｙの差分δｘを算出し、上記差分δｘ又はδｙが閾値を超える場合に、ＳＥＭ画像の取得のリトライ処理を演算手段によって実行する。 （もっと読む）