【課題】 水質の評価において、被測定水中に含まれる含有物が通水量や時間に対して、評価基板への付着依存性があっても、付着成分や量を正確に評価できる評価方法を提供することを目的としたものである。
【解決手段】 複数の評価基板に被測定水をそれぞれ所定の量、所定の時間接触させて、上記評価基板に付着した付着物を分析することにより、上記被測定水中の含有物の評価基板への付着依存性があっても、精度よく被測定水の水質を評価できるようにしたものである。 （もっと読む）

【課題】
従来は方向を示すものが無い材料では、試料加工または観察を繰り返し行い、視覚を頼りに水平度調整を行っていた。本発明の目的は、上記問題点を解消し、試料の水平度調整を簡便に行う方法、及び装置を提供することにある。
【解決手段】
上記目的を達成するために、本発明では、荷電粒子源側から見て、試料の手前部分と、奥行き部分に跨って形成される構造体、或いは試料の手前部分と、奥行き部分との間に、所定の関係を持って形成されている構造体が、所定の関係となるように、試料を傾斜、或いは回転する試料観察方法、及び荷電粒子線装置を提案する。 （もっと読む）

【課題】
試料表面にパルス状の一次イオンを照射し、飛行時間型の質量分析計を用いて前記試料表面の質量スペクトルを得る飛行時間型二次イオン質量分析法において、５００を超えるような試料表面由来のピークについてその精密質量を正確に求めることを目的とする。
【解決手段】
ＴＯＦ−ＳＩＭＳ測定において、試料表面に質量軸校正物質を表面に配し測定時に試料表面由来の信号と質量軸校正物質由来の信号を同時に検出すること、質量軸校正物質をネプライザーを用いて試料表面に配すること、質量軸校正物質にイオン性物質を用いることにより質量数５００を超える未知ピークについて、その精密質量をより精度良く求めることができるようになった。 （もっと読む）

【課題】ＦＩＢ加工とＳＥＭ観察の繰返しによる加工断面の奥行き方向のＳＥＭ観察において、加工断面が奥行き方向に移動することに伴って発生するＳＥＭ観察の観察視野ずれと焦点ずれを補正する。
【解決手段】断面加工領域の表面の高さと傾き情報を加工に先立って算出し、これらの情報を利用して、加工時における加工断面の移動量に応じたＳＥＭ観察の観察視野ずれと焦点ずれを予測し、この予測値に従ってＳＥＭを制御する。 （もっと読む）

【課題】試料最表面に存在する極めて薄い薄膜や極めて急峻な傾きを持つ不純物分布であっても正しい深さ方向分布に解析する。
【解決手段】スパッタリング初期における深さ方向へのスパッタ率変化に基づいて補正するとともに（Ｓ４）、補正された深さ方向分布の深さ軸を伸張させ（Ｓ５）、深さ軸を伸張させられた深さ方向分布に対し、深さ方向分布を２ⁿ個のデータ点で構成し、かつ、各データ間の距離を等間隔にデータ補間し（Ｓ６）、データ補間した深さ方向分布のデータ点間距離およびデータ数に合わせて、Ｓ３で抽出した深さ方向分解能関数パラメータを用いて深さ方向分解能関数の分布データを作成し（Ｓ７）、作成された深さ方向分解能関数分布データと補間により求めた深さ方向分布とに基づいてデコンボリューション解析し（Ｓ８）、デコンボリューション解析されたデータの伸張されている深さ軸を実際の深さ軸に戻す（Ｓ９）。 （もっと読む）

認証システム、装置および方法は、ナノ結晶材料を含む識別マーキングを認証する。マーキングの１または複数の特性が確認され、測定プロファイルが提供される。測定プロファイルを参照プロファイルの閉集合の少なくとも１つのメンバーと比較する。各参照プロファイルは１または複数の特性の予め決められた値を有する。各参照プロファイルは集合内でユニークである。少なくとも１つの参照プロファイルはナノ結晶形態のインジケータ材料の特徴を示し、バルク形態の同じインジケータ材料の特徴は示さない。
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【課題】 試料から微小サンプルを切り出す作業を迅速に且つ正確に行うことができ、また、微小サンプルを試料台に配置させる作業を迅速に且つ正確に行うことができる装置及び方法を提供する。
【解決手段】 プローブに負の電圧を印加し、試料の輝度を計測する。プローブによって試料から微小サンプルを切り出す場合には、輝度が減少したときに、プローブが試料に接近したと判定し、輝度が更に減少した後に急激に増加したとき、プローブが試料に接触したと判定する。プローブに接続された微小サンプルを試料台に配置する場合には、輝度が減少したときに、プローブに接続された微小サンプルが試料台に接近したと判定し、輝度が更に減少した後に急激に増加したとき、プローブに接続された微小サンプルが試料台に接触したと判定する。 （もっと読む）

【課題】透過型電子顕微鏡で観察するための試料の作製方法に関し、元のサンプルの表面近くの変化が少ない透過型電子顕微鏡用の試料の作製方法を提供する。
【解決手段】薄片状に加工する前のサンプルにＯｓ（オスミウム）からなる膜をサンプルの表面に形成し、その後に加工して薄片状とすることを特徴とする透過型電子顕微鏡用試料の作製方法。Ｏｓ膜を形成する前に、Ｐｔ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ−Ｐｄ、Ａｕ−Ｐｄからなる群から選ばれる１種以上からなる予備保護膜を真空蒸着法により形成する前記記載の作製方法。 （もっと読む）

【課題】容易に調整可能で焦点深度の深い、収差補正手段を備えた走査形荷電粒子顕微鏡を提供する。
【解決手段】複数開口をもつ絞りを使用することにより、収差の補正状態をSEM画像から判定して、収差補正手段の調整にフィードバックする。略輪帯形状の絞りを収差補正手段と併用する。 （もっと読む）

【課題】本発明の課題は、微小試料片およびまたはその周辺領域を汚染することなく、確実で安定的な微小試料片の分離、摘出、格納を行う装置および方法を提供することにある。
【解決手段】試料基板から観察すべき領域を含む試料片をイオンビームスパッタ法により分離し、試料を押し込んで保持し、引き抜いて分離するための、根元に比較して先端が細く、該先端部が割れている形状で、該形状により得られる試料片を保持する部位の弾性変形による力で試料片を保持する棒状部材からなるはり部材を用いて、前記試料片を試料基板から摘出し、試料片を載置するための載置台上へ移動させた後、前記はり部材と前記試料片を分離することで該試料片の格納を行う。 （もっと読む）

【課題】表面を進行しかつ、表面下の像を生成するのに十分なエネルギーを有する電子ビームを用いた表面下画像化によってミクロの構造を操縦又はミリングの適切な中止をする方法を提供する。
【解決手段】ミリングの適切な中止に関しては、ある既知の電子エネルギーにおいて表面下の像が明確な場合、ユーザーは自分が埋め込まれた部位に接近していることを知る。操縦に関しては、表面下の像は素子上のビームの位置を決定するための基準マーク又は他の部位によって形成されることができる。 （もっと読む）

【課題】鋼板の表面から、サブミクロンから数ミクロンのオーダーの深さ方向分解能で、固溶Ｓｉ濃度を評価できる評価方法を提供する。
【解決手段】鋼板表面から特定の深さ位置の面を露出させ、該露出面にＸ線または電子線を照射して、前記露出面から発生するＳｉの特性Ｘ線のスペクトル形状を測定し、該測定されたスペクトル形状に対して標準試料によるスペクトル形状を基準とした波形分離を実施して、全Ｓｉ量に対する化合物状態のＳｉと固溶Ｓｉの含有比率を算出し、前記露出面における全Ｓｉ濃度の測定値に、前記固溶Ｓｉの含有濃度比率を乗じることによって、前記露出面における固溶Ｓｉ濃度を算出する。 （もっと読む）

【課題】 深さ方向元素分布測定方法及び深さ方向元素分布測定装置に関し、一次イオンの収束性を高めるともに、試料表面の仕事関数を低下させて負の二次イオン化率をさらに高める。
【解決手段】 Ａｒより高い収束性を持つ金属元素のイオンを一次イオン種として用いるとともに、試料１と反応性に富む元素の酸化物２を試料１の表面に付着させた状態で一次イオン３を照射して二次イオン４を発生させる。 （もっと読む）

【課題】 表面分析方法及び表面分析装置に関し、補正用の荷電粒子に起因する熱的ダメージを緩和させて本来の試料の素性を反映する分析結果を得る。
【解決手段】 絶縁性或いは半導電性の試料１に一次エネルギー粒子２を照射するとともに、一次エネルギー粒子２の照射或いは二次荷電粒子３の発生に伴う試料１の帯電を、帯電の極性と反対の極性の荷電粒子を照射して補正する際に、試料１が所定温度以下になるように補正用の荷電粒子４の量、エネルギー、或いは、収束度の少なくとも一つを制御する。 （もっと読む）

【課題】 エネルギー分解能を大幅に向上させて、低エネルギー化を図ることができ、試料の表面の組成を精度良く把握することができる３次元構造物分析システムを提供する。
【解決手段】 試料の少なくとも一部にイオンビームを照射して、前記試料を３次元的に加工するイオン銃と、イオンビームにより３次元的に加工した試料に対して電子を照射する電子銃と、前記電子が照射された試料からのＸ線を検出するＸ線検出器と、該Ｘ線検出器での検出結果に基づいて前記試料の組成分析を行う組成分析装置と、を備える３次元構造物分析システムである。Ｘ線検出器は、エネルギー分散型の超伝導Ｘ線検出器からなる。 （もっと読む）

【課題】ウェハの表面近傍欠陥を容易に解析できる試料作製方法を提供する。
【解決手段】欠陥検出手段で検出した欠陥の位置座標を基準にして、その近傍にイオンビームなどによってマーキングし、試料を透過型電子顕微鏡で観察して、マーキングと欠陥との相対位置関係から、欠陥部を特定し、目的とする欠陥部を含む試料を確実に作製する。 （もっと読む）

集束イオンビーム３１２のスパッタリングエッチング加工を行って薄片を作製すると同時に、薄片の側壁に対して平行な方向から電子ビーム３１４の照射を行って走査電子顕微鏡観察をし、薄片の厚さを測定する。そして、薄片の厚さが所定の厚さになったことを確認して、集束イオンビーム３１２による加工を終了する。
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【課題】 薄膜化した試料に電子線を照射して観察、特にX線検出による元素分析を、背景雑音を低減して高精度、高分解能で行える試料観察装置および試料観察方法を実現することを目的とする。
【解決手段】 薄膜試料の直後に孔部を有する軽元素材料からなる部材５６を配置して、電子線８で該試料２２の特定部位を観察する。
【効果】 本発明により、薄膜試料に電子線を照射して観察する際に、該試料以外の部分から発生するX線、および、該試料以外の箇所で散乱されて再び該試料に入射する電子線を低減できる。これにより高精度、高感度な２次電子像観察および元素分析が可能となり、一段と微細化が進むＬＳＩデバイス等の内部観察等を、高精度、高分解能で実施できる試料観察装置および試料観察方法を提供できる。 （もっと読む）

【課題】 単結晶試料又は配向性が高い多結晶試料であっても、電子後方散乱回折像のコントラストを改善することができる方法を提供する。
【解決手段】 試料の観察領域以外の領域にイオンビームを照射して結晶性を劣化させた劣化領域を形成する（ステップＳ１２）。その後、劣化領域における電子後方散乱回折像を撮像する（ステップＳ１３）。さらに、試料の観察領域における電子後方散乱回折像を撮像する（ステップＳ１４）。最後に、各回折像の間で、同一画素毎に回折強度の差を算出することにより回折像のコントラストを改善する（ステップＳ１５）。 （もっと読む）

【課題】電子顕微鏡で観察される回折像を用いた各種結晶試料のナノメータ分解能を有する歪み、応力を測定し、２次元分布のための装置、手法方法を実現することを目的とする。
【解決手段】電子線を試料に微小かつ平行に照射し、これにより得られる結晶構造を反映した回折像のスポット間距離を画素検出器もしくは位置検出器で測定し、測定位置情報と合わせて電子顕微鏡拡大像上に応力の２次元分布を重ねて表示する。
【効果】高速かつ高分解能で微小な結晶中の歪み、応力を試料の構造情報に合せて表示できる。 （もっと読む）