【課題】規則的な配列パターンのピッチがより微細化するフォトニック結晶やピクセルアレーなどの材料やディバイスなどにおける配列の乱れをより簡便に、正確に、短い時間で、所望の範囲にわたって検出、測定することができる、微小な規則的パターンの配列の乱れを検出測定する方法を提供する。
【解決手段】微小な規則的パターンを有する被検出対象物上に、エネルギー線を所定の走査パターンで照射し、エネルギー線を照射したときに生ずる二次電子発生量、反射粒子量、二次イオン発生量あるいはＸ線量の違いによりモアレ縞を形成させて、そのモアレ縞に基づいて被検出対象物が有する規則的パターンの変形の様子を一度に所定範囲で観察し、局部的な配列の乱れを検出または測定する。 （もっと読む）

【課題】 設計寸法が０．１μｍ程度のＬＳＩ内部の特定箇所に電圧を直接印加し、デバイス内に生じる現象を観察可能とする。
【解決手段】 荷電粒子ビームを用いて、対象試料の任意の領域を微小試料片に加工、摘出する工程に、摘出した微小試料片７２に微細導線３０ａ，３０ｂを取り付ける工程、取り付けた微細導線に電圧を印加する工程を加える。 （もっと読む）

【課題】二次イオン質量分析法により金属試料に含まれる元素の深さ方向の濃度分布を高精度に測定可能な元素分析方法を提供する。
【解決手段】一次イオンの照射エネルギーを設定し（Ｓ１０４）、次いで、一次イオン入射角度を設定して（Ｓ１０６）、一次イオンビームを試料に照射し、試料の深さ方向に亘って放出された２次イオンにより主要金属元素の深さ方向の強度測定を行う（Ｓ１０８）。得られた主要金属元素の強度の変動率が所定の範囲内か否かを判断し（Ｓ１１０）、所定の範囲内の場合はその一次イオン入射角度を分析対象の元素を分析するための一次イオン入射角度に決定し（Ｓ１１４）、分析対象の元素の深さ方向分析を行う（Ｓ１１６）。 （もっと読む）

【課題】 深さ方向元素分析方法に関し、簡単な構成によりエレクトロポジティブな元素とエレクトロネガティブな元素とを同時に高感度で検出する。
【解決手段】 イオンビーム照射によるスパッタエッチングによって試料１の表面から放出される二次イオンを検出し、試料１中に含まれる元素の深さ方向分布を測定する際に、試料１をエレクトロネガティブな元素雰囲気４に曝した状態でイオンビームを照射して、エレクトロネガティブな元素２と試料１中に含まれるエレクトロポジティブな元素３との負の複合分子イオン６を検出する。 （もっと読む）

【課題】分析時間の短縮を図れるとともに分析対象体表面のコンタミネーションの発生を抑制して分析精度の向上を図れるといった、優れた電子顕微鏡装置と共に用いる分析装置を提供する。
【解決手段】
電子顕微鏡装置Ｐが電子線を照射した際に試料Ｓから放射され且つ前記電子顕微鏡装置Ｐでの解析に用いるエネルギー線とは別のエネルギー線に関するデータを一時的に記憶するデータ記憶部１と、電子線照射条件に変化が生じたか否かを監視する電子線照射条件変化監視部２と、前記試料Ｓの分析を前記別のエネルギー線を利用して行う際に、前記電子線照射条件変化監視部２を参照し前記電子線照射条件に変化が生じていないとの監視結果を得た場合には、前記データ記憶部１に一時的に記憶している前記別のエネルギー線に関するデータを読み出して、前記試料Ｓの分析に用いるエネルギー線分析部３と、を具備して成ることを特徴とする電子顕微鏡装置Ｐと共に用いる分析装置。 （もっと読む）

【課題】簡易かつ廉価に電子−イオンコインシデンス分光を行うことができる、新規な電子−イオンコインシデンス分光器及び電子−イオンコインシデンス分光法を提供する。
【解決手段】放出極角が26±2度の範囲にある電子のみを分析する円筒鏡電子エネルギー分析器を準備し、この円筒鏡電子エネルギー分析器内に飛行時間型イオン質量分析器を配置する。前記円筒鏡電子エネルギー分析器の前方に試料を設置し、前記試料からの電子を検出し、前記飛行時間型イオン質量分析器で前記試料からのイオンを検出する。この電子シグナルとイオンシグナルを利用して電子−イオンコインシデンス分光を行う。 （もっと読む）

【課題】 深さ方向元素分析方法に関し、３ｎｍ以下の極表面領域の元素分布を高精度で取得する。
【解決手段】 イオンビーム照射によるスパッタエッチングによって試料１の表面から放出される二次イオン４を検出し、試料１中に含まれる元素の深さ方向分布を測定する際に、試料１を酸素雰囲気２に曝した状態でイオンビームを照射して、試料１の極表面での元素分布評価を行う。 （もっと読む）

【課題】分析領域にダメージを与えることなく分析可能な試料をつくることができる、分析試料の形成方法を提供する。
【解決手段】分析試料１１の形成方法は、まず、クラック１４や異物１５のある分析領域２１の周囲に、収束イオンビーム加工装置２３によって亀裂防止溝２２を形成する。次に、分析領域２１の近傍に形成された、クラック１４や異物１５を分析する際に邪魔となる障壁１２に応力を加えて除去する。このとき、障壁１２と繋がっていた基板１３の一部分１３ａから分析領域２１に亀裂３１が伝わったとしても、分析領域２１の周囲に形成した亀裂防止溝２２によって、分析領域２１に亀裂３１が進行することを抑えることができる。これにより、クラック１４や異物１５の状態を、障壁１２を除去する前の状態に維持することができ、クラック１４を観察したり異物１５の元素を特定したりすることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】減圧環境下で使用されるセラミックス部品において、処理物への汚染の少ないセラミックス部品を検査し、有機物の汚染の少ない半導体製造装置用セラミック部品を提供する。
【解決手段】焼結体密度９８％以上であり、Ｘ線光電子分光法で表面の深さ方向の測定をし、表面から５ｎｍ以深での深さで検出される吸着有機物由来の炭素量が５ｍａｓｓ％以下であることを特徴とする半導体製造装置用セラミックス部品、更に、半導体製造装置の処理室内で曝露される主面の表面粗さが、表面平滑度でRａ１μｍ以下であることを特徴とする前記半導体製造装置用セラミックス部品である。 （もっと読む）

【課題】筋引きの少ない良好な観察用断面を作製することができるとともに、スループットを向上させることが可能な集束イオンビーム装置、及び、良好な観察用断面を作製して、正確な観察像を得ることができる試料の断面加工・観察方法を提供する。
【解決手段】集束イオンビーム装置１は、試料Ｓを載置する試料台２と、試料台２を水平面上の二軸及び鉛直軸の三方向に移動させることが可能な三軸ステージ３と、試料Ｓに対して集束イオンビームＩ１、Ｉ２を照射する第一の集束イオンビーム鏡筒１１及び第二の集束イオンビーム鏡筒１２とを備え、第一の集束イオンビーム鏡筒１１及び第二の集束イオンビーム鏡筒１２は、互いの集束イオンビームＩ１、Ｉ２の照射方向が、平面視略対向するとともに、側方視鉛直軸に対して略線対称に傾斜するように配置されている （もっと読む）

【課題】 従来の電子顕微鏡用試料作製技術では、試料の断面薄膜化試料を作製するのみで、薄膜の状態のデバイス試料に電圧を印加し、デバイスを動作させることができなかった。
【解決手段】 収束イオンビーム装置内に複数のプローブを設け、プローブ間には自由に電圧を印加できる構成とする。また、プローブ間の電流を測定し、電流の有無を判定できる検知器を設ける。プローブは半導体デバイスのコンタクトプラグに接触させ、デポジションガスを装置内に導入し、プローブの接触位置に収束イオンビームを照射することで、プローブをコンタクトプラグに接着し、電流導入端子とする。電子顕微鏡の試料ホルダには、この電流導入端子に接触し、電子顕微鏡外部から電圧を印加できる電流導入機構を設ける。 （もっと読む）

【課題】温度変化によって膨張、収縮したとしても保持している試料の位置を変化させること無く、正確に位置決め、保持することが可能な試料保持機構、及び、この試料保持機構を備えた試料加工・観察装置に提供する。
【解決手段】試料加工・加工観察装置１は、試料保持機構２０を備えている。試料保持機構２０は、試料Ｓを保持する試料ホルダ２１と、試料ホルダ２１を着脱可能に支持するベース２２とを備える。これらの間には、回転可能に支持する回転支持部２７と、回転中心２７ａからＸ方向に向って摺動可能に支持するスライド支持部２８と、Ｘ方向及びＹ方向に摺動可能に支持する当接支持部とが、着脱可能に設けられている。上面２１ａには、回転中心２７ａからＹ方向及びＸ方向に沿って配置され、試料Ｓの一辺Ｓ１及び他辺Ｓ２に当接するＸ方向位置決めピン３１及びＹ方向位置決めピン３２が設けられている。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、顕微鏡像の像分解能を客観的判断のもとに評価できる像評価方法の提供にある。
【解決手段】画像の部分領域の分解能を、前記画像全体或いは前記画像の一部領域に亘って求め、前記画像全体或いは前記一部領域に亘って平均化し、前記画像全体、或いは一部領域の分解能評価値とすることを特徴とする像評価方法を提供する。このような構成によれば、顕微鏡の像分解能の評価において、評価者の主観が入り込まないので、像分解能の評価値に対して高い精度と良い再現性を達成できる。 （もっと読む）

【課題】加速電圧を下げたＳＴＥＭ観察での電子ビームの試料透過能力の低下やイオンビームの照射により生じるダメージ層の悪影響を防ぎ、試料の所望の領域への損傷を最小限にしてダメージ層を効果的に除去すること、および薄膜試料の厚さがより薄くなっても最適な加工終了時点を検出して加工失敗を防ぐ。
【解決手段】仕上げ加工に使用するイオンビームのエネルギーを低くすると共に、試料への入射角度を試料形状に合わせて最適化し、ＳＴＥＭ像の着目する要素の変化をモニタして加工の終了時点を検出する。 （もっと読む）

【課題】新規なエッチング深さ推定方法、特に、従来法より精度の高いエッチング深さ推定方法および、このエッチング深さ推定方法を使用した、深さ方向における元素濃度分布評価方法を提供する。
【解決手段】イオンビーム照射によるスパッタエッチングのスパッタリング時間またはドーズ量とそのときのエッチング深さとの二以上の組から、エッチング深さとスパッタリング時間またはドーズ量との比としてのエッチングレートを求め、このエッチングレートから任意のスパッタリング時間またはドーズ量におけるエッチング深さを決めるエッチング深さ推定方法において、あるスパッタリング時間またはドーズ量におけるエッチング深さを定数として扱い、その後のスパッタリング時間またはドーズ量について、前記エッチングレートを求める。 （もっと読む）

【課題】
試料となるウェーハを割ることなしにウェーハ断面を水平から垂直迄の方向からの断面観察や分析を高分解能，高精度かつ高スループットで行える微小試料加工観察装置および微小試料加工観察方法を実現することを目的とする。
【解決手段】
上記課題を解決するために本発明装置では、同一真空装置に集束イオンビーム光学系と電子光学系を備え、試料の所望の領域を含む微小試料を荷電粒子線成型加工により分離し
、分離した該微小試料を摘出するプローブを備えた。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子線装置が備えるプローブが試料ホルダの構造物や試料の凹凸の干渉を受けずに試料表面に接触可能かどうか直感的に確認できるようにする。
【解決手段】プローブ１０１の接触が不可能な領域１０４を計算し、荷電粒子線を用いて取得した観察像にオーバーレイ表示させる。 （もっと読む）

【課題】不良位置の特定が容易なナビゲーションシステムを提供する。
【解決手段】不良位置へＣＡＤナビゲーションするとき、回路設計を示す物理情報のＣＡＤデータの代わりに不良位置を示す目的の論理情報をＣＡＤフォーマットで作成する。具体的には電子顕微鏡の画像上にてソフトウェアにより矩形、文字、線等のマークを付けることにより、必要最小限の情報にて迅速なナビゲーションを行う。作成したＣＡＤデータを使って同一装置への再ナビゲーション、異種装置へのＣＡＤナビゲーションを行う。 （もっと読む）

【課題】試料へのダメージを最小化し高精度の加工位置決めを行うことができる集束イオンビーム装置を提供する。
【解決手段】集束イオンビーム装置は、検出器からの二次粒子信号によって生成された原画像を画素補間により拡大し表示する。ズーム率が大きい場合には、ビーム偏向分解能の範囲内で一度画像の再取得を実施し、それを原画像として画素補間を行い、高いズーム率の画像を得る。 （もっと読む）

【課題】 低温初段増幅器で発生する熱の影響による超電導放射線検出器やそれらを接続する超電導配線の温度上昇を抑え、超電導放射線検出器や低温初段増幅器に対して液体ヘリウムシールド層など外部からの輻射熱の影響を低減しつつ磁気ノイズの影響を減少させることなど、外部からの熱や磁場環境の影響によるノイズを低減して高精度の放射線検出測定が可能な超電導放射線検出装置とそれを用いた放射線分析装置を提供するものである。
【解決手段】 放射線を検出する超電導放射線検出器１と、超電導放射線検出器1で検出した信号を増幅する低温初段増幅器２とを、冷却ヘッド１０４に固定し、超電導放射線検出器１及び低温初段増幅器２の上方に熱シールド板６が配し、少なくとも低温初段増幅器２と熱シールド板６の間に熱シールド板６の温度による冷却効果により超電導状態となる材料からなる超電導シールド膜７を備えた。 （もっと読む）