【課題】対象物の種類ごとに空間分解能の高い二次元分布像を得ることができる方法及び装置、生体組織の構成物に由来する二次イオンの生成を効率よく行え、生体組織の構成物の分布状態を高い感度で測定するための方法および装置、更には、生体組織構成物の分布状態を定量性よく測定するための方法及び装置を提供すること。
【解決手段】対象物に関する情報を飛行時間型二次イオン質量分析法を用いて取得する取得する際に、対象物のイオン化を促進するための物質を用いて対象物のイオン化を促進して対象物を飛翔させる。 （もっと読む）

【課題】窒素濃度の高精度な分析を可能にする金属材料の窒素濃度分析方法および窒素濃度分析装置を提供する。
【解決手段】窒素濃度分析装置１０は、収容室１１、一次イオン照射装置１２、中和電子照射装置１３、連通管１４、飛行室１５および二次イオン検出装置１６を有する。収容室１１には、金属試料１７が収容される。金属試料１７の表面には、炭素系物質が付着している。一次イオン照射装置１２から金属試料１７の表面に向けてパルス状の一次イオンが照射される。これにより、金属試料１７からシアン化物イオンが放出される。金属試料１７から放出されたシアン化物イオンは、二次イオン検出装置１６において二次イオンとして検出される。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、既知の方法の欠点である、ミリングによって曝露された面では像が生成されないこと、及び如何なるエンドポイント指定もウエハ表面から生成される像に基づかなければならないことを解決することを目的とする。
【解決手段】 本発明は、FIB鏡筒のみが用いられている装置によって、この問題に対する代替解決策を提供する。
薄片を最終的な厚さ-たとえば30nm-にまでミリングするため、集束イオンビーム100は前記薄片に沿って繰り返し走査される。前記薄片をミリングしている際、前記薄片から信号が得られ、該信号はエンドポイント指定にとって十分であることが分かった。検査用のさらなる電子ビームは必要ない。 （もっと読む）

【課題】保護対象に作用する磁場の変化を簡単な構成で確実に抑えることが可能な磁場変化抑制機能付き電子機器システムを提供する。
【解決手段】試料分析システム１００は、磁場を形成する超電導マグネット２に対してその磁場の影響を受ける位置に設置される保護対象としての分析装置１と、この分析装置１に作用する磁場の変化を抑える磁場変化抑制装置３とを備えている。磁場変化抑制装置３は、分析装置１を通過する超電導マグネット２からの漏れ磁場２１の磁束を囲むように分析装置１の近傍に配置されて、漏れ磁場２１が変化することに起因してその変化を打消す向きの補正磁場４１ａ，４１ｂを分析装置１に作用させるような誘導電流を発生させる補正コイル４ａ，４ｂを含んでいる。そして、補正コイル４ａ，４ｂは、漏れ磁場２１の磁束を囲むように巻回された超電導線材を有する超電導コイルである。 （もっと読む）

【課題】イオンビームの照射により断面を露出させた試料を作製するため試料をイオンビームに対する所定位置に保持する試料作製装置において、イオンビームによる試料の加工中にイオンビームを遮断する遮蔽板のイオンビームに接近する方向への移動を防止し、良好な断面が現れた試料を作製する。
【解決手段】基端側を支持され先端側が自由端である第１の支持部材２と、第１の支持部材２の先端側に基端側を支持され先端側が第１の支持部材２の基端側に向けた自由端である第２の支持部材９と、第２の支持部材９に支持された遮蔽板１０と、第２の支持部材９に取り付けられた加熱ヒーター１３を備え、第２の支持部材９は加熱ヒーター１３により加熱せられて前記第１の支持部材の基端側方向に膨張する構造となされ、遮蔽板１０の第１の支持部材２の先端側に向かう一側縁をイオンビームＢの照射位置として保持し、遮蔽板１０によりイオンビームＢが遮蔽される位置に設置された試料１０１の遮蔽板１０の一側縁より露出した箇所への加工を行う。 （もっと読む）

【課題】薄膜に機械的な力を加えずに、密度（硬さ）等の薄膜の物性に関する測定を精度良く行なえるようにする。
【解決手段】薄膜３１に原子を打ち込み、前記薄膜３１に打ち込まれた原子に由来する信号を測定する。 （もっと読む）

【課題】 従来の有機物顕在化方法では、被検査物表面の異物を識別するためには、薄膜を堆積させる時間を多く必要とし、異物を識別させるための作業等が煩雑であった。また、被検査物表面の異物を識別する際には、被検査物を不活性ガスが封入された特別な環境下に置く必要があるため、異物の存在を容易に確認することができなかった。
【解決手段】 基板１の表面に金属薄膜１９を成膜し、金属薄膜１９が成膜された基板１表面に光を照射して、光の干渉により生じる、有機物１４が存在している部分と存在していない部分とのコントラスト差を識別する。 （もっと読む）

【課題】層界面領域に達する前に、照射面の層界面領域への近接を検出することが可能な電子分光分析方法を提供する。
【解決手段】試料に電子を励起させる励起線を照射し、試料から放出され、第１の層の構成元素に由来する第１の電子の信号強度を測定し、試料から第１の電子とともに放出され、第２の層の構成元素に由来する第２の電子の信号強度であって、前記第２の層が前記試料の表面を形成しているときに測定される運動エネルギーである第１の運動エネルギー（Ｅｋ（Ｓｉ２ｓ）、Ｅｋ（Ｓｉ２ｐ））よりも低い第２の運動エネルギー（Ｅｋ（１）、Ｅｋ（２）、Ｅｋ（３））を有する第２の電子の信号強度を測定し、第２の電子の信号強度の変化度合いが所定のレベルに達したときは、試料の分析条件を変更する。 （もっと読む）

【課題】飛行時間型質量分析器を用いた分析の高感度化と高精度を計る。
【解決手段】１次入射粒子としてクラスター粒子を用い、１次入射粒子１パルス当り２次粒子を複数個発生させ、２次粒子を飛行時間型質量分析器１８で分析する。デジタルオシロスコープ２５により、１次入射粒子をパルス化するパルス化信号を基準時間信号として、２次粒子の検出信号を２次粒子の飛行時間によらず均等な確率で計数する。 （もっと読む）

【目的】故障箇所も特定可能な描画エラーの検証方法を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の描画エラーの検出方法は、複数のショットパターンが間に入らない間隔で、かかるショットパターンに成形された荷電粒子ビームを連続してショットする描画工程（Ｓ１０２）と、複数のショットパターンが間に入る間隔で、ショットパターンに成形された荷電粒子ビームをショットする描画工程（Ｓ１１４）と、両描画工程で同位置にショットされたはずのショットパターン同士の位置を比較し、結果を出力する工程（Ｓ２０２）と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明はＸ線光電子分光装置並びに全反射Ｘ線光電子分光装置に関し、試料表面を極めて平坦にすることにより、高精度の試料分析ができるようにしたＸ線光電子分光装置，全反射Ｘ線光電子分光装置を提供することを目的としている。
【解決手段】試料表面上を帯電液滴エッチング法を用いてエッチングするエッチング手段と、エッチングした試料表面に全反射条件を満たす全反射臨界角以下の角度でＸ線を照射するＸ線照射手段と、Ｘ線を照射した試料表面から放出される光電子を解析することにより試料の表面近傍の深さ方向分析を行なう解析手段と、を含んで構成される。 （もっと読む）

【課題】本発明はイオン液体を用いた試料の処理方法及び処理システムに関し、大気中を搬送しても試料表面が大気に曝されないようにすることができるイオン液体を用いた試料の処理方法及び処理システムを提供することを目的としている。
【解決手段】イオンビーム加工装置等の真空中で試料２に加工処理を施し、加工処理が施された試料２にイオン液体を塗布し、イオン液体が塗布された試料２を電子顕微鏡等の予備排気室８に搬送し、該予備排気室８でイオン液体を除去し、該イオン液体が除去された試料２を電子顕微鏡本体で観察するように構成される。 （もっと読む）

【課題】表面に酸化膜を有する溶融亜鉛系めっき鋼板、電気亜鉛系めっき鋼板及び冷延鋼板について、表面の酸化物厚さを、既存手法より簡便・迅速、かつ正確に評価できる品質管理方法及び前記鋼板の製造方法を提供する。
【解決手段】溶融亜鉛系めっき鋼板の表面に０．１〜５ｋＶのなかから選ばれる加速電圧で加速された電子ビームを照射し、表面から発生する２次電子量に対応した信号強度を測定して信号強度数値として数値化する数値化ステップと、得られた信号強度数値が所定範囲に入るか否かにより、前記溶融亜鉛系めっき鋼板がその表面に所定性状の酸化膜を有しているか否かを判定する判定ステップとを有することを特徴とする、表面に酸化膜を有する溶融亜鉛系めっき鋼板の品質管理方法。 （もっと読む）

【課題】
タンパク質等の高分子構造におけるカイラリティ分布や、磁区構造の解析を高分解能で行うことが可能な走査電子顕微鏡を提供する。
【解決手段】
レーザー201と半導体202を備えたスピン偏極電子源等を搭載した走査電子顕微鏡を用いて、スピン偏極電子線203を照射した試料208からの反射電子209の強度やスピン偏極度を反射電子検出器210などを用いて測定することにより、試料208内部の高分子のカイラリティ構造や磁化ベクトルを可視化することができる。 （もっと読む）

本発明はイオンビーム顕微鏡を用いた試料検査に関するものである。幾つかの実施形態では、本発明は、各検出器は試料についての異なる情報を提供する複数の検出器を用いるものである。
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【課題】中性原子ビームや中性分子ビームの３次元速度分布を計測し、それらの流速、流量、角度分布を厳密に評価できる方法及び装置を提供する。
【解決手段】（１）試料の中性原子ビーム又は中性分子ビームを発生させる工程と、（２）送出された中性ビームからイオンを生成させて垂直の方向に引き出し、速度ごとに異なる位置に集束させる工程と、（３）イオンを位置敏感型検出器に衝突させて中性ビームの速度分布を投影させ、得られた画像に数値変換を施して中性ビームの３次元速度分布を決定する工程とを含む原子／分子ビームの３次元速度分布測定方法。 （もっと読む）

【課題】ナノビーム電子回折法の格子歪測定精度を向上し、結晶試料における局所領域の応力・格子歪を高精度に測定する。
【解決手段】回折スポット１４と透過スポット１５の間隔（あるいは異なる回折スポットの間隔）１６（Ｋ）と格子面間隔ｄとの間には、Ｋ＝１／ｄの関係がある。従って、スポット間隔Ｋの変化から格子面間隔の変化、すなわち格子歪を知ることができる。コンデンサレンズ絞り２を明瞭に観察することにより、回折スポット間隔の測定精度を高くする。この結果、格子歪の測定精度が向上する。そこで、電子回折図形を観察し記録するステップにおいて、コンデンサレンズ絞り２に焦点が合うように中間レンズ１１を調整する。これにより、結晶試料４における局所領域の応力・格子歪を高精度に測定することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】コヒーレントＸ線を用いた散乱測定において、測定部位を実デバイスと同様の条件で作製できるＸ線評価用試料及びその作製方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１１に対し、実デバイス形成時と同様の工程を実施する。その後、シリコン基板１１を切断して、測定部位１３を含む所望の大きさの試料２０を切り出す。次に、試料２０の裏面側を研磨してＸ線が透過する厚さにした後、試料２０の裏面にＡｕ等の金属からなるＸ線吸収膜２３を形成する。次いで、測定部位１３の近傍に、試料２０を貫通する参照光用穴２４を形成する。また、Ｘ線吸収膜２３をパターニングして、測定部位１３の裏面側に物体光用開口部２５を形成する。 （もっと読む）

【課題】
試料の欠陥を検査する装置において、装置が小型化できて省スペース，コストダウン，振動抑止と高速化，検査の信頼性が得られ、特に大口径化したウエハの場合に効果が大きい荷電ビーム検査装置を得る。
【解決手段】
少なくとも一つ以上の検査を荷電ビーム機構で行う複数の検査機構を具備し、各検査機構を概略一軸に配する共通の真空容器内に設けられた各検査機構間を一軸移動する一軸移動機構と、試料を載置し一軸移動機構上に回転軸を有した回転ステージと、試料を各検査機構間で一軸移動機構により移動させ、次に回転ステージで試料の検査位置を検査機構へ調整して合わせ、検査機構により試料の検査を行う。 （もっと読む）

【目的】二次イオン質量分析装置などの試料ホルダーにおいて、測定窓より小さな複雑な形状を持つ試料や微小試料を安定に保持して分析ができる試料ホルダーを提供する。
【解決手段】試料ホルダー１００の試料設置部４ａに導電性を持つ熱可塑性樹脂４ａ−１を配し、試料設置部４ａを加熱し、該樹脂４ａ−１が変形可能となった時点で試料５の下部を埋め込み、冷却、硬化させることで、測定窓８より小さな粒子や微小試料など複雑な形状の試料５を容易に固定することが出来るようになり、二次イオン質量分析を行なうことができる。 （もっと読む）