【課題】
試料となるウェーハを割ることなしにウェーハ断面を水平から垂直迄の方向からの断面
観察や分析を高分解能，高精度かつ高スループットで行える微小試料加工観察装置および
微小試料加工観察方法を実現することを目的とする。
【解決手段】
上記課題を解決するために本発明装置では、同一真空装置に集束イオンビーム光学系と
電子光学系を備え、試料の所望の領域を含む微小試料を荷電粒子線成型加工により分離し
、分離した該微小試料を摘出するプローブを備えた。 （もっと読む）

【課題】極薄のフィルム状試料をサンプリングする際に、測定する箇所を破壊することなく、その両面を測定できる状態でサンプリングすることが出来るサンプルホルダー及びそれを用いたフィルム状試料の表面分析方法を提供することを目的とする。
【解決手段】上部保持板１１と下部保持板２１とで構成されており、開口部を１個設けた事例で、上部保持板１１には、中央部に開口部１１ａを、周辺部に粘着部３１ａ、３１ｂ、３１ｃ及び３１ｄを、下部保持板２１には、中央部に開口部２１ａを、周辺部に粘着部３２ａ、３２ｂ、３２ｃ及び３２ｄを、それぞれ設けたものである。本発明のサンプリング用板を用いてフィルム状試料の前処理を行うことにより、フィルム状サンプルの両面を、汚染無く、表面分析装置で測定することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】微量元素の定性分析を正確に行う。
【解決手段】本発明の微量元素評価方法は、二次イオン質量分析法を用いて、試料に含有する微量元素を検出する微量元素評価方法であり、前記試料にイオンを注入し、前記試料の体積を増加させるステップと、体積が増加した前記試料にイオンビームを照射させ、前記微量元素の二次イオン質量分析を行うステップと、を有することを特徴とする。これにより、極浅領域での微量元素の検出量が向上し、その定性分析をより正確に行うことができる。 （もっと読む）

【課題】大きな面積を有する分析する試料に、一次イオンを入射して発生させた二次イオンを検出して、試料を構成する元素、存在する深さを二次イオン質量分析法で、測定位置に依存する測定誤差を測定位置に応じて補正する二次イオン質量分析法を提供する。
【解決手段】試料２０に一次イオンを入射して発生させた二次イオンを検出して、試料２０を構成する元素、存在する深さを分析する二次イオン質量分析法において、深さ方向に分布を持った不純物等の元素を含む試料２０における元素の測定プロファイルから、試料２０の中心から測定位置までの距離に応じて一次イオンの入射角度を補正して、その補正した角度で分析する試料の分析が行われ、そのプロファイルとしては、試料２０にドープされている不純物を測定したプロファイルで、その不純物のピーク濃度深さにより行われる。 （もっと読む）

【課題】ＳＩＭＳによるシリコン中のインジウムやガリウムの分布分析において、高精度な深さ方向分析を実現できる方法を提供する。
【解決手段】一次イオンとして酸素イオンを用い、スパッタ収率が、Ｏ₂⁺として１．０原子／イオン以上となる照射条件で分析を行なう。 （もっと読む）

【課題】生体の組織や細胞中に存在する微量な生体分子の分布状態を、質量分析法によって同定することによって、診断デバイスや創薬デバイスの開発に寄与できる方法を提供することを目的とする。質量分析法において、検出が困難とされていた生体分子の分布状態に関しての情報を得るための方法を提供することを目的とする。
【解決手段】（１）反応基とイオン修飾構造とを含むイオン標識化剤を準備する工程と、（２）反応基を介して生体分子にイオン標識化剤を結合させる工程と、（３）質量分析により、生体分子に結合したイオン標識化剤中に含まれるイオン修飾構造を測定することにより生体分子の分布情報を得る工程と、を有することを特徴とする情報取得方法。 （もっと読む）

【課題】濃度分析をより高精度に行うＳＩＭＳ分析法を提供する。
【解決手段】基板上に分析対象となる薄膜又は薄膜積層体を形成し、薄膜の最表面又は薄膜積層体の最上層の最表面に支持体を貼りあわせ、薄膜又は薄膜積層体を基板から剥離することで分析試料を作製する。基板と、薄膜又は薄膜積層体と、の間に剥離層を形成し、該剥離層をきっかけとすることが好ましい。更に好ましくは、剥離層と、薄膜又は薄膜積層体と、の間に緩和層を形成する。該分析試料はＳＩＭＳ分析に用いることができ、剥離した分析試料を裏面側からＳＩＭＳ分析することで、従来のＳＩＭＳ分析法では必要であった研磨工程を経ることなく、従来のＳＩＭＳ分析法と同様に高精度な濃度分析を行うことができる。 （もっと読む）

Ｓ／ＴＥＭサンプルの調製および分析用の改良された方法および装置である。本発明の好ましい実施形態により、ＴＥＭサンプル作成用、特に小さい形状（厚さ１００ｎｍ未満）のＴＥＭラメラ用の改良された方法が提供される。本発明の好ましい実施形態は、ＴＥＭサンプルの作成および分析のプロセスの労力を低減し、ＴＥＭ分析のスループットおよび再現性を高めるために、ＴＥＭサンプル作成を一部または全部自動化する方法を提供することにより半導体ウェハ上に製造される集積回路または他の構造などの対象に対するＳ／ＴＥＭベースの計測用のインライン・プロセスも提供する。 （もっと読む）

【課題】装置の小型化を実現し、かつ、真空容器内の圧力の増加や汚染が無く数μｍの試
料片が固着されるＴＥＭホルダの導入手段を備え、迅速な観察を可能とする試料室容積が
必要最小限の、占有面積の小さい、大口径ウエハ用の試料作製装置を提供すること。
【解決手段】試料を載置する試料ステージと、荷電粒子ビーム照射光学系と、荷電粒子ビ
ームの照射によって発生する二次粒子を検出する二次粒子検出手段と、該試料から試料片
を分離する試料片分離手段と、該試料を収納するカセットと、該カセットから該試料を該
試料ステージに移載する試料移載手段と、該試料片を固定する試料ホルダと該試料ホルダ
を固定する試料載置部と該試料載置部を保持し、試料ステージ本体部と脱着可能な構成か
ら成るカートリッジと、該カートリッジを収納するカートリッジステーションと、該カー
トリッジステーションから所望の該カートリッジを該試料ステージ上に、該容器の外部か
ら移載する移載手段を備える。 （もっと読む）

【課題】
絶縁性の高い試料を帯電することなく、また、汚染無く測定できる前処理法を提供する。
【解決手段】
絶縁性の高い分析対象試料に電離放射線やイオンビーム等のエネルギーを照射し、前記試料から放出される二次電子や二次イオン等のエネルギーを導いて前記試料表面を分析する表面分析方法において、前記絶縁性の高い分析対象試料上に導電性薄膜をメッシュ状に形成し、前記導電性薄膜が形成されていない前記試料上に前記電離放射線やイオンビーム等のエネルギーを照射することを特徴とする表面分析方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】絶縁物の分析対象となる領域における帯電を補正することにより、正確かつ再現性良く質量分析を行うことが可能な絶縁物の二次イオン質量分析方法を提供する。
【解決手段】本発明の絶縁物の二次イオン質量分析方法は、絶縁物である試料の表面に導電性の連続膜であるＰｔ−Ｐｄ合金薄膜を成膜し、このＰｔ−Ｐｄ合金薄膜付き試料に一次イオンビーム及び電子ビームを照射し、この試料から発生する二次イオンを引き出し、質量分析する。 （もっと読む）

【課題】微細な試料を無用に変質させることなく高精度に微細部位の断面の分析が可能な微細部位解析装置を提供する。
【解決手段】試料を断面加工して解析する微細部位解析装置は、試料台１と集束イオンビーム装置２と回転機構３と電子ビーム装置４と補正部５と分析装置６とからなる。集束イオンビーム装置２は、試料が置かれた試料台に向かって斜め方向の視線を有するよう配置され、試料台に対して斜め方向にターゲットを切断する。回転機構３は、ターゲットを中心に試料台を着眼位置中心回転させる。電子ビーム装置４は、切断するターゲットを探索すると共に回転中のターゲットを観察する。補正部５は、電子ビーム装置により観察されるターゲットの位置を補正する。分析装置６は、集束イオンビーム装置からターゲットの断面に照射される集束イオンビームにより放出される二次イオンを分析する。 （もっと読む）

【課題】散乱角の小さい散乱イオンを優先的に採取することによって高い測定精度を得る。
【解決手段】イオンビーム１５が照射された試料から散乱する散乱イオンのエネルギースペクトルを測定するための装置であって、磁場が形成された真空容器内で前記散乱イオンを検出するイオン検出器と、このイオン検出器と前記試料との間の位置に設けられるイオン選別用のアパーチャ１６とを備える。アパーチャ１６は、イオンビーム１５の通過を許容する開口３０を有し、特定の散乱角を有しかつ前記磁場により前記イオンビーム１５のビーム軸に特定の位置で収束するイオンのみが前記開口３０を通過する位置に設けられる。この開口３０の周縁部１６ａにはテーパー面３６やテーパー面３８が形成される。 （もっと読む）

【課題】 従来の飛行時間型二次イオン質量分析を利用した表面構造の解析方法では、試料が固体表面の有機化合物や分子結合性化合物の単層膜の場合に、試料表面から削っていくことが困難なために、厚さ方向の組成プロファイルを求めることが困難である。
【解決手段】 試料表面にサイズの異なる少なくとも２種類のイオンをそれぞれ照射する手段、前記試料表面から放出されるイオンの質量スペクトルを飛行時間型二次イオン質量分析器により計測する計測器、および計測された質量スペクトルから異なる種類のイオン照射で計測された２つの質量スペクトルの差を出力する情報処理装置を有することを特徴とする表面解析装置。 （もっと読む）

【課題】帯電粒子ビーム操作のためにサンプルを配向させる方法および装置を提供する。
【解決手段】サンプルが、サンプルの主表面がプローブ・シャフトに対して垂直ではない角度にある状態で、プローブに付着され、プローブ・シャフトは、サンプルを再配向させるために回転される。一実施形態では、サンプル・ステージに対して４５度などのある角度に配向されたプローブは、平坦領域がプローブの軸に対して４５度で平行に配向された、すなわち、平坦領域がサンプル・ステージに平行であるプローブの先端を有する。プローブ先端の平坦領域は、サンプルに付着され、プローブが１８０度回転されるとき、サンプルの配向は、水平から垂直に９０度変化する。次いで、サンプルは、ＴＥＭ格子をサンプル・ステージ上で垂直配向ＴＥＭ格子に付着される。サンプル・ステージは、薄くするためにサンプルの背面をイオン・ビームに向けるように回転および傾斜される。 （もっと読む）

【課題】製造されたデバイスの内部構造をテストするために薄いサンプルを準備して像形成する。
【解決手段】物体のサンプルを形成し、物体からサンプルを抽出し、真空チャンバーにおいて表面分析及び電子透過度分析を含むマイクロ分析をこのサンプルに受けさせるための方法及び装置が開示される。ある実施形態では、抽出されたサンプルの物体断面表面を像形成するための方法が提供される。任意であるが、サンプルは、真空チャンバー内で繰り返し薄くされて像形成される。ある実施形態では、サンプルは、任意のアパーチャーを含むサンプル支持体に位置される。任意であるが、サンプルは、物体断面表面がサンプル支持体の表面に実質的に平行となるようにサンプル支持体の表面に位置される。サンプル支持体に装着されると、サンプルは、真空チャンバー内でマイクロ分析を受けるか、又はロードステーションにロードされる。 （もっと読む）

【課題】 イオンビームと遮蔽材を用いる断面試料作製装置において、断面加工の進行状態を素早く簡単に判断し、断面作製位置の変更や修正を短時間に行えると共に、試料の内部構造を知ることができるようにする。
【解決手段】 イオンビームによって加工される試料６の断面を観察するための光学観察装置４０（断面観察手段）備え、イオンビームを照射中若しくは照射を中断した時にシャッタ４１を開けて、加工室１８内の真空を保持したまま試料６の断面を観察できる。また、試料６と遮蔽材１２の相対位置変更するための調整手段を備え、一回の断面加工が終了する毎に断面画像の取り込みと断面位置の微小移動を繰り返し、得られた複数の画像から試料６の立体画像を構成する。 （もっと読む）

【課題】Ｔａ膜を形成した後大気中に晒すことで大気中の水素を吸着させ、更にＴａ膜露出面に大気中の酸素等と反応して得られたＴａＯｘ膜が寄生的に形成された試料に対してＣｓ⁺を用いたＳＩＭＳ分析により得られた結果と、ＨＦＳ分析により得られた結果とを比較するとＳＩＭＳ分析ではＴａＯｘとＴａとの界面で水素濃度ピークが見られるが、ＨＦＳ分析ではＴａ内部で水素濃度はほぼ一定の値で分布している。分析方法により分析結果が異なり金属内気相物質の分布を分析することは困難であった。
【解決手段】ＳＩＭＳ分析用に一次イオンとして酸素イオンを用い水素を検出する。スパッタによりＴａ膜が露出すると同時に酸素イオンによるＴａ膜表面の酸化が生じるためＴａ膜内部からの水素ガス離脱が抑制され水素の偽ピークが消失する。そのためＨＦＳ分析よりも１００倍程度高い検出能を有するＳＩＭＳ分析を用いて試料中の水素量検出が可能となる。 （もっと読む）

【課題】Ｔａ膜に大気中の水素を吸着させ、更に大気中の酸素等と反応して得られたＴａＯｘ膜を有する試料に対してＳＩＭＳ分析を行い得られた結果と、ＨＦＳ分析を行い得られた結果とを比較するとＳＩＭＳ分析ではＴａＯｘとＴａとの界面で水素濃度ピークが見られるが、ＨＦＳ分析ではＴａ内部で水素濃度はほぼ一定の値で分布している。分析方法により分析結果が異なり金属内気相物質の分布を分析することは困難であった。
【解決手段】重水素をＴａ膜中に一様に分布するようイオン注入を行う。またＳＩＭＳ分析を行う際に酸素を真空装置中にリークさせて水素を検出する。スパッタによりＴａ膜が露出すると同時に酸素雰囲気によるＴａ膜表面の酸化が生じるためＴａ膜内部からの水素ガス離脱が抑制され水素の偽ピークが消失する。更に重水素の信号強度が一定になるよう制御することでより精密な水素の定量分析が可能となる。 （もっと読む）

【課題】試料中の６価クロムの有無を精度良く検出することが可能な技術を提供する。
【解決手段】試料１と、６価クロムと反応する試薬を含む有機酸溶液２とを所定時間接触させる。そして、測定基板６の表面上に有機酸溶液２を載置する。次に、有機酸溶液２を乾燥させる。その後、評価基板６の表面を分析して、試料１中における６価クロムの有無を判定する。試料１中に６価クロムが含まれる場合、有機酸溶液２を乾燥させた後の測定基板６の表面上には６価クロムと試料との反応物４が存在することから、測定基板６の表面を分析することによって、当該反応物４を分析することができる。６価クロムと試薬との反応物４を分析することによって、試料中における６価クロムの有無を高精度に検出することができる。 （もっと読む）