微細要素の物質分析のためのシステムおよび方法であって、方法は、帯電粒子ビームによって、微細要素の少なくとも一部分を含むエリアを照明し、帯電粒子ビームに応答してそのエリア内に生成される粒子を検出し、検出された粒子を分析して、微細要素の物質特性についての指標をもたらすステップを含み、照明動作は、それぞれが、連続する物質分析期間同士の間にもたらされる一連の変位補償決定期間において実施され、方法はさらに、変位補償決定期間の間に、微細要素に対する帯電粒子ビームの変位を評価し、連続する物質分析期間の間に、必要に応じて空間調整対策を適用して、それによって、帯電粒子ビームのドリフトを補償するステップを含む。
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【課題】サンプリング時に観察画像の状態によらず、プローブの形状を正確に自動認識させることが可能なプローブの制御方法及び装置を実現する。
【解決手段】プローブ１２の断面は長方形でありマイクロサンプル２３への接近時、プローブ１２の長手方向における側壁を集束イオンビームの入射方向と平行になる方向となるようにプローブ１２の姿勢を制御する。集束イオンビーム１１の試料１０への入射により励起された殻内電子のうち、仕事関数以上のエネルギーを有するものは、２次電子として試料表面より放出される。プローブ１２からの２次電子放出量はプローブ１２の側壁の端部で大となる。試料上のパターン部の凹凸は大きくても1ミクロンであるのに対し、プローブ１２の断面は数ミクロンと大きいためプローブ１２からの２次電子はウエハ面からの２次電子に比較して極端に大きな値となりプローブ１２の外形は容易に判断可能である。 （もっと読む）

【課題】SIMSにおいては、分析試料は、真空容器中に搬入され、真空中において分析が行われる。このため、水を含有するバイオメディカル試料等のSIMSにおいては、分析試料中の水分の気化による分析試料の乾燥や凍結が発生し、バイオメディカル試料を「生のまま」分析することが難しく、大きな課題となっている。
【解決手段】上記課題を解決するため、本発明では、分析試料を真空雰囲気とする前に、分析試料表面を「イオン液体」により被覆するものである。 （もっと読む）

【課題】微細に加工された半導体デバイス内の所望の箇所の３次元的構造を観察するための電子顕微鏡用試料作製装置、電子顕微鏡及びその方法を提供する。
【解決手段】試料片１０の加工にダイサーを用い、試料片上の観察対象となる部分を突起状に削り出す加工に集束イオンビーム加工を用い、試料片１０を１軸全方向傾斜試料ホルダに、突起１１の中心軸と試料傾斜軸Ｚを一致させて固定し、高角に散乱された電子で結像したＴＥＭ像を投影像として用い、再構成を行う。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、特に１０μmを超えるような深い領域の分析において、分析クレータ側壁の影響をなくし、正確な分析のできる分析方法を提供することである。
【解決手段】分析対象領域の分析クレータの深さが深さ方向分解能に影響しない範囲で分析を中断し、分析クレータの周囲の部分を掘削して分析クレータの底と同一の高さにし、また、分析を再開する際に試料の高さを調節し、分析面を初期の高さにする。これにより、分析面に対する１次イオン照射状態を一定に保つことが可能であり、また、２次イオンの検出感度も安定に維持できる。したがって、深い領域の分析を正確に行うことができる。 （もっと読む）

【課題】オペレータの技量に左右されず、例え初心者のオペレータが操作する場合であっても、欠陥を認識することができる。
【解決手段】試料の観察領域に電子ビームまたは集束イオンビームをある照射条件下で走査照射したときに、観察領域から発生する二次荷電粒子を検出する二次荷電粒子検出工程（Ｓ４）と、二次荷電粒子検出工程で検出した二次荷電粒子から、観察領域を区分けしたそれぞれ同じ周期パターンの複数枚の観察画像を形成する画像形成工程（Ｓ５）と、画像形成工程で得られた複数枚の観察画象同士を比較し、それらの差分情報から観察領域における欠陥を認識する欠陥認識工程（Ｓ６）とを備え、さらに、観察領域に電子ビームまたは集束オンビームを照射条件とは異なる他の照射条件下で走査照射したときにも、二次荷電粒子検出工程、画像形成工程、欠陥認識工程を備える。 （もっと読む）

【課題】イオンミリング法によるＳｉＰ型半導体パッケージでの断面試料を作成するために光学顕微鏡では観察できない試料内部構造中の所望の断面を正確に得ることができる断面作成方法及び作成システムを提供する。
【解決手段】不透明な半導体パッケージを加工して、当該半導体パッケージの所望の部位の断面を作成する断面試料作成方法において、試料内部観察手段により半導体パッケージの内部観察画像を取得する試料内部取得工程と、試料表面観察手段により半導体パッケージの表面観察画像を取得する表面画像取得工程と、内部観察画像と表面観察画像とを表示部に表示する画像表示工程と、表示部に内部観察画像と表面観察画像とを表示させて、イオンミリングによる半導体パッケージの断面加工を行う断面加工工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】
外乱等の影響に依らず、焦点等の調整が行われた高画質画像に基づく測定が可能な試料
の検査，測定方法を提供すること。
【解決手段】
焦点調整が行われた電子ビームを走査して、前記パターンを測定するための画像、或いは測定のための位置合わせを行うための画像を形成し、当該画像の評価値と、予め取得された参照画像の画像評価値を比較し、当該参照画像との比較によって、前記形成された画像が所定の条件を満たさないと判断される場合に、前記電子ビームの焦点調整を再度実行する方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】
半導体装置等をはじめとする回路パターンを有する基板面に白色光、レーザ光、電子線を照射して検査し、検出された表面の凹凸や形状不良、異物、さらに電気的餡欠陥等を短時間に高精度に同一の装置で観察・検査し、区別する検査装置および検査方法を提供する。また、被観察位置への移動、画像取得、分類を自動的にできるようにする。
【解決手段】
他の検査装置で検査され、検出された欠陥の位置情報をもとに、試料上の被観察位置を特定し、電子線を照射し画像を形成する際に、観察すべき欠陥の種類に応じて電子ビーム照射条件および検出器、検出条件等を指定することにより、電位コントラストで観察可能な電気的欠陥が可能になる。取得した画像は、画像処理部で自動的に分類され、結果を欠陥ファイルに追加して出力される。 （もっと読む）

本発明は、ａ）分析される少なくとも一つの無機又は有機試料（３）を超高真空下で与え、ｂ）少なくとも一つのコレクタ（５）を超高真空下で与え、ｃ）前記試料（３）をイオン又は中性子衝撃（１）に供し、ｄ）前記衝撃に供された試料（３）によって放出される粒子（２）を前記コレクタ（５）上に収集し、ｅ）前記少なくとも一つのコレクタ（５）上に収集された粒子（６）を二次イオン質量分析等によって分析することを含む方法であって、前記工程は、試料粒子（２）の放出が分析工程から切り離されるように実施され、コレクタ（５）、試料（３）、又はそれらの両方が工程ｃ）及び／又はｄ）中に互いに独立して移動する。 （もっと読む）

【課題】試料面が、ある自転軸に直交する同一面上にあることを容易に確認できる技術を提供する。
【解決手段】鏡面の試料面を持った複数の試料を取り付けた複数の試料取り付け窓を有する試料ホルダーを、これら複数の試料取り付け窓が同一の軌跡を持つように回転させて、個々の試料取り付け窓をある配置場所に順次配置し、その配置場所にある試料取り付け窓を自転させて、その試料面を観察し、試料面が自転軸に直交する同一面上にあることを確認する。 （もっと読む）

【課題】二次イオン質量分析法において、二次イオン強度の変化を簡便に抑制できる技術を提供する。
【解決手段】一次イオンの試料表面への照射中に、試料電流値の変化に応じて、一次イオンの入射方向に対する試料ステージの角度を変更することにより、一次イオンの試料表面への入射角度を補正する。 （もっと読む）

【課題】最小限の標準試料及び観察対象となる試料からそれぞれ得られる二次信号に関する最小限の検出結果から観察対象となる試料の膜厚を正確にかつ安定して測定することが可能な膜厚測定方法及び膜厚測定装置並びに試料作製方法及び試料作製装置を提供する。
【解決手段】膜厚測定方法は、標準試料における電子ビームの加速電圧と電子ビームに対する二次信号の強度比との関係である標準データを作成する標準データ作成工程Ｓ１と、標準データの変化点の加速電圧を基準値として抽出する基準値抽出工程Ｓ２と、対象試料に電子ビームを照射して電子ビームの加速電圧と電子ビームに対する二次信号の強度比との関係である測定データを作成する測定データ作成工程Ｓ３と、測定データの変化点の加速電圧を特性値として抽出する特性値抽出工程Ｓ４と、基準値と特性値との比較に基づいて標準試料の膜厚に対して対象試料の膜厚を評価する評価工程Ｓ５とを備える。 （もっと読む）

【課題】比較的簡易な構成の試料を用いて、実際の配線構造に近似する状況で配線導電材料の不純物濃度を精度良く測定し、実際の配線構造に極めて近い不純物濃度の知見を得ることを可能とし、当該知見を実際の配線形成に反映させる。
【解決手段】シリコン基板１に配線溝１ａを形成し、配線溝１ａを配線導電材料３で埋めんで配線様構造４を形成し、試料１１を作製する。この試料１１を用いて、ＳＩＭＳ法により配線様構造４の配線導電材料３をＳＩＭＳ分析する。 （もっと読む）

【課題】深さ方向の元素濃度分析方法に関し、二次イオン質量分析法を実施するに際し、分析領域周辺の情報を取り込むことなく，所望の領域のみの情報を得られるようにして、微量元素の精確な深さ方向分布を知得する。
【解決手段】被測定対象物に照射される一次イオンビームの走査領域の一部において、該被測定対象物に電圧を印加することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】どのようなタイプの発光素子であっても高度なポリッシュ技術等を必要とせずに、Ｄ−ＳＩＭＳによる評価を行う試料表面を簡単に且つ高精度に作製することができ、発光素子のＳＩＭＳによる評価を精度よく行うことができ、評価にかかるコストを削減できる発光素子の評価方法を提供する。
【解決手段】基板２の第１主面２ａ上にエッチストップ層１０をエピ成長させた後、該エッチストップ層の上に少なくとも発光層３及び電流拡散層５の順にエピ成長させ、基板の第２主面２ｂ側からエッチング液によりエッチストップ層１０まで基板２をエッチングして除去した後、発光素子１をエッチストップ層１０側から２次イオン質量分析法により深さ方向の元素分析をすることを特徴とする発光素子の評価方法。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ基板中の微量元素を、酸素雰囲気ではない状態で、深さ方向の分解能を高くかつ短い測定時間で、酸素イオンを一次入射イオンとするＳＩＭＳにより深さ方向の元素分布の分析を行う。
【解決手段】入射エネルギーをパラメータとして試料表面粗さ、および／または減衰深さを、一次イオン入射角度を変化させて測定し、入射エネルギー領域が高い領域の範囲において、かつその範囲で試料表面粗さ、および／または減衰深さが極小値をもつ入射角度範囲を見出し、その条件下でＳＩＭＳの測定を行う。 （もっと読む）

【課題】深さ方向元素濃度分析方法に関し、測定されたイオン注入元素の深さ方向プロファイルを減衰深さとスパッタ収率との関係を利用し、スパッタ収率の変化を分析しようとする。
【解決手段】二次イオン質量分析法で測定されたイオン注入元素の深さ方向プロファイルを分析する方法であって、イオン注入時に形成されたダメージの度合いにより変化するスパッタ収率の変化を減衰深さから求め、そのスパッタ収率の変化に依って測定プロファイルの深さ軸を補正する。 （もっと読む）

【課題】深さ方向不純物元素濃度分析方法に関し、二次イオン質量分析に於いて、酸素一次イオンを低エネルギーで照射してトランジェント領域の影響を低減しようとする場合、どこまで低エネルギーにすればよいかの基準を明確化しようとする。
【解決手段】二次イオン質量分析法を用いてＳｉ基板中の表面近傍に含まれる微量元素の深さ方向分析を行う際、一次イオンに酸素を用い、一次イオンの照射条件として、エネルギーを装置限界である0.15ｋｅＶ以上、且つ、従来法である0.50ｋｅＶ以下とし、一次イオン入射角θを各エネルギーにあわせて選択する。 （もっと読む）

【課題】二次イオン質量分析を行なう際に、試料面における分析領域の周辺部位への一次イオンの付着を防止し、試料面の近接する複数箇所における高精度の分析を行なう。
【解決手段】試料１の試料面１ａにおける一次イオンが照射される分析領域の少なくとも一部を囲む部位、ここでは試料面１ａで並列する複数のストライプ状に、元素としてＳｉ⁺をイオン注入する。このイオン注入により、注入部位に体積膨張が生じ、ストライプ状の複数の障壁１１が形成される。 （もっと読む）