【課題】感度と応答性とに優れ、微量の水素ガスであっても迅速に検知することができ、しかも十分な耐久性を発揮することが可能な水素ガスセンサを提供すること。
【解決手段】中心細孔直径が１．５〜５．０ｎｍであるメソ多孔体１１と、メソ多孔体１１の細孔内に配列された水素吸蔵能を有する金属１２と、金属１２に電気的に接続されている電極１３とを備えること特徴とする水素ガスセンサ。 （もっと読む）

湿度センサのための防護装置であって、周囲にある測定媒体と防護キャップ（１０）の内部空間との間の物質交換が隔膜（１２）を通じてのみ行われ得るように隔膜（１２）で覆われた開口部（１１）を有する防護キャップ（１０）を備え、前記隔膜（１２）は水に対する高い透過性と、高い耐熱性と、腐食性物質に対する高い耐性とを有するプラスチックでできている。
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【課題】高濃度の水素雰囲気下において、水素化金属膜と水素選択透過膜との間での原子の相互拡散を防止でき、水素化金属の水素選択透過膜表面への析出を抑制することができる水素センサ、発電装置及び電子機器を提供する。
【解決手段】水素化金属膜２の電気抵抗率を測定することにより水素濃度を検出する水素センサ１００は、組成中の水素含有量に応じて抵抗率が変化する材料により成膜された水素化金属膜２と、水素化金属膜２上に成膜されて水素を透過する水素選択透過膜４と、水素化金属膜２と水素選択透過膜４との間に、水素化金属膜２と水素選択透過膜４との間での原子の相互拡散を防止する拡散防止膜３を備える。 （もっと読む）

【課題】ガス検知層が剥離することを防止し、特定ガスの濃度変化を良好に検知するガスセンサの製造方法を提供すること。
【解決手段】まず、検知電極形成工程にて、基体１５上にガス検知層４における電気的特性の変化を検出するための検知電極６を形成し、続く薄膜形成工程にて、ガス検知層４の主成分をなす金属元素からなる薄膜を、検知電極６を覆うよう形成する。その後、密着層形成工程において、薄膜形成工程にて形成された薄膜を酸素雰囲気中で熱処理して酸化し、薄膜を形成する金属粒子が成長した粗い凹凸を有する密着層７を形成する。その後、ガス検知層形成工程にて、密着層形成工程において形成された密着層７上に、ガス検知層４を形成する。以上の製造方法で形成したガスセンサ１は、アンカー効果により、密着層７を介して基体１５とガス検知層４との密着性が向上する。 （もっと読む）

【課題】電気的絶縁体上に電極を設ける構成に工夫を凝らし、電極の電気的絶縁体に対する密着性を強固に確保するようにしたアンモニアガスセンサを提供する。
【解決手段】アンモニアガスセンサは、電気的絶縁基板１０の右側表面部位に設けたガラス層２０を有する。櫛歯状の両電極３０、４０は、ガラス層２０の表面に設けられている。感応層５０は、両電極３０、４０を覆蓋するようにガラス層２０の表面に積層されている。 （もっと読む）

【課題】センサ製作に関する技術・構造上の手間が更に削減されると同時に均等な熱配分が可能であり、センサをより小さく且つ廉価に生産できるようにするために、所要面積全体が減少されるようにする。
【解決手段】互いに結合された導体構造（４，７，８）と、ヒータ構造（６）とが、ガス検知層（５）を介して互いに電気的に接続されており且つ当該の互いに結合された導体構造（４，７，８）とヒータ構造（６）との間でガス検知層（５）の電気的な抵抗が測定可能であるように形成されて配置されているようにした。 （もっと読む）

【課題】 筒部と先端面部を有するカップ状の多孔質カバーを、劣悪環境や外乱（風等）にさらされる場所に設置する場合であっても横風等の影響を防止して検出精度の維持或いは信頼性の確保の実現に貢献する。
【解決手段】 所定のガス透過率を有し、かつ多孔質セラミックスＣによりカップ状に形成した多孔質カバーであり、少なくとも一部領域２を正規のガス透過率に形成し、かつ残部領域３を正規のガス透過率よりも小さいガス透過率に形成する。一部領域２のガス透過率は、５０〜８０〔％〕の範囲に選定するとともに、残部領域３のガス透過率は、１０〔％〕以下に選定する。 （もっと読む）

【課題】多湿環境においてもセンサの感度に低下をきたすことなく環境中のシリコーンを除去すること。
【解決手段】ＩＤ型シリカゲルの粒子、またはキャリアクトＱ−１０の粒子に貴金属系酸化触媒を担持させる。 （もっと読む）

【課題】密着層の構成材料に工夫を凝らして、当該密着層の熱応力の発生を抑制しつつガス反応層の密着性の強化を図るようにしたガスセンサの製造方法を提供する。
【解決手段】焼成後結晶化するガラス成分、フィラー成分及び結合剤成分を含有する密着層用ペーストを、保護層５０のうち左側発熱抵抗体３０に対する対応部位上に厚膜状に塗布して密着層用焼成前層を形成し、多孔質セラミックスに触媒を担持してなる触媒担持セラミックペーストを、密着層用焼成前層上に厚膜状に塗布して、ガス反応層用焼成前層を形成し、然る後、密着層用焼成前層及びガス反応層用焼成前層を共に焼成して密着層７０及びガス反応層８０として形成する。 （もっと読む）

【課題】湾曲する部位に貼付して湿度を計測する可撓性湿度センサを提供する。
【解決手段】有機高分子からなる支持基板１０上に一対の櫛状電極１２ｂと該電極から延設されるリード線接続端子１２ａとで構成される貴金属からなる電極構成体１２が接着剤１１により貼設され、該リード線接続端子１２ａには半田付けが可能な金属を析出させ、一対の櫛状電極面１２ｂには湿度に応答性するイオン伝導性感湿膜１３を被覆する構造からなり、該感湿膜の抵抗値の変化を測定することにより湿度を検出することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】選択的に感度を向上させた金属酸化物センサを提供すること。
【解決手段】本発明は、選択的に感度を向上させた金属酸化物センサの製造するために、該センサ内部にＺｎＯセンサ電極を備えるＺｎＯセンサを形成する工程、および該ＺｎＯセンサ電極をプラズマ流に曝露する工程を包含する。 （もっと読む）

【課題】 従来のものに比べてより一層低消費電力化を図り、感度の向上を図る。
【解決手段】半導体ガスセンサのヒーターを駆動するに当たり、前以てクリーニングするために、−２００〜０msの期間（３０mWで約４５０℃に加熱する状態）を経た後、ガス検知するための低温の状態、ここでは約５０〜４００msの期間（４．５mWで約１００℃に維持する状態）に移行するとき、センサへのパワー供給を一定値以下、例えば１５０msだけ停止することにより、この時間分だけパワー消費を低減させ、感度も向上させる。 （もっと読む）

【課題】溶媒を用いないドライプロセスにより、高い導電性を有する高品質の高分子薄膜を効率よく製造する方法、その導電性高分子薄膜、及びその用途等を提供する。
【解決手段】下記工程を含むことを特徴とする電気伝導性高分子薄膜の製造方法であって、ピロールをプラズマ重合させて作製した薄膜に、真空雰囲気下でアルキルベンゼンスルホン酸等からなるドーパントを導入することを特徴とする、高い電気伝導性を有する、高密度で、均質な高分子薄膜の製造方法、該方法により作製される、室温、空気中での導電率が１０^−６Ｓｃｍ^−１以上である導電性薄膜、上記導電性薄膜を構成要素として含む導電性部材、及びＶＯＣガスセンサ等の化学センサ部材。 （もっと読む）

【課題】常温においても、高感度で水素ガスを検知することができる白金複合酸化タングステン膜の製造方法を提供する。
【解決手段】a)アルコール溶媒中の酸化タングステン前駆体を含む前駆体溶液を作製する工程と、b) 前記前駆体溶液に白金化合物を添加して、白金化合物含有前駆体溶液を形成する添加工程と、c) 前記白金化合物含有前駆体溶液を熟成させる熟成工程と、d) 熟成工程後に、前記白金化合物含有前駆体溶液を基材上へ塗布し、塗布層を形成する工程と、e) 前記塗布層を乾燥する工程と、f) 前記乾燥後の塗布層を焼成して、白金複合酸化タングステン膜を形成させる焼成工程、を含む、白金複合酸化タングステン膜の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】短時間にて簡易に形成してなる感応層を有するアンモニアガスセンサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】アンモニアガスセンサの製造にあたり、感応層４０は、ＹＳＺ粉末及びWO₃粉末を互いに別々に併行して作製した後、これらＹＳＺ粉末及びWO₃粉末を混合して混合物とし、この混合物からなるペーストを基板１０の電極表面側部位に一対の電極２０、３０を介しスクリーン印刷して形成されている。 （もっと読む）

【課題】 ガスを検出する感度を高められ、しかも、長期間に亘ってガスを検出する感度を高く維持できるガスセンサ用金属酸化物半導体材料の製造方法を提供する。
【解決手段】 攪拌中のアルカリ水溶液中に金属塩を滴下して酸化物前駆体が分散した水溶液を生成する。酸化物前駆体が分散した水溶液と貴金属コロイド溶液とを加えて酸化物前駆体と貴金属コロイドとがほぼ均等に分散された分散液を生成する。分散液の沈殿物を焼成して金属酸化物半導体材料を製造する。 （もっと読む）

【課題】 リソグラフィ技術を用いることなく、また、大型化を招くことなく、検出感度の非常に高い半導体ガスセンサを容易かつ低コストに得られるようにする。
【解決手段】 基板１上に設けた一対の電極２，３間に金属酸化物半導体層４を形成し、この金属酸化物半導体層４中に、導電性微細粒子群９を一対の電極２，３間の全域に亘り連続コンタクトしないで、電極２，３間に少なくとも一つの微小ギャップｇが形成されるような拡散状態に混在させてある。
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【課題】ガス応答特性の異なる種々のガスセンサを得る。
【解決手段】ガス測定装置はガス応答特性の異なる２個以上のガスセンサを含む。各ガスセンサは、絶縁基板１上に形成された２個以上の電極３，３間に導電性高分子からなる感応膜７が設けられ、その感応膜７にガス中の測定対象成分が付着した際の電極３，３間の電気的変化により測定対象成分を測定するものである。それらのガスセンサの少なくとも１個はその感応膜７が複数種のドーパントを含んでいることにより他のガスセンサとは異なったガス応答特性をもっている。 （もっと読む）

【目的】長期のパルス駆動においてもPt感知膜電極とSnO₂ガス感知膜の間に問題の発生しない薄膜ガスセンサおよびその製造方法を提供する。
【構成】Si基板Bの貫通孔の一端を覆って張られその周縁がSi基板に固定された、酸化ケイ素または／および窒化ケイ素などからなる支持膜L1〜L3（ダイヤフラム構造という）上に、少なくとも、薄膜ヒータHが形成され、これを被覆する絶縁膜L4上に一対のPt感知膜電極Eを有するSnO₂ガス感知膜Sが形成されてなる薄膜ガスセンサにおいて、前記Pt感知膜電極と前記SnO₂ガス感知膜の間に、Sn-Ptからなる合金中間層Iを設ける。 （もっと読む）

ガス検知半導体素子。ガス検知半導体素子１’は、ＣＭＯＳ回路のソース領域およびドレイン領域と同時に形成されるドープされた単結晶シリコンから成る抵抗性ヒータ６が埋込まれる二酸化シリコン薄層３’を有するシリコン基板２’上に作製される。素子１’は、絶縁層４’によってヒータ６’から分離されたガス感知層９’を備えた検知領域を含む。作製の最終工程の１つとして、基板２’は、検知領域に薄膜を形成するためにバックエッチングされる。ヒータ６’は、熱拡散プレート１６’を包囲する略円形の構造を有し、弓形部分が互いに入れ子になって入り組んだ形態で相互接続されている２つの湾曲した抵抗器２０’，２１’から成る。ＣＭＯＳ回路のソース領域およびドレイン領域と同時にヒータを作製することは、ＣＭＯＳ工程後のバックエッチングおよびガス感知層の蒸着の他、ＩＣ処理工程で既に採用されている作製工程以外の工程を要することなくガス検知半導体素子が製造されるという点で、特に有利である。この円形の形状は、電力損失および加熱面積を一定として膜の大きさを最小にするには最善の解決策であることから、利点である。
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