【課題】本発明は、一つのパルス通電により加熱される一つのセンサ素子（ガス検知層）の電気抵抗値を用いて、検出対象ガスおよび湿度の検出を行い、装置構成の簡略化、消費電力の低減を図りつつ、より正確な湿度を検出できる技術の提供を提供する。
【解決手段】検出対象ガスとの接触により電気的特性が変化するガス検知層、及びガス検知層を加熱するヒータ層を形成したセンサ素子と、ヒータ層への通電を断続的に行って、ガス検知層の温度を変化させる通電駆動手段と、ヒータ層通電時のガス検知層の電気的特性に基づいて、検出対象ガスを検出するガス検出手段とを備えたガス検知装置であって、ヒータ層への通電を停止してから再度通電が開始されるまでのヒータ層通電停止時のガス検知層の電気的特性を用いて、検出対象ガスが含まれる被検出ガスの湿度を検出する湿度検出手段を備える。 （もっと読む）

【課題】金属−半導体トランジスタ式の水素感知器及び、半導体プロセスと無電気メッキ技術を結合することにより、水素感知器を製造する方法を提供する。
【解決手段】半導体ベースを形成するステップと、該半導体ベースに半導体緩衝層が設けられるステップと、該半導体緩衝層に半導体主動層が設けられるステップと、該半導体主動層に半導体ショットキー接触層が設けられるステップと、該半導体ショットキー接触層に半導体ハット層が設けられるステップと、該半導体ハット層にオーム金属接触電極層が設けられるステップと、該半導体ショットキー接触層に無電気メッキ技術でゲート電極とするショットキー金属接触電極層が設けられるステップとを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】燃料ガスと不完全燃焼ガスとを、メタンガスセンサと不完全燃焼ガスセンサとを用い、燃料ガスセンサと不完全燃焼ガスセンサとを有効に活用できるガス検知装置を提供する。
【解決手段】ＣＯガスセンサ２が故障の場合には、メタンガスセンサ１がメタンガス検知に適した状態に達するタイミングでメタンガス検知値を取得するとともにＣＯガス検知に適した状態に達するタイミングでガス検知値をＣＯガス検知値として燃料ガス検知値取得部４４ａに取得させる第１検知制御部４３ａと、メタンガスセンサが故障の場合には、ＣＯガスセンサがＣＯガス検知に適した状態に達するタイミングでＣＯガス検知値を取得するとともにメタンガス検知に適した状態に達するタイミングでガス検知値をメタンガス検知値として不完全燃焼ガス検知値取得部４２ｂに取得させる第２検知制御部４３ｂとからなるガス検知装置。 （もっと読む）

【課題】ガス検出素子のリード線と基台のステーとの接続部に絶縁皮膜を形成すること
【解決手段】リード線５を介してガス感応部４２に通電してジュール熱により昇温させてガスを検出するガス検出素子４と、リード線５を介してガス感応部４２に通電するとともにガス検出素子４を固定する導電性のステー３を備えた基台２とからなるガス検出器の製造方法において、ガス検出器１を高分子蒸気を含有する環境に収容して高分子の薄膜１０を形成する工程と、リード線５を介してガス感応部４２に通電してガス感応部４２を高分子の薄膜が気化、または分解する程度に加熱する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】濃度０の場合に出力が０となる有機電界効果トランジスタを用いたガスセンサ。
【解決手段】１．Ａの有機電界効果トランジスタ１００は、導電性基板１０表面に絶縁膜２０を形成する。この絶縁膜２０の表面２０ｓを、疎水化処理をしたものと、しないものとで１組とする、或いは親水化処理をしたものと、しないものとで１組とする。その上にチャネル形成層である有機半導体層３０を形成する。導電性基板１０裏面にはゲート電極４０ｇを形成し、有機半導体表面には、チャネル長を空けてソース電極４０ｓとドレイン電極４０ｄが形成される。１組とした２つの有機電界効果トランジスタ１００の、ガス濃度０の時の出力を、等しくなるように増幅調整した上で、差分をとれば、ガス濃度０の場合に出力が０となる構成とできる。 （もっと読む）

【課題】電気的抵抗の変動が抑制された有機無機ハイブリッド材料によるガスセンサ材料、該材料を製造する方法及び該材料を含むガスセンサ等を提供する。
【解決手段】有機無機ハイブリッド材料を空気のような酸素を含む雰囲気下で使用するときは、動作温度における飽和酸素吸着量以上の酸素を予め吸着させておくことで、又は窒素のような酸素を含まない雰囲気下で使用するときは、予め吸着した酸素を脱離させておくことで、該有機無機ハイブリッド材料の電気的抵抗のドリフトを抑制した有機無機ハイブリッド材料からなるガスセンサ材料、導電性有機無機ハイブリッド材料、それらの製造方法、導電性部材及び化学センサ部材。
【効果】有機無機ハイブリッド材料からなるガスセンサ材料のベース抵抗値のドリフトを抑制することで、測定対象ガスに対する応答に相当する抵抗値変化に対してドリフトが相対的に小さくなり、これにより、正確な濃度の検出が可能となる。 （もっと読む）

【課題】常温での水素検知を可能とする共に、応答速度の高い水素センサを提供する。
【解決手段】水素脆性材料からなるナノワイヤーＷを有し、このナノワイヤーＷが水素と反応して断線することを検出することにより水素を検知する。これにより、水素を常温で検知可能とする共に、その応答速度を高めることが可能である。 （もっと読む）

【課題】酸性ガスを確実に除去するとともに十分な反応速度を確保し、長期間にわたり高い応答性を実現した可燃性ガス検出装置を提供する。
【解決手段】検出空間２１２を有するケース体２０と、検出対象ガスのうち酸性ガスを吸着する無機化合物を主体とする無機化合物フィルタ６０と、無機化合物フィルタ６０を通過した検出対象ガスのうち雑ガスおよび酸性ガスを吸着する活性炭を主体とする活性炭フィルタ３０と、所定の時間間隔でパルス通電を行ってオンとオフを繰り返す間欠駆動がなされて、検出対象ガスのうち可燃性ガスに感応して検出信号を出力する薄膜ガスセンサ１０と、を備える可燃性ガス検出装置１とした。 （もっと読む）

【課題】多数の物質試料のガス収着特性を同時に決定する装置を提供する。
【解決手段】本装置は、低容積導管の切換可能なマニホールド、およびセンサのアレイを含み、ここでそれぞれの低容積導管はガス収着物質の単一の試料を専用の検出器に流体的に結合する。切換可能なマニホールドは、試料を真空源または注入ガス源に流体的に結合するようにも構成される。導管の非常に小さい内部容積のために、特定の試料から放出される実質的に全てのガスは、放出されたガスの収着を通して、圧力を測定することによって、または他の手段によって、対応する検出器によって正確に検出される。このようにして試料によって放出されたガスの量が非常に正確に測定される。ある実施形態においては、センサのアレイは、水素化物ベースのセンサを含み、このセンサは、水素を含むガスに曝露されると光学的および／または電気的に応答性を有する水素化物を生成する物質を含む。 （もっと読む）

【課題】 ２種類のガスの検出を正確に行え、ヒータの消費電力が大きくなったり、感応センサが大型化するのを抑制できる感応センサを提供する。
【解決手段】 内層にヒータ１７を有するベース１と、ヒータ１７に対応する位置において、相互に対向するようにベース１の一方の面１ａ上に形成された第１の一対の薄膜対向電極１９Ａ，１９Ｂと、第１の一対の薄膜対向電極１９Ａ，１９Ｂにそれぞれ接続された第１の一対の薄膜配線パターン２３Ａ，２３Ｂと、第１の一対の対向電極１９Ａ，１９Ｂに跨るように形成された第１の感応膜２５と、ヒータ１７に対応する位置において、相互に対向するようにベース１の他方の面１ｂ上に形成された第２の一対の薄膜対向電極１１９Ａ，１１９Ｂと、第２の一対の薄膜対向電極１１９Ａ，１１９Ｂにそれぞれ接続された第２の一対の薄膜配線パターン１２３Ａ，１２３Ｂと、第２の一対の対向電極１１９Ａ，１１９Ｂに跨るように形成された第２の感応膜１２５とを有している。 （もっと読む）

【課題】消費電力が少なく熱絶縁性・熱衝撃に優れた耐久性を有するガス検知素子を提供する。
【解決手段】ガス感応部１１および加熱手段を設けた被支持基板部１０が、複数の架橋部２０によって支持基板部３０に支持してあるガス検知素子Ｘであって、１つの架橋部２０では、被支持基板部１０に対する架橋部２０の延出方向と、支持基板部３０に対する架橋部２０の延出方向とを、異なる方向に設定してある。 （もっと読む）

【課題】 小型化および高機能化が容易なガスセンサ装置を提供する。
【解決手段】 少なくとも上面および下面に配線導体２が形成された絶縁枠体１の内側に半導体集積回路素子３が配置されて配線導体２と電気的に接続されているとともに、絶縁枠体１および半導体集積回路素子３の上面および下面のそれぞれに、ガスセンサ素子４が、半導体集積回路素子３の上面または下面に伝熱材５を介して接合され、かつ外周部分の少なくとも一部を絶縁枠体１の上面または下面に対向させて配線導体２と電気的に接続されているガスセンサ装置９である。半導体集積回路素子３と複数のガスセンサ素子４とが平面視でほぼ重なるように配置され、半導体集積回路素子３によりガスセンサ素子４の加熱が可能であるため、高機能化および平面面積の小型化が容易なガスセンサ装置９を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】最小限の加熱操作で従来では望むことの出来ない高感度な検出が可能なガスセンサー素子を提供する。
【解決手段】半導体基板上にショットキー電極とオーミック電極とが配置され、ガスの存在を感知したときに生じるショットキー電極とオーミック電極間の電流−電圧特性の変化によってガスの存在を検知する原理のガスセンサー素子であって、ガスセンサー素子は、ショットキー電極と基板との界面に絶縁膜が設けてある。 （もっと読む）

【課題】設定限界を超えた周囲環境下に一定時間置かれたことを検知できる環境変化検知センサおよび非接触ＩＣ媒体を提供する。
【解決手段】非接触通信を行うアンテナ回路と、該アンテナ回路を通じた非接触通信の制御を行うＩＣとを備えた非接触ＩＣ媒体に、所定の環境に置かれていると時間経過に伴って不可逆的に変化する変化手段と、該変化手段が所定状態以上に変化したことを検知可能にする検知可能化手段とを備えた環境変化検知センサを接続した。 （もっと読む）

【課題】ホルムアルデヒドガスよりアセトアルデヒドガスを優先的に検知する特性を有するガスセンサ材料、該材料を製造する方法及び該材料を含むガスセンサ等を提供する。
【解決手段】層状構造を持つ無機化合物の層間に、ポリナフチルアミン又はその誘導体、或いは、ポリアミノアントラセン又はその誘導体を主成分とする有機高分子を挿入することによって、その化学センサ特性としてホルムアルデヒドガスよりアセトアルデヒドガスを優先的に検知する特性を有する有機無機ハイブリッド材料からなるガスセンサ材料、導電性有機無機ハイブリッド材料、それらの製造方法、導電性部材及び化学センサ部材。
【効果】該ガスセンサ材料と、従来のアセトアルデヒドよりホルムアルデヒドを優先的に検知するガスセンサ材料を同時利用することで、ホルムアルデヒドとアセトアルデヒドのそれぞれの濃度を判定することが可能な化学センサデバイスを提供することが出来る。 （もっと読む）

【課題】従来のヒーターでガス感応膜を高温に保持しガス濃度検出を行うダイヤフラム構造ガスセンサにはヒーター温度を測定する機構が設けられておらず、ヒーター抵抗値が一定範囲内に収まるように、ヒーター構成材料膜厚及びヒーターパターン幅を高精度で作製し、一定電力をヒーターに供給する手法で温度一定化を図っていた。このため、ヒーターパターン形成工程要求精度高であり、作製困難であった。
【解決手段】二種の物質で構成された熱電対の温接点をダイヤフラム上のヒーター近傍に形成し、周囲ヒートシンク部上に冷接点を形成したヒーター温度を測定するサーモパイルを設ける。
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【課題】感応層と電極との接合強度を高めるようにしたガスセンサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】アンモニアガスセンサのセンサ素子１は、絶縁基板１０と、この絶縁基板１０上に設けた接着層２０と、この接着層２０上に設けた一対の櫛歯状電極３０、４０と、この一対の櫛歯状電極３０、４０を介し接着層２０上に設けた感応層５０とを備えている。ここで、一対の櫛歯状電極３０、４０は、所定量のウイスカーを含有する電極材料でもって作製され、感応層５０は、所定量のウイスカーを含有する感応材料でもって作製されている。従って、ウイスカーによるアンカー効果が一対の櫛歯状電極３０、４０と感応層５０との間に発揮される。 （もっと読む）

【課題】水素等の可燃性ガスの影響及びＮＯx等の酸化性ガスの影響を低減することができ、従来に比べて臭気ガスに対する検知精度及び検知感度の向上を図ることのできるガスセンサを提供する。
【解決手段】ガスセンサ１は、矩形状の平面形状を有し、シリコン基板２の上面に絶縁被膜層３が形成され、この絶縁被膜層３には、発熱抵抗体５が内包されるとともに、その上面には密着層７およびガス検知層４が形成された構造を有する。ガス検知層４は、金属酸化物半導体としてのＳｎＯ₂を主成分とし、さらに、少なくともＶ₂Ｏ₅と、Ｉｒとを含む。 （もっと読む）

【課題】 常温で動作する金属酸化物半導体ガスセンサーを提供する。
【解決手段】 平板状のセンサー基板１と、該センサー基板１上に形成される電極２，２と、該電極２，２上に形成される、酸化テルルナノワイヤーからなる薄膜層３と、を備えるガスセンサーである。酸化テルルナノワイヤーは、金属テルルおよび生成基板を同時に加熱し、生成基板上に成長させる。ナノワイヤーを水またはアルコールに投入して懸濁液を生成し、この懸濁液を、電極を形成したセンサー基板上に滴下して乾燥させることで、酸化テルルナノワイヤーからなる薄膜層を備えるガスセンサーが得られる。 （もっと読む）

【課題】水素等の可燃性ガスの影響及びＮＯx等の酸化性ガスの影響を低減することができ、従来に比べて臭気ガスに対する検知精度及び検知感度の向上を図ることのできるガスセンサを提供する。
【解決手段】ガスセンサ１は、矩形状の平面形状を有し、シリコン基板２の上面に絶縁被膜層３が形成され、この絶縁被膜層３には、発熱抵抗体５が内包されるとともに、その上面には密着層７およびガス検知層４が形成された構造を有する。ガス検知層４は、金属酸化物としてＳｎＯ₂とＩｎ₂Ｏ₃の少なくとも２種と、Ｉｒとを含む。 （もっと読む）