【課題】撮像画像の画像品質を向上する。
【解決手段】熱電対素子群２１０の受光面がグレーティング構造になるように、複数の熱電対２１１〜２１６について間を隔てて配置する。入射光がグレーティング構造へ入射して受光面でプラズモン共鳴が発生し、その熱電対素子群２１０においてプラズモン共鳴が発生した部分の温度が変化することによって、各熱電対２１１〜２１６において起電力が生ずるように、熱電対素子群２１０を形成する。 （もっと読む）

【課題】１つのファブリペローフィルタにより、従来よりも広い波長域において所定波長の光を選択的に検出することのできる波長選択型赤外線検出装置を提供する。
【解決手段】対向配置されたミラーを有する可変ファブリペロー型の１つの第１フィルタと、所定帯域の光を選択的に透過させるバンドパス部を有し、該バンドパス部がミラーに対応して設けられた第２フィルタと、赤外線検出素子にてバンドパス部を透過した光を検出する赤外線検出器を備える。第１フィルタから、複数の次数の干渉光が透過される。バンドパス部は、任意の次数の干渉光がギャップ長さの変化に伴って取り得る変調帯域に応じた光透過特性を有し、第２フィルタは、異なる次数の干渉光それぞれに対応する複数種類のバンドパス部を有する。赤外線検出器は、第２フィルタを透過した干渉光を、バンドパス部の種類ごとに異なる赤外線検出素子にて検出するように、複数の赤外線検出素子を有する。 （もっと読む）

【課題】基板のウェットエッチング加工が容易であり、広い波長域にわたって効率良く赤外線を吸収できる熱型赤外線検出器を提供する。
【解決手段】赤外線吸収膜２は、ＴｉＮを含む第１の層２１と、Ｓｉ系化合物を含む第２の層２２とを備え、第２の層２２側から入射する赤外線のエネルギを熱に変換する。ＴｉＮは、８μｍより短い波長域の赤外線に対する吸収率が高い一方、８μｍより長い波長域の赤外線に対しては反射率が高い。従って、長波長域の赤外線に対する吸収率が良いＳｉ系化合物層をＴｉＮ層上に積層すれば、ＴｉＮ層において吸収率が低い波長域の赤外線をＳｉ系化合物層において好適に吸収できると同時に、Ｓｉ系化合物層を透過しようとする赤外線をＴｉＮ層の界面で反射してＳｉ系化合物層へ戻すことができる。 （もっと読む）

【課題】広いエリアを検知しながらサーモパイル型赤外線検出装置の格納スペースとして小さく提供する事。
【解決手段】小さい格納スペースにて広い検知エリアを形成するにあたり、サーモパイル型赤外線検出装置の光路上に筒形状の内側部をミラー加工し対象のエリアに対応した曲率を有したミラー部を必要なサイズにカットしたミラー５を設置し、ミラーを固定とし、サーモパイル型赤外線検出装置６をスライド移動する事で、広いエリアを検知可能としている。 （もっと読む）

【課題】標本面の測定領域に照射される単位面積当たり光強度を正確に算出する技術を提供する。
【解決手段】顕微鏡から射出される光の強度を測定する光強度測定ユニット１は、開口絞り３と、視野絞り５と、開口絞り３と視野絞り５の間に配置される少なくとも１枚の測定レンズ４と、顕微鏡に装着するためのインターフェース部２ａとを含んで構成される。開口絞り３は、少なくとも１枚の測定レンズ４の後側焦点面近傍に位置することで、対物レンズの瞳と同様に作用する。視野絞り５は、少なくとも１枚の測定レンズ４の前側焦点面近傍に位置することで、単位面積当たり光強度の算出に用いられる面積を確定する。 （もっと読む）

【課題】赤外線センサにおけるＭＯＳトランジスタのしきい値のばらつきを小さくすることが可能な赤外線センサの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１の一表面側にシリコン酸化膜３１とシリコン窒化膜３２との積層膜を形成してから、シリコン窒化膜３２のうち熱型赤外線検出部３の形成予定領域Ａ１に対応する部分を残してＭＯＳトランジスタ４の形成予定領域Ａ２に対応する部分をドライエッチングにより除去する。その後、半導体基板１の一表面側に第１のイオン注入を行ってウェル領域４１を形成してから、ＭＯＳトランジスタ４のしきい値電圧を制御するための第２のイオン注入を行う。ウェル領域を形成する工程では、シリコン酸化膜３１のうちＭＯＳトランジスタ４の形成予定領域Ａ２に形成されている部分（シリコン酸化膜５１）の一部をウェットエッチングにより除去してから、シリコン酸化膜３１をマスクとして第１のイオン注入を行う。 （もっと読む）

【課題】製造工程によるガスの発生が低減されておりかつノイズ対策の施されたセンサ装置を実現すること。
【解決手段】センサ素子収納用パッケージ１は、基体11と、開口部121を有しており基体11上に設けられるケース部材12と、開口部121に設けられた光学部材13とを含んでいる。光学部材13は、透光性を有する基板131と、基板131に形成されたＤＬＣ膜132ａと、ＤＬＣ
膜132ａの表面に形成された金属層133とを含んでいる。基板131は、平面透視において光
学部材13の周囲領域においてＤＬＣ膜132ａから部分的に露出されている。金属層133は、ＤＬＣ膜132ａの表面から光学部材13の周囲領域における基板131にかけて設けられている。基板131は、金属層133を介してケース部材12に電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】レンズ固着のための接着剤のはみ出しを低減し、開口径を高精度に維持しつつ、高精度で信頼性の高い赤外線検出を行うことが可能な赤外線センサモジュールを提供する。
【解決手段】基板１０上に配置され、赤外線を検出する赤外線センサ素子３０と、赤外線センサ素子３０の出力を処理する信号処理回路素子４０と、赤外線センサ素子から所定の距離を隔てて設けられ、外部の赤外線を前記赤外線センサ素子に結像するための光学部材としてのレンズ２２を備えた光学部材用開口窓２３を有し、赤外線センサ素子および信号処理回路素子を収容するケースとを具備した赤外線センサモジュールであって、光学部材用開口窓２３は、その周縁部２３Ｒで、光学部材を装着する面側に肉薄部を有し、光学部材の周縁部と光学部材用開口窓の周縁部との間に凹状部２５を構成し、凹状部２５が、接着剤２４の充填される充填部を構成する。 （もっと読む）

【課題】 高価な機械加工の撮像用レンズを使用することなく、低コストで製造が可能な構造の集光ミラーを用いることにより、複数画素を有効活用するエネルギー集光を行う赤外線センサ装置を提供する。
【解決手段】 集光ミラー３は、反射面がセンサチップ１に近い後段（第１の反射面（ゾーン１））と対象物の視野面６に近い前段（第２の反射面（ゾーン２））に分かれ、視野面６の中心からの光（赤外線）は、センサチップ１の中央素子に集光し、視野面６の周辺からの光は、チップ１の周辺素子に集光する。視野面６の中心から出た光６４は、直接チップ１の中央素子に入射し、同じく視野面６の中心から出た光６３、６５は、集光ミラー３の第１の反射面で反射してチップ１の中央素子に入射する。視野面６の周辺から出た光６１、６６は、集光ミラー３の第２の反射面で反射してチップ１の周辺素子に入射する。 （もっと読む）

【課題】赤外線吸収膜の裏面側から赤外線を受光するタイプの熱型赤外線センサーにおいて、赤外線吸収膜の裏面における赤外線の反射率を低減させる。
【解決手段】熱型赤外線センサーは、空洞部７によって半導体基板５とは熱的に分離された赤外線吸収膜９と、赤外線吸収膜９の温度変化を検出する温度センサー１１とを備えている。赤外線吸収膜９は半導体基板５と対向する面にサブ波長構造９ａからなる赤外線反射防止構造を備えている。 （もっと読む）

【課題】赤外線センサ装置の出力の個体差ばらつきを簡易に補正し、赤外線エネルギー量から測定温度を簡易かつ高精度に定量することが可能な赤外線センサ信号の補正方法及び温度測定方法並びに温度測定装置を提供すること。
【解決手段】赤外線センサ装置から得られる赤外線センサ信号に赤外線センサ装置固有の補正係数Ａを乗算する第１補正工程を有し、補正係数Ａは、赤外線センサ装置を用いて所定のセンサ温度Ｔ_AMBXにおいて所定の温度Ｔ_OBJXの対象物を測定したときに得られる信号Ｓ_IRXを所定の値にするための係数である。 （もっと読む）

【課題】広範囲の温度計測を行なうことが可能で、全ての検出温度範囲に対してノイズの影響を抑制した赤外線検出器を提供する。
【課題の解決手段】同一チップに、サーモパイル素子１、第１〜第６のＰチャンネル電界効果トランジスタを備えた低雑音増幅器２３を有する前置増幅回路部２、主増幅回路部３を備え、サーモパイル素子１の出力信号Ｖｏｕｔをスイッチング部２１又はスイッチング部２２でチョッピングした後に低雑音増幅器２３で増幅し、この増幅した出力信号を差動増幅器３１で増幅する。クロック信号ＳＣＫがクロック信号入力端子５又はクロック信号入力端子６に供給されることでスイッチング部２１，２２を選択的に動作させ、また、帰還抵抗部３２のスイッチ３７，３８をオン、オフ制御して差動増幅器３１の利得を可変させる。 （もっと読む）

【課題】応答速度および構造安定性の向上を図ることが可能であり、且つ、感度の向上を図ることが可能な赤外線センサを提供する。
【解決手段】熱型赤外線検出部３は、空洞部１１の周部に形成された支持部３ｄと、空洞部１１を覆う第１の薄膜構造部３ａとを備える。第１の薄膜構造部３ａは、空洞部１１の周方向に沿って並設され支持部３ｄに支持された複数の第２の薄膜構造部３ａａと、互いに対向する第２の薄膜構造部３ａａ同士を連結する連結片とを有し、各第２の薄膜構造部３ａａごとに第２の薄膜構造部３ａａと支持部３ｄとに跨ってサーモパイル３０ａが設けられ、全てのサーモパイル３０ａが直列接続の接続関係で電気的に接続されている。サーモパイル３０ａにおける熱電対の２種類の熱電要素がｐ形ポリシリコン層３５とｎ形ポリシリコン層３４とであり、ｐ形ポリシリコン層３５とｎ形ポリシリコン層３４とが互いに異なる面上に形成されている。 （もっと読む）

【課題】熱ノイズを低減することが可能な赤外線センサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】赤外線センサ１００は、サーモパイル３０ａにより構成される感温部３０を有し半導体基板１の一表面側に形成されて半導体基板１に支持された熱型赤外線検出部３と、半導体基板１の上記一表面側に形成され感温部３０の出力電圧を取り出すためのＭＯＳトランジスタ４とを備える。ＭＯＳトランジスタ４のゲート電極４６が、ゲート絶縁膜４５上の導電性ポリシリコン層４６ａと、導電性ポリシリコン層４６ａを覆うシリサイド層４６ｂとを有している。 （もっと読む）

【課題】 感光性ドライフィルムを接着剤に用いて、低価格化で量産性、生産性に優れた赤外線センサ装置の製造方法を得ると共に、小型化、低価格化の赤外線センサ装置を得る。
【解決手段】 シリコンカバーと、半導体チップと、両者を間隔をおいて対向配置させるスペーサ層とを備えた赤外線センサ装置を製造する際に、シリコンカバーの材料になるシリコンウエハ１２０の接着面側に感光性ドライフィルム１１０をパターニングして接着剤層となるスペーサ層１１を形成し、この接着剤層を介してシリコンウエハ１２０を複数の赤外線センサ装置が形成された半導体ウエハに接合する。その後接合されたシリコンウエハ１２０と半導体ウエハをダイシングして赤外線センサ装置を個片化する。接着剤層は、個片化された赤外線センサ装置のスペーサ層１１に用いられる。 （もっと読む）

【課題】レンズ部以外の部位であるベース部を通して赤外線検出素子の受光面へ赤外線が入射するのを防止することが可能な半導体レンズ、半導体レンズの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体レンズ３は、パッケージ２において赤外線検出素子１の受光面の前方に形成された矩形状の透光窓２３を覆うようにパッケージ２の内側から配設される。半導体レンズ３は、赤外線検出素子１の受光面へ赤外線を集光するレンズ部３ａ以外の部位であるベース部３ｂの外周形状が矩形状に形成されている。また、半導体レンズ３は、透光窓２３の内側に位置するベース部３ｂを通して赤外線検出素子１の受光面へ入射しようとする赤外線を吸収することで阻止する赤外線阻止層３ｃを備えている。赤外線阻止層３ｃは、不純物（例えば、ボロンなど）が高濃度ドーピングされた高濃度不純物ドーピング層により構成してある（つまり、赤外線阻止層３ｃをベース部３ｂ内に形成してある）。 （もっと読む）

【課題】製造歩留まりの向上が可能な赤外線センサを提供する。
【解決手段】赤外線センサ１００は、半導体基板１と、赤外線による熱エネルギを電気エネルギに変換する感温部（熱電変換部）３０を具備し半導体基板１の一表面側に形成されて半導体基板１に支持された熱型赤外線検出部３とを備え、半導体基板１において熱型赤外線検出部３の一部の直下に空洞部１１が形成され、熱型赤外線検出部３に、空洞部１１に連通した複数のスリット１３，１４が形成されている。熱型赤外線検出部３は、複数のスリット１３，１４を通した異方性エッチングにより半導体基板１に空洞部１１を形成する際に半導体基板１において上記一表面からの異方性エッチングが最終的に開始される部位に重なる部分に、当該部分を補強する補強部３８が設けられている。 （もっと読む）

【課題】空間の背景温度と異なる温度をもつ熱源を検出し、その熱源が人であるかどうかを識別し、人と判断した熱源の位置座標、発熱体の大きさ、平均温度、最大温度、最小温度、熱源周辺の背景温度を出力する。
【解決手段】２次元に配置された赤外線検出素子を用い空間の温度分布を計測し、その背景温度と異なる温度をもつ発熱体が空間に存在した場合、その発熱体の重心を求め、重心の位置座標を記憶していき、順次検出した発熱体の重心座標を中心とする設定エリア内に記憶された重心座標の数が設定値を超えたとき、その発熱体は人である情報と共に、発熱体の位置座標、大きさ、平均温度、最大温度、最小温度、熱源周辺の背景温度を出力する。 （もっと読む）

【課題】サーモパイルの抵抗のばらつきを小さくすることが可能な赤外線センサの製造方法を提供する。
【解決手段】サーモパイル３０ａにおけるｐ形ポリシリコン層３５およびｎ形ポリシリコン層３４の基礎となるノンドープのポリシリコン層を形成した後、ｐ形不純物およびｎ形不純物それぞれを上記ポリシリコン層の互いに異なる所定部位にイオン注入してｐ形ポリシリコン層３５およびｎ形ポリシリコン層３４を形成するようにし、ｐ形ポリシリコン層３５を形成するためのｐ形不純物のイオン注入を行う際のイオン注入量を、ｐ形ポリシリコン層３５のドーピング濃度が固溶限となるイオン注入量よりも高く設定し、かつ、ｎ形ポリシリコン層３４を形成するためのｎ形不純物のイオン注入を行う際のイオン注入量を、ｎ形ポリシリコン層３４のドーピング濃度が固溶限となるイオン注入量よりも高く設定する。 （もっと読む）

【課題】複数個の検知素子を有する場合に、低消費電力化を実現するとともに、侵入者を確実に検知できる受動型赤外線検知センサを提供する。
【解決手段】検知エリアＡ内の相異なるエリアＡ１、Ａ２で侵入者Ｈから発する赤外線をそれぞれ検知する複数の検知素子２、３と、各検知素子２、３からの検知信号に基づいて信号処理をそれぞれ行う複数の個別信号処理部７を有し、すべての検知素子２、３からの検知信号が侵入者の検知を示すとき、侵入者と判定し出力する検知処理部６とを備えており、少なくとも１つの検知素子２、３からの検知信号が侵入者以外のノイズの検知を示すとき、当該検知素子２、３の信号検知処理を個別的に休止させる。 （もっと読む）