【課題】視野角制限体を一体で配置した赤外線センサにおいて、視野角制限体の存在による測定誤差の発生を防止した赤外線センサを提供することにある。
【解決手段】所定の視野角以外からの光が入射しないように視野角制限を行う視野角制限部と、前記視野角制限部の上流側の開口部に設けられ、該開口部から入射する光のうち赤外線のみを下流側に透過する光学フィルタと、前記視野角制限部下流側に接続され、前記光学フィルタを透過した赤外線を光電変換して電気信号として出力する光電変換部を有する赤外線センサ素子とを備えた赤外線センサであって、前記赤外線センサは、前記赤外線センサ素子の温度を測定する温度センサを前記視野角制限部と前記赤外線センサ素子と熱的に一体構成にして樹脂封止していることを特徴とする赤外線センサである。 （もっと読む）

【課題】赤外線撮像素子の熱応答速度によらず高い応答速度で熱画像を表示することの出来る熱画像撮像方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の熱画像撮像方法によれば、『「第一検出値と第二検出値との差」と、「赤外線撮像素子の熱応答速度」とから赤外線検出値を推定すること』とのことから、１スキャンタイム前と現スキャンタイムとの赤外線撮像素子の検出値の変化速度から現スキャンタイム時の赤外線撮像素子の赤外線検出値を推定し、現スキャンタイム時の対象物の温度を推定することが出来る。よって、赤外線撮像素子の熱応答速度によらずスキャンタイム毎に対象物の温度を推定することが出来、熱画像を高い応答速度で撮像することができる。 （もっと読む）

【課題】 第１電極と接続される配線を支持部材に形成しても面積が拡大されることのない高集積化に適した焦電型検出器、焦電型検出装置及び電子機器を提供すること。
【解決手段】 焦電型検出器は、基体１００と、基体１００より突出するスペーサー部材１０４と、スペーサー部材１０４に支持される支持部材２１０と、支持部材２１０に支持される焦電型検出素子２２０と、を有する。焦電型検出素子は、第１電極２３４と、第２電極２３６と、第１，第２電極間に配置された焦電体２３２とを有する。支持部材は、絶縁層２１２と、絶縁層よりも第２面２１１Ｂ側に配置された第１配線層２１４と、平面視で焦電体及び第１配線層が重なる位置にて前記絶縁層を貫通して第１配線層と第１電極とを接続する第１プラグ２１６と、を含む。 （もっと読む）

【課題】周囲温度が変化した場合でも、ペルチェ素子等の電気的な冷却素子を使用することなく、熱型赤外線センサーの出力電圧のＤＣレベル変化を小さくする。
【解決手段】電源ＶｄｄとグランドＧＮＤの間にセンサーＭＯＳＦＥＴ３と電流源ＭＯＳＦＥＴ５が直列に接続されている。センサーＭＯＳＦＥＴ３は断熱構造体１上に配置され、電流源ＭＯＳＦＥＴ５は断熱構造体１の外部に配置されている。センサーＭＯＳＦＥＴ３及び電流源ＭＯＳＦＥＴ５は同じ導電型のＭＯＳＦＥＴからなり、かつサブスレッショルド領域で動作される。センサーＭＯＳＦＥＴ３と電流源ＭＯＳＦＥＴ５の間の端子がセンサー出力端子Ｖｏｕｔを構成する。センサーＭＯＳＦＥＴ３及び電流源ＭＯＳＦＥＴ５は周囲温度変化に対して特性がほぼ等しく変化する。 （もっと読む）

【解決手段】光子検出器 光子検出システムはアバランシェフォトダイオードを具備し、アバランシェフォトダイオードは、第１導電型を有する第１半導体層と第２導電型を有する第２半導体層とから形成されたｐｎ接合を具備し、第１導電型はｎ型またはｐ型から選択され、第２導電型は第１導電型とは異なりかつｎ型またはｐ型から選択され、第１半導体層は第１導電型のドーパントでドープされるドープ層であり、低い場の複数ゾーンに囲まれた高い場の複数ゾーンの複数のアイランドを第１層が具備するように、第１導電型のドーパントの濃度に変化があり、高いおよび低い場の複数ゾーンは、ｐｎ接合の平面で横方向に分布していて、ドーパント濃度は、高い場の複数ゾーンでは低い場の複数ゾーンよりも高く、前記システムは、さらにバイアス部を具備し、前記バイアス部は、時間に関して静的である電圧、および時間変動する電圧を印加する。 （もっと読む）

【課題】温度計測する微小領域より内径の大きな中空導波路を用いても微小領域のみの温度計測が正確に行える温度計測用中空導波路を提供する。
【解決手段】試料７の温度計測に用いられ、試料７から輻射される赤外線を伝搬させるための中空領域５を有する温度計測用中空導波路１において、試料側に位置する温度計測用中空導波路１の一端部分に、赤外線を透過しない材料で形成されたアパーチャ板６を、アパーチャ板６に形成された開口部６ａと温度計測用中空導波路１の中空領域５とが一致するように取り付けられているものである。 （もっと読む）

【課題】
光量を検出する光量検出装置において、微弱光量から強光量まで広いダイナミックレンジで測定できる光量検出技術を提供する。
【解決手段】
光量検出装置において、フォトンカウント型光検出器の検出信号をＡ／Ｄ変換する。Ａ／Ｄ変換された検出信号が、予め設定したしきい値以上の場合にはそのまま後段の光子数算出回路に検出信号を送り、しきい値以下の場合には、あらかじめ設定された基準値を後段に送るしきい値処理をおこなう。光子数算出回路では、光量測定が終了するまで取得した検出信号波形の面積から、フォトンカウント型光検出器に入射した光子数あるいは光量を求める。 （もっと読む）

【課題】小型化可能な光学センサー及び電子機器等を提供すること。
【解決手段】光学センサーは、半導体基板１０上に形成された、フォトダイオード用の不純物領域３１、３２と、フォトダイオードの受光領域に対する入射光の入射角度を制限するための角度制限フィルター４１、４２と、を含む。角度制限フィルター４１、４２は、フォトダイオード用の不純物領域３１、３２の上に半導体プロセスによって形成された遮光物質（光吸収物質または光反射物質）によって形成される。 （もっと読む）

【課題】 環境によって紫外線の照り返し量が異なる場合においても、より最適な日焼け防止策を提示することができる。
【解決手段】 スイッチ１０４には、環境特定情報と、紫外線の照射を受ける照射時間とが入力される。紫外線センサー１０５は紫外線強度を測定する。ＲＯＭ１０９は、環境に応じた紫外線の照り返し量を特定するための照り返し量特定情報を環境毎に記憶する。ＣＰＵ１０１は、スイッチ１０４に入力された環境特定情報で特定される環境の照り返し量特定情報をＲＯＭ１０９から読み出し、照り返し量特定情報と紫外線センサー１０５が測定した紫外線強度とに基づいて、照り返しを含む紫外線強度を算出する。また、ＣＰＵ１０１は、スイッチ１０４に入力された照射時間と、算出した照り返しを含む紫外線強度とに基づいて、照射時間中の日焼けを防止する防止策を特定する。ＬＣＤ１０８は、ＣＰＵ１０１が特定した防止策を表示する。 （もっと読む）

【課題】信号光を高感度かつ高ＳＮＲで検出できる光検出装置を提供することにある。
【解決手段】信号光を受光して、該信号光を光増幅して伝送する第１光伝送部101と、信号光を受光して、該信号光を伝送する第２光伝送部102と、第１光伝送部101および第２光伝送部102からそれぞれ伝送されて出力される光を光電変換する光電変換部103と、を備える。 （もっと読む）

【課題】スイッチの操作が行われることなく紫外線センサーを動作および停止させることができ、消費電力を削減することができる。
【解決手段】紫外線センサー１０５は、紫外線強度を測定する。時刻計測部１０７は、時刻情報を出力する。ＲＡＭ１１０は、紫外線を測定する測定時間帯を特定する測定時間帯情報を記憶する。表示部１０８は、紫外線センサー１０５が測定した紫外線強度を示す情報を表示する。ＣＰＵ１０１は、時刻計測部１０７が出力する時刻情報で特定される時刻が測定時間帯情報で特定される測定時間帯に含まれる場合には紫外線センサー１０５を動作させ、時刻計測部が出力する時刻情報で特定される時刻が測定時間帯情報で特定される測定時間帯に含まれない場合には紫外線センサー１０５の動作を停止させる。 （もっと読む）

【課題】 接触部材の接触面側での直接反射光による影響を低減すること。
【解決手段】 発光部１４と、受光部１６と、反射部１８と、被検査体と接触する接触面を備える接触部材１９−２を有すると共に、接触部材が発光部１４が発する光の波長に対して透明な材料で構成され、かつ発光部１４を保護する保護部１９と、基板１１と、を含み、発光部１４から発せられた光が、保護部１９における接触部材１９−２の接触面側で一回反射して受光部１６の受光領域に入射することが抑制される。 （もっと読む）

本発明者らは、半導体／金属界面を有する金属半導体ハイブリッド（ＭＳＨ）構造において、異常光コンダクタンス（ＥＯＣ）現象、および好ましくは逆ＥＯＣ（Ｉ−ＥＯＣ）現象に基づいて室温で機能する、好ましくはナノスケール寸法の、新規な高性能光学センサを開示する。このような設計は、ベア半導体によって示されることのない、効率的な光子検知を示す。例示的実施形態を用いる実験において、ヘリウム−ネオンレーザ放射を用いる超高空間分解能４点光コンダクタンス測定は、２５０ｎｍ装置について、観測された最大測定値が９４６０％という、著しく大きい光コンダクタンス性能を明らかにした。このような例示的ＥＯＣ装置はまた、６３２ｎｍ照射で５．０６×１０^１１ｃｍ√Ｈｚ／Ｗよりも高い固有検出能、および４０ｄＢの高い動的応答を実証しており、このようなセンサを広範囲な実際的応用に対して技術的に優位にする。
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【課題】各検査に必要な記憶容量を低減し、多くの検査結果を記憶部に記憶させる。
【解決手段】発光機器の検査装置１は、検査対象物Ａの発光特性を検査する。撮像部２は、検査対象物Ａの発光面を撮像する。処理装置５の第１の画像処理部５２ａは、撮像画像を圧縮処理して、表示画像としての圧縮画像を作成する。撮像画像は、各画素ごとに濃淡値を画素の位置座標を対応付けた画像である。第２の画像処理部５２ｂは、撮像画像から、各画素の濃淡値を順に並べ上記濃淡値の順序により各画素の位置座標を表わす濃淡値数値化データを作成する。第１〜３の判定部５４，５５，５７は、発光領域を各判定基準に照合して検査対象物Ａが良品であるか否かを判定する。表示装置６は、第１〜３の判定部５４，５５，５７の判定結果および表示画像を表示する。記憶部５３は、判定結果とともに表示画像および濃淡値数値化データを記憶する。 （もっと読む）

【解決手段】光子検出システムは、アバランシェフォトダイオードと、 前記アバランシェフォトダイオードのための電圧源と、を具備し、前記アバランシェフォトダイオードは、シリコンまたはそのヘテロ構造を具備し、前記電圧源は、時間に関して静的な電圧成分と時間と共に変化する電圧成分とで、前記アバランシェフォトダイオードにバイアスをかける。 （もっと読む）

【課題】日常生活の中で活用しやすい情報を取得できる紫外線測定装置を提供する。
【解決手段】センサからの紫外線情報を、外部から得られる位置情報や天気情報で補正して表示する。センサは、ＵＶ−ＡとＵＶ−Ｂを別に測定する。センサからの紫外線情報を外部に送信し、フィードバック情報を受信する。センサからの紫外線情報と外部から得られる日変化情報に基づき、測定時刻前後の紫外線強度を推定する。季節に合った紫外線の日変化情報を受信して保持しておき、測定を行った時刻における日変化情報を測定情報に合わせて補正する。日変化情報グラフの時間軸の上で測定情報を表示する。受信した紫外線の日変化情報を測定地点における位置情報や天気情報で補正する。 （もっと読む）

【課題】紫外線情報を日常生活の中で適切かつ容易に活用できる紫外線測定装置を提供する。
【解決手段】ＵＶ−Ａ領域に感度をもつ第1紫外線センサ部１６とＵＶ−Ｂ領域に感度をもつ第２紫外線センサ部１８の測定情報を制御部４０で処理する。第１紫外線センサ部の測定情報から第２紫外線センサ部の測定情報を減算してＵＶ−Ａ情報を求める。第1紫外線センサ部にガラスカバー３４、第２紫外線センサ部に石英カバー３８をしてそれぞれＵＶ−Ａ情報およびＵＶ−Ｂ情報を出力する。ＵＶ−Ｂ情報が絶対的または相対的に小さい時ガラス越し測定と判断して補正し戸外での測定値を推定する。太陽電池出力により紫外線センサ部への直射光入射の有無を判定する。紫外線センサ部と可視光センサ部は天に向け、表示部は顔に向ける。化粧用コンパクト１の鏡を反射型ＬＥＤ表示とし、コンパクトを開いた時自動的に短時間だけ紫外線情報を表示する。 （もっと読む）

【課題】集積化が容易で検出感度の向上が可能な赤外線２次元イメージセンサの製造方法を提供する。
【解決手段】強誘電体膜から成る赤外線検出容量ＣＦのうち、容量部分１００は、引出配線１０２および１０４により支持されて、溝部３３０の両側のＳｉ基板に対して保持される。下部電極は、引出配線１０２と結合し、上部電極は、引出配線１０４と結合する。容量部分１００の平面形状は、長方形形状から、対角線方向に互いに対向する１０６の部分および１０８の部分を除いた形状となっている。 （もっと読む）

【課題】紫外線、赤外線、あるいは可視光等の光を高感度で検出することができ、位置分解能及び計数率特性に優れた光検出器を提供することを目的とする。
【解決手段】光検出器１０１は、入射する光を電子に変換して放出する光電変換部２と、光電変換部２に相対する位置に配置され、チャンバ７内のガスで電子を増幅して検出するピクセル型電極６と、光電変換部２の周囲に接触し、ピクセル型電極６に対して負電位となるマイナス電極９と、を備える。本光検出器は、光電変換部からピクセル型電極へ向けて広がる電場を形成しており、光電変換部が発生させた電子の位置情報を保ったまま相似拡張してピクセル型電極へ到達させることができる。 （もっと読む）

【課題】 測定環境における電磁波の影響を排除して微弱な光を検出する光検出装置および生体情報測定装置を提供すること。
【解決手段】 受光器２２（光検出装置）は、電気的に接地されたシールドケース２２ａおよび入射窓２２ｃを備えて、ケース内２２ａ内に受光素子２２ｂおよび増幅器２３を収容している。これにより、外部に存在する雑音電界（ノイズ）の受光素子２２ｂおよび増幅器２３への伝播を防止することができる。また、増幅器２３は、その出力インピーダンスが受光素子２２ｂの出力インピーダンスに比して小さく、受光素子２２ｂから出力された電気的な信号を増幅して低インピーダンスによって出力する。これにより、出力信号に対して雑音電界（ノイズ）の影響を極めて小さくして、出力信号のＳ／Ｎ比の悪化を防止することができる。 （もっと読む）