【課題】発熱部を収容する収容室内で温度分布が形成されるのを抑制する。
【解決手段】ファン142からの空気は、電源回路基板128・コントロールユニット129、Ａ／Ｄ変換器124、信号処理基板122へ送られる。電源回路基板128・コントロールユニット129、Ａ／Ｄ変換器124、信号処理基板122を通った空気は、内壁112Ａまで到達すると、内壁112Ａに当ってから、両側にある内壁112Ｂ、112Ｄへ向けて分かれ、内壁112Ｂ、112Ｄに沿って内壁112Ｃへ戻ってくる。このように、平面視にて、２経路で空気が環状に第２室112内を循環する。このように、空気を循環させることにより、第２室112内の温度が均一化され、第２室112内で温度分布が形成されるのを抑制できる。 （もっと読む）

【課題】、筐体内の発熱部を効率よく冷却する。
【解決手段】取込口152Ｃから排出口154までの送風経路上に配置された発熱部の発熱量が一番多く、取込口152Ｂから排出口154までの送風経路上に配置された発熱部の発熱量が次に多く、取込口152Ａから排出口154までの送風経路上に配置された発熱部の発熱量が一番低い。これに対して、取込口152Ａ、152Ｂ、152Ｃの取込可能面積は、この順で大きくなるため、発熱量の多い部分に外気を多く取り込める。これにより、取込口152Ｃから排出口154までの送風経路上に配置された発熱部を最も冷やすことができる。このように、発熱部の発熱量に応じて、外気の取り込み量を替えることにより、効率よく発熱部を冷却することができる。 （もっと読む）

撮像検出器は、検出器の光センサアレイ（204）及びシンチレータアレイ（202）の熱係数の和の負にほぼ等しい熱係数を備えた処理電子機器208を含む。他の例では、撮像検出器は、交互に、衝突する放射線に対応する第１の電荷を第１の信号に変換し、減衰する電荷に対応する第２の電荷を第２の信号に変換するA/D変換器（302）と、第２の信号に基づいて第１の信号を訂正する論理演算ユニット（308）とを含む。他の例では、撮像検出器は、A/D変換器（302）と、積分器オフセット電圧信号判定器（318）と、論理演算ユニット（308）とを含み、判定器（318）はオフセット電圧を介して電流を引き起こし、A/D変換器（302）は電流を測定し、論理演算ユニット（308）は基準電圧と測定された電圧とに基づいて光センサアレイ（204）の抵抗を計算する。
（もっと読む）

【課題】電気基板における局所的な発熱を抑えて撮像素子の発熱による故障等を防止し、放射線画像を適正に検出すること。
【解決手段】可搬性のカセッテ型検出器１において、ハウジング３の少なくとも一部が樹脂部材により構成されている。基台２２に対する検出器ユニット２１の設置方向と逆方向に制御基板２３Ｂが設置されており、制御基板２３Ｂで発生する熱は放熱部２７により第２の蓋部材３３を介して放出される。 （もっと読む）

【課題】温度変化に対する信頼性が高いＸ線検出器を提供する。
【解決手段】保護体15の周辺部をアレイ基板に接着封止し、保護体15でアレイ基板上のシンチレータ層を覆う。保護体15には、アレイ基板との熱膨張差を吸収する熱膨張差吸収部37としてエンボス38を設ける。保護体15の熱膨張係数とアレイ基板の熱膨張係数及び接着層の熱膨張係数との違いによって生じる応力をエンボス38で吸収し、アレイ基板や接着層へのストレスを低減し、アレイ基板の反りや接着層の破壊を防ぐ。 （もっと読む）

【課題】発熱源を重点的に冷却しつつ、全体を効率的に冷却することができる二次元画像検出装置を提供する。
【解決手段】ＦＰＤ１５は、光導電膜１８と、バイアス電極層１９と、ＴＦＴ基板２０と、ＴＦＴ基板２０の下に位置する制御基板２１と、ヒートシンク２２と、筐体２５と、排気ファン２６とからなる。ヒートシンク２２は、制御基板２１に設けられた電源２７、電気素子２８に接する第１の接触部３１と、筐体２５の底板２５ｂに接する第２の接触部３２と、第１および第２の接触部３１、３２を滑らかに繋ぎ、排気ファン２６による送風方向Ａに沿って凸となる曲成部３３からなる。曲成部３３は、排気ファン２６によって送風される空気を巻き込んで第１の接触部３１に吹き付ける。各ヒートシンク２２の連結部分には、空気の通路となる開口部が形成されている。 （もっと読む）

ＰＥＴスキャナ（１０）は、イメージング範囲（１８）を取り囲む検出器モジュール（１６）のリングを有する。各検出器モジュールは、ガイガーモードでブレイクダウン領域においてバイアスをかけられる１又はそれ以上のセンサ・アバランシェ・フォトダイオード（ＡＰＤ）（３４）を有する。センサＡＰＤ（３４）は、入射光子に対応するシンチレーターからの光に応答してパルスを出力する。同じくガイガーモードでブレイクダウン領域においてバイアスをかけられている基準ＡＰＤ（３６）は、任意に、光を遮られ、アナログ−デジタル・コンバータ（４４）によって測定される電圧を出力する。測定に基づき、バイアス制御フィードバックループ（４２）は、ブレイクダウンパルス（６８）の電圧と予め選択された論理電圧レベル（７０）との間の差が最小とされるように、可変電圧発生器（４８）にＡＰＤ（３４，３６）へ印加されるバイアス電圧を調整するよう指示する。
（もっと読む）

【課題】 高密度化した検出器内部の冷却を効率良く行うことが可能なＸ線ＣＴ装置を提供する。
【解決手段】 ＤＡＳチップ２１は、基板１３の表裏にそれぞれ設けられる。基板１３の表側には、ＤＡＳチップ２１ａおよびＤＡＳチップ２１ｂが配置される。ＤＡＳチップ２１ａは、基板１３の正面から見た右上に配置されている。ＤＡＳチップ２１ｂは基板１３の正面から見た左下に配置されている。すなわち、ＤＡＳチップ２１ａと２１ｂとは、基板１３上において、左右方向および上下方向に互いにずれた位置に配置される。したがって、ＤＡＳチップ２１ａと２１ｂとが重なりあうことがなく互いに離れた位置に配置される。 （もっと読む）

【課題】Ｘ線検出器を冷却するペルチエ素子の放熱面からの放熱の異常を、大きなコスト増加をもたらすことなく検知する。
【解決手段】温度制御が開始されてから時間ｔ１が経過した時点において、ペルチエ素子への印加電圧とペルチエ素子の駆動電流との関係からペルチエ素子の異常を検知する（Ｓ１〜Ｓ８）。その後、時間ｔ２が経過した時点で、ｔ１→ｔ２までの期間中の温度低下量（温度差）ΔＴを求め、ΔＴから冷却速度Θを計算する（Ｓ９〜Ｓ１２）。そして、冷却速度Θが最高使用温度条件の下で予め求めておいた閾値Θ１未満であれば（Ｓ１３でＮｏ）、放熱の異常であると判断して異常報知を行う（Ｓ１５）。 （もっと読む）

【課題】 エネルギー分散型Ｘ線分光器に用いられるシリコンドリフト型検出器においてバックグランドを低減する。
【解決手段】 Ｘ線検出素子１と電気接続するための電極端子板２とペルチェ素子３との間にペルチェ素子３を構成する材料の平均原子番号よりも原子番号の小さな元素を主成分とする第１遮蔽体５と、ペルチェ素子３を構成する材料よりも原子番号の大きな元素を主成分とする第２遮蔽体６を備えることにより、Ｘ線検出素子１を透過したＸ線によってペルチェ素子３から発生する二次Ｘ線がＸ線検出素子１に入射する量を減少させる。 （もっと読む）

【課題】冷却効果を持たせつつ、衝撃による放射線画像撮影装置内部の破壊を防止することができる可搬型放射線画像撮影装置を提供する。
【解決手段】筐体１２の側面１１に、衝撃を緩衝する複数の緩衝部材１４を側面１１に固定した固定状態又は緩衝部材１４を所定範囲で離間可能な解除状態に切り替え可能に設け、放射線画像の撮影時に緩衝部材１４を固定状態とし、放射線画像の非撮影時に緩衝部材１４を解除状態とする。 （もっと読む）

【課題】バッテリの消耗およびバイアス線等の断線を防止し、かつ、放射線検出素子から余分な電荷を十分に除去可能な可搬型放射線画像撮影装置および放射線画像撮影システムを提供する。
【解決手段】可搬型放射線画像撮影装置１は、走査線５と信号線６で区画された各領域ｒに二次元状に配列された複数の放射線検出素子７と、各バイアス線９を介して各放射線検出素子７にバイアス電圧を印加するバイアス電源１４と、放射線検出素子７ごとに配置されたスイッチ手段８と、スイッチ手段８に印加する電圧を制御してスイッチ手段８のオン／オフを制御する走査駆動手段１５と、バッテリ４１とを備え、走査駆動手段１５は、放射線検出素子７から余分な電荷を放出させるリセット処理の際に、各走査線５を介してスイッチ手段８に印加する電圧Ｖon、Ｖon１〜Ｖon３、Ｖoffを制御して、各放射線検出素子７からバイアス線９に流出する電流Ｉを制限する。 （もっと読む）

【課題】Ｘ線検出に影響が発生することなく、Ｘ線検出パネル12を着脱可能に固定できるＸ線検出装置11を提供する。
【解決手段】外囲器18内に支持部材13を固定し、支持部材13上に中間部材16およびＸ線検出パネル12を配置し、Ｘ線検出パネル12の有効領域外ｂの周辺部に形成された挟持部材17を配置する。中間部材16および挟持部材17は、熱可塑性ゲル材料で形成する。外囲器18の組立により、支持部材13と挟持部材17との間でＸ線検出パネル12を挟持する。外囲器18を解体すれば、Ｘ線検出パネル12の挟持を解除し、Ｘ線検出パネル12を支持部材13から取り外す。 （もっと読む）

【課題】検出能力が向上したＸ線検出器を提供すること。
【解決手段】試料室内に環状に配置された複数の検出器が大きな捕集立体角を提供する。これらの検出器は、検出器の表面での氷の形成を低減させるシャッタおよびコールド・シールドを含むことが好ましい。サンプルを取り囲む検出器を提供することによって、検出を向上させる大きな立体角が提供され、サンプルの傾斜方向にかかわらずＸ線が検出される。 （もっと読む）

【課題】多結晶化合物半導体層を備えるＸ線平面検出器において、多結晶化合物半導体層に入射する放射線の減衰を低減する。
【解決手段】
多結晶化合物半導体層の支持基板を全て研磨することで多結晶化合物半導体層単体を製作して、これに新たに金薄膜の電極を形成することで多結晶化合物半導体層に入射されるＸ線の減衰を低減することができる。また、支持基板を全て研磨するのではなく、厚みを薄くすることでも、Ｘ線の減衰量を低減することができる。 （もっと読む）

検出器の外部のβ放射体により放射されるβ線を検出するためのガスフロー比例検出器（６０）と、検出器に充填ガスを供給するように構成された充填ガス供給源（５１）であって、充填ガスは窒素を含む、供給源と、温度を測定するための温度センサ（７２）と、測定温度に従い、モニタの動作パラメータを調節するために、温度センサと連絡された制御装置（６４）と、を備えるβ線モニタ（７０、９０）。動作パラメータは、サーミスタ制御され得る、充填ガスを横切って印加される電圧、または検出器のβ線検出しきい値を含んでもよい。充填ガスは窒素発生器により供給される。ガスフロー比例検出器は大面積検出器としてもよい。 （もっと読む）

【課題】内部の空気の流れを阻害することなく、衝撃による放射線画像撮影装置内部の破壊を防止することができる可搬型放射線画像撮影装置を提供する。
【解決手段】筐体１２の側面１１に緩衝部材１４を設けている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、光電変換膜のハイライトキズの発生を効果的に抑制し、安定して撮像を行うことができる撮像装置及び撮像方法を提供することを目的とする。
【解決手段】撮像面に入射した光Ｌを電荷に変換するとともに、該電荷をアバランシェ増倍作用により増加させる光電変換膜２３を有し、該光電変換膜に蓄積された電荷を読み取ることにより撮像を行う撮像装置１００、１００ａ〜１００ｃであって、
前記撮像を行う前に、前記光電変換膜の前記撮像面に紫外線を照射する紫外線照射手段５０を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】温度測定手段を設けず、撮影可能領域を狭めることなく、放射線検出素子の温度に対応したオフセット補正値やゲイン補正値で画像データを適切に補正可能な可搬型放射線画像撮影装置を提供する。
【解決手段】可搬型放射線画像撮影装置１は、複数の放射線検出素子（ｘ，ｙ）と、放射線検出素子の温度Ｔとオフセット補正値Ｏ（ｘ，ｙ）またはゲイン補正値Ｇ（ｘ，ｙ）を対応付ける第１、第２特性テーブルＬＵＴ１、ＬＵＴ２を備え、放射線画像撮影の前または後に１回以上行われるダーク読取処理の結果から算出したオフセット補正値Ｏ（ｘ，ｙ）に対応する上記温度Ｔを第１特性テーブルＬＵＴ１に基づいて推定し、オフセット補正値Ｏ（ｘ，ｙ）と、第２特性テーブルＬＵＴ２から割り出した推定した温度Ｔに対応するゲイン補正値Ｇ（ｘ，ｙ）とを用いて実写画像データＦ（ｘ，ｙ）を補正して最終的な画像データＦ_Ｏ（ｘ，ｙ）を生成する。 （もっと読む）

【課題】放射線画像撮影時の撮影条件に即した適切なオフセット補正値を取得することが可能な可搬型放射線画像撮影装置および放射線画像撮影システムを提供する。
【解決手段】可搬型放射線画像撮影装置１は、放射線検出素子７が二次元状に配列された検出部Ｐと、放射線検出素子７から読み出した電荷を電気信号に変換する読み出し回路１７と、オフセット補正値Ｏを算出する演算手段２２と、放射線検出素子７に対する電力供給状態を撮影可能モードとスリープモードとの間で切り替える制御手段２２と、レディライト４０とを備え、制御手段２２は、電力供給状態をスリープモードから撮影可能モードに切り替えると、放射線検出素子７のリセット処理と、少なくとも１回の所定回数のダーク読取処理と、放射線画像撮影用のリセット処理とを行い、同時にレディライト４０を点灯させて、操作者に放射線を照射可能な状態であることを告知する。 （もっと読む）