【課題】半導体装置からのエミッションの検出を加熱しながら行う半導体装置の検査装置を提供する。
【解決手段】検査装置１は、半導体チップ２を載置する観察ステージ１６を、半導体チップ２の基板材料と同じＳｉで製造し、半導体チップ２の裏面側に撮像素子３５を配置した。半導体チップ２で発生した微弱な光は、半導体チップ２、観察ステージ１６を透過して撮像素子３５に入射する。観察ステージ１６は、Ｓｉから製造されているので、ヒータ２５によって簡単に加熱できる。また、観察ステージ１６の上方には、プローブカード１９及びＬＳＩテスタ２０が配置されており、半導体チップ２の回路のテストが可能である。 （もっと読む）

【課題】半導体試験装置のベースユニットにおいて、プローブカードが、高温測定時の熱等の影響によって被試験デバイス方向に変形することを防ぐ。
【解決手段】ベースユニット本体と、ベースユニット本体の下方向に配置され、ベースユニット本体に対する傾きを変更可能な、プローブカードを固着するユニットの上部に設けられ、下面の両側に斜面が形成されたテーパブロックと、ベースユニットの下部において、テーパブロックの傾斜方向に設けられたガイド沿って直線移動可能であり、テーパブロックを挟んで配置された１対の下部プレートとを備え、１対の下部プレートは弾性手段により互いに連結され、それぞれの下部プレートは、ガイドに対する停止手段と、テーパブロックの斜面と接触する位置に設けられ、移動方向に回転する回転手段とを備えているベースユニット。 （もっと読む）

【課題】ウエハの電気特性検査時にプローブ針の先端に付着する異物に起因する検査精度の低下を抑制する。
【解決手段】ウエハの電気特性検査工程で使用するプローブカード１５Ａは、配線基板３０と、配線基板３０に取り付けられた金属製のプローブ針固定部３１と、プローブ針固定部３１に接合された複数のプローブ針３３とを有している。プローブ針固定部３１には、冷却管２４が挿通されており、この冷却管２４内を流れる冷却液Ｃによって、プローブ針固定部３１に接合されたプローブ針３３が冷却されるようになっている。 （もっと読む）

【課題】プローブカードの熱変形の影響によるプローブのコンタクト位置ずれなどを防止した半導体検査装置を提供すること。
【解決手段】プローブカード１に、発熱体４ａおよび４ｂと、発熱体４ａおよび４ｂによって高温にされたプローブカード１表面の温度を計測する温度センサ６とが設けられる。測定装置７は、発熱体４ａおよび４ｂに電流を印加する電流印加部８と、温度センサ６の電流値を計測することによって、プローブカード１表面の温度を計測する電流計測部９とを含み、電流計測部９によって計測された電流値に応じて、電流印加部８を制御することによりプローブカード１表面の温度を制御する。したがって、プローブカード１の表面温度を一定値に保つことができ、プローブカード１の熱変形の影響によるプローブ２のコンタクト位置ずれなどを防止することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】検査室内においてプローブカードのプローブの針先を検出することなくプローブカードと半導体ウエハの位置合わせを行うことができ、また、ダミーウエハを用いる必要がなく、迅速にプローブと半導体ウエハの位置合わせを行うことができるプローブカード検出装置を提供する。
【解決手段】プローブカード検出装置３０は、プローブカード１９またはプローブ補正カード３３を所定位置に位置決めして着脱可能に装着される支持体３１Ａを有するプローブ検出室３１と、プローブ検出室３１内に移動可能に設けられ且つプローブ１９Ａの針先またはターゲット３３Ａを検出する第１、第２のカメラ３２Ａ、３２Ｂと、を備え、第１、第２のカメラ３２Ａ、３２Ｂで検出される、２つのプローブ１９Ａの針先の水平位置と２つのターゲット３３Ａの水平位置との差を、プローブ１９Ａと半導体ウエハの電極パッドのアライメントを行うために用いられる補正値δとして検出する。 （もっと読む）

【課題】載置体上に載置される被処理体を冷却する冷却機構の省スペース化及び低コスト化を実現することができる載置装置を提供する。
【解決手段】本発明の載置装置１０は、ウエハＷの電気的特性検査を行うためにウエハＷを載置するウエハチャック１１と、ウエハチャック１１を介してウエハＷを冷却する冷却機構１２と、を備え、冷却機構１２は、ウエハチャック１１の下面に設けられた熱交換器１２１と、熱交換器１２１の熱媒体１２１Ａから吸熱する吸熱部１２２Ａを有する冷却装置１２２と、を備え、冷却装置１２２は吸熱部１２２Ａを介して熱交換器１２１に固定されている。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハの両面よりプローブを接触させて各半導体チップの特性を試験する試験装置において、所望の温度に半導体ウエハを加熱して各半導体チップを試験することができる試験装置を提案する。
【解決手段】両面にプローブを接触可能に半導体ウエハを保持し、この半導体ウエハの両面をそれぞれヒータ部により加熱し、この両面にそれぞれプローブを接続して当該半導体ウエハに設けられた半導体チップを試験する。 （もっと読む）

【課題】プローブカードに熱源を直に接触させて短時間でプローブカードを所定の温度に調整すると共に、熱的に安定したかを正確に判断することができるプローブカードの熱的安定化方法を提供する。
【解決手段】プローブカードの熱的安定化方法は、載置台に熱伝達用基板を載置し、載置台を介して熱伝達用基板の温度を調整する第１の工程と、載置台を上昇させて熱伝達用基板と複数のプローブを所定の目標荷重で接触させる第２の工程と、熱伝達用基板との間で熱を授受するプローブカードの熱的変化に即して変化する熱伝達用基板と複数のプローブとの接触荷重を検出する第３の工程と、プローブカードが熱的に安定するまで接触荷重が所定の目標荷重になるように昇降駆動機構を介して載置台を昇降制御する第４の工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】ウエハの表面および裏面の両方からコンタクトする。
【解決手段】ウエハに形成された電子デバイスを試験する試験装置であって、ウエハが載置される弾性層と、弾性層上に設けられウエハの裏面に形成された電極パットに電気的に接続される複数の凸部とを有するステージと、ウエハをステージ上に固定する固定部材と、を備え、弾性層は、ウエハが固定部材により固定された場合に、複数の凸部のそれぞれを沈み込ませて、複数の凸部の周囲の面がウエハの裏面に接触する試験装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】塗布されたインクの変形や飛散による良品チップへの付着を回避することができ、その結果、半導体検査工程でのオーバーキル、つまり良品を不良品として排除してしまうことを回避することができる半導体検査装置を提供する。
【解決手段】インカー１８の出射ノズルからインクボールが半導体ウエハ５のチップ領域に移動する際に、ガス噴出ノズル１７ｂから吐出される抗酸化性ガスのガス流Ｇｆが追い風となるようにガス噴出ノズル１７ｂを、該インクの出射方向に対して位置決めしている。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスの電気試験を高速化する。
【解決手段】半導体デバイスプロービング装置は、試験チャンバを定めるように構成されたハウジング、ハウジング内に配置され、少なくとも１つの被試験デバイス６２を載せるように構成されたデバイスホルダ７０及びハウジング内に配置された少なくとも１つのプローブステージ５０を備える。プローブステージ５０は、ベース５２、ベース５２に軸旋回可能な態様で結合され、少なくとも１つのプローブ５８を保持するように構成された保持部９２を有する保持アーム９０及びベース５２上に配置されたステッパ８０を備える。ステッパ８０は、電気信号に応答して、保持アーム９０でプローブ５８を下方に移動させて被試験デバイス６２にコンタクトさせ、保持アーム９０でプローブ５８を上方に移動させて被試験デバイス６２から離し、よってプローブ５８の上下移動を６サイクル毎秒より高頻度で行えるように構成される。 （もっと読む）

【課題】温度制御性の高い試験装置を提供する。
【解決手段】試料載置ステージ１３に対向して配置されるプローブカード１７と、プローブカード１７の開口部１７ｈの下側に配置される複数のプローブ針１８と、複数のプローブ針１８の間の領域に配置される熱電対３１と、プローブカード１７の開口部１７ｈの下に熱電対３１の先端に接触して取り付けられる温度測定物３２と、プローブカード１７の開口部１７ｈの上方に配置されるランプ４２を有する発光器４０とを備える。 （もっと読む）

【課題】正確な温度制御を行い、かつ、ノイズカットをし、加えて接触不良を解消し、測定精度を向上させる。
【解決手段】被検査体の電極に接触する接触子を有すると共に、前記被検査体との温度差による前記電極に対する前記接触の位置ずれを補正するヒータを内蔵したプローブ装置と、検査信号を前記プローブ装置に送信すると共に、前記ヒータへ電力を供給するテスタと、当該テスタに設けた、前記ヒータへ電力を供給する電力供給系と、当該電力供給系を介して前記プローブ装置のヒータを制御する温度制御ユニットと、を備え、前記電力供給系にヒータ電源遮断用開閉スイッチを備えた。また、雄型のコネクタ部と、他方の端部に設けられた雌型のコネクタ部とからなるコネクタを備えた。さらに、前記電力供給系の着脱可能に接触する接点には導通チェック装置を備えた。 （もっと読む）

【課題】 支持体及びプローブ基板の熱変形に起因する針先のＸＹ座標位置の変化を可能な限り抑制することにある。
【解決手段】 プローブカードの製造方法は、接触子を備えないカード組立体を設定温度に加熱又は冷却し、その温度状態のときのプローブ基板の熱変形率を決定し、決定した熱変形率を基に、プローブ基板への接触子の取り付け位置を決定し、決定した取り付け位置を基に接触子をプローブ基板の下面に取り付けて、プローブカードを得る.その後プローブカードを設定温度に加熱又は冷却し、プローブカードが設定温度におかれているときの接触子の針先位置を測定し、測定した針先位置が基準範囲内にあるか否かを判定して、プローブカードを被検査体の試験に使用するときの温度を決定する。 （もっと読む）

【課題】 プローブ基板の温度制御範囲を小さくして、プローブ基板の温度制御を容易にすることにある。
【解決手段】 電気的接続装置は、下面を有する支持体と、該支持体の下面に組み付けられて、該支持体に支持されたプローブ基板と、該プローブ基板の下面に取り付けられた複数の接触子とを含む。プローブ基板は電力を受けて発熱する発熱体を備え、プローブ基板は、１０ｐｐｍ／°Ｃ以上の熱膨張率を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路の電気的特性検査用の治具に用いられるプローブカードを正確、迅速、且つ容易にメンテナンスすることができるプローブカードのメンテナンス方法を提供する。
【解決手段】プローブカード及びプローブカードに設置されたプローブを電気的特性検査における検査温度と同一の温度まで加熱し、プローブカード及び複数のプローブを当該検査温度に維持しつつ、複数のプローブのそれぞれの位置調整を行う。 （もっと読む）

【課題】 試験環境における余分な熱を導出する。
【解決手段】 半導体素子の試験装置１０Ａであって、複数の上部ガイド孔２２Ａを有する上部ガイド板２０Ａと、複数の下部ガイド孔３２Ａを有する下部ガイド板３０Ａと、上部ガイド孔２２Ａおよび下部ガイド孔３２Ａ内に設けられている複数本のバーチカル型探針４０Ａと、温度調整モジュール５０とを備えている。上部ガイド板２０Ａと下部ガイド板３０Ａとの間には所定領域２６Ａが介在されており、温度調整モジュール５０は、流体５４を所定領域２６Ａに供給するように構成されている少なくとも一つの流体管路５２を備えている。 （もっと読む）

【課題】 電力不足を補い、電力を効率よく供給して、試験効率を高めることにある。
【解決手段】 電気的試験装置は、給電路を備える配線基板及び該配線基板の下側に配置されたセラミック基板であって、給電路に電気的に接続された発熱体を内部に備えるセラミック基板を含むプローブカードと、該プローブカードの上側に配置された板状部材及び配線基板を受けるカードホルダから選択される補助部材と、配線基板に配置された第１の接続部であって、給電路に電気的に接続された第１の端子を有する第１の接続部と、補助部材に配置された第２の接続部であって、第１の端子部に電気的に接続された第２の端子を有する第２の接続部と、第１及び第２の端子を介して電力消費部材に電力を供給する電力消費部材用電力源とを含む。第１及び第２の端子は、互いに上下の関係に位置されている。 （もっと読む）

【課題】 プローブカードを効果的に所定の温度に加熱することができるようにすることにある。
【解決手段】 集積回路の試験方法は、前記集積回路を受けるチャックトップが前記集積回路に対し電気信号の授受を行うプローブカードの近傍に存在するか否か、前記集積回路の試験中であるか否か、及び前記プローブカードが所定の温度を有するか否かを含むグループから選択される少なくとも１つを判定する第１のステップと、該第１のステップにおける判定結果に応じて前記プローブカードに備えられた発熱体に供給する加熱電力を調整する第２のステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】ウェーハ状態のウェーハレベルＣＳＰの電極の数が膨大であっても外部接続端子への引き出しが可能な半導体集積回路試験用基板、およびそれを用いた半導体集積回路試験システムを提供する
【解決手段】半導体集積回路試験用基板１は、それぞれが多層配線基板であり、その外周部上面にコネクタ２を備える、最下層基板１１、２層目基板１２、３層目基板１３、最上層基板１４を積層する。最下層基板１１は、ウェーハレベルＣＳＰ１０００の電極１１００の総てがポゴピン２０００を介して接続される下面端子１１１を備える。下面端子１１１に接続される最下層基板１１の内部配線は、いずれかの多層配線基板のコネクタ２に接続される。 （もっと読む）