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Fターム[2H025AA03]の内容

フォトレジストの材料 (104,520) | 目的 (13,098) | パターン形状の改良 (1,130)

Fターム[2H025AA03]に分類される特許

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【課題】特定の芳香族性を有する炭化水素基を付加置換基として有する多重付加フラーレン誘導体及びこれを用いたエステル溶媒に対して高い溶解性を有し、且つ優れた光学特性を持つフラーレン誘導体膜を提供する。
【解決手段】フラーレン骨格の下記式(I)で表される部分構造において、Cが、水素原子又は任意の置換基と結合しており、C〜Cが、各々独立に、−Ar−(OH)(式中Arは炭素数8〜18の芳香族性を有する炭化水素基を表し、nは1〜3の整数を表す。)で表される構造の有機基と結合していることを特徴とするフラーレン誘導体。(式(I)中、C〜C10は何れも、フラーレン骨格を構成する炭素原子を表す。)
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【課題】液浸露光用レジスト組成物、レジストパターン形成方法、含フッ素共重合体を提供する。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分(A)と露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)と側鎖に置換基を有してよいベンゼン環を有する構成単位(c1)及び側鎖に置換基を有してよいナフタレン環を有する構成単位(c2)を有する含フッ素共重合体(C)とを含有する液浸露光用レジスト組成物 (もっと読む)


【課題】吸収性でpH調整されたスピンオン材料の提供。
【解決手段】少なくとも一つの無機ベースの化合物、少なくとも1つの有機吸収性化合物と、少なくとも1つのpH調整剤とを、スピンオン材料および組成物の合成中に、少なくとも1つのシラン反応物と混合させる。 (もっと読む)


【課題】感度が高く、液状態での保存性に優れ、かつ成膜後の感光性膜の経時安定性に優れる、パターン構造物や保護膜を形成可能な感光性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】〔A〕側鎖に、分岐及び/又は脂環構造、酸性基、並びに置換アルキル基を有する樹脂であって、前記置換アルキル基が2個のエチレン性不飽和結合を有する樹脂と、〔B〕エチレン性不飽和結合を有する重合性化合物と、〔C〕光重合開始剤と、を含有する感光性樹脂組成物。 (もっと読む)


【課題】透明性、感度、解像度、ドライエッチング耐性、パターン形状等のレジストとしての基本物性に優れ、特に、レジスト溶剤への溶解性に優れ、現像後のパターン側壁のラフネスを低減するArFエキシマレーザー用感放射線性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】下記式(1)で表される繰り返し単位を含み、重量平均分子量と数平均分子量との比(Mw/Mn)が1.5よりも小さい酸解離性基含有樹脂と、感放射線性酸発生剤とを含有する感放射線性樹脂組成物。
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【課題】
バリア性を示すレジスト下層膜を形成するための組成物、及びレジスト下層膜のバリア性を適当な数値に換算して評価する方法を提供する。
【解決手段】
バリア性を示すレジスト下層膜を形成するための組成物は、少なくとも1つのヒドロキシル基が結合した芳香族環を有する化合物と有機溶媒と架橋剤を含む。そして、所定の条件で第1のレジスト下層膜単層をベークする際に発生する昇華物の量、第2のレジスト下層膜単層を所定の条件でベークして形成する際に発生する昇華物の量、及び第1のレジスト下層膜上に第2のレジスト下層膜を所定の条件でベークして形成する際に発生する昇華物の量を定量した結果を用いて、第2のレジスト下層膜のバリア性を評価する。 (もっと読む)


【課題】ArFエキシマレーザー光等の高エネルギー線を光源としたフォトリソグラフィーにおいて、解像性の向上とラインエッジラフネスの低減を両立したポジ型レジスト材料、及び該レジスト材料を用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に可溶となる樹脂成分(A)と、活性光線又は放射線に感応して酸を発生する化合物(B)とを含有し、(A)が式(a)、式(b)、式(c)の繰り返し単位を含む高分子化合物(1)、(B)が特定ののスルホニウム塩化合物であるポジ型レジスト材料。
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【課題】感度、現像時の密着性、パターン形状に優れたカラーフィルター用感光性レジスト組成物を提供し、カラーフィルターおよび液晶表示装置の信頼性を高く、かつ歩留まりを向上させ製造コストを削減することにある。
【解決手段】少なくとも顔料(A)、アクリル系ポリマー(B)、モノマー(C)、光重合開始剤(D)、および溶媒(E)を含有する感光性レジスト組成物において、該モノマー(C)が、下記一般式(1)で表される化合物(C1)を含有することを特徴とするカラーフィルター用感光性レジスト組成物。
【化1】
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【課題】ArFエキシマレーザー光等の高エネルギー線を光源としたフォトリソグラフィーにおいて、解像性の向上、及びマスク忠実性、特にLERを低減したパターンを与えることのできるポジ型レジスト材料、及び該レジスト材料を用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に可溶となる樹脂成分(A)と、活性光線又は放射線に感応して酸を発生する化合物(B)とを含有し、(A)が式(a)、式(b)、式(c)の繰り返し単位を含む高分子化合物(1)、(B)が特定のスルホニウム塩化合物であるポジ型レジスト材料。
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【課題】フォトリソグラフィ工程において、感光硬化型樹脂組成物の溶液を基板に塗布すると基板周辺部の感光硬化型樹脂組成物の膜厚が基板内側部より厚くなる。このために、周辺部の該膜厚肥厚部を未露光にしても、基板内側部の硬化パターンの断面形状が好ましい順台形となる現像方法では、該肥厚部に現像残りが発生してしまう。
【解決手段】前記感光硬化型樹脂組成物として、予備加熱の温度を高くすると現像速度が低下するものを用い、また前記肥厚部よりも肥厚部以外の部分を温度の高い条件で予備加熱し、さらに前記肥厚部の現像残りがなく、また前記所定の硬化パターンの垂直横断面形状が所定の形状になるまで現像する。 (もっと読む)


【課題】ダブルパターニング法によるパターン不良の発生を防止して、良好な形状を有する微細パターンを得られるようにする。
【解決手段】基板101の上にポジ型化学増幅レジストからなるレジスト膜102を形成し、その上にアルカリ可溶で芳香環を有するフッ素ポリマーを含む光吸収膜103を形成する。その後、第1のマスクを介した極紫外線からなる第1の露光光104をレジスト膜に光吸収膜を通して照射することにより第1のパターン露光を行う。続いて、第2のマスクを介した露光光105をレジスト膜に光吸収膜を通して照射することにより第2のパターン露光を行う。基板を加熱した後、レジスト膜を現像して光吸収膜を除去すると共にレジスト膜からレジストパターン102aを形成する。第2のマスクの開口部は、第1のマスクにおける開口部が形成されていない非開口部に相当する領域に形成されている。 (もっと読む)


【課題】低い屈折率を有し、スィングカーブがなだらかであり、スィング比が小さい上面反射防止膜を形成するための組成物の提供。
【解決手段】親水性基を含んでなるアントラセン骨格含有化合物と溶媒とを含んでなる上面反射防止膜形成用組成物。この組成物はレジスト膜上に反射防止膜を形成させ、160〜260nmの光を用いてパターンを形成させるフォトリソグラフィーに用いられる。 (もっと読む)


【課題】特定の波長のエキシマレーザ露光方式において、色素含有量が高い、あるいは膜厚が厚くとも、高感度であると共に、パターン形状に優れた着色組成物、それを用いたカラーフィルタの製造方法、およびその方法により製造されるカラーフィルタとそれを用いたカラーフィルタを提供する。
【解決手段】顔料、透明樹脂、エチレン性不飽和二重結合を有するモノマーおよび光重合開始剤を含有し、かつ、前記透明樹脂の重量(P)に対するエチレン性不飽和二重結合を有するモノマーの重量(M)の比(M/P)が、0.12以上1.35以下の範囲にあり、波長340〜380nmのレーザ照射で硬化可能な着色組成物。 (もっと読む)


【課題】レジスト組成物用として有用な化合物、該化合物を含有するポジ型レジスト組成物、および該ポジ型レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】2つのトリフェニルメタン構造と、該2つのトリフェニルメタン構造を連結する連結部とを有し、前記2つのトリフェニルメタン構造がそれぞれ少なくとも1つのフェノール性水酸基および少なくとも1つのカルボキシ基を有し、前記連結部が少なくとも1つのカルボキシ基を有するフェノール化合物(I)における−OHの水素原子の一部または全部が酸解離性溶解抑制基含有基で置換された化合物。 (もっと読む)


【課題】表面反射防止膜形成用組成物の低塗布量化を図り、これにより廃液量を減らすことにより、環境への悪影響を防止すると共に、レジストパターン形成時のコストの削減を図る。
【解決手段】少なくとも1種のフッ素含有化合物、下記一般式(1)で表される4級アンモニウム化合物(式中、R1、R2、R3及びR4のうち少なくとも一つはアルカノール基を表し、その他は水素もしくは炭素数1から10のアルキル基を表す。X-は水酸基、ハロゲン化物イオン、硫酸イオンを表す。)、および、必要に応じ、水溶性ポリマー、酸、界面活性剤、水性溶媒からなる表面反射防止膜形成用組成物。
一般式(1):
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【課題】感度及び解像度が感光性重合体組成物、これを用いたレリーフパターンの製造法および電子部品を提供する。
【解決手段】(a)アルカリ水溶液可溶性のポリイミド前駆体であるポリアミド酸エステル又はアルカリ水溶液可溶性のポリイミド、(b)光により酸を発生する化合物及び(c)フェノール性水酸基を有する化合物を含有する感光性重合体組成物。前記(a)成分が、3,5−ジアミノ−安息香酸又はビス(3−アミノ−ヒドロキシフェニル)ヘキサフロオロプロパンを含む原料を用いて得られたものであり、前記原料由来のカルボキシル基又はフェノール性水酸基を有し、前記(c)成分が、下記一般式(III)


で表される化合物。 (もっと読む)


【課題】環境に与える影響が小さく、かつ、ホトレジストパターンへのダメージが少なく、良好な矩形形状のホトレジストパターンを形成可能とする保護膜形成用材料、及びこの保護膜形成用材料を用いたホトレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】ホトレジスト膜上に積層される保護膜を形成するための保護膜形成用材料として、(a)アルカリ可溶性ポリマー、及び(b)テルペン系溶剤と、前記テルペン系溶剤以外の第二の溶剤との混合溶剤を含有するものを使用する。 (もっと読む)


【課題】微細な線幅のパターンを形成可能である感光性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】バインダー樹脂(A)、光重合性化合物(B)、光重合開始剤(C)および溶剤(D)を含有し、バインダー樹脂(A)が、不飽和カルボン酸および/または不飽和カルボン酸無水物(A1)と脂肪族多環式エポキシ化合物(A2)との共重合体であり、光重合性化合物(B)が、不飽和二重結合当量が120g/eq以上400g/eq以下である化合物を含有する感光性樹脂組成物。 (もっと読む)


【課題】環境に与える影響が小さく、かつ、ホトレジストパターンへのダメージが少なく、良好な矩形形状のホトレジストパターンを形成可能とする保護膜形成用材料、及びこの保護膜形成用材料を用いたホトレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】ホトレジスト膜上に積層される保護膜を形成するための保護膜形成用材料として、(a)アルカリ可溶性ポリマーと、(b)エーテル結合を有するテルペン系溶剤とを含有するものを使用する。 (もっと読む)


【課題】解像性能のみならず、線幅90nm以下の微細パターンを形成する場合であってもパターン倒れ耐性に優れる感放射線性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】樹脂(A)と、感放射線性の酸発生剤(B)とを含有し、樹脂(A)が、一般式(a−1)で示される繰り返し単位(a−1)を必須単位とし、一般式(a−2)で示される繰り返し単位(a−2)及び一般式(a−3)で示される繰り返し単位(a−3)のうちの少なくとも一種を有する重合体である感放射線性樹脂組成物。


(一般式(a−1)〜(a−3)中、Rは水素原子等を示し、Rは炭素数1〜12のアルキル基等を示し、Rは炭素数1〜4のアルキル基を示す。) (もっと読む)


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