【課題】一般的な溶剤に対する溶解性が高く、ｇ線、ｈ線に対する感度が良好で、高膜厚塗布及びアルカリ現像が可能であるとともに、解像度の高いパターンを形成することができ、残膜率が高い硬化物を得ることが可能な、表面保護膜、層間絶縁膜、及び高密度実装基板用絶縁膜用途に適した感光性樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】（Ａ）ポリイミド樹脂、（Ｂ）下記一般式（１）（Ｒ^１は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基又は炭素数１〜４のアルコキシル基、Ｘはハロゲン原子、Ｙは酸素原子又は硫黄原子を示す。）で表される化合物を含む感光性酸発生剤、及び（Ｃ）架橋剤を含有する感光性樹脂組成物。
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【課題】本発明は、半導体フォトレジスト並みのリソグラフィー性能を有し、低温キュアで耐熱性に優れた硬化レリーフパターンを形成することができる感光性樹脂組成物、該感光性樹脂組成物を用いる硬化レリーフパターンの製造方法、および該製造方法により得られた硬化レリーフパターンを含む半導体装置を提供する。
【解決手段】特定の構造を含有するポリアミド樹脂、感光剤、スルホン酸エステル基を２つ以上有する化合物を含有することを特徴とする感光性樹脂組成物、該感光性樹脂組成物を用いる硬化レリーフパターンの製造方法、および該製造方法により得られた硬化レリーフパターンを含む半導体装置。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、均一なパターン形成を可能とするろ過性の良好なフォトレジスト組成物を提供することを目的とし、長期的に安定なフォトレジスト用樹脂溶液、つまり長期間保管してもろ過性能が低下しないフォトレジスト用樹脂溶液を提供する事にある。
【解決手段】
本発明は、酸によりアルカリ可溶となるフォトレジスト用樹脂を含む溶液を３０〜９０℃において、３０分以上加熱熟成後、細孔径１μｍ以下のろ材によりろ過することを特徴とするフォトレジスト用樹脂溶液の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【解決手段】（Ａ−１）酸を触媒として用いて加水分解性ケイ素化合物を加水分解縮合することにより得られるケイ素含有化合物、
（Ａ−２）塩基を触媒として用いて加水分解性ケイ素化合物を加水分解縮合することにより得られるケイ素含有化合物、
（Ｂ）式（１）又は（２）で表される化合物、
Ｌ_aＨ_bＸ （１）
（ＬはＬｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ又はＣｅ、Ｘは水酸基、又は有機酸基であり、ａは１以上、ｂは０又は１以上）
Ｍ_aＨ_bＡ （２）
（Ｍはスルホニウム、ヨードニウム又はアンモニウムであり、Ａは上記Ｘ又は非求核性対向イオン）
（Ｃ）有機酸、
（Ｄ）環状エーテルを置換基として有するアルコール、
（Ｅ）有機溶剤
を含む熱硬化性ケイ素含有膜形成用組成物。
【効果】本発明の熱硬化性ケイ素含有膜形成用組成物で形成されたケイ素含有中間膜を用いることで、良好なパターン形成ができる。また、フォトレジストパターンを転写可能で、基板を高い精度で加工できる。 （もっと読む）

【課題】ＤＵＶエキシマレーザーリソグラフィー等においてレジスト組成物に用いた場合に、高感度、高解像度であり、現像時のディフェクトが少ない重合体を提供する。
【解決手段】α−エステル脂環式骨格を有する構成単位（Ａ）と、ラクトン骨格を有する構成単位（Ｂ）、酸脱離性基を有する構成単位（Ｃ）、親水性基を有する構成単位（Ｄ）、ナフタレン骨格を有する構成単位（Ｅ）から選ばれる少なくとも１種を含有する重合体。 （もっと読む）

【解決手段】（Ａ）酸を触媒として用いて加水分解性ケイ素化合物を加水分解縮合することにより得られるケイ素含有化合物、
（Ｂ）式（１）又は（２）で表される化合物、
Ｌ_aＨ_bＸ （１）
（ＬはＬｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ又はＣｅ、Ｘは水酸基、又は有機酸基であり、ａは１以上、ｂは０又は１以上）
Ｍ_aＨ_bＡ （２）
（Ｍはスルホニウム、ヨードニウム又はアンモニウムであり、Ａは上記Ｘ又は非求核性対向イオン）
（Ｃ）有機酸、
（Ｄ）環状エーテルを置換基として有するアルコール、
（Ｅ）有機溶剤
を含む熱硬化性ケイ素含有膜形成用組成物。
【効果】本発明の熱硬化性ケイ素含有膜形成用組成物で形成されたケイ素含有中間膜を用いることで、良好なパターン形成ができる。また、フォトレジストパターンを転写可能で、基板を高い精度で加工できる。 （もっと読む）

【課題】高集積且つ高精度な電子デバイスを製造するための高精度な微細パターンを安定的に形成するために、ラインエッジラフネスが小さく、パターン倒れ性能が良好なネガ型現像用レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】（Ａ１）特定の脂環炭化水素構造から選ばれる部分構造を有する酸分解性の繰り返し単位を有し、酸の作用により極性が増大し、ネガ型現像液に対する溶解度が減少する第１の樹脂、（Ａ２）酸分解性の繰り返し単位を有し、酸の作用により極性が増大し、ネガ型現像液に対する溶解度が減少し、且つ酸分解性の繰り返し単位の平均含有率が、樹脂（Ａ１）の酸分解性の繰り返し単位の平均含有率とは異なる第２の樹脂、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物及び（Ｃ）溶剤を含有するネガ型現像用レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】レジスト用途において、感度、解像度に優れるとともに、パターン形状を良好に維持するのに有用な新規化合物、ならびに該化合物の製造方法を提供する。
【解決手段】下記式（１）で表される新規化合物。
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【課題】ラインエッジラフネスが小さく、パターン倒れ性能が良好なネガ型現像用レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）特定の脂環炭化水素構造から選ばれる、異なる部分構造を有する繰り返し単位を少なくとも２種類有し、酸の作用により極性が増大し、ポジ型現像液に対する溶解度が増大し、ネガ型現像液に対する溶解度が減少する樹脂、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物及び（Ｃ）溶剤を含有するネガ型現像用レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法。 （もっと読む）

【解決手段】フォトレジスト組成物に添加する高分子化合物の合成を行う際、重合反応により得られた重合反応生成物混合物を良溶剤と貧溶剤を用いる分液法によって分子量分画を行う分画工程で、分液法による分画操作を２回以上行うと共に、該２回以上の分画操作のいずれか１回以上に、他の回で行った分画操作時に添加する良溶剤とは異なる良溶剤を添加することを特徴とするフォトレジスト組成物用高分子化合物の合成方法。
【効果】本発明によれば、重合反応で得られた高分子化合物の分散度を下げるための分子量分画操作において、過大な高分子化合物のロスを伴うことなく目的を達成することができると共に、それにより得た高分子化合物は、レジスト組成物材料として用いた場合、パターン形成時に、良好な形状のレジストパターンを与える。 （もっと読む）

【課題】ArF露光装置を用いて４０ナノメートル以下のラインアンドスペースパターンを形成する。
【解決手段】シリコン含有重合体を含む反射防止膜用組成物を利用して反射防止膜パターンを形成し、前記反射防止膜パターンの間にシリコン含有重合体を含むフォトレジスト組成物を利用してフォトレジストパターンを形成した後、これらパターンを食刻マスクにスピンオンカーボン層と下部被食刻層に対する食刻工程を行なうことにより、工程段階及び製造コストを低減することのできる二重パターニング方法を利用した半導体素子の微細パターン形成方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】解像性に優れ、ＳＷによるパターン変動を低減できる化学増幅型ポジ型レジスト組成物を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）で示される感放射線性酸発生剤


（式（Ｉ）中、Ｒはそれぞれ独立に水素原子、直鎖状又は分岐状で置換基を有していてもよい炭素数１〜４のアルキル基、直鎖状又は分岐状で置換基を有していてもよい炭素数１〜４のアルコキシ基又は水酸基を表し、ｎは０〜４の整数を表す。Ａ^＋は有機対カチオンを表す。）と樹脂とを含有し、該樹脂が酸に不安定な基を持つ重合単位を有し、それ自身はアルカリ水溶液に不溶又は難溶であるが、酸の作用でアルカリ水溶液に可溶となる樹脂であることを特徴とする化学増幅型ポジ型レジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】活性放射線、特に、ＫｒＦエキシマレーザー、ＡｒＦエキシマレーザーあるいはＥＵＶに代表される遠紫外線や電子線等に感応する感放射線性酸発生剤として、良好な燃焼性を示し、また人体蓄積性にも問題がなく、しかも発生する酸（光発生酸）の酸性度が十分高く、発生する酸（光発生酸）が適度な沸点を有するばかりでなく、レジスト被膜中での拡散長が適度に短くなり、さらにはレジスト溶剤に対する溶解性及び樹脂との相溶性に優れた新規な光酸発生剤として機能する化合物を提供する。
【解決手段】下記式（１）で表されるスルホン酸オニウム塩。


（前記式（１）において、Ｒ¹は１価の有機基、Ｑ⁺はスルホニウムカチオンまたはヨードニウムカチオンを表す） （もっと読む）

【課題】同一のレジスト膜上に複数回露光を行う多重露光プロセスにおいて、パターンの膜減りを抑えられる、多重露光に好適な、ポジ型レジスト組成物を用いたパターン形成方法を提供することである。
【解決手段】同一のレジスト膜上に複数回露光を行う多重露光プロセスにおいて、レジスト膜の、水に対する接触角が７５°以上であることを特徴とするパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】優れた解像度及び感度を維持しつつ、液痕、及びパターン不良欠陥が発生し難いレジスト膜を形成可能な感放射線性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】液浸露光用液体としてビシクロヘキシルを用いた液浸露光工程を含むレジストパターン形成方法で使用されるレジスト膜の形成に用いられ、形成されたレジスト膜の、ビシクロヘキシルに対する静的接触角が３０〜９０°である感放射線性樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】解像性に優れ、レジストパターンの波型の形状不良発生が少なくパターン変動を低減できる化学増幅型ポジ型レジスト組成物を提供する。
【解決手段】酸の作用でアルカリ水溶液に可溶となる樹脂と感放射線性酸発生剤とを含有する化学増幅型ポジ型レジスト組成物であって、該樹脂が、ヒドロキシスチレンから導かれる重合単位と、酸に不安定な基を持つ（メタ）アクリル酸エステル重合単位あるいは側鎖に特定構造のケタールを有するスチレン重合単位と、アルキルケタール基含有スチレン重合単位とを含有する。 （もっと読む）

【課題】形状の優れたレジストパターンを形成できる、熱リソグラフィーによるレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】熱リソグラフィーによるレジストパターン形成方法であって、支持体上にレジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程と、該熱リソグラフィーにおいて用いられる露光光源の波長の光を吸収する、「前記レジスト膜近傍にある前記支持体上のレジスト下層膜」又は「前記レジスト膜」に対して、下記（１）（２）、（３）の条件で選択的露光を行う工程と、前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程とを含むレジストパターン形成方法。 （１）露光方式：ＤＣライン方式 （２）レーザー描画線速度：０．５〜６．０ ｍ／ｓ （３）レーザーパワー：０．１〜４０ ｍＷ （もっと読む）

【課題】熱リソグラフィーを応用して、簡便に微細中空体を形成する方法、および該方法により形成された微細中空体の提供。
【解決手段】支持体とレジスト膜との間に、熱リソグラフィーにおいて用いられる露光光源の波長の光を吸収するレジスト下層膜を有するレジスト積層体に対し、前記レジスト下層膜に吸収される波長の光を用いて選択的露光を行うことを特徴とする、微細中空体の形成方法、および該微細中空体の形成方法により形成された微細中空体。 （もっと読む）

【課題】成膜した際の基板との密着性に優れ、高膜厚、高アスペクト比の微細な樹脂パターンを形成することが可能な感光性樹脂組成物、及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】感光性樹脂組成物に密着増強剤としてジフェニルスルホン又はその誘導体を含有させる。ジフェニルスルホン誘導体としては、ジフェニルスルホンの１以上の水素原子がアミノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基、カルボキシル基、フッ素原子、塩素原子、又は酸無水物で置換されたものが好ましい。その中でも、ジフェニルスルホンの３，３’位及び／又は４，４’位の水素原子がアミノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基、カルボキシル基、フッ素原子、塩素原子、又は酸無水物で置換されたものが好ましい。 （もっと読む）

【課題】感度、解像度、残膜率、保存安定性に優れた、ポジ型感光性樹脂組成物及びそれを用いた硬化膜形成方法であって、硬化させることにより耐熱性、密着性、透過率などに優れる硬化膜が得られる、ポジ型感光性樹脂組成物及びそれを用いた硬化膜形成方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）特定のアセタール構造を有する酸解離性基を有し、アルカリ不溶性若しくはアルカリ難溶性であり、且つ、酸解離性基が解離したときにアルカリ可溶性となる樹脂、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、（Ｃ）架橋剤及び（Ｄ）密着助剤を少なくとも含有するポジ型感光性樹脂組成物及びそれを用いた硬化膜形成方法。 （もっと読む）