【課題】フォトレジストの上に保護膜を用いて保護膜と投影レンズの間に水を挿入する液浸リソグラフィー工程において、（１）保護膜層とフォトレジスト膜層とのインターミキシングを防止し、及び、（２）現像後のレジスト表面をより親水性化させることによって欠陥の発生を防止する。
【解決手段】酸によってアルカリ溶解性が向上するベース樹脂となる高分子化合物と、高分子添加剤としてスルホン酸アミン塩を有する繰り返し単位と少なくとも１個のフッ素原子を有する繰り返し単位とを共重合した高分子化合物とを含むことを特徴とするレジスト材料。 （もっと読む）

【課題】良好なリソグラフィー特性を有し、かつ液浸露光用として好適な疎水性を有する液浸露光用レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ溶解性が変化し、かつ一般式（ｃ１−１）［式（ｃ１−１）中、Ｒは水素原子、低級アルキル基、ハロゲン原子またはハロゲン化低級アルキル基であり；Ｒ^ｆはフッ素化アルキル基であり；Ｙ^０はアルキレン基である。］で表される構成単位（ｃ１）を有さない基材成分（Ａ）と、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）と、前記構成単位（ｃ１）を有する含フッ素樹脂成分（Ｃ）とを含有することを特徴とする液浸露光用レジスト組成物。
［化１］
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【課題】良好なリソグラフィー特性を有し、かつ液浸露光用として好適な疎水性を有する液浸露光用ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ溶解性が増大する樹脂成分（Ａ）と、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）と、式中、置換基としてフッ素原子および／またはフッ素化アルキル基を有する炭素数４〜１２の脂肪族環式基で表される構成単位からなるアクリル酸エステル系樹脂成分（Ｃ）とを含有することを特徴とする液浸露光用ポジ型レジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】良好なリソグラフィー特性を有し、かつ液浸露光用として好適な疎水性を有する液浸露光用ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ溶解性が増大する樹脂成分（Ａ）と、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）とを含有し、前記樹脂成分（Ａ）が、下記一般式（ａ’−１）［式（ａ’−１）中、Ｒ^２３は、下記一般式（Ｉ−１）で表される構造（Ｉ）を有する脂肪族環式基である。］で表される構成単位（ａ’）を含む共重合体（Ａ１）を含有することを特徴とする液浸露光用ポジ型レジスト組成物。
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【課題】浸漬露光時の物質溶出を抑制でき、リソグラフィー特性にも優れた液浸露光用ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ溶解性が増大する樹脂成分（Ａ）、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）および酸増殖剤成分（Ｇ）を含有することを特徴とする液浸露光用ポジ型レジスト組成物、並びに、当該液浸露光用ポジ型レジスト組成物を用いて基板上にレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を浸漬露光する工程および前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程を含むレジストパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】支持体上に高精細かつ高アスペクト比のパターンを形成できるパターン形成方法の提供。
【解決手段】支持体上に下層膜を形成する工程、該下層膜上にシリコン系ハードマスクを形成する工程、該ハードマスク上に化学増幅型ポジ型レジスト組成物を塗布して第一のレジスト膜を形成する工程、第一のマスクパターンを介して該レジスト膜を選択的に露光・現像して第一のレジストパターンを形成する工程、該レジストパターンをマスクとし、ハードマスクをエッチングして第一のパターンを形成する工程と、前記第一のパターン上に化学増幅型ポジ型シリコン系レジスト組成物を塗布して第二のレジスト膜を形成する工程、第二のマスクパターンを介して該レジスト膜を選択的に露光・現像して第二のレジストパターンを形成する工程、該レジストパターンをマスクとし、下層膜をエッチングして第二のパターンを形成する工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】波長１９３ｎｍにおける屈折率が空気よりも高い液浸露光用液体を介して放射線照射する、液浸露光時に接触した水などの液浸露光用液体への溶出物の量が少ない。
【解決手段】レンズとフォトレジスト膜との間に液浸露光用液体を介して放射線照射する液浸露光を含むレジストパターン形成方法に用いられ、樹脂（Ａ）および下記式（１）で表される感放射線性酸発生剤（Ｂ）を０．５〜３質量部含む。


Ｒ¹〜Ｒ³は、それぞれ独立にアリール基またはアルキル基を、Ｘは炭素数２〜６のフッ素化アルキレン基を表す。 （もっと読む）

【課題】現像後の表面接触角を低く抑えることができると共に、液浸露光時の水の浸透が抑えられるレジスト材料の提供。
【解決手段】下記一般式（１ａ）、（１ｂ）、及び（１ｃ）又は（２ａ）、（２ｂ）、及び（２ｃ）で表される繰り返し単位の組み合わせの高分子化合物を含むレジスト材料。


（Ｒ^1a、Ｒ^1b、及びＲ^1cはＨ、Ｆ、アルキル基又はフッ素化アルキル基。Ｒ^2aはＨ、−Ｒ³−ＣＯ₂Ｈ又は−Ｒ³−ＯＨ。Ｒ^2cはフッ素化アルキル基。Ｒ³はフッ素を含んでもよい２価の有機基。Ｒ⁴はメチレン基又は酸素原子。Ｒ⁵はＨ又は−ＣＯ₂Ｒ⁷。Ｒ⁶はＨ、メチル基又はトリフルオロメチル基。Ｒ⁷はＨ又はアルキル基。Ｒ^8a、Ｒ^8bは単結合又はアルキレン基。Ｒ⁹はフッ素化アルキル基。） （もっと読む）

【課題】通常露光（ドライ露光）のみならず液浸露光においても、レジストパターンのプロファイルの劣化とラインエッジラフネス性能劣化が少ない感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】下記一般式（Ｉ）で表される化合物（Ｃ）を含有することを特徴とする感光性組成物。一般式（Ｉ）中、Ｒは、複数ある場合は各々独立して水素原子又は１価の有機基を表す。Ａは、複数ある場合は各々独立して酸によって切断される結合を有する２価の連結基を表す。Ｘは、複数ある場合は各々独立して脂環炭化水素構造を有する１価の有機基を表す。ｎは、０〜２の整数を表す。
（Ｒ）_n−Ｎ−（Ａ−Ｘ）_3-n （Ｉ） （もっと読む）

【課題】波長１９３ｎｍにおける屈折率が１．７２以上であり、かつ、レジスト膜としてパターンニング可能な感放射線性樹脂組成物用重合体を提供する。
【解決手段】下記一般式で表される繰り返し単位を含有する感放射線性樹脂組成物用重合体。


（前記式中、Ｒ^１は水素等を表し、Ｒ^２はそれぞれ互いに独立して、炭素数１〜１０の直鎖状のアルキル基等を表し、Ｘは酸素原子又は硫黄原子で、少なくとも一つが硫黄原子を表す） （もっと読む）

【課題】イマージョン液が非水系液状媒体であるイマージョンリソグラフィー法に用いられるレジスト保護膜およびレジストパターンの形成方法を提供する。
【解決手段】イマージョン液が非水系液状媒体であるイマージョンリソグラフィー法に用いられるレジスト保護膜用のアルカリ溶解性のレジスト保護膜用材料であって、重合体状含フッ素化合物（Ｆ）を含みデカリンに対する後退角が４０°以上であるレジスト保護膜用材料、前記イマージョンリソグラフィー法によるレジストパターンの形成方法であって、感光性レジストを基板上に塗布して基板上にレジスト膜を形成する工程、該レジスト膜上に前記レジスト保護膜用材料を含むレジスト保護膜形成組成物を塗布してレジスト膜上にレジスト保護膜を形成する工程、イマージョンリソグラフィー工程、および、現像工程をこの順に行う、基板上にレジストパターンを形成するレジストパターンの形成方法。 （もっと読む）

【課題】液浸露光用レジストカバー膜に好適に使用可能であり、ＡｒＦレーザー光等に対する透過率が高いレジストカバー膜形成材料等の提供。
【解決手段】レジスト膜に対して液浸露光を行う際に該レジスト膜をカバーするレジストカバー膜を形成するのに用いられ、アルカリ可溶性基を少なくとも有し下記一般式（１）で表されるケイ素含有ポリマーと、該ケイ素含有ポリマーを溶解可能な有機溶剤とを少なくとも含むことを特徴とするレジストカバー膜形成材料である。
【化１】
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【課題】ＩＣ等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、さらにその他のフォトファブリケーション工程などに使用されるポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供することであり、通常露光（ドライ露光）のみならず液浸露光においてプロファイルやラインエッジラフネスの劣化が少なく、また、液浸露光時に於ける液浸液に対する追随性が良好であるポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供することである。
【解決手段】（Ａ）酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、（Ｂ）活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物、（Ｃ）特定構造を有する樹脂および（Ｄ）溶剤を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】新規液浸露光用感放射線性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ可溶性となる樹脂（Ａ）、感放射線性酸発生剤（Ｂ）、酸の作用によりアルカリ可溶性となる低分子化合物（Ｃ）、溶剤（Ｄ）を含有し、該（Ｃ）が一般式（１）で表される液浸露光用感放射線性樹脂組成物である。


（一般式（１）において、Ｒ^１は脂環式炭化水素基等を示し、Ｘはヒドロキシ基等を示し、Ａは−Ｄ−ＣＯＯ−で表される基等を示し、Ｄはメチレン基等を表す。） （もっと読む）

【課題】良好なリソグラフィー特性を有し、かつ液浸露光用として好適な疎水性を有する液浸露光用レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ溶解性が変化し、かつ下記一般式（ｃ１−１）［Ｒ^２３は、下記一般式（Ｉ−１）で表される構造（Ｉ）を有する脂肪族環式基である。］で表される構成単位（ｃ１）を有さない基材成分（Ａ）と、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）と、前記構成単位（ｃ１）を有する含フッ素樹脂成分（Ｃ）とを含有する液浸露光用レジスト組成物。
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【課題】フォトレジスト膜とのインターミキシングを極めて生じ難く、水等の液浸液に極めて溶出し難く安定な被膜を維持可能であり、ウォーターマーク欠陥やパターン不良欠陥の発生を効果的に抑制し、高い後退接触角を示しつつ、現像剥離欠陥の発生を抑制することが可能であり、かつ、高解像度のレジストパターンを形成可能な上層膜を形成するために用いられる上層膜形成組成物、及びこの上層膜形成組成物を用いたフォトレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】フォトレジスト膜の表面上に上層膜を形成するために用いられる上層膜形成組成物であって、アルカリ性の現像液に可溶であるとともに、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）が１．２０〜１．７０である樹脂（イ）と、非イオン性であり、かつ、フッ素を含有しない界面活性剤（ロ）と、を含有する上層膜形成組成物。 （もっと読む）

【課題】 液浸液に対しては親和性を有さず、レジスト層からの低分子成分の溶出やレジスト膜の膨潤を抑制することができるとともに、露光後のアルカリ現像のプロセスで容易に除去でき、良好なパターンプロファイルを得ることができる保護膜を形成できるレジスト保護膜形成用樹脂組成物を提供する。
【解決手段】 少なくともラクトン構造を有する繰り返し単位を有するポリマーを含むレジスト保護膜形成用樹脂組成物。この樹脂組成物においては、ラクトン構造を有する繰り返し単位とともにフッ素原子を有する繰り返し単位を有するポリマーを含むのが好ましい。また、ラクトン構造を有する繰り返し単位とともにフッ素原子を有する繰り返し単位及びスルホ基又はカルボキシル基を有する繰り返し単位を有するポリマーを含むのがより好ましい。 （もっと読む）

【課題】フォトレジスト膜とのインターミキシングを極めて生じ難く、水等の液浸液に極めて溶出し難く安定な被膜を維持可能であり、ウォーターマーク欠陥やパターン不良欠陥の発生を効果的に抑制し、高い後退接触角を示しつつ、高解像度のレジストパターンを形成可能な上層膜形成組成物に含有される上層膜形成組成物用樹脂。
【解決手段】フォトレジスト膜の表面上に上層膜を形成するために用いられる上層膜形成組成物に含有される樹脂であって、カルボン酸骨格を含む、開始剤及び／又は連鎖移動剤の存在下で、ラジカル重合性単量体をラジカル重合することによって得られる上層膜形成組成物用樹脂。 （もっと読む）

【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に可溶となる樹脂成分（Ａ）と、活性光線又は放射線に感応して酸を発生する化合物（Ｂ）とを含有し、樹脂成分（Ａ）が（１）で示される繰り返し単位を有する高分子化合物であるポジ型レジスト組成物。


【効果】本発明のレジスト材料は、微細加工技術、特にＡｒＦリソグラフィー技術において極めて高い解像性を有し、矩形性の高いパターンを与えることができ、精密な微細加工に極めて有用である。 （もっと読む）

【課題】液浸露光用レジスト保護膜組成物を提供する。
【解決手段】ＣＦ_２＝ＣＦ−ＣＨ_２ＣＨＲ（ＣＨ_２）_ｍ−ＣＨ＝ＣＨ_２（Ｒは炭素数１〜１２のアルキル基または炭素数１〜１２のフルオロアルキル基を、ｍは０、１または２を、示す。）等の重合により形成された繰り返し単位（Ａ）を含む重合体であって、繰り返し単位（Ａ）を全繰り返し単位に対して１０モル％以上含む重合体（Ａ）と、ヒドロキシ基、カルボキシ基等の極性基を有する重合性単量体（ｂ）の重合により形成された繰り返し単位を含むアルカリ可溶性の重合体（Ｂ）とを含み、かつ重合体（Ｂ）に対して重合体（Ａ）を０．１〜３０質量％含む液浸露光用レジスト保護膜組成物。 （もっと読む）