【課題】大きな高周波電気信号が入力されても熱破壊されることのない高い信頼性を有する光変調器モジュールを提供する。
【解決手段】基板と、光を導波するための光導波路と、基板の一方の面側に形成され、光の位相を変調する高周波電気信号を印加するための中心導体及び接地導体からなる電極とからなる光変調器と、光変調器の電極に接続され、当該電極を通過した高周波電気信号を終端する電気的終端と、光変調器と電気的終端とを内部に配置する筐体と、を有する光変調器モジュールにおいて、電気的終端は、高周波電気信号が入力される電気的終端用中心導体と、電気的終端用中心導体と並んで形成された電気的終端用接地導体と、電気的終端用中心導体と電気的終端用接地導体とを接続し、入力される高周波電気信号を吸収してジュール熱に変換する抵抗膜とを備え、抵抗膜の幅は電気的終端用接地導体に向かって少なくとも一部が徐々に狭まって形成されている。 （もっと読む）

【課題】光信号の歪の発生を低減しつつ、機器の小型化及び低コスト化を実現すること。
【解決手段】この光送信器１は、発光素子３からの出力光を、データ変調信号を基にＢＰＳＫ変調させるＭＺ型光変調器５と、ＭＺ型光変調器５に対してデータ変調信号を印加する増幅器７と、ＭＺ型光変調器５に印加されるデータ変調信号に直流バイアス電圧を重畳するオートバイアスコントロール回路１１と、増幅器７によって印加される変調信号のクロスポイント変動を検出し、クロスポイント変動を基に直流バイアス電圧を制御するクロスポイント変動検出回路１３とを備える。 （もっと読む）

【課題】
データ伝送における伝送帯域を拡大するという課題を解決するための技術を提供する。
【解決手段】
本発明の光回路は、光信号を分岐する光分岐部と、光分岐部で分岐された光信号の少なくとも１つに第１の遅延及び位相変化を与える第１の光遅延部と、光分岐部で分岐された光信号と第１の光遅延部を通過した光信号とを結合させる第１の光結合部と、を備え、位相変化は、第１の光結合部において結合される少なくとも２つの分岐された光信号の間にφ＋２ｎπ（π／２＜φ＜３π／２、ｎは０以上の整数）の位相差を与える。 （もっと読む）

【課題】生成された光の強度安定性を高める。
【解決手段】音響光学素子は、音響光学媒体と、圧電変換素子と、を具備する。音響光学媒体は６面体の形状を有する。また圧電変換素子は、音響光学媒体の面Ｃに設置される。さらに、面Ｃに対向する面Ｄの４辺のそれぞれを共有する面Ｅ、面Ｆ、面Ｇ、及び面Ｈと面Ｄとの成す４つの角度のそれぞれが非直交であり、面Ｃ、面Ｅ、面Ｆ、面Ｇ、及び面Ｈのうちの共有する辺を介して２つの面が成す８つの角度のうちの少なくとも１つが非直交であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＱＰＳＫ光送信装置を用いてＢＰＳＫ光を安定して生成し、単一装置で複数の伝送方式に対応することで、装置生産コスト削減を図る。
【解決手段】第１の位相変調部１２ａと第２の位相変調部１２ｂに入力されるデータ信号の出力形態を、２並列か直列かに切り替えられる機能を持つフレーマ１６を備える。フレーマ１６は複数のデータフォーマットから任意のフォーマットのデータ信号を選択して出力する機能を有する。また、受光素子１４と第１の制御回路１５ａの間に反転回路１９を設ける。第１の制御回路１５ａに入力される電気信号は当該回路１５ａの前に反転回路１９に入力されることになる。これにより、第１の位相変調部１２ａに入力されるデータ信号を遮断し、反転回路１９を反転設定として第１の位相変調部１２ａの透過率を最小点に固定させ、残る一方のデータ信号によって生成された光出力信号の振幅調整を行う。 （もっと読む）

【課題】材料コストおよび組み立てコストの削減が可能なシリコンおよびゲルマニウムを用いた半導体光変調器で、高速かつ低消費電力で光変調ができるようにする。
【解決手段】第１半導体層１０２は、第１導電型のシリコンから構成され、第２半導体層１０６は、第２導電型のシリコンから構成されている。また、第１障壁層１０３は、第１組成のシリコンゲルマニウムから構成されている。また、量子構造層１０４は、第１組成よりゲルマニウムの組成比が大きい第２組成のシリコンゲルマニウムから構成されて少なくとも層方向の厚さが量子効果が発現される範囲とされた量子構造を備えている。また、第２障壁層１０５は、第２組成よりゲルマニウムの組成比が小さい第３組成のシリコンゲルマニウムから構成されている。 （もっと読む）

【課題】ハイメサ光導波路においてハイメサの機械的強度が弱くなりプロセス中に折れやすくなる。
【解決手段】光デバイスであって、基板と、前記基板側から順に配置された第１の下側クラッド層部と、コア層部と、第１の上側クラッド層部と、を含むメサ、を備える第１の光導波路と、前記基板上に積層されるとともに、前記第１の光導波路を形成する際のエッチングを停止させる第１のエッチストップ層と、を有し、前記第１の光導波路は、前記第１のエッチストップ層上に積層されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】温度調節手段を用いることなく比較的長波長帯でも長距離伝送が可能な半導体レーザモジュールを提供すること。
【解決手段】半導体レーザ部と、該半導体レーザ部の出力側に配置される電界吸収型変調部と、が形成されるレーザ素子と、該レーザ素子を内部に収容する筒状の筐体と、を含む半導体光モジュールであって、前記電界吸収型変調部は、光導波路層を含むとともに上下に電極が配置されるメサ構造と、該光導波路の両側部に隣接して配置される半絶縁半導体からなる埋め込み層と、を含み、前記埋め込み層は、鉄が不純物として添加されたインジウム燐により構成され、リン酸トリブチルを燐の原料とした埋め込み成長法により形成されたり、不純物としてルテニウムが添加されたりする。或いは、前記メサ構造の最上層は、炭素が不純物として添加された半導体により構成され、上側の前記電極に接触する。 （もっと読む）

【課題】制御を開始したときに、初めに設定したバイアス点が最適なバイアス点から１８０°位相がずれていても、速やかにバイアス点を最適なバイアス点となるように制御することができる光変調器を提供する。
【解決手段】光送信機１０のマッハツェンダ型光変調器１２は、低周波信号Ｐｓが重畳された入力信号Ｍｓと印加されたバイアス電圧Ｖｂｓに応じて光ＣＷを変調し、光信号Ｏｓとして出力する。ＭＣＵ４０は、光信号Ｏｓの低周波成分と低周波信号Ｐｓの位相差に基づき、バイアス電圧Ｖｂｔを設定する。ＭＣＵ４０は、制御を開始したときに、光信号Ｏｓの低周波成分と低周波信号Ｐｓの位相差がゼロであった場合、バイアス電圧Ｖｂｔにオフセット電圧Ｖｔを重畳して、バイアス電圧をオフセットする。 （もっと読む）

【課題】ドライバーから見た際の高周波電気信号の電気的反射Ｓ₁₁が小さな光変調器モジュールを提供する。
【解決手段】基板に形成された光導波路と、基板の一方の面側に形成され、光の位相を変調する高周波電気信号を印加するための中心導体及び接地導体からなる電極とからなる光変調器と、光変調器の電極に接続され、当該電極を通過した高周波電気信号を終端する電気的終端と、光変調器と電気的終端とを収納する筐体とを有する光変調器モジュールにおいて、電気的終端は、高周波電気信号が入力される電気的終端用中心導体と電気的終端用接地導体とを備え、入力される高周波電気信号を吸収してジュール熱に変換する抵抗膜が、第１抵抗膜として電気的終端用中心導体と電気的終端用接地導体とを高周波電気信号の搬送方向と交わる向きで接続して配置されるとともに、第２抵抗膜として電気的終端用中心導体を伝搬する高周波電気信号を遮る位置に配置される。 （もっと読む）

【課題】３値の入力信号を光変調器に印加して光を変調する変調方式において、制御を開始したときに、初めに設定したバイアス点が最適なバイアス点から１８０°位相がずれていても、速やかにバイアス点を最適なバイアス点となるように制御する。
【解決手段】光送信機は、ＭＣＵ３０を用いてＭＺ型光変調器に印加するバイアス電圧Ｖ_Ｂを制御する。ＭＣＵ３０は、低周波信号ｓをバイアス電圧Ｖ_Ｂに重畳する。このとき制御入力値ｆは制御誤差ｅとなる。制御誤差ｅがゼロであった場合、ＭＣＵ３０は、低周波信号ｓを入力信号に重畳する。このとき制御入力値ｆは判別量ｄとなる。ＭＣＵ３０は、判別量ｄの正負符号からバイアス電圧Ｖ_Ｂが最適なバイアス点にあるかを判定する。 （もっと読む）

【課題】 アームの光学特性を得ることができる光干渉素子の測定方法を提供する。
【解決手段】 光干渉素子の測定方法は、入力カプラと、前記入力カプラに接続された第１および第２の半導体アームと、前記第１および第２の半導体アームの出力を干渉させる出力カプラと、を備える光干渉素子の測定方法であって、前記第１の半導体アームを光透過状態にせしめた後に前記第２の半導体アームのバイアスをスイープし、前記出力カプラの出力状態を得るステップと、前記第１の半導体アームを前記光透過状態に比べて大きな光吸収特性を生じるバイアスを印加した状態で前記第２の半導体アームのバイアスをスイープし、前記出力カプラの出力状態を得るステップと、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 光干渉素子の干渉特性の調整を行うことなく、光干渉素子に入力される入力光の特性を精度よく測定することができる、光干渉素子の入力光の特性測定方法を提供する。
【解決手段】 光干渉素子の入力光の特性測定方法は、入力カプラと、前記入力カプラに接続された複数の半導体アームと、前記半導体アームの出力を干渉させる出力カプラと、を備える光干渉素子の入力光の特性測定方法であって、前記複数の半導体アームのうち、１つを除く他のすべての半導体アームに光吸収特性を生じさせる制御を行う第１ステップと、前記第１ステップの後に、前記出力カプラから出力される前記入力光の特性を測定する第２ステップと、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 負チャープを生じさせるマッハツェンダ干渉素子において、消光比のチューニングを容易にする。
【解決手段】 マッハツェンダ干渉素子は、入力カプラと、前記入力カプラに接続された第１および第２の半導体アームと、前記第１および第２の半導体アームの出力を干渉させる出力カプラと、前記第１の半導体アームに設けられた第１位相制御電極、第１変調電極、および補助電極と、前記第２の半導体アームに設けられた第２位相制御電極および第２変調電極と、を備え、前記第２変調電極の電極実効長は、前記第１変調電極の電極実効長よりも大きいことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 光干渉素子のクロスポイントチューニングを行うことなく、光デバイスの位置決めを行うことができる、光デバイスの位置決め方法を提供する。
【解決手段】 光デバイスの位置決め方法は、入力カプラと、前記入力カプラに接続された複数の半導体アームと、前記半導体アームの出力を干渉させる出力カプラと、を備える光干渉素子において、前記複数の半導体アームのうち、１つを除く他のすべての半導体アームに光吸収特性を生じさせる制御を行う第１ステップと、前記第１ステップの後に、前記出力カプラから出力される前記入力光を測定しつつ、前記光干渉素子と光結合する光デバイスの位置決めを行う第２ステップと、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】空間光変調器を通過する高強度の光源を必要とせずに、単一通過、高解像度、高速度の画像形成システムを提供する。
【解決手段】高エネルギ赤外レーザから均質光を発生させる均質光発生器１１０、２次元アレイ内に配列された光変調素子を含む空間光変調器１２０、およびアナモフィック光学システム１３０を含む画像形成システム。光変調素子は、各変調素子が関連均質光部分を受信するように配置され、「オン」変調状態と「オフ」変調状態との間で個々に調整可能であり、それによって「オン」変調状態において各変調素子は、関連変調光部分がアナモフィック光学システム１３０の中の対応する領域上へ向けられるように、受信した均質光部分を変調する。次いでアナモフィック光学システム１３０は、変調光部分をアナモフィックに集光して、スキャンライン画像を形成する。 （もっと読む）

【課題】複数の一次元スキャンライン画像を同時に生成するために使用が可能な高信頼かつ高速の画像形成システムを提供する。
【解決手段】複数行および複数列に配置される光変調素子を有する空間光変調器１２０を用いて二次元均質光場１１９Ａを変調することにより、２つの略一次元スキャンライン画像ＳＬ１、ＳＬ２を同時発生させる。上側の変調素子グループは、第１のスキャンライン画像データグループを用いて構成され、かつ下側の変調素子グループは、第２のスキャンライン画像データグループを用いて構成される。次に、二次元均質光場を空間光変調器上へ方向づけるために、均質光源１１０がパルスされる。二次元変調光場１１９Ｂはアナモルフィック光学系１３０を介して方向づけられ、アナモルフィック光学系は、画像形成面上に２つの平行する一次元スキャンライン画像が同時に形成されるように、変調光を画像形成面上へ画像化し、かつ集中させる。 （もっと読む）

【課題】Ｐ型領域とＮ型領域との間の電圧印加により位相を変調させる際の応答速度を高めることができる光変調器を提供する。
【解決手段】光導波路素子１が位相変調部に用いられた光変調器。光導波領域４は、光の導波方向に沿って延在する厚板部３と、厚板部３の幅方向一方側および他方側にある薄板部２（２Ａ、２Ｂ）とを有する。光導波領域４は、厚板部３にてＰ型領域５とＮ型領域６とに分離されている。Ｐ型領域５とＮ型領域６の薄板部２Ａ、２Ｂには、それぞれ電圧印加用の電極７Ａ、７Ｂが接続されている。薄板部２Ａ、２Ｂの厚さは８０〜１１０ｎｍとされる。 （もっと読む）

【課題】絶縁層のクラックの発生を防止することが可能な光半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】光半導体素子の製造方法は、半導体メサ１６を埋め込む埋め込み樹脂領域１８ａを形成する工程（Ｓ６）と、第２絶縁層１９ａ及びレジストマスク２１を形成する工程（Ｓ８）と、レジストマスク２１を用いてエッチングして開口２５を形成する工程（Ｓ９）と、レジストマスク２１を除去した後に、半導体メサ１６の上面１６ｓ及び第２絶縁層１９ａの上に導電層２６を形成する工程（Ｓ１２）と、第２絶縁層１９ａを除去することにより第２絶縁層１９ａの上の導電層２６ｂをリフトオフして半導体メサ１６の上面１６ｓに電極２７を形成する工程（Ｓ１３）と、電極２７を熱処理する工程（Ｓ１４）と、埋め込み樹脂領域１８ａの上に第３絶縁層２８を形成する工程（Ｓ１５）とを備える。 （もっと読む）

【課題】メサ構造の側面からの樹脂の剥離を抑制できる光半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】光導波路層１１、クラッド層１２、コンタクト層１３、及びキャップ層１７を半導体基板２上に順次成長させる。エッチングマスク７０をキャップ層１７上に形成し、キャップ層１７に対してウェットエッチングを行う。少なくともコンタクト層１３及びクラッド層１２に対してドライエッチングを行い、メサ構造１４を形成する。メサ構造１４を覆う絶縁膜１５を形成する。半導体基板２上に樹脂を塗布することにより、メサ構造１４を誘電体樹脂層９によって埋め込む。メサ構造１４上の誘電体樹脂層９及び絶縁膜１５に対してエッチングを行い、キャップ層１７を露出させる。キャップ層１７を除去したのち、メサ構造１４上に電極５０を形成する。 （もっと読む）