【課題】ドライバーから見た際の高周波電気信号の電気的反射Ｓ₁₁が小さな光変調器モジュールを提供する。
【解決手段】電気光学効果を有する基板と、基板に形成された光を導波するための光導波路と、基板の一方の面側に形成され、光の位相を変調する高周波電気信号を印加するための中心導体及び接地導体からなる電極とからなる光変調器と、光変調器の電極に接続され、当該電極を通過した高周波電気信号を終端する電気的終端と、光変調器と電気的終端とを内部に配置する筐体と、を有する光変調器モジュールにおいて、電気的終端は、高周波電気信号が入力される電気的終端用中心導体と、当該電気的終端用中心導体と抵抗膜を介して接続される電気的終端用接地導体とを備え、抵抗膜は、電気的終端用中心導体を伝搬する高周波電気信号の伝搬方向に沿って複数個形成されている。 （もっと読む）

【課題】絶縁層のクラックの発生を防止することが可能な光半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】光半導体素子の製造方法は、半導体メサ１６を埋め込む埋め込み樹脂領域１８ａを形成する工程（Ｓ６）と、第２絶縁層１９ａ及びレジストマスク２１を形成する工程（Ｓ８）と、レジストマスク２１を用いてエッチングして開口２５を形成する工程（Ｓ９）と、レジストマスク２１を除去した後に、半導体メサ１６の上面１６ｓ及び第２絶縁層１９ａの上に導電層２６を形成する工程（Ｓ１２）と、第２絶縁層１９ａを除去することにより第２絶縁層１９ａの上の導電層２６ｂをリフトオフして半導体メサ１６の上面１６ｓに電極２７を形成する工程（Ｓ１３）と、電極２７を熱処理する工程（Ｓ１４）と、埋め込み樹脂領域１８ａの上に第３絶縁層２８を形成する工程（Ｓ１５）とを備える。 （もっと読む）

【課題】メサ構造の側面からの樹脂の剥離を抑制できる光半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】光導波路層１１、クラッド層１２、コンタクト層１３、及びキャップ層１７を半導体基板２上に順次成長させる。エッチングマスク７０をキャップ層１７上に形成し、キャップ層１７に対してウェットエッチングを行う。少なくともコンタクト層１３及びクラッド層１２に対してドライエッチングを行い、メサ構造１４を形成する。メサ構造１４を覆う絶縁膜１５を形成する。半導体基板２上に樹脂を塗布することにより、メサ構造１４を誘電体樹脂層９によって埋め込む。メサ構造１４上の誘電体樹脂層９及び絶縁膜１５に対してエッチングを行い、キャップ層１７を露出させる。キャップ層１７を除去したのち、メサ構造１４上に電極５０を形成する。 （もっと読む）

【課題】単一パス高解像度高速印刷用途に使用されることが可能な高信頼でしかも高出力である画像形成システムを提供する。
【解決手段】アナモルフィック光学系１３０Ｅは、画像形成面１６２Ｅから湿し溶液を気化するに足るエネルギーを有するライン画像を発生するために、１つまたは複数の円柱／非円柱レンズ１３４Ｅにより全屈折配置に形成される、または円柱／非円柱レンズおよびミラーの組合せによって形成される工程方向サブ光学系１３７Ｅを含む。また、本アナモルフィック光学系は、変調光場１１９Ｂを工程横断方向に画像化するために１つまたは複数の円柱／非円柱レンズ１３８Ｅおよび任意選択の円柱／非円柱視野レンズにより形成される工程横断方向サブ光学系１３３Ｅも含む。本アナモルフィック投影光学系は、ライン画像の複数のピクセル画像の同時的発生を容易にし、１２００ｄｐｉ以上での印刷を容易にする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、各構成部品を等長化して組み立てる必要がなく、部品の温度特性及び経時変化が生じてもスキュー調整が容易である位相変調装置を提供することを目的とする。
【解決手段】位相変調装置３０１は、連続光を出力する光源１０と、２つの位相変調器１２及び強度変調器１５を有し、光源１０からの連続光を位相変調器１２がそれぞれに入力されるデータ信号（ＤＡＴＡ１、２）で位相変調して２つの位相変調光信号を生成し、位相器１３が位相変調光信号の一方の位相をπ／２ずらして位相変調光信号の他方と合波した合波信号を強度変調器１５が入力されたクロック信号ＣＬＫで強度変調しＲＺ化して出力するＲＺ位相変調回路１０１と、ＲＺ位相変調回路１０１の出力が最大となるように、ＲＺ位相変調回路１０１の位相変調器１２が生成する位相変調光信号の位相をそれぞれ調整する位相制御回路１１１と、を備える。 （もっと読む）

【課題】光半導体装置とその製造方法において、光半導体装置の信頼性を高めること。
【解決手段】半導体基板１を途中の深さまでエッチングすることにより、断面形状が凸状のコア４ａを半導体基板１に形成する工程と、コア４ａの一方の側面４ｘと他方の側面４ｙの各々に酸化防止膜２２を形成する工程と、酸化防止膜２２が形成された状態で、コア４ａの両脇の半導体基板１の表面を熱酸化する工程と、コア４ａの一方の側面４ｘの横の半導体基板１に第１の不純物領域を形成する工程と、コア４ａの他方の側面４ｙの横の半導体基板１に第２の不純物領域を形成する工程とを有する光半導体装置の製造方法による。 （もっと読む）

【課題】ＳＨＦ帯の電波のセンシングを高感度に行うことができる電波受信・光伝送システムを提供する。
【解決手段】電波受信・光伝送システムは、ＳＨＦ帯の電波を受信するアンテナ１１と、アンテナ１１から出力された電気信号の電界強度を増幅するデプレッション型トランジスタ２３から形成された増幅器１３と、トランジスタに一定のバイアス電圧を印可するバイアス回路１４と、トランジスタ２３に駆動用電源を供給する光電変換素子１５と、光電変換素子１５に光電変換用の光を出射する光源１５と、バイアス回路１４にバイアス電源を供給する光電変換素子１７と、光電変換素子１７に光電変換用の光を出射する光源１８とから形成されている。 （もっと読む）

【課題】変調の高効率化と波長帯域の広範囲化とを両立しうる光半導体素子を提供する。
【解決手段】入力光が入力される導波路と、導波路と光学的に結合するように配されたリング変調器と、リング変調器内の光パワーをモニタする光検出器と、リング変調器及び光検出器に接続され、光検出器により検出された信号に基づいて変調信号をリング変調器に印加する制御部とをそれぞれ有する複数の変調部とを有し、複数の変調部は、リング変調器の直径が互いに異なっている。 （もっと読む）

【課題】光を変調し得る波長帯域が狭いリング共振器の共振波長を入力光の波長に容易に一致させ、高効率で入力光を変調し得る光半導体素子を提供する。
【解決手段】入力光が入力される第１の導波路と、第１の導波路と光学的に結合するように配されたリング変調器と、第１の導波路と光学的に結合するように配され、リング変調器の周回光路長より小さな周回光路長を有する第１のリング共振器と、第１の導波路と光学的に結合するように配され、リング変調器の周回光路長より大きな周回光路長を有する第２のリング共振器と、リング変調器と第１のリング共振器と第２のリング共振器とに近接して配されたヒータと、第１のリング共振器中の光パワーをモニタする第１の光検出器と、第２のリング共振器中の光パワーをモニタする第２の光検出器と、第１の光検出器及び第２の光検出器により検出された信号に基づいて、リング変調器の共振波長が入力光の波長と一致するようにヒータを制御する制御部とを有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、光バースト信号のＧＴを狭くしても光強度を制御可能である光強度制御装置を提供することを目的とする。
【解決手段】光強度制御装置３０１は、入力される複数のフレームからなる入力バースト信号の光強度を電気信号として検出する検出部１０と、前記入力バースト信号の光強度をフレーム毎に調整して出力バースト信号として出力する光出力部２０と、検出部１０で検出した前記入力バースト信号の光強度の電気信号から前記入力バースト信号のフレーム毎の光強度を取得し、前記出力バースト信号のフレーム毎の光強度が所定の値となるようにフレーム毎に調整量を算出して光出力部２０へ調整信号として送信する制御部３０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】温度ドリフトが小さく、かつ、電界の印加効率が良い光変調器を提供する。
【解決手段】光変調器は、電気光学効果を有する基板と、前記基板内に形成された光導波路と、前記光導波路の上方に設けられたバッファ層と、前記バッファ層の上方に設けられ、前記光導波路の上部に開口を有する半導電性膜と、前記バッファ層の上方に設けられ、前記半導電性膜と電気的に接触する電極と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 光波面の音響光学強度変調を行うための位相変調技術を提供する。
【解決手段】 音響光学変調器は、音響光学バルク媒体と、この音響光学バルク媒体に取り付けられ且つ電極の直線配列として形成されるトランスデューサとを有する。トランスデューサドライバは夫々の電極に接続され、夫々の電極は、音場の角運動量分布を変更し、光場と音場との間の位相整合を交互に許可及び抑制し、光波面の所望の強度変調を生ずるようコヒーレントに位相駆動される。 （もっと読む）

【課題】接続部の面積のばらつきを抑制することである。
【解決手段】プリント基板１０は、接続用グランドパターン２１と配線用グランドパターン３１とを有する。接続用グランドパターン２１は、第１の配線層に設けられた、半田接続用のパターンである。配線用グランドパターン３１は、第１の配線層において、接続用グランドパターン２１と離間するように設けられている。接続用グランドパターン２１と配線用グランドパターン３１とは、第２の配線層を介して電気的に接続されている。配線用グランドパターン３１をソルダーレジスト等の絶縁層で被覆する際、絶縁層の端部の位置が、配線用グランドパターン３１毎に異なっても、接続用グランドパターン２１の露出面積に対する影響は排除される。 （もっと読む）

【課題】光変調器に入力される信号のバイアス電圧を高速かつ効率的に制御すること。
【解決手段】光変調装置は、生成回路と、重畳器と、光変調器と、算出回路と、制御器とを備える。生成回路は、所定の周波数を有する電気信号よりも周波数が低く、かつ、振幅の平均値が振幅の中心値と一致しない低周波信号を生成する。重畳器は、生成回路によって生成された低周波信号を電気信号に重畳する。光変調器は、重畳器によって低周波信号が重畳されて得られた電気信号である入力信号を用いて、光源からの光を変調し信号光を出力する。算出回路は、光変調器によって出力される信号光の周波数成分のうち低周波信号と同一の周波数を有する低周波成分の振幅の平均値と、振幅の中心値とを算出する。制御器は、算出回路により算出された低周波成分の振幅の平均値が振幅の中心値に近づくように、光変調器へ入力される入力信号のバイアス電圧を制御する。 （もっと読む）

【課題】レンズの焦点を任意の位置に調整可能な光学装置を提供する。
【解決手段】光学素子１０と、光学素子１０に接する第１面Ｎ１および第１面Ｎ１に対し傾斜した第２面Ｎ２を有する透光性の第１傾斜部材２１と、第１傾斜部材２１の第２面Ｎ２に接する第３面Ｎ３および第１傾斜部材２１の第１面Ｎ１に略平行な第４面Ｎ４を有する透光性の第２傾斜部材２２と、第２傾斜部材２２の第４面Ｎ４に接し、第１傾斜部材２１の第１および第２面Ｎ１，Ｎ２ならびに第２傾斜部材２２の第３および第４面Ｎ３，Ｎ４を介して光学素子１０に光学的に結合されるレンズ３０と、を備え、第１傾斜部材２１の第２面Ｎ２と第２傾斜部材２２の第３面Ｎ３を接触させた状態で第１傾斜部材２１と第２傾斜部材２２とをスライド移動させることによりレンズ３０と光学素子１０との距離が調整可能である。 （もっと読む）

【課題】従来の光送信装置で問題となっていた位相変調光の平均値変動による直交制御最適点の誤検出を防ぐことにより、安定した位相シフト量（動作点）の調整を行うことができる光送信装置を提供する。
【解決手段】分岐部３９とＬＰＦ３２と加算器（減算器）３３とを有する構成の信号補正手段４０を、光送信装置の制御ループ２２に設ける。分岐部３９ではモニタＰＤ３１で得られた電気信号ｂ３を、第１の分岐信号ｂ３−１と、第２の分岐信号ｂ３−２とに分岐する。ＬＰＦ３２では第２の分岐信号ｂ３−２の低周波成分を通過させて、第２の分岐信号ｂ３−２から高周波成分を除去することにより、第２の分岐信号ｂ３−２の平均値ｂ４を得る。加算器３３では、第１の分岐信号ｂ３−１から、ＬＰＦ３２で得られた第２の分岐信号ｂ３−２の平均値ｂ４を差し引くことにより、補正モニタ信号ｂ５を得る。 （もっと読む）

【課題】バッファ層中へのＬｉイオン等のキャリアの拡散を抑制し、長期間に渡り駆動電圧が安定した光導波路素子を提供する。
【解決手段】電気光学効果を有する基板１と、基板１に形成された光導波路２と、基板１の上に形成されたバッファ層５と、バッファ層５上に形成され、光導波路２を伝搬する光波を変調する変調電極３，４とを有する光導波路素子において、光導波路２とバッファ層５との間に、基板１に含まれる金属イオンがバッファ層５内に拡散し偏在することを抑制するための偏在抑制層６を設ける。 （もっと読む）

【課題】リッジ導波路のメサ幅を高精度に制御する。
【解決手段】半導体基板上に設けられたコア層と、コア層の上方に突出するリッジ型の導波路を備え、導波路は、コア層の上方に設けられたメサ状の第１クラッド層と、第１クラッド層上に設けられた第１エッチングストップ層と、第１エッチングストップ層上に設けられ、第１クラッド層と同一の組成を有する第２クラッド層とを有し、第１エッチングストップ層は、第１クラッド層及び第２クラッド層を化学エッチングするエッチャントでエッチングされない半導体光素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】ＤＣドリフトが抑制された光導波路素子の製造方法を提供する。さらには、製造プロセスの途中で、ＤＣドリフトを調整することを可能とし、製造の歩留まりを改善する、光導波路素子の製造方法を提供する。
【解決手段】電気光学効果を有する基板に、光導波路を形成する工程と、バッファ層を形成する工程と、電極を形成する工程とを有する、光導波路素子の製造方法において、該バッファ層を形成した後に、該バッファ層内の特定物質の濃度分布を加熱によって調整するための１段階又は複数段階の界面拡散層熱調整工程（Ｓ１，Ｓ２）を組み込む。 （もっと読む）

【課題】パルス幅が２００フェムト秒以下で、パルス繰り返し周波数が高い短パルス光の発生を可能とする。
【解決手段】短パルス光発生装置は、任意の中心光周波数をもつＣＷ光源１と、ＣＷ光源１からの連続レーザー光を位相変調する位相変調手段２と、位相変調手段２からの光パルスを間引いてピークパワーを高める光ゲート５と、光ゲート５を通過した光パルスを増幅し、光増幅器６内での非線形効果によって光スペクトル帯域を拡大した広帯域光を発生させる光増幅器６と、光増幅器６によって増幅された光パルスを圧縮する分散付与手段７とを備える。 （もっと読む）