【課題】
共振周波数の異なる複数の共振型電極を用いながら、変調効率が高く低コスト化することが可能な光制御素子を提供すること。
【解決手段】
電気光学効果を有する基板１と、該基板に形成された光導波路２と、該基板に設けられ、該光導波路を伝搬する光の位相を制御するための制御電極３とを有する光制御素子において、該制御電極３は、該光導波路２に沿って配置される、共振周波数（ｆ１，ｆ２）の異なる複数の共振型電極３１，３２を有し、制御信号を入力する１つの入力配線３０と、該入力配線から分岐する分岐信号線が各共振型電極に接続され、かつ、該分岐信号線は、各共振型電極において該制御信号が該共振型電極に供給されるタイミングと、該光導波路を伝搬する光が当該共振型電極の近傍を通過するタイミングとを一致させるように構成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 容易にゼロチャープ変調と負チャープ変調とを行うことが可能な光半導体素子を提供する。
【解決手段】 光分波器が、第１及び第２の入力ポートと、第１及び第２の出力ポートとを含む。第１の入力ポートに信号光が入力されると、第１の出力ポートに出力される信号光と、第２の出力ポートに出力される信号光との強度が等しくなり、第２の入力ポートに信号光が入力されると、第１の出力ポートに出力される信号光の強度が、第２の出力ポートに出力される信号光の強度より大きくなる。光合波器が、第３及び第４の入力ポートと、第３及び第４の出力ポートとを含む。第１の光導波路が、第１の出力ポートと第３の入力ポートとを接続し、第２の光導波路が、第２の出力ポートと第４の入力ポートとを接続する。第１の変調電極及び第２の変調電極に印加される電圧により、第１の光導波路及び第２の光導波路の光路長が変化する。 （もっと読む）

【目的】より小さな変調電圧振幅で高速変調可能なリング光変調器を提供することを目的とする。
【構成】実施形態のリング光変調器は、リング共振器１２０と入出力光導波路１１０とを備えている。そして、前記リング共振器を構成する閉ループ光導波路１２１の共振波長λ_ｒにおける群屈折率をｎ_ｇ、閉ループ光導波路１２１の周長をｌ［μｍ］、閉ループ光導波路１２１のうち光カプラ１３０として機能するリング共振器１２０の一部を除く残りの部分の導波路長をｌ’［μｍ］とするとき、光カプラ１３０の出力から入力までリング共振器１２０を周回する共振波長λ_ｒの光に対して、電流ＯＦＦ時の共振器一周回あたりの損失ｘ［％］と光カプラのパワー結合比ｙ［％］が、所定の式（２）から式（８）までの関係を満たすことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 本発明は，高周波信号の周波数帯において広い変調帯域を有する高周波信号の発生装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明の光高周波信号発生器は，光コム信号を発生する光コム発生器１１と，光コム発生器１１から発生した光コム信号を分波する光分波器１３と，光分波器１３で分波された光コム信号を結合する光結合器１５と，光結合器１５が結合した光周波数成分の差周波信号を発生する光混合器１７と，光分波器１３から出力された光コム信号の一部から所定の成分を抽出するための第１の光フィルタ１９を有する。この第１の光フィルタ１９が抽出した光成分と，光コム信号のうち分波器で分波された光成分を光混合器が混合することで，差周波信号が発生する。 （もっと読む）

【課題】製造コストの増加を抑制した上で、所望のスポットサイズの近接場光を発生させることができる近接場光発生素子の製造方法、近接場光発生素子、近接場光ヘッド、及び情報記録再生装置を提供する。
【解決手段】第１パターニング工程では、一端側から他端側に向かうに従い先細る第１母材１２３ａ及び第２母材１２３ｂ、並びに第２母材１２３ｂから他端側へ一定幅で延びる第３母材１２３ｃが残存するようにコア母材１２３をパターニングし、第２パターニング工程では、コア母材１２３、及び金属膜母材１７１に対してプラズマ中でスパッタエッチングを行い、コア母材１２３における第３母材１２３ｃを除去することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
光ファイバの波長分散を補償可能であり、数１０Ｇｂｐｓを超える高速伝送にも適用可能な光変調器を提供すること。
【解決手段】
電気光学効果を有する材料で構成される基板１と、該基板に形成された光導波路２と、該光導波路を伝搬する光波を変調するための変調電極３とを有する光変調器において、該光導波路から出射する出射光Ｌ２を光ファイバで導波し、該光ファイバの波長分散特性と逆の特性の波形歪を有するように、該光導波路に沿って該基板を所定のパターンで分極反転１０させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】寄生抵抗が低減されたダイオード構造が形成できるようにする。
【解決手段】 この半導体素子は、ｎ型とされた窒化物半導体から構成されて主表面がＣ面方向とされている第１半導体層１０１と、第１半導体層１０１とは格子定数が異なる窒化物半導体から構成され、主表面がＣ面方向とされて第１半導体層１０１の上に形成された第２半導体層１０２と、第２半導体層１０２とは格子定数が異なるｎ型の窒化物半導体から構成され、主表面がＣ面方向とされて第２半導体層１０２の上に形成された第３半導体層１０３とを少なくとも備える。また、第２半導体層１０２は、臨界膜厚より薄く形成されている。加えて、第１半導体層と第２半導体層との格子定数の大小関係と、第３半導体層と第２半導体層との格子定数の大小関係とは同じとされている。 （もっと読む）

【課題】チューナブルフィルタの構造を簡潔にする。
【解決手段】チューナブルフィルタであって、互いに平行な一対の面の一方の面に配された、透過部およびミラー部、並びに、他方の面に配され、透過する波長帯域が面内の一の方向に沿って異なるダイクロイックミラー部を有し、連続スペクトルの平行光束が入射され、連続スペクトルの平行光束を波長に応じて空間的に分散された平行光束として射出する分波部と、分波部から空間的に分散された平行光束が入射され、空間的な位置に応じて強度を変調して、空間的な位置に応じた予め定められた光路に対して射出する空間変調部と、空間変調部から射出された、空間変調された平行光束を合波して射出する合波部とを備える。 （もっと読む）

【課題】光吸収層の層厚を増加させることなく、消光比の偏波依存性の低減と、光閉じ込め係数の向上とを同時に図ることが可能な光ゲート素子を提供する。
【解決手段】半導体基板１１上に、第１のクラッド層１２、バルク材料からなる光吸収層１３、および、第２のクラッド層１４が順次積層された導波路構造を備え、前記導波路構造は、光吸収層１３と第１のクラッド層１２との間、および、光吸収層１３と第２のクラッド層１４との間に光閉じ込め層１５、１６をさらに有し、光閉じ込め層１５、１６の屈折率が、第１および第２のクラッド層１２、１４の屈折率よりも大であるとともに、光吸収層１３の屈折率よりも小であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体光スイッチモジュールの組立コストを低減させる。
【解決手段】 ＩｎＰ基板１上にＩｎＧａＡｓＰ系材料によって形成された光導波路２、３、４、５、６が形成され、光導波路２、３、４上に電極７、８、９をそれぞれ設けている。電極７、８、９に流す電流を制御することによって光スイッチ動作及び光増幅動作を実現している。直線状の光導波路２、３と曲線状の光導波路５はＵ字型の光導波路をなしており、また、直線状の光導波路３、４と曲線上の光導波路６は別のＵ字型の光導波路をなしている。ふたつのＵ字型光導波路の組み合わせによりＷ字型の光導波路ネットワークが形成されている。 （もっと読む）

【課題】ＦＰＣ基板とTO-CANパッケージの接続部における特性インピーダンスを整合させて、40Gb/sのRF信号を低伝送損失・低反射損失でFPC基板からTO-CANパッケージ内部まで伝送することなどが可能な構成の光送信モジュールを提供する安。
【解決手段】TO-CANパッケージ１３と、FPC基板１２とを有し、FPC基板１２の表面に高周波信号線２６と接地電極２８が配され、TO-CANパッケージ１３に配された同軸ピン２２が記高周波信号線２６に接続され、高周波信号線２６から、同軸ピン２２を介して、TO-CANパッケージ１３の内部に配された光半導体素子に高周波電気信号を導通し、高周波信号線２６と接地電極２８との間の距離が0.1mm以上0.3mm以下である構成の光送信モジュールとする。 （もっと読む）

【課題】サブ波長（たとえばナノメートルスケール）の半径変動を有する光ファイバを利用して結合共振空洞を作製するマイクロデバイスを提供する。
【解決手段】複雑な結合フォトニック・マイクロデバイスが、共振空洞を作製するのに十分なサブ波長サイズの放射状の摂動を含むように形成され、これらのデバイスが、単一光ファイバ１０の長さ方向に沿って形成され、互いに結合されて相対的に複雑なフォトニック・デバイスを形成する。これら局所的な半径変動１２の配置および分離を注意深く選択することにより、またマイクロファイバ１４（または他の適切な構成）を使用して、デバイス・ファイバ１０との間で光信号Ｏを結合することにより、ウィスパリングギャラリーモード（ＷＧＭ）の形での共振がデバイス・ファイバ１０内に生成され、その結果、複数の結合された微細構造（たとえば、リング共振器など）を形成する。 （もっと読む）

【課題】
光変調器の出力光とモニタ光との位相差が補償可能であり、かつ簡単な構成で小型化可能な構成を有する光変調器を提供すること。
【解決手段】
電気光学効果を有する基板１と、該基板に形成されたマッハツェンダー型光導波路（２１〜２４）を含む光導波路２と、該光導波路を伝搬する光波を変調するための変調電極と、該光導波路からの出射光を導波する光ファイバ４ととを有する光変調器において、該マッハツェンダー型光導波路から放出される２つの放射光（Ｒ１，Ｒ２）を１つの受光素子５に向けて集光する集光手段（３１，３２）と、該受光素子５が受光する該２つの放射光の光量比を調整する光量比調整手段とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザを光源とするレーザ光源装置を備えた画像表示装置の小型化を実現する。
【解決手段】画像表示装置１は、緑色、赤色及び青色を出力するレーザ光源装置２〜４と、各色のレーザ光を同一の光路に導くダイクロイックミラー１４、１５と、ダイクロイックミラーによって導かれた前記各色のレーザ光を映像信号に基づいて変調する透過型の空間光変調器５と、空間光変調器により変調された変調レーザ光を外部に投写する投射光学系８とを備え、投射光学系は、透過型の空間光変調器からの変調レーザ光の進行方向に配置された投射口８ａを有する構成とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、長延化を図る光送信器を、無温調動作させることで、装置低廉化及び消費電力低減化し、光アクセス網への適用を容易にすることを目的とする。
【解決手段】本発明は、変調した光信号を出力するＤＭＬ１２及びＥＡ変調器１３と、ＤＭＬ１２及びＥＡ変調器１３での温度を測定する温度測定部１４と、ＤＭＬ１２及びＥＡ変調器１３での温度変化によらずＤＭＬ１２及びＥＡ変調器１３での周波数変動が予め定められた条件を満たすように、ＤＭＬ１２及びＥＡ変調器１３での各温度におけるＤＭＬ１２及びＥＡ変調器１３での駆動条件を設定したテーブルを格納する駆動条件設定テーブル格納部１５と、温度測定部１４が測定した温度及びテーブルが設定した当該温度における駆動条件に基づいて、ＤＭＬ１２及びＥＡ変調器１３を制御する変調制御部１６と、を備えることを特徴とする光送信器１である。 （もっと読む）

【課題】放熱性を確保し、コストを抑えつつ、全チャネルで良好な高周波特性を得ることができる多チャネル光送信モジュール及びその作製方法を提供する。
【解決手段】多チャネル光送信モジュールにおいて、ＤＦＢレーザアレイ３Ｂと配線板支持板１２の厚さの差を１５μｍ以下とし、ＤＦＢレーザアレイ３Ｂと配線板支持板１２をサブキャリア４Ａの同一の上面に設け、ＤＦＢレーザアレイ３Ｂと配線板支持板１２の上面にフリップチップ配線板１５を配置し、フリップチップ配線板１５を配線板支持板１２の電極にバンプ１６で固定すると共に、ＤＦＢレーザアレイ３Ｂの電極とフリップチップ配線板１５の電極とを各々金バンプ１４で結線した。 （もっと読む）

【課題】導波路コア層の幅のばらつきが光の伝播に及ぼす影響を抑制する。
【解決手段】光半導体素子１は、クラッド層２上に設けられた、導波路コア層３ａ、及びその両側のスラブ層３ｂを有する第１半導体層３を備える。光半導体素子１は、その導波路コア層３ａの側面、及びスラブ層３ｂの上面を被覆する絶縁層４を備え、更に、導波路コア層３ａの側方で、スラブ層３ｂの上方に、絶縁層４を介して設けられた第２半導体層５を備える。第２半導体層５と導波路コア層３ａとは、絶縁層４によって電気的に分離される一方、光学的には接続される。 （もっと読む）

【課題】
光変調器の出力光とモニタ光との位相差が補償可能であり、かつ簡単な構成で小型化可能な構成を有する光変調器を提供すること。
【解決手段】
電気光学効果を有する基板１と、該基板に形成されたマッハツェンダー型光導波路（２１〜２４）を含む光導波路２と、該光導波路を伝搬する光波を変調するための変調電極と、該光導波路からの出射光を導波する光ファイバ４と、該基板の端部に該光ファイバと接続するための補強用キャピラリ３とを有する光変調器において、該マッハツェンダー型光導波路から放出される２つの放射光（Ｒ１，Ｒ２）を、１つの受光素子５に向けて反射する反射手段（３１，３２）を該補強用キャピラリに設け、該反射手段で反射された２つの放射光が互いに交差するように構成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】良好な光出力特性の光送信装置、光送受信装置、制御方法および制御プログラムを提供。
【解決手段】ＬＤ２２で発したレーザ光をＥＡ変調器２２が変調する光送信器１６に対し制御回路１４は、ケース温度(TC)が予め設定した低温側基準温度（T_cool）および高温側基準温度（T_heat）の範囲内にある場合、ＥＡ変調器２２への加熱・冷却を停止し、ＥＡ変調器２２へのバイアス電圧をメモリ回路４４に記録したテーブル情報に基づいて変調器温度に対応するバイアス電圧に設定し、ケース温度が低温側基準温度以下の場合、ＥＡ変調器２２を加熱するとともに低温側基準温度に対応するバイアス電圧を設定し、ケース温度が高温側基準温度以上の場合、ＥＡ変調器２２を冷却するとともに高温側基準温度に対応するバイアス電圧を設定する構成。 （もっと読む）

【課題】信号光の一部を電気光学変調器により切り出してパルス光を出力するレーザ装置において、煩雑な電気光学変調器のバイアス調整作業を改善可能な手段を提供する。
【解決手段】本発明を例示する態様のレーザ装置は、信号光を出力する信号光源１１と、信号光源１１から出力された信号光を増幅する光増幅器２１と、光増幅器により増幅された信号光の一部を切り出してパルス光を出力する電気光学変調器２５と、電気光学変調器２５の出射側に設けられ、光増幅器２１において発生するＡＳＥ光を検出するＡＳＥ光検出器２７と、電気光学変調器２５の作動を制御するＥＯ制御部５５とを備え、ＥＯ制御部５５が、ＡＳＥ光検出器２７により検出されるＡＳＥ光の強度が最小になるように、電気光学変調器２５のバイアス電圧を調整するように構成される。 （もっと読む）