【課題】小型で高性能な光変調器を提供する。
【解決手段】分極を反転しない領域と反転する領域を有する基板と、その側部に溝部が形成された第１及び第２の光導波路とを備えた光導波路を具備し、第１及び第２の光導波路を伝搬する光と、中心導体及び接地導体からなる進行波電極を伝搬する電気信号が相互作用する相互作用部が、互いに異なる方向に分極した第１及び第２の相互作用部を含み、中心導体は第１及び第２の相互作用部で第１もしくは第２の光導波路に対向し、第１及び第２の相互作用部で第１及び第２の光導波路を伝搬する光の位相を変調する光変調器であって、第１及び第２の相互作用部の間に光導波路シフト部を設け、第１及び第２の相互作用部にて、中心導体及び接地導体と、第１及び第２の光導波路の相対位置が入れ替わるようにし、相互作用部における中心導体は直線でなり、光導波路シフト部にて中心導体の下方以外に溝部が形成される。 （もっと読む）

【課題】従来よりも高品質なｎ−ｉ−ｎ構造の光変調器を提供すること。
【解決手段】光変調器３００は、サファイア基板３０１上に、低温成長ＧａＮバッファ層３０２、第１のｎ−ＧａＮ電極層３０３、第１のｉ−Ａｌ_xＧａ_1-xＮクラッド層３０４、ｉ−ＧａＮ光導波層３０５、第２のｉ−Ａｌ_x'Ｇａ_1-x'Ｎクラッド層３０６、ｉ−Ａｌ_x''Ｇａ_1-x''Ｎ電子ブロック層３０７、第２のｎ−ＧａＮ電極層３０８が順次積層されている。エッチングプロセスにより第１のｎ−ＧａＮ電極層３０３に至るまでエッチングを行い、ハイメサ導波路構造の光導波路３２０を作製している。光導波路３２０は、コア層である光導波層３０５を、屈折率の小さい第１のクラッド層３０４及び第２のクラッド層３０６で挟んで光閉じ込めを行うＡｌＧａＮ／ＧａＮ／ＡｌＧａＮ光導波路であり、当該光導波路に印加される電圧により光の位相変調が実現される。 （もっと読む）

【課題】ＰＬＣと他の導波路型光素子とが付き合わせ接続されて構成された光素子チップをパッケージに収納する光モジュールにおいて、熱応力による光学的・機械的信頼性の低下を抑制すること。
【解決手段】光モジュール３００は、ＧａＮ系光変調器３１１の両端に第１及び第２のＰＬＣ３１２、３１３が突き合わせ接続された光素子チップ３１０と、ＧａＮ系光変調器３１１が固定された凸部３２０Ａを有するパッケージ３２０とを備える。パッケージ３２０の材料を、熱膨張係数がＧａＮ系光変調器とＰＬＣの両方に合うように選択することが可能であり、そのような場合、ＧａＮ系光変調器３１１に加えて、第１及び第２のＰＬＣ３１２、３１３もパッケージ３２０の凸部３２０Ａに固定することができる。たとえば、パッケージ３２０の材料として、熱膨張係数が５．３×１０^-6／Ｋ程度のコバールを用いることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体ＭＺ光変調器を備えた光伝送装置であって、消光比が高く、かつ、チャープが少ない形で光を変調できる光伝送装置を提供する。
【解決手段】光伝送装置は、一方のアーム１１_１に、その光吸収係数が他の部分に比べて大きな、出力光の強度が最小となる電圧を各電極１５に印加した場合におけるアーム１１_１の伝搬損失とアーム１１_２の伝搬損失とが一致するように、その形状が定められた損失調整部１４が設けられている半導体ＭＺ光変調器１０と、半導体ＭＺ光変調器１０の各電極１５に、同時刻における時間変化率の正負が逆の，振幅が等しい変調電圧を印加する駆動回路１８とを、備える。 （もっと読む）

【課題】電気的終端中のコンデンサが壊れた場合でもバイアス電源を保護でき、またバイアス電源で使用されているオペアンプの発振を抑圧できる光変調器モジュールを提供する。
【解決手段】電気光学効果を有する基板１と、該基板に形成された光を導波するための光導波路２と、前記基板の一方の面側に形成され、前記光の位相を変調する高周波電気信号を印加するための中心導体３ａ及び接地導体３ｂ、３ｃからなる電極とからなる光変調器５０と、前記光変調器の前記電極に接続され、当該電極を通過した高周波電気信号を終端する電気的終端２４と、前記光変調器と前記電気的終端とを内部に配置する筐体７と、を有する光変調器モジュールにおいて、前記電気的終端は終端抵抗２５とコンデンサ１４とを含んでおり、前記終端抵抗の所定の位置にして当該位置で前記終端抵抗が実質的に分割された状態でバイアス電圧が印加される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、従来技術による光パルスシンセサイザが離散的な透過スペクトルを有する、ある周波数間隔のモードを独立に制御することは可能であるものの、連続したスペクトルを制御することはできないという問題点を解決する導波路型分散補償回路を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の導波路型分散補償回路は、第１のアレイ導波路回折格子と、第２のアレイ導波路回折格子と、上記２つのアレイ導波路回折格子を結合する位相制御導波路アレイとを備える導波路型分散補償回路において、上記位相制御導波路アレイの導波路本数が、第１及び第２のアレイ導波路回折格子のアレイの導波路本数の２倍以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 電極間の光導波路が電気分離され、かつ、単純な構成で電極容量を低減可能な半導体光素子を提供する。
【解決手段】 基板１０１上に下部クラッド層１０２、活性層１０３、上部クラッド層１０５が前記順序で積層され、上部クラッド層１０５の一部が除去されて形成されたリッジ導波路１０７の上部クラッド層１０５上に、その方向に沿って断続的に上部電極１０９ａ、１０９ｂが配置され、上部クラッド層１０５より電気抵抗率の高い半導体の高抵抗層１０８は、上部クラッド層１０５における前記両上部電極間の領域１１３を覆うように形成され、かつリッジ導波路１０７側方に延び、高抵抗層１０８上に配置された引き出し電極１１１により上部電極１０９ａに電気的に接続されるパッド電極１１０は、高抵抗層１０８上のリッジ導波路１０７から離れた位置に配置されていることを特徴とする半導体光素子１００。 （もっと読む）

【課題】小型で低損失な光導波路を含むリッジ光導波路を提供する。
【解決手段】基板上に形成された光導波路にして、前記光導波路の少なくとも一部に所定の曲率半径で変形した曲がり部を有し、前記曲がり部の両側に前記基板の一部が掘り下げられて形成された所定深さの溝部を有するリッジ光導波路であって、前記曲がり部の曲率の外側の一部には、前記溝部が形成され、前記曲がり部の曲率の外側において前記溝部が実質的に形成されている領域と前記溝部が実質的に形成されていない領域とを成しており、前記曲がり部の曲率の外側において前記溝部が実質的に形成されていない領域における前記曲がり部の曲率半径が、前記曲がり部の曲率の外側において前記溝部が形成されている領域における前記曲がり部の曲率半径よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】 主信号が通る光導波路とオフ光導波路との結合効率低下を抑制しつつ、オフ光導波路の製造ばらつきが抑制されたマッハツェンダ型光変調器を提供する。
【解決手段】 マッハツェンダ型光変調器は、電気光学効果を有する基板を備え、基板は、入力導波路部と、入力導波路部から分岐して接続される２つの中間導波路部と、２つの中間導波路部が結合して接続される出力導波路部と、出力導波路部の少なくともいずれかの脇に出力導波路部と離間して設けられ、２つの中間導波路部が結合する結合部から放出されるオフ光をガイドする副光導波路部と、を備え、副光導波路部は、開始点において出力導波路部よりも広い幅を有する。 （もっと読む）

【課題】 負のグース−ヘンシェンシフトを利用して光速度を遅延させる光素子を提供する。
【解決手段】 入射された光をガイドして出射する光導波路と、光導波路の一側に形成されている第１反射層と、光導波路の他側に形成されている第２反射層と、を備え、第１反射層及び第２反射層のうち少なくとも一つは、負のグース−ヘンシェンシフト特性を表す物質からなる光素子。 （もっと読む）

【課題】マッハツェンダ部間のクロストークを抑制すること。
【解決手段】電気光学効果を有する基板１０と、前記基板に設けられたメイン導波路１４と、前記基板に設けられ前記メイン導波路に結合された複数の第１導波路と、少なくとも前記第１導波路間と前記第１導波路上とに設けられ前記第１導波路内にＤＣ電界を発生させる第１ＤＣ電極２４と、を備える第１マッハツェンダ部５０と、前記第１導波路それぞれに対応し、前記基板に設けられ前記第１導波路のそれぞれに複数結合された第２導波路１６と、前記第２導波路内にＤＣ電界を発生させる第２ＤＣ電極２６と、を備える複数の第２マッハツェンダ部５２と、を具備し、前記複数の第２マッハツェンダ部のうち少なくとも１つは、前記第２ＤＣ電極が前記第２導波路間に設けられておらず少なくとも前記第２導波路上に設けられている光デバイス。 （もっと読む）

【課題】 従来の光ファイバ系通信技術では、無線周波数を精確に制御しなければならず、または光フィルタ、位相コントローラなどを追加する必要があった。
【解決手段】 本発明の周波数上昇変換システム１０の実施例では、光分岐器１２と、光変調器１４と、光移相器１６と、光結合器１８とを備えている。光分岐器１２は光波を第１の光波および第２の光波に分離するように構成されており、変調器１４は電気信号に基づいて第１の光波を変調して変調波を生成するように構成されており、光移相器１６は第２の光波を所定位相シフトさせて移相波を生成するように構成されており、光結合器１８は変調波と移相波とを結合するように構成されている。本発明の実施例において、光変調１４は光移相器１６と並列に構成されているが、本発明はこれに限定されるものではない。 （もっと読む）

【課題】ＰＬＣ導波路およびＬＮ導波路を備える光変調器において、ＬＮ導波路の高周波電気配線のためのＲＦコネクタをパッケージの自由な位置に配置可能とするとともに、高周波電気配線のクロストークを抑制すること。
【解決手段】光変調器１００は、ＰＬＣ−ＬＮ導波路１１０と、ＰＬＣ−ＬＮ導波路１１０を囲むパッケージ１２０と、パッケージ１２０に設けられた高周波（ＲＦ）コネクタ１２１と、ＲＦコネクタ１２１とＰＬＣ−ＬＮ導波路１１０を構成するＬＮ導波路１１１の高周波電極１１１Ａとの間の高周波電気配線１３０とを備える。光変調器１００では、高周波電気配線１３０としてフレキシブル配線基板（ＦＰＣ）を用いる。ＦＰＣは、例えばポリイミドや液晶ポリマー（ＬＣＰ）等の基板上に銅配線が形成されたものだが、これらの材料は比誘電率がセラミックよりも小さい。 （もっと読む）

【課題】小型で高速、かつ信頼性の高い吸収型半導体光変調器を提供する。
【解決手段】半導体基板上に、少なくとも光を吸収する機能を有するコア層を含む光導波路を形成し、光導波路は光入射端面を有し、光導波路の上方に光導波路に電気信号を印加する上部電極を形成しており、光入射端面から入射した光が光導波路を伝搬する過程でコア層に吸収されることにより光電流が生成される吸収型半導体光変調器において、コア層は、生成された光電流に起因するジュール熱による熱破壊を避けるために、ジュール熱を半導体基板に逃がすように、光入射端面側の幅が広く形成されているとともに光の伝搬方向に向かって狭くなって形成され、光入射端面側の光導波路がマルチモード光導波路を構成し、さらに、電気的なキャパシタンスが小さくなるように、光入射端面側において上部電極の幅がコア層の幅よりも狭く形成されている。 （もっと読む）

【課題】
スペクトル効率を向上させ得るマルチレベル変調器を提供する。
【解決手段】
光通信システムとともに使用される装置は、自由空間光学部品を含まないモノリシックデバイスを有し、位相変調器と偏光変調器とを含み得る。位相変調器は、光ビームと２つのデジタルデータストリームとを受信するように構成され、該光ビームの位相を、該２つのデジタルデータストリームを表す少なくとも４つの位相状態に変調するよう動作し得る。偏光変調器は、２つの更なるデジタルデータストリームと、位相変調器からの変調された光ビームとを受信するように構成され、該光ビームの偏光を、該２つの更なるデジタルデータストリームを表す少なくとも４つの偏光状態に変調するよう動作し得る。 （もっと読む）

【課題】 小型で、正確にプッシュプル駆動し、低損失な半導体マッハツェンダ型光変調器を提供する。
【解決手段】
分波器１１ａと、合波器１１ｂと、半導体光導波路１３および１４と、信号電極１５と、正バイアス電極１７と、負バイアス電極１８とを有し、
分波器１１ａと合波器１１ｂとは、２本の半導体光導波路１３および１４により連結され、
信号電極１５は、２本の半導体光導波路１３および１４の上部に接続され、かつ、２本の半導体光導波路１３および１４の上部に共通の高周波信号を入力可能であり、
正バイアス電極１７は、半導体光導波路１３の下部に接続され、負バイアス電極１８は、他方の半導体光導波路１４の下部に接続されていることを特徴とする半導体マッハツェンダ型光変調器。 （もっと読む）

【課題】高速で駆動電圧が低く、かつ製作の歩留まりの良い光変調器を提供する。
【解決手段】基板上に、位相変調用マッハツェンダ光導波路とカーバー用マッハツェンダ光導波路とが形成され、両光導波路は基板の短手方向に並んで形成され、基板の長手方向側の一端から入力された光が位相変調用マッハツェンダ光導波路、カーバー用マッハツェンダ光導波路の順で導波して基板の長手方向側の前記一端から出力され、位相変調用マッハツェンダ光導波路に基板の短手方向側の一端から入力された位相変調信号を印加する位相変調用進行波電極と、カーバー用マッハツェンダ光導波路に基板の短手方向側の前記一端から入力されたカーバー信号を印加するカーバー用進行波電極とを具備する光変調器において、位相変調マッハツェンダ光導波路が、カーバー用マッハツェンダ光導波路よりも、位相変調信号の入力部である基板の短手方向側の前記一端に近く配置されている。 （もっと読む）

光路は、入力光学信号を伝搬するように構成される。複数の電極は、光学信号に関して複数の離散的位相偏移を生成するように構成される。出力光学信号は、複数の離散的位相偏移の和だけ入力光学信号に対して位相偏移される。
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【課題】小型で低損失な光導波路を含むマッハツェンダ光導波路、および当該マッハツェンダ光導波路を具備し、光導波路に入射した光を高周波電気信号で変調して光信号パルスとして出射する光変調器を提供する。
【解決手段】基板上に、入力光導波路と、出力光導波路と、前記入力光導波路と前記出力光導波路とにそれぞれ接続され、前記入力光導波路からの光が入力される、または前記出力光導波路へ光を出力する分岐光導波路と、前記分岐光導波路に接続され、曲率半径を有して曲線上に形成されたアームと、前記アームに沿って前記基板の一部が掘り下げられた溝部とが形成されたリッジ型のマッハツェンダ光導波路であって、前記アームは、前記アームの根元部近傍において実質的に前記溝部が形成されておらず、当該実質的に溝部が形成されていない領域における前記アームの曲率半径が、前記溝部が形成されている領域における前記アームの曲率半径よりも大きい。 （もっと読む）

結合非対称量子閉じ込め構造（３００）は、量子井戸または量子ドットのような、第１の量子閉じ込め構造（３０２）および第２の量子閉じ込め構造（３２２）を含み、第１および第２の構造は、幅（３２０、３２４）のような少なくとも１つの物理的な寸法が異なり、連続して結合される。結合された構造（３００）は、光信号の遅延および／または周波数に影響を与えることができ、フォトニック集積回路のコンポーネントとして使用されうる。第１および第２の構造（３２０、３２２）は、共通の基板（３１１）上に形成されうる。 （もっと読む）