【課題】出力信号光とモニタ光との位相関係のずれであるバイアスシフトを抑制させる。
【解決手段】電気光学効果を有する基板９１と、基板９１の表層部に形成され、入力光を変調する干渉型光変調器を構成する変調用光導波路７と、基板９１の表層部に形成され、変調用光導波路７の下流側箇所を分岐して接続される出力光導波路５および変調用光導波路７での光変調動作をモニタするための光を導波するモニタ用光導波路６′と、をそなえ、反射部における反射面１３の幅と、モニタ用光導波路６′による光伝搬方向についての切り出し幅とを実質的に同等とする。 （もっと読む）

【課題】光変調特性が高性能であるとともに、温度ドリフトについて改善された光変調器を提供する。
【解決手段】光導波路と、高周波電気信号を印加するための進行波電極と、光にバイアス電圧を印加するためのバイアス電極と、進行波電極に高周波電気信号を印加することにより光の位相を変調するための高周波電気信号用相互作用部と、バイアス電極にバイアス電圧を印加することにより光の位相を調整するためのバイアス用相互作用部とを具備し、高周波電気信号用相互作用部とバイアス用相互作用部の両方にリッジ部を具備する光変調器であって、温度ドリフトを抑圧するよう、バイアス電極が３．８μｍ以下の所定厚さで構成される。 （もっと読む）

【課題】伝搬損失が小さく、しかも、効率的に屈折率を変化させ得る光半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０上に形成され、第１導電型の第１の不純物領域１６と、第１導電型の反対の第２導電型の第２の不純物領域１８と、第１の不純物領域と第２の不純物領域との間に形成されたストライプ状の光導波路１５とを有する半導体光導波路層１４と、第１の不純物領域と光導波路の一方の側壁の上部とを接続する第１導電型の第１の半導体層２６と、第２の不純物領域１８と光導波路の他方の側壁の上部とを接続する第２導電型の第２の半導体層２８とを有している。 （もっと読む）

【課題】メサ部上の樹脂領域の開口が狭い場合であっても、ＡｕＺｎ膜を含む金属膜をメサ部上に容易に形成することが可能な半導体光変調素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】メサ部３２を保護膜２２によって覆う第１の絶縁膜形成工程と、メサ部３２を樹脂領域２０によって埋め込むとともに、メサ部３２上の該樹脂領域２０の部分に開口２０ｃを形成する工程と、開口２０ｃにおいて露出した保護膜２２、及び樹脂領域２０を保護膜２４によって覆う第２の絶縁膜形成工程と、メサ部３２上の保護膜２２，２４の部分に開口を形成する工程と、Ｔｉ膜を含む金属膜２６ａを、該Ｔｉ膜と保護膜２４とが互いに接触するように開口２０ｃ内を除く樹脂領域２０上に形成する工程と、Ａｕ膜を含む金属膜２６ｂを、該Ａｕ膜とメサ部３２とが互いに接触するようにメサ部３２上から金属膜２６ａ上に亘って形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体マッハツェンダ型変調器を備える光変調装置の動作状態を調整する構成および方法を提供する。
【解決手段】光変調装置は、変調器、変調信号生成器、重畳器、およびバイアス制御器を備える。変調器は、電気光学効果を有する半導体基板に設けられた光導波路と、バイアス電圧および変調信号に応じた電界を前記光導波路に与える信号電極とを備える。変調信号生成器は、変調信号を生成する。重畳器は、バイアス電圧に所定の周波数の信号を重畳する。バイアス制御器は、変調器により生成される変調光信号から抽出される所定の周波数成分の位相に基づいて、変調器の変調方向のバイアス電圧および変調方向に直交する直交方向のバイアス電圧を制御する。 （もっと読む）

【課題】分極反転領域を有する光デバイスにおいて、分極反転領域の特性に起因する性能劣化の発生を有効に防止した光デバイスを提供する。
【解決手段】マッハツェンダ型光変調器の光導波路（Ａ）、（Ｂ）は、通常、分極非反転領域である−Ｚ面に形成される。しかし、信号電極１１と接地電極１０を２つの導波路に非対称に設けると、出力光にチャープを生じ、好ましくないので、これらの電極を２つの導波路に対称に設ける。ここで、光変調が有効にかけられるためには、光導波路の存在する基板の一部を分極反転する必要がある。分極反転により、光導波路は、＋Ｚ面に形成されることになる。しかし、＋Ｚ面には、分極反転領域の自発分極の不安定性から、電荷が蓄積され、光変調器の性能に悪影響を与えるので、分極反転領域の表面に導電性のアモルファス層を形成する。 （もっと読む）

【課題】 出力光導波路に光強度検出電極を備えたマッハツェンダ型光変調器において、リーク電流を抑制すること。
【解決手段】 ２つの出力光導波路３８ａ及び３８ｂに合分波部３４を介して２つの光導波路３２ａ及び３２ｂが接続されたマッハツェンダ型光変調器であって、２つの光導波路３２ａ及び３２ｂのそれぞれに設けられたアーム電極４０及び４２と、２つの出力光導波路３８ａ及び３８ｂのそれぞれに設けられ、アーム電極４０及び４２よりも高い電圧が印加される光強度検出電極４４と、アーム電極４０及び４２と光強度検出電極４４との間の導波路に設けられ、アーム電極４０及び４２に印加される電圧よりも高いが印加されるリーク抑制電極６０と、を備えることを特徴とする光変調器。 （もっと読む）

【課題】光の通過損失が増大することを抑制しつつ、位相調整を行うことが可能な光変調装置を提供すること。
【解決手段】本発明は、第１出力光導波路３８ａ及び第２出力光導波路３８ｂに第２ＭＭＩ３４を介して第１光導波路３２ａ及び第２光導波路３２ｂが接続するマッハツェンダ型光変調器１０と、第１光導波路３２ａ及び第２光導波路３２ｂに設けられた位相調整用電極４０に対して位相制御信号を入力すると共に、位相制御信号を位相調整用電極夫々の間で切替える機能を有する位相調整回路１２と、第１光導波路３２ａ及び第２光導波路３２ｂを伝搬する光を変調させる変調信号を、第１光導波路３２ａ及び第２光導波路３２ｂに設けられた変調用電極４２に差動信号として入力する駆動回路１４と、駆動回路１４から出力される差動信号の極性を反転させる信号極性反転回路５０と、を備える光変調装置である。 （もっと読む）

【課題】光変調特性が高性能であるとともに、光の挿入損失について改善された光変調器を提供する。
【解決手段】光導波路と、高周波電気信号を印加するための進行波電極と、光にバイアス電圧を印加するためのバイアス電極と、進行波電極に高周波電気信号を印加することにより光の位相を変調するための高周波電気信号用相互作用部と、バイアス電極にバイアス電圧を印加することにより光の位相を調整するためのバイアス用相互作用部とを具備し、高周波電気信号用相互作用部とバイアス用相互作用部の両方にリッジ部を具備する光変調器において、バイアス用相互作用部に形成されたリッジ部の頂面における相互作用光導波路の端から当該頂面の端までの距離が、高周波電気信号用相互作用部に形成されたリッジ部の頂面における相互作用光導波路の端から当該頂面の端までの距離よりも大きく形成され、バイアス用相互作用部における光の伝搬損失を低減する。 （もっと読む）

【課題】良好な特性を得ることができる光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、マッハツェンダ変調器１０をパッケージ７０内に固定する工程と、マッハツェンダ変調器１０を固定する工程の後、入力光を入力レンズ４６に入射する工程と、入力レンズ４６を介してマッハツェンダ変調器１０に入力する入力光を検知し、入力光の検知結果に基づいて、入力レンズ４６の位置合わせをする工程と、位置合わせをする工程の後、入力レンズ４６をパッケージ７０内に固定する工程と、を有する光学装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 マッハツェンダ変調器の劣化などの不具合を容易に判定することができるマッハツェンダ変調器の制御装置およびマッハツェンダ変調器の制御方法を提供する。
【解決手段】 マッハツェンダ変調器の制御装置は、マッハツェンダ変調器のいずれかの光導波路に設けられた電極を流れる電流値を検出する電流検出部と、電流検出部が検出した電流値に基づいてマッハツェンダ変調器の不具合状態を判定する判定部と、を備える。マッハツェンダ変調器の制御方法は、マッハツェンダ変調器のいずれかの光導波路に設けられた電極を流れる電流値を検出する電流検出ステップと、電流検出ステップにおいて検出した電流値に基づいてマッハツェンダ変調器の不具合状態を判定する判定ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】 導波路型のフォトダイオードにおける信頼性を向上させること。
【解決手段】 半導体からなり、メサ型構造を有する光導波路５０と、半導体からなり、光導波路５０に接続され、光導波路５０よりも広いメサ型構造を有する光導波路構造を備えたフォトダイオード５２と、を有する光半導体。フォトダイオード５２における導波路幅を広げることで、コア２０の側面付近に欠陥が生じた場合でも光の導波領域を保護することができるため、フォトダイオード５２の信頼性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】 波長可変レーザのフロント側に配置された波長検知部を用いてダークチューニングで発振波長を調整することができる波長可変レーザ装置およびその制御方法を提供する。
【解決手段】 波長可変レーザ装置の制御方法は、波長可変半導体レーザと、波長可変半導体レーザの出力と光結合され消光状態と透過状態との間で出力光強度を制御する半導体マッハツェンダ変調器と、波長可変半導体レーザとマッハツェンダ変調器との間に設けられ、波長可変半導体レーザから半導体マッハツェンダ変調器に入力される光の波長を検知する波長検知部とを備える波長可変レーザ装置において、半導体マッハツェンダ変調器を透過状態よりも光減衰率が大きい状態に制御し、その後、波長検知部の検知結果に基づいて波長可変半導体レーザの出力波長を調整する。 （もっと読む）

【課題】ＡｌＧａＩｎＡｓ光吸収層を持つ電界吸収型変調器の特性を向上させる。
【解決手段】ｎ型ＩｎＰ基板１上に、ｎ型ＩｎＰクラッド層２、ＡｌＧａＩｎＡｓ光吸収層４、ｐ型ＩｎＧａＡｓＰ光導波路層６、及びｐ型ＩｎＰクラッド層７が順に積層されている。ｐ型ＩｎＧａＡｓＰ光導波路層６は、組成が異なる３つのＩｎＧａＡｓＰ層６ａ，６ｂ，６ｃを有する。ＩｎＧａＡｓＰ層６ａ，６ｂ，６ｃの価電子帯間のエネルギー障壁は、ＩｎＧａＡｓＰ層が単層の場合に比べて小さくなる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高効率な波長変換を達成する波長変換素子を提供する。
【解決手段】２つの異なる波長の光を入射し、一方の光により第二高調波を発生し、他方の光と前記第二高調波の差周波発生により変換光を発生する波長変換素子であって、周期分極反転構造を有する二次非線形光学媒質からなる導波路部であって、前記一方の光を前記第二高調波に変換する第二高調波発生部と、前記第二高調波の屈折率を変化させるための位相調節部とを有する、導波路部と、前記導波路部の入力端に設けられ、前記第二高調波を反射する第１の反射部と、前記導波路部の出力端に設けられ、前記第二高調波を反射する第２の反射部とを備え、前記位相調節部は、前記第１の反射部によって反射された第二高調波の位相と前記第二高調波発生部で発生する第二高調波の位相とを整合させることを特徴とする波長変換素子である。 （もっと読む）

【課題】小型化可能で、かつ良好な特性が得ることができる光学装置を提供すること。
【解決手段】本発明は、第１出力光導波路２６ａと第２出力光導波路２６ｂとが接続された第２ＭＭＩ２５を備えたマッハツェンダ変調器１０と、第１出力光導波路２６ａから出力される第１出力光、及び第２出力光導波路２６ｂから出力される第２出力光の両方と光結合して設けられた光アイソレータ６０と、光アイソレータ６０を介して第１出力光と光結合し、第２出力光と光結合しない光ファイバ６４と、を具備する光学装置である。 （もっと読む）

【課題】小型で、特性インピーダンス、電気的クロストーク、さらには光変調帯域について大幅に改善された光変調器を提供する。
【解決手段】基板１と、該基板に形成された光導波路３と、電圧を印加するための中心電極４ａ´〜４ｄ´と接地電極５ａ´〜５ｅ´からなる進行波電極とを備え、光導波路は、進行波電極に電圧を印加することにより屈折率が変化する領域である相互作用部に複数の相互作用光導波路３ａ〜３ｄを具備し、中心電極と接地電極が各々複数からなるとともに、相互作用部の進行波電極に接続される入力側フィード部の電極が各々複数の中心電極と接地電極からなる光変調器において、入力側フィード部の複数の中心電極と接地電極とを伝搬する複数の高周波電気信号の等価屈折率のうち、隣接する少なくとも２つが互いに異なる構造としたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】バイアス調整を行わない状態で使用しても、動作点のズレに伴う感度特性のばらつきが発生しない電界センサを提供する。
【解決手段】長さが異なる１対の光導波路と、１対の光導波路の光入射側と光出射側とのそれぞれに接続された２つの３ｄＢ光カプラと、２つの３ｄＢ光カプラのそれぞれに接続された光入力ポートおよび光出力ポートと、一方の光導波路に設けられた電気線路を有するＭＺ干渉回路と、１対の導波路に光を入力する光入力手段と、ＭＺ干渉回路の電気線路に入力するＲＦ信号受信手段と、ＭＺ干渉回路から出力された光出力を検出する光検出手段と、光入力手段からＭＺ干渉回路に入力する光を決定した波長に調整する調整手段とを備え、受信したＲＦ信号を電気光学効果を起こすことより１対の光導波路の出射光の位相差に変化を与え、光検出器は、１対の光導波路から出射された光の位相差を検出することにより、ＲＦ信号の出力を測定する。 （もっと読む）

【課題】ＶＣＳＥＬ等の発光素子の個数が少なくても大きな伝送容量を確保することができるとともに、装置の小型化が容易な光インターコネクション用光送信器を提供する。
【解決手段】光送信器は、波長多重連続光が入力される光導波路１１７と、光導波路１１７の長さ方向に沿って配置され、外部から供給される電気信号に応じて光導波路１１７を通る光に対し、入力ポートからスルーポートへの透過率を変化させて変調を行う複数の変調器１２１と、複数の変調器１２１により変調された光を出力する光信号出力部１１３とを有する。複数の変調器１２１は、変調可能な光の波長がそれぞれ異なる。 （もっと読む）

【課題】広帯域にわたって入力電気信号の反射を低減することができる光変調装置を得ること。
【解決手段】アノード電極５を有する光変調器４と、整合抵抗８と、アノード電極５と接続され、光変調器４への入力電気信号をアノード電極５へ伝送する第１のワイヤ３と、第１のワイヤ３と接続されたキャパシタンスを有する第１の導体パッド２と、アノード電極５と整合抵抗８とを接続する第２のワイヤ６と、第２のワイヤ６に接続されたキャパシタンスを有する第２の導体パッド７と、を備える。 （もっと読む）