【課題】位相変調時に符号の値によらず出力される光強度を一定とすることができる光変調器を得ること。
【解決手段】変調導波路３，４と、分波器２と、変調導波路３，４の出力光の位相を変化させる位相調整導波路５，６と、位相調整導波路５の出力光と位相調整導波路６の出力光を合波する合波器７と、変調導波路３，４の入力電圧と出力光の振幅の関係に基づいて、変調導波路３の出力光が所定の位相値となる場合の変調導波路３の出力光の振幅と変調導波路４からの出力光の振幅との加算結果と変調導波路４の出力光が所定の位相値となる場合の変調導波路３の出力光の振幅と変調導波路４の出力光の振幅との加算結果とが等しくなるよう変調導波路３，４の印加電圧を制御する利得制御部１３および変調バイアス制御部１４と、位相誤差を打ち消すよう位相調整導波路５，６を制御する位相調整バイアス制御部１５と、を備える。 （もっと読む）

【課題】光を変調する光素子において、メサが欠けやすく、かつ、電極パッドの寄生容量が大きくなる。
【解決手段】光素子であって、リッジ状の光導波路部と、前記光導波路部に並んで配置された、メサプロテクタ部と、前記メサプロテクタ部の上部を覆うとともに、該メサプロテクタ部の両側に配置された樹脂部と、前記光導波路部上に配置された電極と、前記メサプロテクタ部に対して、前記光導波路部と反対側に位置する樹脂部上に配置された電極パッドと、前記樹脂部上に配置されるとともに、前記電極と前記電極パッドを電気的に接続する接続部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】光導波損失を低下させることが可能な半導体光変調器の製造方法等を提供する。
【解決手段】半導体光変調器の製造方法は、ｐ型半導体基板３上に、ｐ型半導体層５を形成する工程と、ｐ型半導体層５を表面５Ｓからエッチングしてｐ型半導体基板３の主面３Ｓに沿った第１の方向に沿って延びる孔部５Ｈを形成することにより、一対のストライプ構造５Ｐを形成する工程と、孔部５Ｈに埋め込み層１５を形成する工程と、埋め込み層１５上にコア層１７を形成する工程と、コア層１７上に、ｎ型半導体材料からなる上部クラッド層２３を形成する工程と、ｎ電極３７及びｐ電極３９を形成する工程と、を備える。埋め込み層１５は、ノンドープの半導体材料、ｐ型半導体層５よりもｐ型不純物濃度の低いｐ型半導体材料、又は、ｎ型不純物濃度が１×１０^１７ｃｍ^−３以下のｎ型半導体材料からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、製造誤差に強い導波路型光干渉計回路を提供することである。
【解決手段】それぞれ独立した導波路型光スイッチを少なくとも２段に縦続して接続した導波路型光スイッチ回路において、各段の前記導波路型光スイッチの入力には、その前段の１光スイッチからの出力のうち１出力のみが接続されて、前記導波路型光スイッチは、所望の光路長差を設けた２本のアーム導波路を有するマッハツェンダー干渉計であり、少なくとも一方のアーム導波路に移相器を備えた干渉計型光スイッチであって、前記少なくとも２段の導波路型光スイッチの一方の前記光路の長い方のアーム導波路と、前記少なくとも２段の導波路型光スイッチのもう一方の前記光路の長い方のアーム導波路とが、それぞれの前記導波路型光スイッチの入力側から出力側に引かれた中心線に対し、反対の方向に配置されて構成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】既存品の光ファイバと接続する際に、コネクタや光ファイバの端面との接合処理が不要な光変調器を提供する。
【解決手段】光変調器１は、挿入路４が内部に形成された基板部２と、基板部２に取り付けられて変調電圧Ｖｉが印加される電極対３ａ，３ｂとを備え、挿入路４には、変調電圧Ｖｉが印加されない際に光ファイバ中を伝播する光が漏れ出さない曲率で当該光ファイバを湾曲させる湾曲部５が形成され、電極対３ａ，３ｂは、挿入路４の湾曲部５の近傍に取り付けられ、変調電圧Ｖｉが印加される際に当該電極対３ａ，３ｂ間に形成される電界が湾曲部５に位置し得る光ファイバに及ぶように構成されている。既存品の光ファイバと接続する際には、電気光学効果を有する材料によってコア１１が形成されている光ファイバ１０を挿入路４に挿入する。 （もっと読む）

【課題】親マッハツェンダ光導波路に印加するＤＣバイアス電圧について改善されたネスト型の光変調器を提供する。
【解決手段】子マッハツェンダ光導波路を成す２本の光導波路の上方にバイアスを印加するための中心導体の役割を成す２つの電極を各々有し、該２つの電極に同相のバイアス電圧を印加することにより、親マッハツェンダ光導波路としてのバイアスを設定するネスト型の光変調器であって、子マッハツェンダ光導波路を成す２本の光導波路と当該２本の光導波路の上方に形成された前記２つの電極の位置が光の導波方向と交わる方向にずれた状態であっても当該２本の光導波路において発生する屈折率変化が互いに等しくなるように、接地導体の役割をなす３つの電極を、光の導波方向と交わる方向における前記２つの電極の各電極の両側にして当該２つの電極の間は共通で設けた。 （もっと読む）

【課題】精度の高い複屈折率調整が可能な半導体基板上の位相シフタを提供すること。
【解決手段】ＰＢＳ１００は、第１の光カプラ１１０と、複屈折率付与部１２０と、た複屈折率調整部１３０と、第２の光カプラ１４０とを、閃亜鉛鉱型構造を有する１０１半導体基板上に備える。複屈折率付与部１２０及び複屈折率調整部１３０が位相シフタとして機能する。第１のアーム導波路１０２の第５の導波路部１０２Ｃの上に、第１の電極１０２Ｄが配置され、第２のアーム導波路１０３の第４の導波路部１０３Ｂが有する第２の傾斜部分の上に第２の電極１０３Ｄが配置されている。第１の電極１０２Ｄが配置された第１の方向と、第２の電極１０３Ｄが配置された第２の方向は、複屈折率調整部１３０において、両電極に単位電圧を印加したときに、ＴＭ偏光に対する上下アーム導波路間の位相差が抑制され、ＴＥ偏光に対する上下アーム導波路間の位相差が増大される方向である。 （もっと読む）

【課題】光変調器の信号線間クロストークを抑制し、これに伴い小型化が実現可能な光変調器およびその作製方法を提供する。
【解決手段】基板１上に形成された複数の光導波路３と、光導波路３内を通過する光を変調するために設けられる信号線電極４と、光導波路３上に信号線電極４を配してなる光変調部１２とを備える光変調器において、信号線電極４がその周囲を誘電体絶縁膜５によって覆われ、誘電体絶縁膜５がその外側をグラウンド電極６によって覆われるようにした。 （もっと読む）

【課題】 光変調部のバイアス制御を効果的に行って安定した伝送信号特性を得ることのできる光送信装置と光変調制御方法を提供する。
【解決手段】 光送信装置は、第１導波路と第２導波路を含み、前記第１導波路と前記第２導波路の各々において、２ｎ値（ｎは１以上の整数）の強度レベルを有する変調駆動信号で搬送光を変調する光変調器と、前記第１導波路から出力される第１の光信号と、前記第２導波路から出力される第２の光信号との間に所定の位相差を与える位相シフト部と、
前記位相差が与えられた前記第１の光信号と前記第２の光信号を合波して得られる多値光変調信号の一部を光電変換する光検出器と、前記検出された変調信号の交流成分の変化を検出するモニタ部と、前記検出された交流成分の変化に基づいて、前記第１導波路に与える第１バイアス電圧と前記第２導波路に与える第２バイアス電圧の少なくとも一方を、前記検出される交流成分のパワーが大きくなるように制御する制御部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】精度の高い複屈折率調整が可能な半導体基板上の位相シフタを提供すること。
【解決手段】ＰＢＳ１００は、第１の光カプラ１１０と、第１の複屈折率調整部１２０と、第２の複屈折率調整部１３０と、第２の光カプラ１４０とを閃亜鉛鉱型構造を有する半導体基板１０１上に備える。第１の複屈折率調整部１２０及び第２の複屈折率調整部１３０が位相シフタとして機能する。第１の複屈折率調整部１２０は、第１の幅の第１の導波路部１０２Ａと、第２の幅の第２の導波路部１０３Ａと、第１の電極１０２Ｂと、第２の電極１０３Ｂとで構成され、ここで、第１の幅は第２の幅よりも大きい。第２の複屈折率調整部１３０は、第１の導波路部１０２Ａから傾斜して配置された第３の導波路部１０２Ｃと、第２の導波路部１０３Ｂから傾斜して第３の導波路部１０２Ｃと平行に配置された第４の導波路部１０３Ｃと、第３の電極１０２Ｄと、第４の電極１０３Ｄとで構成される。 （もっと読む）

【課題】リッジ形状やメサ形状といった凸状部分上の樹脂若しくはレジストのエッチングの停止タイミングを容易に且つ精度良く判断することが可能な光半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】この光半導体デバイスの製造方法は、一対の溝に挟まれた光導波路において光の導波を行う光変調器を製造する方法であって、ウエハ１６上に設定された評価用領域（ＴＥＧ領域）に、複数対の評価用溝３１ａ，３１ｂを形成する工程と、ウエハ１６上に樹脂層１３を塗布する工程と、樹脂層１３に対してエッチングを行い、光導波路の頂部を露出させる露出工程と、光導波路上に電極を形成する工程とを備え、評価用領域における複数対の評価用溝３１ａ，３１ｂの幅が各対毎に異なっており、露出工程の際に、エッチングによって評価用領域における少なくとも一対の評価用溝３１ａ，３１ｂに挟まれた領域３３の頂部を露出させる。 （もっと読む）

【課題】偽マスクの形成をさせると共にクラッド層がコンタクト層から露出することを回避可能にする、マッハツェンダー変調器を作製する方法を提供する。
【解決手段】マッハツェンダー変調器１１では、第１のウイング部４７ａが第４のIII−Ｖ化合物半導体の［１−１０］方向に延在する半導体順メサ縁５１ａと、第２のウイング部４７ｂが［１−１０］方向に延在する半導体順メサ縁５１ｂを有し、コンタクト層４７が［１−１０］方向に延在する半導体順メサ縁５１ｃを有する。故に、偽マスクの形成により導波路部１３ａの構造が乱されることがない。また、第１のウイング部４７ａは第１のトレンチ２３の外縁２３ａに到達し、第２のウイング部４７ｂは第２のトレンチ２５の外縁２５ａに到達する。故に、コンタクト層４７は、両ウイング部を形成可能な幅の半導体層から形成可能であるので、クラッド層４５がコンタクト層４７から露出されない。 （もっと読む）

【課題】屈折率が異なる第１の平面光波回路と第２の平面光波回路とが、それぞれの平面光波回路に形成された複数の光導波路同士を光結合するように端面で突き合わせ接続された光部品において、使用環境の温度変化に対して安定な光部品を提供すること。
【解決手段】光部品５００は、第１の屈折率ｎ₁を有する第１の平面光波回路５０１と、第１の屈折率ｎ₁と異なる第２の屈折率ｎ₂を有する第２の平面光波回路５０２とが光軸方向に対して直角な端面で突き合わせ接続されている。第１及び第２の平面光波回路５０１、５０２には、それぞれ第１〜第ｎ（ｎは２以上の整数）の光導波路が形成されている。第１の平面光波回路５０１の第ｉ（ｉは１以上ｎ以下の整数）の光導波路と第２の平面光波回路５０２の第ｉの光導波路の位置が接続界面において一致するように調心して接続する。この際、第１の平面光波回路５０１の第ｉの光導波路が界面の法線となす角度φ_iがスネルの法則を満足する範囲でｉ毎に異なるようにする。 （もっと読む）

【課題】量子井戸の位置による電界強度差を小さくすることができる光変調素子を提供する。
【解決手段】光変調素子は、ｐ−ＩｎＰクラッド層２２と、ｎ−ＩｎＰクラッド層２３と、ｐ−ＩｎＰクラッド層２２およびｎ−ＩｎＰクラッド層の間に挟まれ、かつ交互に積層された複数のウェル層１および複数のバリア層２を有する多重量子井戸４０とを備えている。複数のバリア層２は、ｎ−ＩｎＰクラッド層２３に含まれる第２導電型のドーパントが導入された第２導電型バリア層２ａを含んでいる。第２導電型バリア層２ａは、多重量子井戸４０においてｐ−ＩｎＰクラッド層２２に含まれる第１導電型のドーパントが拡散した範囲に設けられている。 （もっと読む）

【課題】できる限り費用対効果が高く製造される、テラヘルツシステム用のビート信号生成装置を提供する。
【解決手段】第１の波長λ₁の光を発生する第１の単一モードレーザ２と、第１の波長λ₁とは異なる第２の波長λ₂の光を発生する第２の単一モードレーザ３と、第１の出力ポート１１および第２の出力ポート１２と、第１のレーザ２の光の位相、および、第２のレーザ３の光の位相を変調する位相変調部４とを備え、第１のレーザ２の光は、第２のレーザ３を介して伝送され、第２の出力ポート１２において第２のレーザ２の光が重畳され、第２のレーザ３の光は、第１の単一モードレーザ２を介して伝送され、第１の出力ポート１１において第１のレーザ２の光が重畳され、これにより、第１の出力ポート１１からの第１のビート信号Ａと、第２の出力ポート１２からの第２のビート信号Ｂの間の位相が位相変調部４によって調整される。 （もっと読む）

【課題】信号電極の入力部から作用領域に至るまでの間でも、クロストーク現象が抑制可能であり、かつ製造コストの増加を抑制した進行波型光変調素子を提供する。
【解決手段】電気光学効果を有する基板１と、基板に形成された光導波路２と、光導波路を伝搬する光波を変調する変調電極とを有する進行波型光変調素子において、変調電極は、２本以上の信号電極３１，３２と接地電極から構成され、信号電極の全ての入力部Ｐ１，Ｐ２は、基板の第１の側面１１側に設けられ、信号電極が形成する電界が光導波路に作用する作用領域の位置が、第１の側面に最も近い第１の信号電極３１と、作用領域の位置が、第１の側面に対向する第２の側面１２に最も近い第２の信号電極３２については、各作用領域の作用開始部Ｃ１，Ｃ２において、第１の信号電極は第１の側面側から、第２の信号電極は第２の側面側から、各々導入される。 （もっと読む）

【課題】制御装置などを必要とせずに、素子自体が動作点シフト抑制機能を有するネスト型光導波路構造の光導波路素子を提供する。
【解決方法】電気光学効果を有する、ニオブ酸リチウム等からなる基板と、基板上に形成された光導波路と、光導波路内を導波する光波を変調するための複数の変調用電極とを具え、光導波路は、光波の進行方向において２つに分岐して２本のメイン光導波を構成し、各メイン光導波路は光波の進行方向においてさらに２つに分岐して２本のサブ光導波路を構成し、２本のメイン光導波路は、メインマッハツエンダー型光導波路を構成するとともに、２本のサブ光導波路は、メインマッハツエンダー型光導波路内に組み込まれるようにしてサブマッハツエンダー型光導波路を構成し、基板の、相対向して位置する２つの前記サブマッハツエンダー型光導波路間において、熱伝導抑止領域を有するようにして光導波路素子を構成する。 （もっと読む）

【課題】電気光学結晶への電荷の残留を解消することで、電気光学結晶の内部に形成される回折格子の回折効率のオフセットを抑え、回折格子による適切な光変調の実現する。
【解決手段】交流信号をデータ信号によって振幅変調させた振幅変調信号を電気光学結晶に印加する。これによって、電気光学結晶には正側負側の両側に振動する信号が印加されることとなり、電気光学結晶への電荷の残留が解消することができる。その結果、電気光学結晶の内部に形成される回折格子の回折効率のオフセットを抑えて、回折格子による適切な光変調の実現が可能となる。 （もっと読む）

【課題】
共振周波数の異なる複数の共振型電極を用いながら、変調効率が高く低コスト化することが可能な光制御素子を提供すること。
【解決手段】
電気光学効果を有する基板１と、該基板に形成された光導波路２と、該基板に設けられ、該光導波路を伝搬する光の位相を制御するための制御電極３とを有する光制御素子において、該制御電極３は、該光導波路２に沿って配置される、共振周波数（ｆ１，ｆ２）の異なる複数の共振型電極３１，３２を有し、制御信号を入力する１つの入力配線３０と、該入力配線から分岐する分岐信号線が各共振型電極に接続され、かつ、該分岐信号線は、各共振型電極において該制御信号が該共振型電極に供給されるタイミングと、該光導波路を伝搬する光が当該共振型電極の近傍を通過するタイミングとを一致させるように構成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】複数の共振波長を有する光デバイスを提供する。
【解決手段】本明細書に開示する光デバイス１０は、光を伝搬するコア層１２を有し、コア層１２を伝搬する光を共振させる共振部１４と、コア層１２に沿って幅が変化しながら延びる共振波長変調層１６と、を備える。共振部１４は、コア層１２における長手方向の両側部に設けられた回折格子１３か、又は、コア層１２を伝搬する光と結合可能に配置された複数のリング型光導波路１７を有する。共振波長変調層１６は、コア層１２の光の伝搬方向における共振波長を変化させる。 （もっと読む）