【課題】比較的低い温度でも焼結可能であり、かつ、低抵抗で高透過率の新規透明導電膜、及び当該膜の製造方法の提供。
【解決手段】本願発明に係る新規透明導電膜は、Ｉｎ、Ｓｎ、及びＺｎの内のいずれかから選ばれる一種類以上の金属の酸化物粒子を含有する第１の層を少なくとも有する酸化物透明導電膜の製造方法であって、該第1の層を構成する酸化物粒子は、直径５０ｎｍ以上２００ｎｍ未満の酸化物大粒子と、該酸化物大粒子の全表面積の２〜３０％を覆う量の直径５ｎｍ以上１０ｎｍ未満の酸化物微小粒子とから構成される多結晶膜であることを特徴とし、Ｉｎ、Ｓｎ、及びＺｎの内のいずれかから選ばれる少なくとも一種類以上の金属元素を含む酸化物微粒子を含有する分散液を基材上に塗布、２５〜２５０℃の温度に保持し、紫外線ランプを照射後又は紫外線ランプを照射せずに、非酸化性雰囲気下で紫外線パルスレーザー光を照射することにより、製造される。 （もっと読む）

【課題】迷光を発生させることなく、隣接するデータ線間の干渉を防止することのできる反射型電気光学装置および投射型表示装置を提供すること。
【解決手段】反射型電気光学装置１００において、素子基板１０では、Ｘ方向で隣接するデータ線６ａに挟まれた領域にＹ方向に延在する透光性導電膜からなるシールド線７ａが形成されているため、Ｘ方向で隣接するデータ線６ａ同士の間に寄生する容量が極めて小さい。素子基板１０において、基板１０ｄは透光性基板であり、シールド線７ａは透光性導電膜からなるため、対向基板２０側から入射した光が画素電極９ａで挟まれた隙間領域９ｓで漏れて素子基板１０側に入射した際、かかる光はシールド線７ａを透過した後、基板１０ｄを透過する。従って、シールド線７ａでの反射に起因する迷光の発生を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】例えば、スパッタリング法を用いて薄膜を形成する際の生産性を向上させる。
【解決手段】形成すべき一方の薄膜が、Ａｌ／Ｎｄ薄膜である場合には、出力パワーは、５．０〜３０．０Ｗ／ｃｍ□に設定され、チャンバ内の圧力は、０．１〜１．０Ｐａに設定される（スパッタ条件Ａ）。続く、スパッタ条件Ａ下で薄膜を形成する際、Ａｒガスのプラズマ及びＡｌイオンが第１ターゲット部材（９１）及び第２ターゲット部材（９２）の両方に衝突し、Ａｌ原子及びＮｄ原子の夫々がターゲット（３）から叩き出され、基板に付着する。これにより、基板にＡｌ／Ｎｄ合金からなる薄膜が形成される。一方、形成すべき一方の薄膜が、Ａｌ薄膜である場合には、出力パワーは、２．０〜５．０Ｗ／ｃｍ□に設定され、チャンバ内の圧力は、１．０〜２．０Ｐａに設定される（スパッタ条件Ｂ）。 （もっと読む）

【課題】製造時にマスクずれ等の誤差があっても安定した光検知特性が得られ、外光検出の信頼性を高めた光検知部を備えた液晶表示装置を提供する。
【解決手段】アクティブマトリクス基板と、カラーフィルタ基板と、アクティブマトリクス基板とカラーフィルタ基板との間に狭持された液晶層と、アクティブマトリクス基板上に形成されたＴＦＴからなる光検知部Ｌｓを有する光検知部ＬＳと、ＴＦＴからなる光検知部Ｌｓのソース電極ＳＬに接続された配線部分１５及びドレイン電極ＤＬに接続された配線部分１４との間に形成された容量部ＣＸと、を備えた液晶表示装置であって、容量部ＣＸは、ソース電極ＳＬに接続された配線部分１５又はドレイン電極ＤＬに接続された配線部分１４の一部を櫛歯状に形成することにより形成されたものである。 （もっと読む）

【課題】平板表示装置用の薄膜トランジスタアレイ基板、それを備える有機発光表示装置、及びそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に形成されたＴＦＴの活性層、及び活性層と同一層に同一物質で形成されたキャパシタの第１電極と、活性層及び第１電極それぞれの上部に分離されて形成された第１絶縁層と、第１絶縁層上に形成され、活性層のチャンネル領域に対応するゲート電極、及びゲート電極と同一層に同一物質で第１電極に対応する第２電極と、基板、第１絶縁層、ゲート電極及び第２電極上に形成された第２絶縁層と、第２絶縁層上に形成され、ソース／ドレイン領域と接続する画素電極、画素電極の上部に積層されたソース／ドレイン電極、及びキャパシタの第２電極に対応するように画素電極及びソース／ドレイン電極と同一物質が順次に積層されて形成された第３電極と、を備える平板表示装置用の薄膜トランジスタアレイ基板。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、省スペースを実現しつつ、高品質な画像を表示可能とする。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）上において、互いに交差して延在するデータ線（６ａ）及び走査線（３ａ）と、画素毎に設けられた画素電極（９ａ）と、チャネル領域（１ａ’）、データ線側ソースドレイン領域（１ｄ）及び画素電極側ソースドレイン領域（１ｅ）を有する半導体層（１ａ）と、半導体層の上層側に形成された遮光性を有する上部容量電極（３００）と、上部容量電極の下層側に容量絶縁膜（７５）を介して形成されており、上部容量電極と蓄積容量（７０）を構築する下部容量電極（７１）とを備える。上部容量電極は、半導体層及び下部容量電極と少なくとも部分的に重なる平面部、及び平面部から半導体層と同じ層又は半導体層より下層側の位置にわたって設けられる側壁部を有する。 （もっと読む）

【課題】 ＴＦＴ液晶表示装置の動作不良や動作特性のばらつきを低減する。
【解決手段】 絶縁基板の表面上に複数の導電体パターンと、複数の半導体パターンと、複数の絶縁膜とを積層して、当該絶縁基板の表面上に走査信号線と、映像信号線と、ＴＦＴ素子と、前記ＴＦＴ素子に接続された画素電極と、前記映像信号線に接続された第１の外部接続端子と、前記走査信号線に接続された第２の外部接続端子とを設けた基板を有する表示装置であって、前記絶縁基板の表面上には、１つの材料膜をエッチングまたは露光現像して形成された複数の同時形成パターンを有し、当該複数の同時形成パターンは、同一の機能を有する前記同時形成パターンの側面の勾配が概ね等しく、かつ、すべての前記同時形成パターンの側面の勾配には２通り以上ある表示装置。 （もっと読む）

【課題】アレイ基板、液晶表示装置およびこれらの製造方法が提供される。
【解決手段】アレイ基板は、基板と、基板の上に形成されたデータ線と、データ線の上に形成された保護膜と、保護膜の上に形成されてゲート電極を含むゲート線と、保護膜の上に形成されてデータ線とオーバーラップするキャパシタ線と、ゲート線およびキャパシタ線の上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜の上に形成された半導体膜と、データ線を露出させ、保護膜とゲート絶縁膜とを通過するように形成されたコンタクトホールと、半導体膜および前記ゲート絶縁膜の上に形成されて透明導電物質で形成されたソース電極およびドレイン電極と、を含む。 （もっと読む）

【課題】走査信号線の映像信号線と交差する箇所に開口部を設け、かつ半導体層及び導電体層をレジストリフロー方式によって形成する場合において、例えば黒点化修正を行えるように担保することが可能になる表示装置を提供すること。
【解決手段】導電体層は、映像信号線ＤＬと、ドレイン電極ＤＥ及びソース電極ＳＥと、接続線ＬＬと、を含んで形成される。半導体層ＡＳは、少なくとも、絶縁膜ＧＩの、映像信号ＤＬ線及び接続線ＬＬが形成される領域より広がった領域を覆うように形成される。接続線ＬＬは、走査信号線ＧＬに形成される開口部ＡＰ上において映像信号線ＤＬと接続される。そして、映像信号線ＤＬ又は／及び接続線ＬＬには、開口部ＡＰに対応する領域又はその近傍において、切欠部Ｃ、突起部又は拡幅部が形成される。 （もっと読む）

【課題】位置検出の不安定性を抑えることが可能な表示装置およびその製造方法、並びに電子機器を提供する。
【解決手段】液晶表示パネル１内に、画素電極１４と対向センサ電極２２とにより抵抗型タッチセンサを構成する。画素電極１４を複数のエッジ１４Ｂを含む断面形状とする。エッジ１４Ｂでは配向膜１５が薄くなる傾向があり、エッジ１４Ｂが配向膜１５から露出している。エッジ１４Ｂに対向して対向センサ電極２２を配置する。第２基板２０がたわむと、対向センサ電極２２は画素電極１４の露出したエッジ１４Ｂに接触し、直接導通がとれるので、位置検出の不安定性が抑えられる。特に、ＦＦＳ方式の液晶表示パネル１の場合には、画素電極１４がもともと複数のスリット１４Ａを含む平面形状を有することから、開口率を低下させることなく位置検出性能を高めることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】ゲート配線に断線等の不具合が発生しても、容易に修正することができる薄膜トランジスタアレイ基板を提供すること。
【解決手段】ゲート配線とソース配線とが交差するように形成され、ゲート配線とソース配線とで囲まれた領域にはそれぞれ画素電極が形成され、ゲート配線とソース配線の交差部近傍には薄膜トランジスタが形成されると共に、第１の接続部が薄膜トランジスタに接続され、第２の接続部が画素電極に接続されたドレイン配線が形成されてなる薄膜トランジスタアレイ基板において、ドレイン配線からゲート配線に向かって第１の修正用枝線が延設され、ドレイン配線から同じくゲート配線に向かって第２の修正用枝線が延設されると共に、これら第１の修正用枝線および第２の修正用枝線のそれぞれがゲート配線に絶縁膜を介して重畳されている。 （もっと読む）

【課題】静電気の影響を抑制することができ、製造工程を短縮することが可能な液晶パネルを提供すること。
【解決手段】本発明の一態様に係る液晶パネルは、画素電極と共通電極とが形成されたアレイ側基板２と、アレイ側基板２に対向するように配置されたＣＦ側基板１と、アレイ側基板２とＣＦ側基板１との間に挟持された液晶層１０と、ＣＦ側基板１の液晶層１０と反対側の面に設けられたＣＦ表面側パターン４と、ＣＦ側基板１の額縁領域１２においてＣＦ側基板１を貫通するように設けられ、ＣＦ表面側パターン４と電気的に接続されたＣＦ側貫通電極３と、アレイ側基板２の液晶層１０側の面に形成されたトランスファー電極２３と、アレイ側基板２とＣＦ側基板１との間に設けられ、トランスファー電極２３とＣＦ側貫通電極３とを電気的に接続するトランスファー材７を備える。 （もっと読む）

【課題】動作性能および信頼性の高いＥＬ表示装置を提供する。
【解決手段】第１のチャネル形成領域と、第１のソース領域及び第１のドレイン領域と、ゲート絶縁膜と、第１のゲート電極とを備えた第１のＴＦＴと、第２のチャネル形成領域と、第２のソース領域及び第２のドレイン領域と、ゲート絶縁膜と、第２のゲート電極とを備えた第２のＴＦＴと、第１のＴＦＴ及び第２のＴＦＴ上に設けられた第１の絶縁膜と、第１のソース領域及び第１のドレイン領域の一方と接続されたソース配線と、第１のソース領域及び第１のドレイン領域の他方と接続し、且つ第２のゲート電極に接続された第１のドレイン配線と、第１の絶縁膜上に設けられ、第２のソース領域及び第２のドレイン領域の一方に接続された第２のドレイン配線と、第１の絶縁膜上に設けられ、第２のソース領域及び第２のドレイン領域の他方に接続された電流供給線と、を有する。 （もっと読む）

【課題】第１の電極及び第２の電極を液晶の第１の基板側に有する液晶装置において、液
晶の第２の基板側に透明導電体よりなる導電体層を設けた場合の表示品位の悪化を抑制す
ることのできる構造を提供する。
【解決手段】本発明の液晶装置は、第１の基板１１と、第１の基板に対向する第２の基板
１２と、第１の基板と第２の基板の間に配置された液晶３０と、第１の基板の液晶側に形
成され液晶に電界を付与するための第１の電極１４及び第２の電極１６と、第２の基板に
形成された透光性を有する導電体層２６と、を具備し、第１の電極と第２の電極との間に
電界を形成することで液晶の配向方向を制御可能に構成された複数の画素若しくはサブ画
素Ｇが設けられてなる表示領域を有し、導電体層は表示領域全体に亘って設けられるとと
もに複数の画素若しくはサブ画素のそれぞれ少なくとも一部を開口する開口部２６ａを備
える。 （もっと読む）

【課題】エッチング時におけるホール径が小さく、アスペクト比が高い場合においても、テーパ角を良好にコントロール可能なコンタクトホールの形成方法、パターン形成方法、及び電気光学装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基材１上に形成された膜２上に金属膜３を形成する。そして、金属膜３上にレジストマスク４を形成する。このレジストマスク４を用い、金属膜３をドライエッチングするとともに、ドライエッチングによるレジストマスク４の後退量を制御して、開口側面５ａが膜に対して第１の傾斜角度を有する金属マスク５を形成する。第１の傾斜角度を有する金属マスク５を用いて膜をドライエッチングすることで、基材１の表面に形成された導電部６を露出させるとともに、開口側面５ａが導電部６に対して第１の傾斜角度に応じた第２の傾斜角度を有する孔を形成する。そして、金属マスク５を除去するコンタクトホールの形成方法である。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタ及び表示装置の作製工程におけるマスク数を低減する。
【解決手段】第１の導電膜、第１の絶縁膜、半導体膜、不純物半導体膜及び第２の導電膜を形成し、第２の導電膜上に第１のレジストマスクを形成し、第１のエッチングを行って第１の導電膜の少なくとも表面を露出させ、第１の導電膜の一部にサイドエッチングを伴う第２のエッチングを行ってゲート電極層を形成し、第２の導電膜上に第２のレジストマスクを形成し、第３のエッチングを行ってソース電極及びドレイン電極層、ソース領域及びドレイン領域並びに半導体層を形成することで薄膜トランジスタを形成し、第２の絶縁膜を形成し、ソース電極及びドレイン電極層の一部を露出するように第２の絶縁膜に開口部を形成し、開口部及び第２の絶縁膜上に画素電極を選択的に形成し、開口部と重畳する領域にはゲート電極層からなる支持部を形成して表示装置を作製する。 （もっと読む）

【課題】迅速にリセット処理を行う。
【解決手段】電気光学装置（１００）は、走査線（Ｙ１〜Ｙｎ）に順次オン電圧の走査信号を供給し、リセット信号が入力された場合、走査信号の供給を停止した後に先頭行から順次オン電圧の走査信号を供給する走査線駆動回路（１０４）と、極性信号（ＰＯＬ）に応じて電圧レベルが切り替わる蓄積容量電圧を容量線に供給する蓄積容量駆動回路（１１０）と、リセット信号が入力された場合、極性信号の信号レベルが切り替わるタイミングを変更する変更回路（１２０）と、リセット信号が入力された場合、リセット処理用の書込信号を書き込むリセット回路（１０１、１３１、１３２）とを備え、蓄積容量駆動回路は、リセット信号が入力された場合、所定の蓄積容量電圧を容量線に供給する。 （もっと読む）

【課題】ＦＦＳモードの液晶表示装置及びその製造方法において、共通電位のセンター電
位のシフトを抑止して焼き付きを防止し、表示品位の向上を図る。
【解決手段】共通電極２２の線状部２２Ｅ上では、ＩＴＯ等の透明導電材料からなる線状
部２２Ｅと有機膜である第１の配向膜２３との界面Ａ、第１の配向膜２３と液晶ＬＣとの
界面Ｂが、この順で存在する。一方、共通電極２２のスリット部２２Ｓの形成領域では、
ＩＴＯ等の透明導電材料からなる画素電極２０と有機膜である有機絶縁膜２１との界面Ｄ
、有機膜である第１の配向膜２３と液晶ＬＣとの界面Ｅが、この順で存在する。この構成
により、画素電極２０と共通電極２２の線状部２２Ｅとの間に電界を生じさせた場合、線
状部２２Ｅ上の各界面Ａ，Ｂに帯電する電荷の蓄積量と、スリット部２２Ｓの各界面Ｄ，
Ｅに帯電する蓄積量とは略等しくなる。 （もっと読む）

【課題】駆動回路を配置するために別途必要となる面積を確保して装置を小型化することが可能なマトリクス型表示装置を提供する。
【解決手段】表示装置のアレイ基板１１におけるデータ線とゲート線とＴＦＴと画素電極とが配置されている第一主平面と反対側の面である第二主平面１１ｂに、データドライバ１４とゲートドライバ１５とを配置する。また、データ線とデータドライバ１４とは、アレイ基板の上縁部に設けられたスルーホール４０により接続され、ゲート線とゲートドライバ１５とは、アレイ基板の側縁部に設けられたスルーホール４１により接続されている。このことによって、アレイ基板１１における画像表示領域の外縁部分に設けられるデータドライバ１４及びゲートドライバ１５の配置領域が不要となり、表示装置を小型化することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置に使用されるｐｏｌｙ−Ｓｉ層とａ−Ｓｉ層が積層されたボトムゲート型のＴＦＴにおいて、ＯＮ電流を増加する。
【解決手段】ゲート電極１０３の上にゲート絶縁膜を介してアクティブ層として、ｐｏｌｙ−Ｓｉ層１０７とａ−Ｓｉ層１０８がこの順で積層されている。ａ−Ｓｉ層１０８の上にはｎ＋Ｓｉ層１０９とソース／ドレイン層１１３が形成されてＴＦＴを構成している。ＴＦＴの順電流は主としてｐｏｌｙ−Ｓｉ層１０７を流れるが、ｐｏｌｙ−Ｓｉ層１０７とｎ＋層１０９との順電流に対するコンタクト抵抗を減らすために、ａ−Ｓｉ層１０８とｐｏｌｙ−Ｓｉ層１０７の端部を凹凸状とすることにより、特に、ｐｏｌｙ−Ｓｉ層１０７とｎ＋Ｓｉ層１０９との接触面積を増加させ、順電流に対するコンタクト抵抗を減少させることによって、ＯＮ電流を増加させる。 （もっと読む）