【課題】
アルミニウム配線の上側に有機保護膜を配置した場合でも、当該配線の耐腐食性に優れた画像表示装置を提供すること。
【解決手段】
基板（ＳＵＢ）上に画素部と外部接続端子部が設けられ、該画素部と該外部接続端子部とをアルミニウム配線（ＬＮ）で接続する画像表示装置において、該外部接続端子部のコンタクト孔（ＣＨ）及び画素部の一部を除いて、該アルミニウム配線を直接被覆する有機保護膜（ＯＰＡＳ）と、該外部接続端子部を含み該画素部までの該アルミニウム配線を覆うように、該有機保護膜の上側に設けられたＩＴＯ膜（ＩＴＯ）とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ショート欠陥部の破片の発生を抑えつつ、かつ確実に配線のショートを解消すること。
【解決手段】薄膜トランジスタを内蔵するＴＦＴパネルと、前記ＴＦＴパネルの表面上にマトリクス状に配置され、かつ画素電極を含む画素と、を有するディスプレイパネルの製造方法であって、前記ＴＦＴパネルを準備する工程と、前記ＴＦＴパネルの表面に画素電極をパターニングする工程と、前記画素電極のショート欠陥部を検出する工程と、前記ショート欠陥部に電圧を印加し、前記ショート欠陥部を溶断する工程と、を有する、ディスプレイパネルの製造方法。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス駆動方式の電気光学装置において、相展開数の増加による画像信号線の増加という条件下で、画像信号中の高周波のクロックノイズ等の発生を低減する。
【解決手段】液晶装置（２００）は、一対の基板間に挟持された液晶層と、基板（１）にマトリクス状に設けられた画素電極（１１）と、これをスイッチング制御するＴＦＴ（３０）とを備える。さらにデータ線駆動回路（１０１）にクロック信号を供給する配線（ＣＬＸ，ＣＬＸ’）と、データ線駆動回路（１０１）及び配線（ＣＬＸ，ＣＬＸ’）を囲むように配設されたシールド線（８０’）と、シールド線（８０’）の外側に配設された画像信号線（ＶＩＤ１〜ＶＩＤ１２）を備える。 （もっと読む）

【課題】基板上の場所によってばらつきのないより均一な膜のパターニング形状を得るエッチング方法およびエッチング処理装置、を提供する。
【解決手段】エッチング方法は、１断目エッチング処理槽６１において、温度ｔ１を有するエッチング液を用いて、金属膜の表層を除去する工程と、金属膜の表層を除去する工程の後に、２〜４段目エッチング処理槽６２〜６４において、温度ｔ１よりも高い温度ｔ２を有するエッチング液を用いて、金属膜をパターニングする工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】基板全体でのエッチングレートの面内均一性を向上させるエッチング装置を提供する。
【解決手段】エッチング装置は、基板の主表面を被覆する被覆層にエッチング液を供給して被覆層を加工する装置である。エッチング装置は、被覆層に相対的に少量のエッチング液を供給する第一給液部２１１と、第一給液部２１１よりも後段側に配置され、被覆層に相対的に多量のエッチング液を供給する第二給液部２２１とを備える。第一給液部２１１は、被覆層の表層部分を除去可能な量のエッチング液を被覆層に供給する。 （もっと読む）

【課題】対向基板側の構造を変更することにより、横ストロークの発生を防止することのできる電気光学装置、および当該電気光学装置を備えた投射型表示装置を提供すること。
【解決手段】液晶装置１００において、対向基板２０には、共通電極２１より下層側に導電性の遮光層２９が設けられ、かかる遮光層２９は絶縁層２７のコンタクトホール２７ａ、２７ｂ、第１導通部２５ａおよび第２導通部２５ｂにおいて共通電極２１と導通している。このため、共通電極２１のシート抵抗を低減したのと実質的に同様な効果を得ることができる。従って、共通電極２１の電位が画像信号の電位変化に伴って変動しても、共通電極２１の電位は、短い時間で共通電位に復帰するので、横ストロークの発生を防止することができる。また、遮光層２９の上層には絶縁層２７が形成されているため、遮光層２９に起因する段差が緩和されている。従って、共通電極２１に段差切れが発生しない。 （もっと読む）

【課題】 表示品位の低下を抑制することができ、製品歩留まりの高い液晶表示パネルを提供する。
【解決手段】 液晶表示パネルは、下地部を有したアレイ基板１、対向基板２、液晶層３、複数の正規柱状スペーサ３６ａ及び複数の補助柱状スペーサ３６ｂを備えている。下地部は、基板上に形成され、複数の走査線１９、複数の信号線２７、複数のスイッチング素子、絶縁膜及び透明な複数の導電部を含んでいる。複数の正規柱状スペーサ３６ａは、下地部上に形成され、アレイ基板１及び対向基板２間の隙間を保持している。複数の補助柱状スペーサ３６ｂは、下地部上に形成され、正規柱状スペーサ３６ａより低く形成され、導電部に２５％以上重ねられている。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の作製工程において、フォトリソグラフィ工程数を削減する。
【解決手段】トランジスタの、ゲート電極となる導電膜、ゲート絶縁膜となる絶縁膜、チャネル領域が形成される半導体膜およびチャネル保護膜となる絶縁膜を連続で形成し、多階調マスクであるフォトマスクによって露光し現像したレジストマスクを用いて、（１）レジストマスクのない領域において、チャネル保護膜となる絶縁膜、チャネル領域が形成される半導体膜、ゲート絶縁膜となる絶縁膜およびゲート電極となる導電膜を連続してエッチングし、（２）レジストマスクをアッシングなどによって後退させ、レジストマスクを残膜厚が小さい領域のみを除去することで、チャネル保護膜となる絶縁膜の一部を露出させ、（３）露出したチャネル保護膜となる絶縁膜の一部をエッチングし、一対の開口部を形成する。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、フリッカーを低減し、高品位な表示を行う。
【解決手段】電気光学装置は、透明基板（１０ｓ）と、透明基板の第１面側に設けられた複数の透明画素電極（９）と、透明基板と複数の透明画素電極との間に設けられた反射膜（６１、６２）と、透明基板と反射膜との間に、複数の透明画素電極に対応して設けられた複数の画素トランジスター（３０）と、透明基板の第１面とは異なる第２面側に設けられ、第２面の法線方向から見て少なくとも一部が反射膜に重ならないように設けられ、透明基板を透過した光を検出する光検出素子（６００）と、を備える。 （もっと読む）

【課題】隣接する二つの画素が一つのデータラインを共有する構造を有する表示パネルにおいて、ベーゼル幅を低減できる表示パネルを提供する。
【解決手段】表示パネルは複数の画素、データライン、一対のゲートライン、第１ゲート駆動回路及び第２ゲート駆動回路を含む。複数の画素は表示領域に配置され、複数の画素行と複数の画素列からなる。データラインは列方向に伸長し、二つの画素列ごとに配置される。一対のゲートラインは行方向に伸長し、一つの画素行ごとに各々、画素行の第１側部及び第２側部に配置される。第１ゲート駆動回路は表示領域の第１周辺領域に形成され、画素行の第１側部に配置された第１ゲートラインにゲート信号を提供する第１ステージを含む。第２ゲート駆動回路は第１周辺領域と向き合う表示領域の第２周辺領域に形成されて、画素行の第２側部に配置された第２ゲートラインにゲート信号を提供する第２ステージを含む。 （もっと読む）

【課題】表示領域の縁端部付近で表示品位が低下するのを抑える。
【解決手段】仮想線２００の内側である表示領域では、表示画素１１０ａがマトリクス状に配列している。仮想線２００の外側では、表示領域を囲むように周辺領域が形成されて、ブラックマトリクスで遮光される。周辺領域では、ダミー画素１１０ｂが配列している。ダミー画素１１０ｂのうち、表示画素１１０ａに隣り合う位置のダミー画素１１０ｂを、表示領域の周縁に沿った方向でみて１画素おきに白色および黒色の交互配列するように、画素電極に印加する電圧が規定される。 （もっと読む）

【課題】 電源がオフされた際の残像の発生を回避することができる液晶表示装置及び液晶表示装置の駆動方法を提供する。
【解決手段】 液晶表示装置は、第１基板と、第２基板と、液晶層ＬＱと、複数の走査線ＧＬと、複数の信号線ＳＬと、複数の画素スイッチＳＷＰと、複数の第１電極と、走査線駆動回路ＧＤと、第２電極と、電圧供給配線Ｗ１と、制御機構と、第１切替え機構と、第２切替え機構と、出力タイミング切替え機構と、を備える。第１切替え機構及び第２切替え機構は、制御機構から与えられる制御信号を基に、導通状態及び非導通状態の何れかに切替え可能である。出力タイミング切替え機構は、上記制御信号を基に、画素スイッチＳＷＰを導通状態に切替える第２走査信号を複数の走査線ＧＬに同時に出力可能である。 （もっと読む）

【課題】製造歩留まりの高いアレイ基板及び液晶表示装置を提供する。
【解決手段】アレイ基板は、複数の補助容量電極と、複数の半導体層１５と、複数のゲート電極２０を含んだ複数の走査線１９と、複数の補助容量線と、複数のコンタクトホールを有した層間絶縁膜と、複数のコンタクトホールを通って複数の半導体層のソース領域に電気的に接続された複数の信号線と、複数の画素電極と、を備えている。走査線１９が延在した方向に互いに隣合う一方の画素電極が接続された補助容量電極と、他方の画素電極が接続された補助容量電極とは、走査線を挟んで位置している。薄膜トランジスタのチャネル面積ＣＳは、２４μｍ^２以上である。 （もっと読む）

【課題】コントラストを向上させることのでき、しかも、画像表示の立ち上がり速度の向上だけでなく、立ち下がり速度の向上を図ることができる液晶表示装置を提供する。
【解決手段】液晶表示装置は、一対の基板２０，３０の対向面側に設けられた第１配向膜２２及び第２配向膜３２、並びに、第１配向膜２２と第２配向膜３２との間に配され、負の誘電率異方性を有する液晶分子４１を含む液晶層４０を有する液晶表示素子を備えており、第１配向膜２２は、側鎖として架橋性官能基又は重合性官能基を有する第１の高分子化合物が架橋又は重合した化合物を含み、第２配向膜３２は、第２の高分子化合物が架橋又は重合した化合物を含み、液晶分子４１Ａには、第１配向膜２２によってプレチルトが付与され、且つ、液晶分子４１Ｂは、第２配向膜３２によって垂直配向されている。 （もっと読む）

【課題】 反射電極の間を通過する入射光の光量低減が要望されている。
【解決手段】 半導体基板に、複数のスイッチング素子が形成されている。半導体基板の上に、スイッチング素子に対応して配置され、対応するスイッチング素子に接続された反射電極が形成されている。反射電極の上面及び端面を覆い、反射電極の間の領域において、反射電極の底面と同じか、該底面よりも低い位置に上面が配置されているカバー絶縁膜が形成されている。反射電極の間のカバー絶縁膜の上に、遮光膜が形成されている。遮光膜の上面が、反射電極の上面よりも高い位置に配置されている。 （もっと読む）

【課題】トランジスタのしきい値電圧の変動を抑制し、表示パネルに実装するドライバＩ
Ｃの接点数を削減し、表示装置の低消費電力化を達成し、表示装置の大型化又は高精細化
を達成することを目的とする。
【解決手段】劣化しやすいトランジスタのゲート電極を、第１のスイッチングトランジス
タを介して高電位が供給される配線、及び第２のスイッチングトランジスタを介して低電
位が供給される配線に接続し、第１のスイッチングトランジスタのゲート電極にクロック
信号を入力し、第２のスイッチングトランジスタのゲート電極に反転クロック信号を入力
することで、劣化しやすいトランジスタのゲート電極に高電位、又は低電位を交互に供給
する。 （もっと読む）

【課題】液晶容量の変化の検出感度を向上させることができる容量変化検出回路を提供する。
【解決手段】静電容量の変化を検出する容量変化検出回路であって、一方の電極が電圧供給線に接続された第１の可変容量と、前記第１の可変容量の他方の電極に直列に接続された第２の可変容量と、前記第２の可変容量の前記第１の可変容量とは他方の電極に接続され、前記第１の可変容量、及び前記第２の可変容量の容量値に応じた電気信号を出力するスイッチング素子とを備える。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、基板上の積層構造の単純化を図る。
【解決手段】電気光学装置は、第１方向（Ｘ方向）及び該第１方向に交わる第２方向（Ｙ方向）に沿って配列された複数の画素と、画素毎に夫々対応して設けられた複数のトランジスター（Ｔｒ）と、第１方向に沿って配列された画素からなる画素群毎に設けられ、トランジスターのゲート電極に電気的に夫々接続された複数の走査線（１１）とを備え、複数のトランジスターのうち第２方向において隣り合う画素に設けられたトランジスターは電気的に互いに直列接続されており、互いに直列接続されたトランジスターのうち第２方向における一端に位置するトランジスターに画像信号を供給する画像信号供給部を備える。 （もっと読む）

【課題】カップリング欠陥と縦線状欠陥を防止すると共に高速駆動を行うことができる表示装置を提供する。
【解決手段】画素ＰＸは第１副画素電極及び第１薄膜トランジスタが接続された第１副画素ＰＸａと第２副画素電極及び第２薄膜トランジスタが接続された第２副画素ＰＸｂを含み、各副画素はデータ線Ｄ_１ａ〜Ｄ_６ｂ及びゲート線Ｇ_ｊ−１〜Ｄ_ｊ＋２が接続され、ゲート線を挟んで上側に第１副画素ＰＸａｍ、下側に第２副画素ＰＸｂが配置され、第１薄膜トランジスタは第１副画素電極に接続されており、第２薄膜トランジスタは第２副画素電極に接続されており、画素ＰＸは一つの色フィルターに対応している表示装置。 （もっと読む）

【課題】電気光学装置において、コントラスト及び明るさを選択的に高める。
【解決手段】電気光学装置は、走査線（１１）と重なるように設けられ、且つデータ線が延びる方向で互いに隣り合う画素電極間に位置する間隙領域を含む領域に重なるように形成された導電電極（４００）と、基準電位に対して極性が所定期間毎に反転する画像信号をデータ線に供給する画像信号供給部（１０１、９５、７）と、導電電極に導電電極電位を供給する導電電極電位供給部（３００）とを備える。導電電極電位供給部は、画素電極に供給される画像信号と同一極性の電位を有するように、導電電極電位を制御する第１動作モードと、導電電極が基準電位と同一の電位を有するように導電電極電位を制御する第２動作モードとを有する。 （もっと読む）