【課題】酸化亜鉛に代表される酸化物半導体膜を用いて薄膜トランジスタを形成すること
で、作製プロセスを複雑化することなく、尚かつコストを抑えることができる半導体装置
及びその作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極を覆ってゲート絶縁膜を形成し、
ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に第１の導電膜及び第２の
導電膜を形成する半導体装置であって、酸化物半導体膜は、チャネル形成領域において少
なくとも結晶化した領域を有する。 （もっと読む）

【課題】バリアーパターンを利用して立体映像を具現でき、バリアーパターン及び電極パターンを利用して外部のタッチ情報を認識できる表示装置が提供される。
【解決手段】第１基板、第１基板と対向して具備された第２基板、及び複数の画素を含む表示パネルと、第２基板に具備され、第１方向へ延長された複数の電極パターンと、第２基板に具備され、電極パターンと絶縁されるように第１方向と異なる第２方向へ延長された複数のバリアーパターンと、を含み、各画素は、第１方向へ延長されたゲートラインと、第２方向へ延長されたデータラインと、ゲートライン及びデータラインに電気的に連結され、電極パターンの中で対応する電極パターンと電界を形成して階調を表示する画素電極と、を含む。 （もっと読む）

【課題】斜め方向のコントラスト比を向上させることの可能な表示装置およびそれを備えた電子機器を提供する。
【解決手段】横電界駆動液晶モードにおいて、液晶表示パネルの上に、位相差フィルム、前方散乱フィルムおよび偏光板がこの順に積層された積層フィルムが設けられている。位相差フィルムは、光学的二軸性を有しており、黒表示の際の斜め方向の光漏れを低減する光学補償機能を有している。 （もっと読む）

【課題】層数を減らしたＩＰＳ方式の液晶表示装置において、画素電極パターニング時の現像液によって、映像信号線が断線することを防止する。
【解決手段】ゲート絶縁膜１０２の上に映像信号線２０および画素電極１０６を形成するＩＴＯが存在している。ＩＴＯにはピンホールが存在している。ＩＴＯのパターニングのためのレジスト２００は、画素電極パターンとともに、映像信号線を覆うように形成する。映像信号線を覆ってレジストが形成されているので、レジスト現像時の現像液によって、映像信号線が侵されて、映像信号線が断線することを防止することが出来る。その後、ＩＴＯをエッチングする。ＩＴＯは、画素電極部分と、映像信号線を、上面および側面を覆った形で存在する。よって、ＩＴＯパターニング時の現像液による映像信号線の断線を防止することが出来る。 （もっと読む）

【課題】本発明は液晶表示領域に関し、液晶表示パネルの内蔵式タッチ機能を実現するための液晶表示パネル及びその駆動方法を提供する。
【解決手段】本発明の液晶表示パネルは、アレイ基板と、カラーフィルター基板、及び、両基板間の液晶層と、を備え、前記アレイ基板上にゲートライン、データライン、及び、ゲートラインとデータラインにより限定した画素ユニットが形成され、前記カラーフィルター基板の内側に内蔵タッチ装置が設けられ、当該内蔵タッチ装置は、第１の配線と第２の配線とを備え、前記第１の配線と前記第２の配線は２層構造であり、且つ、両配線が重なり合っている領域に前記第１の配線と前記第２の配線との間に位置する半導体層が設けられる。 （もっと読む）

【課題】ＩＰＳ方式の液晶表示装置において、アンカリング強度の大きい光配向膜を形成し、液晶表示装置のＡＣ残像を抑制する。
【解決手段】光配向処理を施す配向膜材料において、剛直な高分子となるポリイミドと、柔軟な高分子となるポリイミドを混合して用いる。本発明にかかるこの材料は、偏光紫外線照射後におけるオリゴマの回転を生じやすく、配向膜のUV吸収二色比を向上させることが出来る。したがって、配向膜による液晶に対するアンカリング強度が強く、ＡＣ残像を抑制することが出来る。 （もっと読む）

【課題】画素がデルタ配置し、映像信号線が画素のひとつおきに形成され、2本の走査線が組みになって配列している構成の画面において、画面の透過率を向上させる。
【解決手段】ＴＦＴ基板には、赤画素（Ｒ）、緑画素（Ｇ）、青画素（Ｂ）に対応する画素がデルタ配置され、対向基板には、ＴＦＴ基板の赤画素（Ｒ）、緑画素（Ｇ）、青画素（Ｂ）に対応して赤カラーフィルタ２０１、緑カラーフィルタ２０１、青カラーフィルタ２０１が形成され、カラーフィルタ２０１が存在しない部分にはブラックマトリクス２０２が形成され、２個の青カラーフィルタ２０１は前記第１の方向に隣り合って連続して形成され、青カラーフィルタ２０１と青カラーフィルタ２０１の間にはブラックマトリクス２０２が形成されていない。 （もっと読む）

【課題】画素電極の電圧が保持され、画質が悪化することがないアクティブマトリックス基板を提供する。
【解決手段】本発明のアクティブマトリクス基板は、基材１１０上で半導体層１５０と接触するように設けられ、互いに対向しチャネル領域を形成するソース電極１２０及びドレイン電極１３０と、前記チャネル領域を制御するゲート電極１４０と、前記ドレイン電極１３０と接続され液晶材料を駆動する画素電極１９０と、を複数有するアクティブマトリクス基板において、複数の前記画素電極１９０の間の空間に配された無機絶縁膜１９５と、前記画素電極１９０とは接触せずに、前記無機絶縁膜１９５と接触するようにして配された遮光膜２００と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化する。
【解決手段】酸化物半導体膜を含むトランジスタの作製工程において、表面に概略垂直なｃ軸を有している結晶を含む酸化物半導体膜（第１の結晶性酸化物半導体膜ともいう）を形成し、該酸化物半導体膜に酸素を導入して少なくとも一部を非晶質化し酸素を過剰に含む非晶質酸化物半導体膜を形成する。該非晶質酸化物半導体膜上に酸化アルミニウム膜を形成した後、加熱処理を行い該非晶質酸化物半導体膜の少なくとも一部を結晶化させて、表面に概略垂直なｃ軸を有している結晶を含む酸化物半導体膜（第２の結晶性酸化物半導体膜ともいう）を形成する。 （もっと読む）

【課題】シフトレジスタなどに用いられる新規な回路を提供する。
【解決手段】基本構成は、第１のトランジスタ〜第４のトランジスタと、第１の配線〜第
４の配線を有する。第１の配線には電源電位ＶＤＤが供給され、第２の配線には電源電位
ＶＳＳが供給されている。第３の配線、第４の配線には２値の値を持つデジタル信号が供
給される。このデジタル信号は、高レベルのときには電源電位ＶＤＤと同電位となり、低
レベルのときには電源電位ＶＳＳと同電位である。第３の配線と第４の配線の電位の組み
合わせは４とおりあるが、第１のトランジスタ〜第４トランジスタは、いずれかの電位の
組み合わせによりオフさせることができる。つまり、定常的にオン状態となるトランジス
タがないため、トランジスタの特性劣化が抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】ソース配線とゲート配線とが製造工程中の静電気によるショートを防止すること
が可能な液晶表示装置の素子構造を提供することを目的とする。
【解決手段】ソース配線が第１の半導体層、第２の半導体層、及び導電層によって構成さ
れる。そして、ソース配線とゲート配線の交差部において、ソース配線の端部の導電層を
除去して、半導体層がはみ出した形状とする。なお、ゲート配線、第１の半導体層、第２
の半導体層、及び導電層の材料はＴＦＴを形成するために用いた材料と同一の材料からな
る。 （もっと読む）

【課題】巻き取りを行っても傷や損傷が発生し難い構成、構造を有する薄膜素子組立体を提供する。
【解決手段】薄膜素子組立体にあっては、可撓性を有する基材２０の第１面２１上に複数の薄膜素子１０が備えられており、基材２０において、複数の薄膜素子１０が備えられた第１領域の外側に、薄膜素子を備えていない第２領域が設けられており、基材２０の第１面２１の第２領域、又は、第２面２２の第２領域、又は、第１面２１及び第２面２２の第２領域に凸部３１が形成されている。 （もっと読む）

【課題】開口率を向上させることができるアクティブマトリクス基板及びＩＰＳ方式の液晶パネルの提供。
【解決手段】基板上に、互いに略直交するゲート配線１及びデータ配線３と、ゲート配線１に略平行な共通配線２とを備え、ゲート配線１とデータ配線３との交点近傍にＴＦＴ６を備え、ゲート配線１とデータ配線３とで囲まれる画素内に、画素電極４と対向電極５とが交互に配置されてなるアクティブマトリクス基板において、画素電極４にはＴＦＴ６を介して共通配線２の共通電圧が供給され、対向電極５にはデータ配線３のドレイン電圧が供給されるものであり、データ配線３と対向電極５とが同電位となるためデータ配線３を電気的にシールドするための配線を設ける必要がなく、また、データ配線３自体が対向電極５の一部となるため、開口部として利用できる面積を広く確保して開口率を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、液晶ディスプレー、及びアレイ基板を提供する。
【解決手段】ベース基板と、前記ベース基板上に形成された第１層透明共通電極と、前記第１層透明共通電極上に形成されたゲート金属共通電極と、前記ゲート金属共通電極上に形成され、かつビアホールが形成されている絶縁層と、前記絶縁層上に形成された第２層透明共通電極とを備えるアレイ基板において、前記ビアホールの縁部は、一部がゲート金属共通電極に接触され、他の一部が第１層透明共通電極に接触されているので、前記第２層透明共通電極が前記第１層透明共通電極及び前記ゲート金属共通電極に電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】微細化による電気特性の変動が生じにくい半導体装置を提供する。
【解決手段】第１の領域と、第１の領域の側面に接した一対の第２の領域と、一対の第２
の領域の側面に接した一対の第３の領域と、を含む酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜上
に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に第１の領域と重畳した第１の電極と、を
有し、第１の領域は、ＣＡＡＣ酸化物半導体領域であり、一対の第２の領域及び一対の第
３の領域は、ドーパントを含む非晶質な酸化物半導体領域であり、一対の第３の領域のド
ーパント濃度は、一対の第２の領域のドーパント濃度より高い半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】有機ＥＬディスプレイや液晶ディスプレイなどの表示装置において、保護膜等の形成時に酸化処理層を必要とせずに、薄膜トランジスタの電気特性を安定させることが可能である酸化物半導体層を提供する。
【解決手段】基板上に少なくとも、基板側から順に、酸化物半導体層と、ソース・ドレイン電極と、保護膜とを備えた薄膜トランジスタ構造であって、前記酸化物半導体層は、金属元素全体に占めるＺｎの含有量が５０原子％以上であり、ソース・ドレイン電極および保護膜側に形成される第１酸化物半導体層と、Ｉｎ、Ｇａ、およびＺｎよりなる群から選択される少なくとも１種の元素と、Ｓｎとを含み、基板側に形成される第２酸化物半導体層との積層体であり、かつ、前記第１酸化物半導体層と、前記ソース・ドレイン電極および保護膜とが、直接接触していることを特徴とする薄膜トランジスタ構造。 （もっと読む）

【課題】画素部に形成される画素電極やゲート配線及びソース配線の配置を適したものとして、かつ、マスク数及び工程数を増加させることなく高い開口率を実現した画素構造を有するアクティブマトリクス型表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】絶縁表面上のゲート電極及びソース配線と、前記ゲート電極及びソース配線上の第１の絶縁層と、前記第１の絶縁膜上の半導体層と、前記半導体膜上の第２の絶縁層と、前記第２の絶縁層上の前記ゲート電極と接続するゲート配線と、前記ソース電極と前記半導体層とを接続する接続電極と、前記半導体層と接続する画素電極とを有することを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】本発明の一態様は、スパッタ法でトランジスタ、ダイオード等の半導体用途に好
適な材料を提供することを課題の一とする。
【解決手段】下地部材上に、第１の酸化物部材を形成し、第１の加熱処理を行って表面か
ら内部に向かって結晶成長し、下地部材に少なくとも一部接する第１の酸化物結晶部材を
形成し、第１の酸化物結晶部材上に第２の酸化物部材を形成し、第２の加熱処理を行って
第１の酸化物結晶部材を種として結晶成長させて第２の酸化物結晶部材を設ける積層酸化
物材料の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】有機ＥＬディスプレイや液晶ディスプレイなどの表示装置において、保護膜等の形成時に酸化処理層を必要とせずに、薄膜トランジスタの電気特性を安定させることが可能である酸化物半導体層を提供する。
【解決手段】基板上に少なくとも、基板側から順に、酸化物半導体層と、ソース・ドレイン電極と、保護膜とを備えた薄膜トランジスタ構造であって、前記酸化物半導体層は、金属元素全体に占めるＺｎの含有量が５０原子％以上であり、ソース・ドレイン電極および保護膜側に形成される第１酸化物半導体層と、Ｉｎ、Ｇａ、およびＺｎよりなる群から選択される少なくとも１種の元素を含み、基板側に形成される第２酸化物半導体層との積層体であり、かつ、前記第１酸化物半導体層と、前記ソース・ドレイン電極および保護膜とが、直接接触していることを特徴とする薄膜トランジスタ構造。 （もっと読む）

【課題】簡便な構成及び動作によって表示装置の消費電力を低減すること。
【解決手段】表示装置が入力デバイスを備え、該入力デバイスから出力される画像操作信号に応じて、駆動回路に対する画像信号の入力を制御する。具体的には、入力デバイスが操作されない際の画像信号の入力頻度を、入力デバイスが操作される際の画像信号の入力頻度よりも低くする。これにより、当該表示装置が使用される際の表示の劣化（表示品質の低下）を抑制することが可能となり、且つ使用されない際の消費電力を低減することが可能になる。 （もっと読む）