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Fターム[2H092JA26]の内容

液晶−電極、アクティブマトリックス (131,435) | 能動素子 (19,865) | 三端子素子 (19,408) | 種類 (8,621) | TFT (8,450) | 逆スタガ構造(ボトムゲート構造) (2,339)

Fターム[2H092JA26]に分類される特許

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【課題】基板上における所定の形成層のパターニング可能領域を最大限確保することができ、かつ精度の良い装置が製造可能な半導体装置の製造方法を得る。
【解決手段】TFT基板のゲート配線形成工程は以下のステップ(a) ,(b) を実行することによって行う。ステップ(a) :2つのレチクルを順次用いて、所定のレジスト上の露光領域RA1及びRA2を露光した後、現像することによりゲート配線用レジストパターン11を得る。この際、露光領域RA1及びRA2の重複領域DA1にゲート配線用レジストパターン11の一部に凹部7a〜7cからなる位置補正用パターン7を併せて形成する。ステップ(b) :ステップ(a) で得たゲート配線用レジストパターン11を用いて下地の配線用材料をパターニングしてゲート配線及び容量配線を得る。 (もっと読む)


【課題】表示品位の劣化を抑制することが可能な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】第1方向に沿った長さが第1方向に交差する第2方向に沿った長さよりも短い画素に配置されるとともに、第2方向に沿って延出した主画素電極及び第1方向に沿って延出し前記主画素電極と電気的に接続された副画素電極を有する画素電極を備えた第1基板と、前記主画素電極を挟んだ両側で前記主画素電極と略平行に延出した主共通電極及び前記副画素電極を挟んだ両側で前記副画素電極と略平行に延出し前記主共通電極と電気的に接続された副共通電極を有する共通電極を備えた第2基板と、前記第1基板と前記第2基板との間に保持された液晶分子を含む液晶層と、を備え、前記主画素電極と前記主共通電極との第1方向に沿った水平電極間距離は、前記主画素電極と前記主共通電極との第1方向及び第2方向に直交する第3方向に沿った垂直電極間距離よりも大きいことを特徴とする液晶表示装置。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体膜と該酸化物半導体膜と接する下地となる膜との界面の電子状態が良好なトランジスタ。
【解決手段】下地となる膜は酸化物半導体膜と同様の原子配列を有し、下地となる膜と酸化物半導体膜とが接している面において、面内の下地膜の最隣接原子間距離と酸化物半導体の格子定数の差を、下地となる膜の同面内における最隣接原子間距離で除した値は0.15以下、好ましくは0.12以下、さらに好ましくは0.10以下、さらに好ましくは0.08以下とする。例えば、立方晶系の結晶構造を有し(111)面に配向する安定化ジルコニアを含む下地となる膜上に酸化物半導体膜を成膜することで、下地となる膜の直上においても結晶化度の高い結晶領域を有する酸化物半導体膜が得られる。 (もっと読む)


【課題】表示品位の良好な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】第1色画素に配置された第1スイッチング素子と、第2色画素に配置された第2スイッチング素子と、第3色画素に配置された第3スイッチング素子と、前記第1スイッチング素子、前記第2スイッチング素子、及び、前記第3スイッチング素子に対向する遮光層と、第1色画素に配置されるとともに前記第1スイッチング素子と対向する位置で前記遮光層に積層された第1カラーフィルタと、第3色画素に配置されるとともに前記第2スイッチング素子及び前記第3スイッチング素子と対向する位置で前記遮光層に積層された第3カラーフィルタと、第2色画素に配置されるとともに前記第1スイッチング素子と対向する位置で前記第1カラーフィルタに重なり且つ前記第2スイッチング素子及び前記第3スイッチング素子と対向する位置で前記第3カラーフィルタに重なる第2カラーフィルタと、を備えた液晶表示装置。 (もっと読む)


【課題】液晶層内に立設して形成される電極を形成した場合であっても、表示モード効率を向上させることが可能な液晶表示装置を提供することである。
【解決手段】
走査信号線と映像信号線とを有する第二の基板と、前記第二の基板と対向配置される第一の基板とを備え、前記走査信号線と前記映像信号線とで囲まれる画素の領域がマトリクス状に配置される液晶表示装置であって、画素境界に形成され、前記第二の基板の液晶面側から突出する凸状体と、前記凸状体の側壁面に形成される側壁面電極と、前記側壁面電極の底面側から伸延される下端側電極とからなる第一の電極と、前記画素の領域内に形成される第一の線状電極と、前記第二の基板側に形成され、前記前記第一の線状電極と対峙する第二の線状電極と、からなる第二の電極と、を有すると共に、前記画素の領域は、前記第一の電極と前記第二の電極とが第一の方向に延在する第一の画素領域と、第二の方向に延在する第二の画素領域とからなる液晶表示装置である。 (もっと読む)


【課題】基板縁からの基板間導通材の張り出しや基板間導通用電極と信号線との重なり等を発生させることなく、基板間導通を広い面積で行うことのできる電気光学装置、および電子機器を提供すること。
【解決手段】電気光学装置100では、素子基板10に素子基板側基板間導通用電極6eを設けるにあたって、基板縁10aから画像表示領域100a内に向けて複数本のデータ線6aの引き回し部分が延在する複数の信号線形成領域60の間66を利用する。また、シール材80については、素子基板側基板間導通用電極6eが設けられた領域では画像表示領域100aに向けて凹むように屈曲した屈曲部分85を設け、かかる屈曲部分85の内側に基板間導通材90を屈曲部分85に対向する対向基板20の基板縁20aに沿って延在するように設ける。 (もっと読む)


【課題】本発明は、アクティブマトリクス基板にマトリクス状に配列された各々の有機半導体トランジスタの形成面積が小さく、かつ表示装置に用いた場合に均一で視認性に優れた画像表示を行うことを可能とするアクティブマトリクス基板を提供することを主目的とする。
【解決手段】樹脂製基材と、上記樹脂製基材上に形成され、ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極、および有機半導体材料を含む有機半導体層を備える有機半導体トランジスタとを有し、上記有機半導体トランジスタがマトリクス状に複数配列されているアクティブマトリクス基板であって、隣接する2つの上記有機半導体トランジスタが、1つの上記有機半導体層のみを共有していることを特徴とするアクティブマトリクス基板を提供することにより上記課題を解決する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、液晶表示装置及びその不良画素の修復方法を提供する。
【解決手段】第1絶縁基板と、第1絶縁基板上に実質的に第1方向に互いに平行に配置されたゲート配線及びストレージ配線と、ゲート及びストレージ配線と絶縁されて交差し、実質的に第2方向に配置されたデータ配線と、ゲートとデータ配線とによって定義された画素領域上に形成された第1画素電極と、第1画素電極に隣接する第2画素電極と、を含み、ストレージ配線は、実質的に第1方向に配置された水平部と、水平部から実質的に第2方向に分枝し、データ配線とオーバーラップする垂直部と、を含み、垂直部は、第1画素電極及び第2画素電極とオーバーラップし、第1画素電極と垂直部がオーバーラップする幅は、第2画素電極及び垂直部の間のオーバーラップする幅と実質的に同一であることを特徴とする液晶表示装置。 (もっと読む)


【課題】表示品位の劣化を抑制することが可能な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】第1方向に第1幅を有し第1方向に交差する第2方向に沿って延出した主画素電極と、第1方向に第1幅よりも大きい第2幅をおいて向かい合う第1エッジ及び第2エッジを有し前記主画素電極と電気的に接続された副画素電極と、前記主画素電極を挟んだ両側で第2方向に沿って延出し前記第1エッジ及び前記第2エッジの少なくとも一方と向かい合う位置で途切れた第1主共通電極と、第1方向に沿って延出し前記第1主共通電極と電気的に接続された第1副共通電極と、を備えた第1基板と、前記第1主共通電極に対向し第2方向に沿って延出するとともに前記第1主共通電極と電気的に接続された第2主共通電極を備えた第2基板と、前記第1基板と前記第2基板との間に保持された液晶層と、を備えたことを特徴とする液晶表示装置。 (もっと読む)


【課題】液晶分子の配向不良によるコントラストの低下を抑制する。
【解決手段】液晶表示装置100は、2枚の基板110,120のうち一方の基板110の液晶層130側表面に非発光領域に対応して他方の基板120に向かって突出するように形成された凸部Cvxと、他方の基板120の液晶層130側表面に凸部Cvxと重なる領域に対応して形成され、凸部Cvxの突出高さh1と同じまたはそれよりも小さい深さh2を有する凹部Ccvと、凹部Ccvに収容され、凹部Ccvの底面と凸部Cvxの突出端面で挟持されることにより両者間に固定され、2枚の基板間距離dが一定となるように保持するビーズスペーサ131と、を備える。 (もっと読む)


【課題】画素アレイ部と駆動回路部とで電気光学物質の厚みに局部的なばらつきが生じ難い表示装置を提供する。
【解決手段】表示装置を構成する一方の基板は、画素アレイ部、及び、駆動回路部を含み、画素アレイ部は、マトリクス状に配列された画素を有し、各画素は、画素電極、及び、画素電極を駆動する画素用薄膜トランジスタ4を備えており、各画素は、画素用薄膜トランジスタ4が形成された非開口領域、並びに、開口領域に分けられ、画素用薄膜トランジスタ4は、層間絶縁膜10及び平坦化膜5で覆われており、開口領域には、非開口領域に形成された平坦化膜5が延在しており、画素アレイ部の開口領域における平坦化膜5の厚さは、駆動回路部における平坦化膜5の厚さよりも厚く、画素アレイ部の開口領域の上方に位置する電気光学物質層3の部分の厚さと、駆動回路部の上方に位置する電気光学物質層3の部分の厚さは同じである。 (もっと読む)


【課題】半導体膜と電極又は配線との接触抵抗を低減し、かつ半導体膜と電極又は配線と
の被覆率を改善し、特性を向上させた半導体装置を得ることを課題とする。
【解決手段】基板上にゲート電極と、前記ゲート電極上にゲート絶縁膜と、前記ゲート絶
縁膜上に第1のソース電極又はドレイン電極と、前記第1のソース電極又はドレイン電極
上に島状半導体膜と、前記島状半導体膜及び前記第1のソース電極又はドレイン電極上に
第2のソース電極又はドレイン電極とを有し、前記第2のソース電極又はドレイン電極は
前記第1のソース電極又はドレイン電極と接触しており、前記第1のソース電極又はドレ
イン電極及び第2のソース電極又はドレイン電極が前記島状半導体膜を挟みこんでいる半
導体装置及びその作製方法に関するものである。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体を含み、高速動作が可能なトランジスタ及びその作製方法を提供する。または、該トランジスタを含む信頼性の高い半導体装置及びその作製方法を提供する。
【解決手段】チャネル形成領域と、該チャネル形成領域を挟むように設けられ、チャネル形成領域よりも低抵抗な領域であるソース領域及びドレイン領域と、を含み、チャネル形成領域、ソース領域及びドレイン領域はそれぞれ結晶性領域を含む酸化物半導体層を有する半導体装置を提供する。 (もっと読む)


【課題】低温硬化されて色特性に優れたカラーフィルタ層を有するアレイ基板を提供し、カラーフィルタオンアレイ構造の液晶表示素子を提供する。
【解決手段】ジケトピロロピロール系顔料、ハロゲン化亜鉛フタロシアニン系顔料、トリアリールメタン系染料およびアゾ系染料からなる群より選ばれる1種以上の着色剤と、カルボキシル基と熱架橋性基を有する重合体と、式(1)または式(2)の化合物とを含有する着色組成物を用い、スイッチング能動素子8を有する基板4にカラーフィルタ層13を形成し、スペーサ10を低温で形成してアレイ基板を構成する。アレイ基板から液晶表示素子を構成する。
(もっと読む)


【課題】寄生容量を十分に低減できる構成を備えた半導体装置を提供することを課題の一とする。また、駆動回路に用いる薄膜トランジスタの動作速度の高速化を図ることを課題の一とする。
【解決手段】酸化物絶縁層がチャネル形成領域において酸化物半導体層と接したボトムゲート構造の薄膜トランジスタにおいて、ソース電極層及びドレイン電極層がゲート電極層と重ならないように形成することにより、ソース電極層及びドレイン電極層とゲート電極層との間の距離を大きくし、寄生容量の低減を図ることができる。 (もっと読む)


【課題】安定した電気特性を持つ、酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタを有する、信
頼性の高い半導体装置の作製方法の提供を目的の一とする。
【解決手段】絶縁表面上において、ゲート絶縁膜を間に挟んでゲート電極上に酸化物半導
体膜を形成し、酸化物半導体膜上に、チタン、モリブデンまたはタングステンを含む第1
の導電膜を形成し、第1の導電膜上に、電気陰性度が水素より低い金属を含む第2の導電
膜を形成し、第1の導電膜及び第2の導電膜をエッチングすることでソース電極及びドレ
イン電極を形成し、酸化物半導体膜、ソース電極及びドレイン電極上に、酸化物半導体膜
と接する絶縁膜を形成する半導体装置の作製方法。 (もっと読む)


【課題】開口率を向上することができる広視野角の液晶表示装置を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる液晶表示装置は、基板10上に形成されたゲート配線43と、ゲート配線43を覆うゲート絶縁膜11と、ゲート絶縁膜11上に形成されたソー ス配線44と、ソース配線44を覆う層間絶縁膜12と、層間絶縁膜12を貫通するコンタクトホール13を介して、TFT50のドレイン電極6と電気的に接 続する櫛歯形状又はスリット形状の画素電極7と、画素電極7の下に絶縁膜を介して対向配置され、画素電極7との間で斜め電界を発生させる第1の対向電極8 と、画素電極7と同じ層によって、前記ソース配線に沿う方向と前記ゲート配線に沿う方向とに形成されて格子形状をなしてソース配線44と一定の領域において重なり合うよう形成され、画素電極7との間で横電界を発生させる第2の対向電極9 と、を備えるものである。 (もっと読む)


【課題】表示装置の高精細化に伴い、画素数が増加し、ゲート線数、及び信号線数が増加
する。ゲート線数、及び信号線数が増加すると、それらを駆動するための駆動回路を有す
るICチップをボンディング等により実装することが困難となり、製造コストが増大する
という問題がある。
【解決手段】同一基板上に画素部と、画素部を駆動する駆動回路とを有し、駆動回路の少
なくとも一部の回路を、酸化物半導体を用いた逆スタガ型薄膜トランジスタで構成する。
同一基板上に画素部に加え、駆動回路を設けることによって製造コストを低減する。 (もっと読む)


【課題】広い視野角を有しており、かつ従来と比べて製造コストが低い液晶表示装置を提供する。
【解決手段】下地絶縁膜101上に形成され、トランジスタのソース102d、チャネル領域102c、及びドレイン102bが形成された島状の第1の半導体膜102と、ソース102d又はドレイン102bとなる第1の半導体膜102と同一の材料から構成され、下地絶縁膜101上に形成された第1の電極102cと、第1の電極102cの上方に形成され、第1の開口パターン112を有する第2の電極108と、第2の電極108の上方に配置された液晶110とを具備する。 (もっと読む)


【課題】高性能な半導体装置を提供する。
【解決手段】絶縁表面上に設けられるゲート電極層421と、ゲート電極層上に設けられるゲート絶縁層402と、ゲート絶縁層上に設けられる第1の酸化物半導体層442と、第1の酸化物半導体層上に接して設けられる第2の酸化物半導体層443と、第1の酸化物半導体層の第1の領域及び第2の酸化物半導体層の第1の領域と重なり、且つ第2の酸化物半導体層に接して設けられる酸化物絶縁層と、酸化物絶縁層上、第1の酸化物半導体層の第2の領域上、及び第2の酸化物半導体層の第2の領域と重なり、且つ第2の酸化物半導体層に接して設けられるソース電極層及びドレイン電極層と、を有し、第1の酸化物半導体層の第1の領域及び第2の酸化物半導体層の第1の領域は、ゲート電極層と重なる領域、並びに第1の酸化物半導体層及び第2の酸化物半導体層の周縁及び側面、に設けられる領域である。 (もっと読む)


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