【課題】ブラックマトリックス層の幅を設計値以上に拡張しなくても、位置合わせずれによる光漏れが生じることを抑制する。
【解決手段】ボトムゲート電極１２ａと第１のブラックマトリックス層１７ａで第１の半導体層１４を挟むシングルゲート型の薄膜トランジスタを有する半導体装置であって、前記第１の半導体層と前記第１のブラックマトリックス層は重畳している半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】ＩＧＺＯ等の酸化物半導体膜からなる薄膜半導体装置において、無酸素雰囲気中で加熱しても酸素が酸化物半導体膜に拡散してＴＦＴ特性を発現する薄膜半導体装置を提供すること。
【解決手段】薄膜半導体装置は、ガラスの基板２０、ゲート電極２３Ｇ，ゲート絶縁膜２１、ソース電極２３Ｓ、ドレイン電極２３Ｄ、ＩＧＺＯの酸化物半導体膜２４、二酸化マンガン（ＭｎＯ２）の酸素放出絶縁膜２５、保護膜２２からなる。薄膜半導体装置は、蛍光表示装置等の薄膜形成時における加熱工程、焼成工程、封着工程において加熱すると、酸素が酸素放出絶縁膜２５から放出されて酸化物半導体膜２４に拡散してＴＦＴ特性を発現する。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置の周囲が薄暗い環境でも画像表示が認識できる液晶表示装置を提供
することを課題の一とする。
【解決手段】１つの画素において、液晶層を介して入射する光を反射する領域と、透過領
域とを両方有する画素電極を設け、外光を照明光源とする反射モードと、バックライトを
用いる透過モードの両モードでの画像表示を可能とする。外光はあるが、その明るさが不
十分であり薄暗い場合は、バックライトを弱く点灯し反射モードで表示を行うことによっ
て、画像表示を可能とする。 （もっと読む）

【課題】半導体層と電極の接続部に生じる寄生抵抗を抑制し、配線抵抗による電圧降下の
影響や画素への信号書き込み不良や階調不良などを防止し、より表示品質の良い表示装置
を代表とする半導体装置を提供することを課題の一つとする
【解決手段】上記課題を解決するために、本発明は酸素親和性の強い金属を含むソース電
極、及びドレイン電極と、不純物濃度を抑制した酸化物半導体層とを接続した薄膜トラン
ジスタと、低抵抗な配線を接続して半導体装置を構成すればよい。また、酸化物半導体を
用いた薄膜トランジスタを絶縁膜で囲んで封止すればよい。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置の消費電力を低減すること及び表示の劣化を抑制すること。また、温度などの外部因子による表示の劣化を抑制すること。
【解決手段】各画素に設けられるトランジスタとして、チャネル形成領域が酸化物半導体層によって構成されるトランジスタを適用する。なお、酸化物半導体層を高純度化することで、トランジスタの室温におけるオフ電流値を１０ａＡ／μｍ以下且つ８５℃におけるオフ電流値を１００ａＡ／μｍ以下とすることが可能である。そのため、液晶表示装置の消費電力を低減すること及び表示の劣化を抑制することが可能になる。また、上述したようにトランジスタは、８５℃という高温においてもオフ電流値を１００ａＡ／μｍ以下とすることが可能である。そのため、温度などの外部因子による液晶表示装置の表示の劣化を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いたトランジスタにおいて、電気的特性の変動が小さく、信頼
性の高い半導体装置を作製することを課題とする。
【解決手段】チャネルを形成する酸化物半導体層に接する絶縁層に、シリコン過酸化ラジ
カルを含む絶縁層を用いる。絶縁層から酸素が放出されることにより、酸化物半導体層中
の酸素欠損及び絶縁層と酸化物半導体層の界面準位を低減することができ、電気的特性の
変動が小さく、信頼性の高い半導体装置を作製することができる。 （もっと読む）

【課題】ブラックマトリックス層を設計値以上に拡張しなくても、位置合わせずれによる光漏れが生じることを抑制できる半導体装置を提供する。
【解決手段】ボトムゲート電極１２ａとトップゲート電極１７ａで半導体層１４を挟むデュアルゲート型の薄膜トランジスタを有する半導体装置において、前記トップゲート電極は、第１のブラックマトリックス層によって形成され、前記半導体層は、前記トップゲート電極によって覆われている半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】画像信号の入力頻度の向上を図ること。
【解決手段】液晶表示装置の画素部を複数の領域に分割し、該複数の領域毎に画像信号の入力を制御する。そのため、当該液晶表示装置は、同時に複数本の走査線を選択することが可能である。すなわち、当該液晶表示装置は、マトリクス状に配設された画素のうち、複数行に配設された画素に対して同時に画像信号を供給することが可能である。これにより、当該液晶表示装置が有するトランジスタなどの応答速度を変化させることなく、各画素に対する画像信号の入力頻度を向上させることが可能になる。 （もっと読む）

【課題】保護回路を設けて表示装置の信頼性を高める。
【解決手段】画素部が有するトランジスタは、チャネル形成領域を有する第１酸化物半導体層を有し、走査線と電気的に接続する第１ゲート電極を有し、信号線と電気的に接続する第１配線層を有し、画素電極と電気的に接続する第２配線層を有し、画素部の外側領域に、保護回路を有し、保護回路が有する非線形素子３０、３１は、走査線１３又は信号線と電気的に接続される第２ゲート電極を有し、第２ゲート電極を被覆するゲート絶縁層を有し、ゲート絶縁層上に第２酸化物半導体層を有し、第２ゲート電極の電位が、非線形素子の第３配線層又は第４配線層へ印加されるように、第２ゲート電極と第３配線層又は第４配線層とは第５配線層によって電気的に接続されている。第５の配線層は、画素電極と同じ材料を有することができる。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタパネル、及びこれらを製造する方法に関する。
【解決手段】薄膜トランジスタは、ゲート電極、ゲート絶縁膜、上記ゲート絶縁膜上に形成された酸化物半導体層、及び上記酸化物半導体層上に相互に離隔して形成されたドレーン電極及びソース電極を含む。上記ドレーン電極は、上記酸化物半導体層上に形成された第１のドレーン副電極及び上記第１のドレーン副電極上に形成された第２のドレーン副電極を含む。上記ソース電極は、上記酸化物半導体層上に形成された第１のソース副電極及び上記第１のソース副電極上に形成された第２のソース副電極を含む。上記第１のドレーン副電極及び上記第１のソース副電極は、ガリウム亜鉛酸化物（ＧａＺｎＯ）を含み、上記第２のドレーン副電極及び上記第２のソース副電極は、金属原子を含む。 （もっと読む）

【課題】色再現率が高くて輝度が高い２次元及び３次元映像を具現し、特に３次元映像具現の時にクロストーク欠陥が減少した表示装置を提供する。
【解決手段】表示装置は、第１絶縁基板、複数の画素、第２絶縁基板、カラーフィルター層、及びパターンリターダを備える。第１絶縁基板は、行列形態に配列され、列方向より行方向に長い複数の画素領域を有し、列方向より行方向に長い。画素は、各画素領域に提供され、印加された映像信号に従って２次元又は３次元映像を表示する。ここで、１つの色情報を示す単位画素は列方向に連続する第１〜第４画素に定義され、第４画素にホワイト色画素が対応する。 （もっと読む）

【課題】ソース電極およびドレイン電極と有機半導体層とにおける電荷注入効率の向上と性能の確保とを両立させることが可能な薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタは、エッチングガスと反応可能な金属元素および半金属元素のうちの少なくとも一方を含む金属含有材料により形成された有機半導体層と、互いに離間されたソース電極およびドレイン電極と、有機半導体層とソース電極およびドレイン電極とが重なる領域において有機半導体層とソース電極およびドレイン電極との間に挿入され、エッチングガスと反応可能な金属元素および半金属元素のうちの少なくとも一方を含まない非金属含有材料により形成された有機導電層とを備える。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴ基板に有機パッシベーション膜が形成されておらず、かつ、ＴＦＴ基板と対向基板との間隔を柱状スペーサによって規定する液晶表示装置において、ＴＦＴ基板と対向基板との間隔を一定とする。
【解決手段】液晶表示パネルの表示領域では、ＴＦＴ基板１００と対向基板２００との間隔は柱状スペーサ１５０によって規定している。液晶表示パネル内において、画素も走査線も映像信号線も形成されていない部分においても、柱状スペーサ１５０によって間隔を規定する。この場合、柱状スペーサ１５０の台座１４０が必要となるが、台座１４０の層構造は、表示領域において間隔を規定する柱状スペーサ１５０が接触するＴＦＴ基板側の層構造と同一にする。これによって、製造コストの上昇をともなうことなく、液晶表示パネルの液晶層３００の間隔を一定にでき、輝度むら、あるいは色むらを防止することが出来る。 （もっと読む）

【課題】オフ電流を低減した優れた特性を有する薄膜トランジスタを作製する。
【解決手段】少なくとも微結晶半導体領域及び非晶質半導体領域が積層する半導体膜を有する逆スタガ型の薄膜トランジスタにおいて、半導体膜上に導電膜及びエッチング保護膜を積層形成し、エッチング保護膜上にマスクを形成し、エッチング保護膜、導電膜及び非晶質半導体領域の一部をエッチングする第１のエッチング処理の後、マスクを除去する。次に、上記エッチングされたエッチング保護膜をマスクとして、露出した非晶質半導体領域及び微結晶半導体領域の一部をドライエッチングする第２のエッチング処理により、微結晶半導体領域の一部を露出させ、バックチャネル領域を形成する。 （もっと読む）

【課題】動画と静止画を表示可能な液晶表示装置において、誤動作を低減し、低消費電力化が可能な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】端子部、スイッチングトランジスタ、駆動回路部、並びに画素トランジスタ及び複数の画素を有する画素回路部、が形成された第１の基板と、スイッチングトランジスタを介して端子部と電気的に接続される共通電極が形成された第２の基板と、画素電極と共通電極との間には液晶が挟持されており、静止画を表示する期間において、スイッチングトランジスタの第１の端子と第２の端子とを非導通状態とし、共通電極を電気的に浮遊状態とし、静止画から動画に切り替わる期間において、共通電極に共通電位を供給する第１のステップ、駆動回路部に電源電圧を供給する第２のステップ、駆動回路部にクロック信号を供給する第３のステップ、駆動回路部にスタートパルス信号を供給する第４のステップ、の順に行う。 （もっと読む）

【課題】信号線駆動回路が有するスイッチ回路を画素部と同じ基板上に配置する構成において、スイッチ回路を構成するトランジスタサイズを縮小し、データを供給することによる信号線の充放電を行う際の回路内の負荷を削減する
【解決手段】映像信号が入力される画素部と、映像信号の画素部への出力を制御するためのスイッチ回路部を有する信号線駆動回路を有し、スイッチ回路部は、絶縁基板上において、電界効果移動度が少なくとも８０ｃｍ^２／Ｖｓ以上であるトランジスタを有し、トランジスタは、酸化物半導体層を有する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化す
ることを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体膜を含むトランジスタにおいて、酸化物半導体膜に接し、且つ
ソース電極及びドレイン電極を覆う帯電防止機能を有する金属酸化膜を形成し、加熱処理
を行う。この加熱工程によって、水素、水分、水酸基又は水素化物などの不純物を酸化物
半導体膜より意図的に排除し、酸化物半導体膜を高純度化する。また、金属酸化膜を設け
ることで、トランジスタにおいて酸化物半導体膜のバックチャネル側に寄生チャネルが発
生するのを防止する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、低比誘電率かつ高ＯＤ値を達成することが可能な樹脂製遮光部を有し、画素部の面積が大きく、かつ、液晶表示装置に用いた場合に、コンタクトホール内における画素電極の断線を好適に防止することが可能なスイッチング素子基板およびこれを用いた液晶表示装置を提供することを主目的とする。
【解決手段】基材と、上記基材上に形成されたスイッチング素子と、上記基材上に設けられた画素部と、上記スイッチング素子上に形成され、上記スイッチング素子に用いられる電極上にコンタクトホールを有する樹脂製遮光部と、上記コンタクトホールの側面および端部を覆うように形成され、絶縁性を有する断線防止層とを有し、上記コンタクトホールの縦断面形状が、垂直形状または逆テーパー形状であり、上記断線防止層が、上記断線防止層の形成部分の縦断面形状が順テーパー形状となるように形成されていることを特徴とするスイッチング素子基板を提供することにより、上記目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系半導体を用いた半導体装置を作製する際の加工技術を確立する。
【解決手段】Ｃｌ_２または、ＢＣｌ_３または、ＳｉＣｌ_４などの塩素を含むガスを用いたドライエッチングによりＩｎ−Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系半導体層を選択的にエッチングする。Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系半導体層上に接して形成する導電層を選択的に除去してソース電極層及びドレイン電極層を形成する場合、塩素を含むガスに加えて酸素を含むガス、またはフッ素を含むガスを用い、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系半導体層がほとんど除去されないように導電層を選択的にエッチングすることができる。 （もっと読む）

【課題】フォトセンサを有する半導体装置において、外光のノイズを軽減し、且つトランジスタのオフ電流によるリークが原因となるノイズも低減する。
【解決手段】マトリクス状に配置された複数のフォトセンサを有する。複数のフォトセンサはそれぞれ、光電変換素子と増幅回路とを有する。バックライトを点灯して被検出物に光を照射して第ｐ行目のフォトセンサでリセット動作及び蓄積動作を行った後、バックライトを非点灯として第（ｐ＋１）行目のフォトセンサでリセット動作及び蓄積動作を行い、その後全行のフォトセンサの選択動作を順次行う。隣接する行のフォトセンサで得られた出力信号の差分を取得し、差分を用いて被検出物の撮像画像の生成や被検出物の存在する領域の検出を行う。増幅回路は蓄積された電荷を保持するトランジスタを有し、当該トランジスタはチャネルが酸化物半導体層に形成される。 （もっと読む）