【課題】額縁領域を小さくできる画像表示装置を提供すること
【解決手段】第１基板１０と第２基板２０と表示媒体層２２とを備えた画像表示装置１００であって、第１基板１０には、配線基板４０の端子４２と電気的に接続される端子電極１１が形成されており、端子電極１１は、画像表示装置１００の周辺領域６０に配置されており、第１基板１０の裏面１０ｂには、端子電極１１の裏面１１ｂを露出する開口部１５が形成されており、端子電極１１の表面１１ａの上には絶縁膜１４が形成されており、端子電極１１が存在する領域の上方における絶縁膜１４の上にはアクティブ駆動素子３０が形成されている、画像表示装置１００である。 （もっと読む）

【課題】電気的特性が良好な薄膜トランジスタを作製することを課題とする。
【解決手段】ゲート電極層と、ゲート電極層を覆って設けられた第１の絶縁層と、ゲート電極層と少なくとも一部が重畳し、離間して設けられた、ソース領域及びドレイン領域を形成する一対の不純物半導体層と、第１の絶縁層上に、ゲート電極層と少なくとも一部が重畳し、且つ一対の不純物半導体層の少なくとも一方と重畳せずしてチャネル形成領域の一部に設けられた微結晶半導体層と、第１の絶縁層と微結晶半導体層との間に接して設けられた第２の絶縁層と、第１の絶縁層上に第２の絶縁層及び微結晶半導体層を覆って設けられた非晶質半導体層と、を有し、第１の絶縁層は窒化シリコン層であり、第２の絶縁層は酸化窒化シリコン層である薄膜トランジスタとする。 （もっと読む）

Ｚｎ、Ｉｎ、及びＨｆを含み、Ｚｎ、Ｉｎ、及びＨｆ原子の全体含有量対比Ｈｆ原子含有量の組成比が２〜１６ａｔ％である酸化物半導体及びこれを備える薄膜トランジスタを提供する。 （もっと読む）

【課題】暗電流の発生を抑制することができ、有機ＥＬなどの電流駆動素子に好適な半導体装置、半導体装置の製造方法、及び、その半導体装置を備えた表示装置を提供する。
【解決手段】基板１１と、チャネル領域を有する半導体層１８とを備え、チャネル領域が、結晶成分の体積率をＶｃとし、非結晶成分の体積率をＶａとしたときＶｃ／Ｖａ＞４を満たす酸化物半導体で構成されている。 （もっと読む）

【課題】非晶質シリコン層を改質して得られたポリシリコン層には突起部分が発生する。ゲート絶縁層中に突起があると、この突起部分に電界が集中し、絶縁破壊が生じる。電解還元水は、酸化シリコン層をエッチングせず、ポリシリコン層をエッチングする性質がある。そこで酸化シリコン層を除去した後、電解還元水をスラリーとして用いてＣＭＰ法を用いる技術があるが、この場合、ポリシリコン層全面がＣＭＰ法により薄層化されてしまうという課題がある。
【解決手段】自然酸化シリコン層３０４を残した状態で電解還元水をスラリー１０７として用いてＣＭＰ工程を行う。機械的効果によりポリシリコン層３０３の突起上にある自然酸化シリコン層３０４は除去され、突起領域のみ電解還元水でエッチングが進みポリシリコン層３０３は平坦化される。そして、平坦部は自然酸化シリコン層３０４により保護され、薄層化は抑制される。 （もっと読む）

【課題】同一絶縁基板上に形成された２つのトランジスタの拡散層の抵抗値を同じにすることのできる新構造のトランジスタを搭載した半導体装置を提供する。
【解決手段】同一絶縁基板上に第１及び第２のトランジスタが形成された半導体装置において、第１のトランジスタ（図中左側のトランジスタ）は、第１のゲート電極１０４ａ下部に形成された第１の絶縁膜１０３ａと、拡散層１０２ａ２，１０２ａ３領域上に形成された第２の絶縁膜１０３ｂとを備え、第２のトランジスタ（図中右側のトランジスタ）は、第２のゲート電極１０４ｂ下部及び拡散層１０２ｂ２，１０２ｂ３領域上に形成された膜厚の厚い第２の絶縁膜１０３ｂを備え、これら第１の絶縁膜１０３ｂ及び第２の絶縁膜１０３ａより上層に第１及び第２のゲート電極１０４ａ，１０４ｂがそれぞれ配置されており、かつ、第１の絶縁膜１０３ａが第２の絶縁膜１０３ｂよりも薄く形成された構造となっている。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタのオン電流及びオフ電流に係る問題点を解決する。また、高速動作が可能な薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】ゲート絶縁層を介してゲート電極と重畳するアクセプターとなる不純物元素を添加した半導体層と、アクセプターとなる不純物元素を添加した半導体層上に重ねて設けられたバッファ層と、バッファ層の上面と、バッファ層及びアクセプターとなる不純物元素を添加した半導体層の側面を被覆する非晶質半導体層と、一端部がバッファ層と重なり、非晶質半導体層上に設けられ、ソース領域及びドレイン領域を形成する一導電型を付与する不純物元素を添加した一対の不純物半導体層とを有し、バッファ層の膜厚が、非晶質半導体層の膜厚よりも厚い薄膜トランジスタである。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタのオン電流及びオフ電流に係る問題点を解決する。また、高速動作が可能な薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】ゲート絶縁層を介してゲート電極と重畳するドナーとなる不純物元素を添加した半導体層と、ドナーとなる不純物元素を添加した半導体層上に重ねて設けられたバッファ層と、バッファ層の上面と、バッファ層及びドナーとなる不純物元素を添加した半導体層の側面を被覆する非晶質半導体層と、一端部がバッファ層と重なり、非晶質半導体層上に設けられ、ソース領域及びドレイン領域を形成する一導電型を付与する不純物元素を添加した一対の不純物半導体層とを有し、バッファ層の膜厚が、非晶質半導体層の膜厚よりも厚い薄膜トランジスタである。 （もっと読む）

【課題】 一枚のＴＦＴ基板にアモルファス半導体の能動層を有するＴＦＴ素子と、多結晶半導体の能動層を有するＴＦＴ素子とが形成された液晶表示装置における、多結晶半導体の能動層を有するＴＦＴ素子の動作特性の低下を防ぐ。
【解決手段】 絶縁基板の表面に、アモルファス半導体の能動層を有する複数個の第１のＴＦＴ素子と、多結晶半導体の能動層を有する複数個の第２のＴＦＴ素子とが配置されているＴＦＴ基板を有する表示装置であって、前記第１のＴＦＴ素子および前記第２のＴＦＴ素子は、それぞれ、前記絶縁基板の表面上に、ゲート電極、ゲート絶縁膜、および前記能動層がこの順番で積層された構造であり、かつ、前記能動層の上に、コンタクト層を介して前記能動層に接続するソース電極およびドレイン電極を有し、前記第２のＴＦＴ素子の前記能動層は、前記コンタクト層が積層している位置における膜厚が６０ｎｍよりも厚い表示装置。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置に使用されるボトムゲート型のｐｏｌｙ−ＳｉＴＦＴにおいて、ＯＮ電流を増加する。
【解決手段】ｐｏｌｙ−Ｓｉ層１０７の上にはチャネルストッパ層１５０が形成されてＴＦＴの特性を安定化させる。チャネルストッパ層１５０はウェットエッチングで加工され、ｐｏｌｙ−Ｓｉ層１０７はドライエッチングで加工する。チャネルストッパ層１５０にサイドエッチを形成することによって、ｐｏｌｙ−Ｓｉ層１０７の周辺部をチャネルストッパ層１５０から露出させ、この領域をｎ＋Ｓｉ層とのコンタクトに用いる。この構成によって、ＴＦＴのＯＮ抵抗を減少させ、ＯＮ電流を増加することが出来る。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ装置を用いて基板上に半導体膜を成膜する際、各結晶粒のグレインサイズが略均一となるとともに、面内において略均一な膜厚の半導体膜を形成することができることにより、信頼性の高いトランジスタを製造できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板を、ＣＶＤ装置内に導入して、ヒータ上に載置し、ヒータを加熱することによって基板を設定された成膜温度まで加熱するステップＳ１と、ＣＶＤ装置内にモノシランガスを導入して、基板上に、非晶質の第１の半導体膜を第１の膜厚に成膜するステップＳ２と、ＣＶＤ装置内にジシランガスを導入して、第１の半導体膜上に、非晶質の第２の半導体膜を第１の膜厚よりも厚い第２の膜厚に成膜して、第１の半導体膜及び第２の半導体膜により、半導体膜を設定厚さに形成するステップＳ３と、を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】特性のばらつきを抑制できる薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】ガラス基板２上に設けられエッチングにより形成された端部５を有する多結晶又は非晶質Ｓｉからなる半導体層４と、半導体層４の両側に設けられたソース領域８およびドレイン領域９と、ソース領域８およびドレイン領域９間に設けられたチャネル幅が１μｍ以下のチャネル領域１０と、チャネル領域１０上にゲート絶縁膜６を介して設けられたゲート電極７と、チャネル領域１０のチャネル幅方向のゲート電極７で被覆された端部５に電流が流れないように絶縁化された絶縁膜１１とを具備し、ゲート電極７で被覆された端部５がしきい値電圧に寄与しない構造にした。 （もっと読む）

【課題】耐熱性の低い基板をベース基板とするＳＯＩ基板で、レーザ光で表面を溶融させることにより、機械的な研磨が不要な半導体装置を提供する。
【解決手段】ベース基板１０１、絶縁層１１６、接合層１１４、半導体層１１５を有するＳＯＩ基板に、レーザー光１２２を照射することにより半導体層１１５上面を溶融させ、冷却、固化することで、機械的な研磨を行わなくても、平坦性が優れたＳＯＩ半導体装置を提供できる。また、レーザー光の端部が照射された領域の半導体層は半導体素子として用いずに、レーザー光の端部以外が照射された領域の半導体層を半導体素子として用いることにより、半導体装置の性能を大きく向上することができる。 （もっと読む）

【課題】オフ電流の低い薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極を覆って設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に設けられた微結晶半導体層と、微結晶半導体層上に設けられた非晶質半導体層と、非晶質半導体層上に設けられた、側面が非晶質半導体層の側面と略同一面上に存在するソース領域及びドレイン領域と、ソース領域及びドレイン領域上に接して設けられたソース電極及びドレイン電極と、を有し、ソース領域及びドレイン領域と重畳する非晶質半導体層は、チャネル形成領域と重畳する非晶質半導体層よりも厚く、ソース領域及びドレイン領域の側面と非晶質半導体層の側面は、非晶質半導体層の最表面とテーパ形状を形成し、該側面のテーパ角は、ソース領域及びドレイン領域と非晶質半導体層との接合部近傍における電界の集中を緩和することを可能とする角度の薄膜トランジスタを提供する。 （もっと読む）

【課題】ばらつきを抑え、かつ、製造歩留まりの高い半導体装置を作製することを課題とする。
【解決手段】
絶縁表面を有する基板上に、チャネル形成領域が非単結晶半導体層で形成される薄膜トランジスタを有し、前記非単結晶半導体層は、厚さが５ｎｍ以上５０ｎｍ以下であり、一方向に略平行に延びる結晶粒界を含み、該結晶粒界の間隔は１０ｎｍ以上、５００ｎｍ以下であることを特徴とする、半導体装置及びその作製方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で、且つ若干の工程数の増加のみで、オフ電流の低減を図ったポリシリコン薄膜トランジスタを備える表示装置を提供する。
【解決手段】絶縁基板と、前記絶縁基板上に形成された薄膜トランジスタとを有する表示装置であって、前記薄膜トランジスタの半導体層は、多結晶シリコン層と、前記多結晶シリコン層の上層に形成された第１の非晶質シリコン層と、前記第１の非晶質シリコン層の上層に形成された第２の非晶質シリコン層とを有する。 （もっと読む）

【課題】ｐｏｌｙ−Ｓｉ層およびａ−Ｓｉ層が積層されたボトムゲートのＴＦＴにおいて、固定電荷の影響によるリーク電流の増大を防止する。
【解決手段】ゲート電極１０３を覆ってゲート絶縁膜１０４が形成され、ゲート絶縁膜１０４上にｐｏｌｙ−Ｓｉ層１０７が形成され、その上にａ−Ｓｉ層１０８が形成され、さらにその上に、ｎ＋Ｓｉ層１０９、ソース／ドレイン電極１１３が形成され、ＴＦＴ全体はパッシベーション膜１１６によって覆われている。チャネル部からはチャネルエッチングによってａ−Ｓｉ層１０８が除去されている。したがって、チャネル部に誘起される電荷はゲート電極１０３による影響が支配的となり、チャネル付近のパッシベーション膜１１６に固定電荷２００が形成されても、固定電荷２００の影響によるリーク電流の増大は抑止される。 （もっと読む）

【課題】閾値電圧などのばらつきを低減させることができ、信頼性の高い高性能なＴＦＴ特性を持つ半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明の一態様に係る半導体装置は、基板上に形成され、ソース領域４ｃ、ドレイン領域４ｄ及びチャネル領域４ｂを有する多結晶半導体層４ａと、多結晶半導体層４ａのソース領域４ｃ及びドレイン領域４ｄ上に形成された金属性導電層６と、多結晶半導体層４ａと金属性導電層６との間に形成された合金層５とを有し、多結晶半導体層４ａは、チャネル領域４ｂの膜厚が、金属性導電層６が形成された領域の膜厚より薄くなるように形成された凹部４ｅを有し、凹部４ｅの深さＸと、合金層５の膜厚Ｙと、金属性導電層６の膜厚ｔとが、次の関係を満たしている。
０．１ｔ≦Ｙ≦０．３ｔ
０．３Ｙ≦Ｘ≦２Ｙ （もっと読む）

【課題】同一の基板上にスイッチング素子と光センサ素子を形成する場合に、光センサ素子の感度が上げるために、活性層の膜厚を厚くすると、スイッチング素子（ＴＦＴ）の特性に悪影響を及ぼしてしまう。
【解決手段】複数の画素がマトリクス状に配置されるガラス基板５上に、画素のスイッチング素子となる薄膜トランジスタを構成するチャネル層２５と、光センサ素子を構成する光電変換層３５とを有する表示装置の構成として、外光が入射する側と反対側で光電変換層３５に最も近接して対向配置される電極３３の表面に光反射膜３４を形成した。 （もっと読む）

【課題】ブラウン管並の視野角を実現できる、基板面に略平行な電界で表示を制御するアクティブマトリクス型液晶表示装置において、明るく、かつ、低消費電力のアクティブマトリクス型液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 走査信号線ＧＬと、対向電圧信号線ＣＬと、隣接する２本の映像信号線ＤＬとの交差領域内に画素が配置される。各画素は薄膜トランジスタＴＦＴ、蓄積容量Ｃｓｔｇ、画素電極ＰＸおよび対向電極ＣＴを含む。走査信号線ＧＬ、対向電圧信号線ＣＬは図の左右方向に延在し、上下方向に複数本配置されている。映像信号線ＤＬは上下方向に延在し、左右方向に複数本配置されている。画素電極ＰＸはソース電極ＳＤ１を介して薄膜トランジスタＴＦＴと接続され、対向電極ＣＴは対向電圧信号線ＣＬと一体になっている。映像信号線ＤＬに沿って上下に隣接する２画素では、図１のＡ線で折曲げたとき、平面構成が重なり合う構成となっている。これにより、外部回路から左右方向の各画素の対向電極ＣＴへ対向電圧を十分に供給するためことが容易になる。 （もっと読む）