【課題】消費電力が少なく、表示品質の良い表示装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】第１の基板上に、端子部と、画素電極と、酸化物半導体を有するスイッチングトランジスタと、可視光に対して高い光感度を有する第１の光センサと、赤外光に光感度を有し、第１の光センサより可視光に対する光感度が低い第２の光センサを設ける。第１及び第２の光センサを用いて表示装置周囲の照度または色温度を検出して表示映像の輝度や色調を調整する。また、第１の基板に向かい合って第２の基板を設け、第２の基板上に対向電極を設ける。端子部からスイッチングトランジスタを介して対向電極へ電位を供給し、また、静止画を表示する期間において、スイッチングトランジスタを非導通状態として、対向電極を浮遊状態とする。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス型基板において、薄膜トランジスタと、その端子接続部を同時に作り込み、少ないマスク数で歩留まりの良い表示装置を提供する。
【解決手段】画素部および外部入力端子を有する表示装置であって、画素部は、ゲート電極と、半導体膜と、ゲート電極上に形成された絶縁膜、および絶縁膜上に半導体膜と電気的に接続された電極を有するＴＦＴを有し、外部入力端子は、ゲート電極と同じ層に形成された第１の配線と、電極と同じ層に形成され、絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介し第１の配線と接続された第２の配線と、第２の配線に接続され、第２の配線上に形成された透明導電膜と、第２の配線と透明導電膜が接続している位置で透明導電膜と電気的に接続するフレキシブルプリント配線板を有する表示装置。 （もっと読む）

【課題】半導体を基板とする液晶パネルは、ウェル領域があるため、漏れ光がトランジスタ部分のみでなくそこから離れた半導体基板を通過しただけで光リーク電流が流れることがある。この光リーク電流が、ガラス基板上にスイッチング素子としてのＴＦＴを配置した液晶パネルに比べて多くなるという欠点がある。
【解決手段】反射電極となる画素電極（１４）と、画素電極への電圧印加を制御するスイッチング素子とを有する画素単位が基板上にマトリックス状に配置されてなる液晶パネル用基板において、両素電極とスイッチング素子の端子電極を構成する導電層（６ａ）との間に、両者を接続するためのコンタクトホールを形成し、このコンタクトホールの形成箇所を囲む開口を有し、隣接する複数の画素電極の間の領域には開口を有さない遮光層を、画素電極と導電層との間に設けることにより、画素電極どうしの隙間から漏込む光による弊害を防ぐ。 （もっと読む）

【課題】露光量を低下させることなく、パターンの描画を高精細に行う。
【解決手段】光ビーム照射装置２０の空間的光変調器（ＤＭＤ２５）は、複数のミラーを直交する二方向に配列して構成されている。空間的光変調器を、光ビームによる基板の走査方向に対して傾けて配置し、かつ、空間的光変調器の複数のミラーを、直交する二方向の内の走査方向に近い方向に、ミラーの数が異なる複数の区画に分割して使用する。駆動回路（ＤＭＤ駆動回路２７）により、空間的光変調器の各区画のミラーを、区画毎に異なる周期で駆動し、ミラーの数が多い区画の駆動周期を、ミラーの数が少ない区画の駆動周期より短くする。ミラーの駆動周期が短い区画では、パターンの描画が高精細に行われる。露光時間と露光回数とを掛けた露光量は、区画により大きく変動しない。 （もっと読む）

【課題】ブルー相を示す液晶材料を利用した表示装置において、消費電力の低い表示装置を提供する。
【解決手段】トランジスタを含む画素が設けられた画素部を有する第１の基板と、前記第１の基板と対向する第２の基板と、前記第１の基板及び前記第２の基板の間に配置された液晶層とを有し、前記液晶層は、ブルー相を示す液晶材料を有し、前記トランジスタは、ゲートが走査線に電気的に接続され、ソースまたはドレインの一方が信号線に電気的に接続され、ソースまたはドレインの他方が電極に電気的に接続され、前記トランジスタは、水素濃度が５×１０^１９／ｃｍ^３以下である酸化物半導体層を有する。 （もっと読む）

【課題】より高コントラスト化を可能とするブルー相を示す液晶材料を用いた液晶表示装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】ブルー相を示す液晶層を含む液晶表示装置において、ブルー相を示す液晶層を対向する開口パターン（スリット）を有する第１の共通電極層及び第２の共通電極層と、開口パターンを有する画素電極層とで挟持する。画素電極層は第１の基板の液晶層側の面から液晶層に突出して設けられた構造体の上部に形成され、液晶層中において画素電極層は第１の共通電極層と第２の共通電極層との間に配置される。液晶表示装置のセルギャップを５μｍ未満（好ましくは１μｍ以上）とする。 （もっと読む）

【課題】配向不良による輝度の低下を抑制できる液晶表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】画素電極４０の第１の領域に第１のスリット４０ａが第１の方向に向けて形成され、第１の領域に水平方向に隣接する第２の領域に第２のスリット４０ａが第２の方向に向けて形成され、配向膜にデータバスライン１６ａに平行な方向に傾斜垂直配向処理が施された液晶表示装置において、第１及び第２のスリット４０ａのうちの第１の領域及び第２の領域の境界近傍の部分とデータバスライン１６ａとのなす角度を、第１及び第２のスリット４０ａの他の部分とデータバスライン１６ａとのなす角度よりも大きくする。 （もっと読む）

【課題】狭額縁化が可能であり、表示特性に優れた表示装置を提供する。
【解決手段】駆動回路及び画素部を有し、駆動回路は、デュアルゲート型の薄膜トランジスタを用いて構成され、画素部はシングルゲート型の薄膜トランジスタを用いて構成される表示装置である。該表示装置おけるデュアルゲート型の薄膜トランジスタは、半導体層が微結晶半導体領域及び一対の非晶質半導体領域で形成され、ゲート絶縁層及び絶縁層が半導体層の微結晶半導体領域に接する。 （もっと読む）

【課題】電気特性及び信頼性の高い薄膜トランジスタを有する半導体装置、及び該半導体
装置を量産高く作製する方法を提案することを課題とする。
【解決手段】半導体層としてＩｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜を用い、半導体
層とソース電極層及びドレイン電極層との間に金属酸化物層でなるバッファ層が設けられ
た逆スタガ型（ボトムゲート構造）の薄膜トランジスタを含むことを要旨とする。ソース
電極層及びドレイン電極層と半導体層との間に、バッファ層として金属酸化物層を意図的
に設けることによってオーミック性のコンタクトを形成する。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、例えば各画素における光透過率を高め、明るく高品位な画像を表示する。
【解決手段】電気光学装置は、素子基板（１０）と、素子基板に設けられた画素電極（９）と、素子基板の少なくとも一部に形成された半導体素子（３０）と、前記素子基板の少なくとも一部に形成された溝（２１０ｖ）からなる光反射部（２１０）とを備え、半導体素子は、素子基板上で平面的に見て、光反射部と互いに重なるように配置されると共に、少なくとも溝の開口部を覆うように設けられた平坦化膜（２１１）上に配置される。 （もっと読む）

【課題】光ビームにより基板にパターンを描画する際、露光量を均一にして、パターンの描画を精度良く行う。
【解決手段】露光パターン解析装置８０の光量データメモリ８２は、予め、光ビーム照射装置２０から照射される光ビームの光量を、所定の面積の露光領域毎に記憶する。描画制御部７１は、光ビーム照射装置２０のＤＭＤ駆動回路２７へ描画データを供給する。露光カウンタ８５は、チャック１０と光ビーム照射装置２０との相対的な位置、及び光ビーム照射装置２０のＤＭＤ駆動回路２７へ供給される描画データから、光ビームの照射回数を所定の面積の露光領域毎に数える。演算回路８７は、予め記憶した光ビームの光量と、光ビームの照射回数とから、所定の面積の露光領域毎に露光量を算出する。露光パターン解析装置８０は、算出した露光量に基づいて、露光量を補正する。 （もっと読む）

【課題】エッチングによりソース・ドレイン電極を形成しても、有機半導体層が損傷を受けることなく、良好なオン／オフ比を示す有機半導体装置、及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板１と、前記基板上に形成されたゲート電極２と、ゲート電極２及び基板１上に形成されたゲート絶縁層３と、ゲート絶縁層３上に形成されたｐ型有機半導体層４と、有機半導体層４上に形成された保護層５と、保護層５上に形成されたソース電極８及びドレイン電極９と、を有する半導体装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】画像を具現することができ、ノートブックサイズ以下の大きさを持ち、開口率及び静電容量を高めることができる中小型液晶表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１基板１００と、前記第１基板１００の第１領域に形成される薄膜トランジスタと、前記第１基板１００の第２領域に形成されるストーリッジキャパシタとを備え、前記ストーリッジキャパシタの第１電極１６０及び第２電極１７０は、透明導電性物質で形成される。 （もっと読む）

【課題】微結晶半導体層を量産性良く作製する技術を提供する。
【解決手段】プラズマＣＶＤ装置の反応室内に、互いに向かい合って概略平行に配置された上部電極と下部電極が備えられ、上部電極は中空部が形成され、かつ、下部電極と向かい合う面に複数の孔を有するシャワー板を有し、下部電極上には基板が配置され、堆積性気体と水素を含むガスを上部電極の中空部を通ってシャワー板から反応室内に供給し、希ガスを上部電極と異なる部位から反応室内に供給し、上部電極に高周波電力を供給してプラズマを発生させ、基板上に微結晶半導体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】結晶性シリコン薄膜トランジスタのオフ電流を低減させ、表示コントラストを向上させることが可能な表示装置を提供する。
【解決手段】基板ＳＵＢ１上に形成されるゲート絶縁膜ＧＩを介してゲート電極ＧＴの上層に形成される第１の半導体層ＭＳＦと、第１の半導体層ＭＳＦの上面に形成され、凹部が形成される第２の半導体層ＡＳＦとからなる活性層と、凹部を挟んで対向配置される一対のコンタクト層ＣＮＬと、コンタクト層ＣＮＬの一方の上層に形成されるドレイン電極ＤＴと、他方の上層に形成されるソース電極ＳＴと、活性層の上面及び前記ドレイン電極ＤＴと前記ソース電極ＳＴの上面に連続して形成される保護膜ＰＡＳｉとを有する薄膜トランジスタを備え、凹部が形成されている領域の膜厚は１６０ｎｍ以上である装置。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高いＴＦＴ構造を用いた半導体装置を実現する。
【解決手段】ＴＦＴに利用する絶縁膜、例えばゲート絶縁膜、保護膜、下地膜、層間絶縁膜等として、ボロンを含む窒化酸化珪素膜（ＳｉＮ_X Ｂ_Y Ｏ_Z ）をスパッタ法で形成する。その結果、この膜の内部応力は、代表的には−５ラ１０¹⁰ｄｙｎ／ｃｍ² 〜５ラ１０
¹⁰ｄｙｎ／ｃｍ² 、好ましくは−１０¹⁰ｄｙｎ／ｃｍ² 〜１０¹⁰ｄｙｎ／ｃｍ² となり、高い熱伝導性を有するため、ＴＦＴのオン動作時に発生する熱による劣化を防ぐことが可能となった。 （もっと読む）

【課題】ＩＰＳにおける従来の技術は、工程数が多く、開口率が低いので、実用化できな
い。また、液晶層に最も近接している層に存在する配線及び電極が多く、画素表示部にお
ける個々の液晶にかかる電界が不均一であった。
【解決手段】本発明は、ゲイト線１０２、１０５とコモン線１０３、１０４を最初に同時
に形成し、層間膜形成後、画素電極１０８とコモン電極１１０、１１１とソ─ス線１０６
、１０７を同時に形成する。こうすることによって、電極パタ─ンを単純化でき、工程を
簡略化した。また、液晶層に最も近接している層に存在する配線及び電極を画素電極とコ
モン電極とソ─ス線とし、その形状を単純なものにした。 （もっと読む）

【課題】特性が向上された微結晶シリコン薄膜トランジスタと、それを備える表示装置、及び、それらの製造方法の提供。
【解決手段】微結晶シリコン薄膜トランジスタにおける微結晶シリコン半導体膜層における水素濃度を酸素濃度より大きくする。微結晶シリコン半導体膜層における酸素濃度に対する水素濃度の比は１．５倍以上が望ましい。 （もっと読む）

【課題】製造コストを低減することができ、かつ、歩留まりの高い薄膜トランジスタを提供することにある。
【解決手段】本発明の実施の形態１に係る薄膜トランジスタの製造方法は、絶縁基板１０の上に少なくともゲート電極１１、ゲート絶縁層１２、半導体層１３、ソース電極１４、ドレイン電極１５及び保護層１６を具備する薄膜トランジスタの製造方法であって、保護層１６が真空紫外光ＣＶＤ法により形成されるものであり、ゲート絶縁層１２の上の全面に保護層１６となる膜を成膜する工程と、保護層と１６なる膜をパターニングなしにエッチングしソース電極１４とドレイン電極１５の表面を露出させ保護層１６のパターンを形成する工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】画像の表示を明るくするとともに、表示品位の良好な電気光学装置及び電子機器を提供する。
【解決手段】電気光学装置は、一対の基板３２，５０と、一対の基板３２，５０間に挟持された電気光学層４６と、を有し、一方の基板３２に、トランジスター３８と、トランジスター３８に対応して設けられた反射電極４０ａと、隣り合う反射電極４０ａ間に、一対の基板３２，５０間のギャップを規定し、誘電体多層膜からなるスペーサー７２と、を備える。 （もっと読む）