【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体膜を含むトランジスタにおいて、酸化物半導体膜に接し、且つソース電極及びドレイン電極を覆う帯電防止機能を有する金属酸化膜を形成し、加熱処理を行う。この加熱工程によって、水素、水分、水酸基又は水素化物などの不純物を酸化物半導体膜より意図的に排除し、酸化物半導体膜を高純度化する。また、金属酸化膜を設けることで、トランジスタにおいて酸化物半導体膜のバックチャネル側に寄生チャネルが発生するのを防止する。 （もっと読む）

【課題】表示品質を向上させることができる液晶装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１基板１２上に配線（３４，５３）を形成する配線形成工程と、配線の上層に第１絶縁層６１を形成する第１絶縁層形成工程と、第１絶縁層６１に開口と開口の周縁に傾斜部とを有する凹部を形成する凹部形成工程と、第１絶縁層６１上に反射機能を有する導電膜を形成する導電膜形成工程と、導電膜における傾斜部と平面的に重なる領域を除去し画素電極２７を形成する画素電極形成工程と、画素電極２７及び第１絶縁層６１上に第２絶縁層６２を形成する第２絶縁層形成工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体膜を含むトランジスタにおいて、酸化物半導体膜に接し、且つソース電極及びドレイン電極を覆う帯電を防止するための金属酸化膜を形成し、該金属酸化膜を通過して酸素を導入（添加）し、加熱処理を行う。この酸素導入及び加熱工程によって、水素、水分、水酸基又は水素化物などの不純物を酸化物半導体膜より意図的に排除し、酸化物半導体膜を高純度化する。また、金属酸化膜を設けることで、トランジスタにおいて酸化物半導体膜のバックチャネル側に寄生チャネルが発生するのを防止する。 （もっと読む）

【課題】金属原子が内部に拡散、侵入せず、かつ、結晶化方位や粒径を制御することのできる結晶化シリコン層の製造方法、かかる方法を利用した半導体装置の製造方法、電気光学装置の製造方法、半導体装置、電気光学装置および投射型表示装置を提供すること。
【解決手段】結晶化シリコン層を形成するにあたって、基板本体１０ｄ上に金属触媒層８および第１非結晶シリコン層４ｘを形成した後、熱処理を行ない、第１非結晶シリコン層４ｘと金属触媒層８との間での相互拡散により、第１非結晶シリコン層４ｘと金属触媒層８とを入れ替える。その際、第１非結晶シリコン層４ｘは、多結晶シリコン層４ｙに変化する。金属触媒層８を除去した後、開口部１５ａを備えた絶縁層１５、および第２非結晶シリコン層１ｘを形成した状態で熱処理を行ない、第２非結晶シリコン層１ｘを、開口部１５ａの底部で多結晶シリコン層４ｙと接している部分を起点にして結晶化させる。 （もっと読む）

【課題】金属触媒を利用して、結晶粒径が大きな結晶化シリコン層の製造方法、かかる方法を利用した半導体装置の製造方法、電気光学装置の製造方法、電気光学装置および投射型表示装置を提供すること。
【解決手段】結晶化シリコン層を形成するにあたって、基板本体１０ｄ上に第１多結晶シリコン層１ｘを形成した後、第１多結晶シリコン層１ｘ上に金属触媒層８を形成し、金属触媒層８上に非結晶シリコン層４ｘを形成する。そして、熱処理を行い、非結晶シリコン層４ｘと金属触媒層８とを相互拡散させ、非結晶シリコン層４ｘと金属触媒層８とを入れ替える。非結晶シリコン層４ｘは、第２多結晶シリコン層４ｙに変化する。かかる第２多結晶シリコン層４ｙでは、結晶粒径が大きい。従って、金属触媒層８を除去した後、熱処理を行なえば、第１多結晶シリコン層１ｘと第２多結晶シリコン層４ｙとが接している部分を起点に第１多結晶シリコン層１ｘが再結晶化する。 （もっと読む）

【課題】電子ペーパー等の表示装置に適用した場合に、その消費電力を小さくでき、歩留まりを向上させることができるアクティブマトリクス型駆動基板及びその製造方法等を提供する。
【解決手段】第１絶縁膜２を表面に有する導電基材１上に設けられた薄膜トランジスタ１０及び保持容量２０と、薄膜トランジスタ１０及び保持容量２０を第２絶縁膜１６，１７を介して覆う画素電極３０を有し、保持容量２０が第１電極２１と誘電体膜２２と薄膜トランジスタ１０のソース・ドレイン電極１４，１５に接続する第２電極２３との積層体であるアクティブマトリクス型駆動基板５０であって、導電基材１と第１電極２１とが第１絶縁膜２の開口部４で接続されているように構成する。第２絶縁膜（１６，１７）が少なくとも層間絶縁膜１７を有し、導電基材１が金属基材であり、第１絶縁膜２が金属基材１の表面粗さを低減する平坦化膜であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】フォトセンサにおいて、トランジスタのオフ電流を低減することで、低消費電力化を図ることを目的の一とする。
【解決手段】フォトダイオード、第１のトランジスタ、及び第２のトランジスタを有するフォトセンサと、読み出し制御トランジスタを有する読み出し制御回路と、を有する。フォトダイオードは、入射光に応じた電荷を第１のトランジスタのゲートに供給する機能を有する。第１のトランジスタは、ゲートに供給された電荷を蓄積する機能と、蓄積された電荷を出力信号に変換する機能とを有する。第２のトランジスタは、出力信号の読み出しを制御する機能を有する。読み出し制御トランジスタは、出力信号を電圧値の信号に変換する抵抗素子としての機能を有し、第１のトランジスタ、第２のトランジスタ、及び読み出し制御トランジスタの半導体層は、酸化物半導体を用いて形成されている。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタの特性を改善し、しかも工程を単純化できる薄膜トランジスタ及びその製造方法並びにそれを含む表示装置を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタは、ゲート電極と、前記ゲート電極と重畳し、第１金属酸化物を含む半導体と、前記ゲート電極と前記半導体との間に位置して、第２金属酸化物を含むゲート絶縁膜と、前記半導体と電気的に接続されるソース電極及びドレイン電極とを有し、前記第１金属酸化物及び前記第２金属酸化物は、一つ以上の金属を共通して含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】透明膜を露光する際に、下地となる電極配線や露光ステージの溝等の存在により露光の光が局所的に強度が変動する反射光となってレジストを露光するため、高精細なパターニングができない。
【解決手段】透明膜上に遮光膜を形成する工程と、前記遮光膜上にレジスト層を塗布し、露光を行なってレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクとして、前記遮光膜を除去する工程と、前記レジストパターンをマスクとして遮光膜を除去した後、透明膜を除去する工程と、前記レジストパターンを除去する工程と、前記レジストパターン除去後に、透明膜上の遮光膜を除去する工程を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】相対的に大面積化した表示装置に効果的に用いることができる薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ、及びこれを備えた表示装置、並びにその製造方法において、本発明の実施形態に係る薄膜トランジスタは、基板上に形成されたアクティブ層と、前記アクティブ層の一部領域の上に形成されたゲート絶縁膜パターンと、前記ゲート絶縁膜パターンの一部領域の上に形成されたゲート電極と、前記ゲート絶縁膜パターン及び前記ゲート電極を覆うエッチング防止膜パターンと、前記アクティブ層及び前記エッチング防止膜パターンの上に形成されたソース部材及びドレイン部材とを含む。 （もっと読む）

【課題】プロセスウィンドウが広く、特性安定性が高い電界効果型トランジスタを提供する。
【解決手段】ゲート電圧を印加するためのゲート電極と；電流を取り出すためのソース電極及びドレイン電極と；前記ソース電極及びドレイン電極に隣接して設けられ、ｎ型酸化物半導体からなる活性層と；前記ゲート電極と前記活性層との間に設けられたゲート絶縁層と；を備える電界効果型トランジスタであって、前記酸化物半導体が、３価、４価、５価および６価の少なくとも１つのカチオンを導入することによりｎ型ドーピングされた結晶組成化合物であることを特徴とする電界効果型トランジスタを提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】誤整列を少なくすることができると共に開口率を確保することができる液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板は、絶縁基板の上に形成されているデータ配線と、画素に形成されている赤、緑、青のカラーフィルターと、データ配線及びカラーフィルターを覆う絶縁膜と、データ線と交差して画素を定義するゲート線及びゲート線に連結されたゲート電極を含むゲート配線と、ゲート配線を覆っており絶縁膜と共にデータ線の一部を露出させる第１接触孔を有するゲート絶縁膜と、ゲート電極のゲート絶縁膜の上部に形成されている半導体層パターンと、第１接触孔を通じてデータ線と連結されているソース用電極とゲート電極を中心にしてソース用電極と分離されて対向するドレーン用電極とドレーン用電極と連結されており画素に形成されている画素電極とを含む画素配線を含む。 （もっと読む）

【課題】ソース・ドレイン電極と半導体膜とのコンタクト不良を抑制することが可能な半導体装置等を提供する。
【解決手段】両端部３０ｓ、３０ｄの膜厚が平坦部３０ｃの膜厚よりも厚い半導体膜３０を形成する。ゲート絶縁膜４０は、両端部３０ｓ、３０ｄが露出されるように形成される。両端部３０ｓ、３０ｄには、ソース・ドレイン電極５０ｓ、５０ｄとソース・ドレイン領域とを接続する中間電極５０ｓ、５０ｄが形成され、この中間電極５０ｓ、５０ｄまで開口するコンタクトホールが形成される。 （もっと読む）

【課題】 画素電極とデータ線との間で発生する寄生容量が均一な薄膜トランジスタ表示板及びこれを含む液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 液晶表示装置は、ゲート電極を有するゲート線、画素電極と重畳して維持容量を形成する維持電極、ゲート線上に形成されているゲート絶縁膜、ゲート絶縁膜上に形成されている半導体層、半導体層上に形成されゲート線と直交するデータ線、ゲート電極上でソース電極とそれぞれ対向しているドレイン電極、半導体層を覆い有機絶縁物質からなる保護膜、ドレイン電極と電気的に接続されている画素電極及び二重に形成されたデータ線を覆い、隣接するそれぞれの画素電極が二重に形成された一側のデータラインをそれぞれ完全に覆って、画素電極とデータ線間の寄生容量の差が工程の各層間の誤整列によって影響を受けないように形成する薄膜トランジスタ基板と、画素電極と対向して液晶容量を形成する対向電極が形成されている基板を有する液晶表示装置である。 （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁層内に拡散する汚染元素によってトランジスタ特性が低下するのを防止した薄膜トランジスタを有する表示装置、および、その製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板１０１の上側に積層された半導体層１０４と、半導体層１０４の上側に積層されるゲート電極１０６と半導体層１０４とゲート電極１０６との間に積層されるゲート絶縁層１０５と、ソース電極１１２およびドレイン電極１１１と、を含む薄膜トランジスタを有する表示装置であって、ソース電極１１２およびドレイン電極１１１の少なくとも一方は、ゲート絶縁層１０５の上側に形成されて、ゲート絶縁層１０５に形成されるコンタクトホール１０９を介して半導体層に接続され、コンタクトホール１０９の側壁には、窒素化合物を含む側壁膜１１０が形成される、ことを特徴とする表示装置。 （もっと読む）

【課題】工程中に酸化物半導体パターンの劣化が発生することを防止することができる薄膜トランジスタ基板およびそれの製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ基板は、絶縁基板１０、前記絶縁基板１０上に形成されたゲート電極２４およびゲート絶縁膜３０、前記ゲート絶縁膜３０上に配置された酸化物半導体パターン４２、前記酸化物半導体パターン４２上に形成されたエッチング防止パターン５２、前記エッチング防止パターン５２上に形成されたソース電極６５およびドレーン電極６６を含み、前記エッチング防止パターン５２のすべての側面は前記酸化物半導体パターン４２の側面の内側に位置する。 （もっと読む）

【課題】長時間の成膜や研磨を行なわなくても、凹部の上層側を平坦化することのできる液晶装置、該液晶装置の製造方法、および当該液晶装置を備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】液晶装置１００の素子基板１０において、シリコン酸化膜からなる絶縁膜１６０によって絶縁膜１６０の下層側に形成された凹部５ａを埋めて平坦化するにあたって、まず、成膜工程では、絶縁膜１６０をＣＶＤ法により成膜中に凹部５ａと重なる領域に発生する空洞１６０ｖが絶縁膜１６０によって密閉されるまで絶縁膜１６０を成膜する。次に、研磨工程では、空洞１６０ｖが絶縁膜１６０の表面で露出しない範囲で絶縁膜１６０の表面を研磨する。 （もっと読む）

【課題】有機膜が剥離することに起因して、電極が腐食するのを抑制することが可能な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】この液晶表示装置１００は、基板１と、基板１の表面上に形成される薄膜トランジスタ１６と、薄膜トランジスタ１６の表面を覆うように形成される平坦化膜１７と、平坦化膜１７の側端面の下端部１７ｂと平坦化膜１７が設けられるゲート絶縁膜１２の上面との境界領域を少なくとも覆うように設けられる導電層１９と、導電層１９の基板１の端部側の端部とゲート絶縁膜１２の上面との境界領域を少なくとも覆うように設けられる低温パッシベーション膜２０ａとを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体層の水素終端処理をする際に、銅が用いられたドレイン電極及びソース電極が基板上に露出する場合であっても、ドレイン電極及びソース電極の剥離が生じにくい表示装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】複数の薄膜トランジスタが配列された基板を有する表示装置の製造方法において、薄膜トランジスタの半導体層上の一部に、単層もしくは複数の導電層を含むソース電極及びドレイン電極を形成する電極形成工程と、ソース電極及びドレイン電極が基板上に露出している状態で、半導体層に水素終端処理をする水素終端工程と、を含み、電極形成工程は、ネオンを含む不活性ガスを導入することにより基板上に銅を付着させる工程を含む、ことを特徴とする表示装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】比誘電率が高くリーク電流の少ない絶縁膜を提供する。
【解決手段】基板と、前記基板上に形成されたソース電極、ドレイン電極、及びゲート電極と、前記ゲート電極に所定の電圧を印加することによりソース電極とドレイン電極との間にチャネルが形成される半導体層を有し、前記ゲート電極と前記半導体層の間にゲート絶縁層と、を備え、前記ゲート絶縁層は、アルカリ土類金属の中から選ばれた１または２種類以上の元素と、Ｇａ、Ｓｃ、Ｙ、及びＣｅを除くランタノイドの中から選ばれた１または２種類以上の元素とを含むアモルファス複合金属酸化物絶縁膜により形成されていることを特徴とする電界効果型トランジスタを提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）