【課題】ボトムコンタクト構造で、かつセルフアラインのＴＡＯＳ ＴＦＴ、このＴＡＯＳ ＴＦＴを用いた表示装置用電極基板およびそれらの製造方法を得る。
【解決手段】ガラス基板１１上に形成されたゲート電極１２と、ゲート電極１２上に形成されたゲート絶縁膜１３と、ゲート絶縁膜１３上に、ゲート電極１２と重ならないように形成されたソース電極１４およびドレイン電極１５と、ゲート電極１２、ソース電極１４およびドレイン電極１５上に、ゲート電極１２を跨いでソース電極１４とドレイン電極１５とを繋ぐように形成された第１、第２ＴＡＯＳ層１６、１７と、第１、第２ＴＡＯＳ層１６、１７上に、ゲート電極１２をマスクとしたガラス基板１１側からの露光により形成された島状絶縁膜１８とを備え、第１、第２ＴＡＯＳ層１６、１７の島状絶縁膜１８と重ならない領域の抵抗値は、島状絶縁膜１８と重なる領域の抵抗値よりも低くなっている。 （もっと読む）

【課題】熱応力に起因するヒロック等の欠陥が画素電極の表面に発生することを防止することができる電気光学装置、および該電気光学装置を用いた投射型表示装置提供する。
【解決手段】電気光学装置１００の素子基板１０において、ノンドープシリコン酸化膜からなる第３層間絶縁膜４４と、アルミニウム膜等からなる画素電極９ａとの間にはドープトシリコン酸化膜からなる応力緩和膜４６が形成されている。応力緩和膜４６は、ドープトシリコン酸化膜からなり、第３層間絶縁膜４４と異なる熱膨張係数をもって第３層間絶縁膜４４に接するとともに、画素電極９ａと異なる熱膨張係数をもって画素電極９ａに接している。また、各層の熱膨張係数は以下の関係第３層間絶縁膜４４＜応力緩和膜４６＜画素電極９ａにある。このため、応力緩和膜４６は、第３層間絶縁膜４４と画素電極９ａとの間において熱膨張係数の差を緩和する。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタの電流駆動能力を増大するとともに負荷である配線容量を低減することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】 絶縁基板と、前記絶縁基板上に形成されたゲート電極及び第１信号配線と、前記ゲート電極及び前記第１信号配線を覆う第１絶縁膜と、前記ゲート電極の直上の位置を含む前記第１絶縁膜上に形成された酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層の一部を覆うとともにその領域を挟んだ両側で前記酸化物半導体層を露出し、且つ、前記第１信号配線の直上の位置を含む前記第１絶縁膜上に形成された第２絶縁膜と、前記第２絶縁膜から露出した前記酸化物半導体層にそれぞれ電気的に接続されたソース電極及びドレイン電極と、前記第２絶縁膜上に形成されるとともに前記第１信号配線と交差する第２信号配線と、を備えたことを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】表示ムラ、コントラスト等の画像表示品質の面で優れ、さらに高速駆動が可能な電気光学装置を提供する。
【解決手段】第２導電膜４００上に積層され、開口領域に第２のコンタクトホール８６が形成された第２絶縁層４４と、第２のコンタクトホール８６を介して延在部に電気的に接続され、少なくとも前記一方の画素の開口領域に形成された画素電極９ａと、を少なくとも備え、第２のコンタクトホール８６の内部は、画素電極９ａよりも比抵抗が低い透明導電性材料によって充填されていることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で配線間の静電破壊を防ぐこと。
【解決手段】表示装置は、絶縁基板と、前記絶縁基板の上に第１の信号線と第２の信号線とが形成された第１の導電層と、前記第１の導電層の上層に設けられた絶縁層と、前記絶縁層の上層に設けられ、前記第１の信号線および第２の信号線と平面的に重なる半導体膜が形成された半導体層と、を含む。 （もっと読む）

【課題】電気特性及び信頼性の高い薄膜トランジスタを有する半導体装置、及び該半導体
装置を量産高く作製する方法を提案することを課題とする。
【解決手段】半導体層としてＩｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜を用い、半導体
層とソース電極層及びドレイン電極層との間に金属酸化物層でなるバッファ層が設けられ
た逆スタガ型（ボトムゲート構造）の薄膜トランジスタを含むことを要旨とする。ソース
電極層及びドレイン電極層と半導体層との間に、バッファ層として金属酸化物層を意図的
に設けることによってオーミック性のコンタクトを形成する。 （もっと読む）

【課題】画素電極表面でのヒロックの発生を防止することのできる電気光学装置、該電気光学装置を用いた投射型表示装置、および当該電気光学装置の製造方法を提供すること。
【課題手段】電気光学装置１００の素子基板１０においては、画素電極９ａを形成するための反射性導電膜と、絶縁保護膜１７を形成するためのシリコン酸化膜をこの順に成膜した後、反射性導電膜およびシリコン酸化膜を同時にパターニングして反射性の画素電極９ａと絶縁保護膜１７とを同一工程でパターニングし、しかる後に、絶縁保護膜１７の上層側にシリコン酸化膜からなる平坦化絶縁膜１８を形成する。従って、絶縁保護膜１７は、画素電極９ａと同一パターン形状をもって画素電極９ａに重なっている。 （もっと読む）

【課題】横電界方式の液晶表示装置であって、室外においても鮮明な表示を可能とする携帯電子機器用モニターを提供することを課題とする。
【解決手段】横電界方式の液晶表示装置において、反射電極を設ける。反射電極を設けることにより、室外において、効率よく自然光を反射することができ、鮮明な表示を提供することができる。さらに反射電極に凹凸を設けると、反射率を高めることができる。このような室外においても鮮明な表示を可能とする横電界方式の液晶表示装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】画素電極表面でのヒロックの発生や、平坦化絶縁膜において凹部を埋める部分での空洞の発生を防止することのできる電気光学装置、該電気光学装置を用いた投射型表示装置、および当該電気光学装置の製造方法を提供すること。
【課題手段】電気光学装置１００の素子基板１０において、反射性の画素電極９ａの上層側に設けられた平坦化絶縁膜１７は、画素電極９ａ上に積層された層がドープトシリコン酸化膜１７０からなる。ドープトシリコン酸化膜１７０の熱膨張係数は、画素電極９ａを構成するアルミニウム膜の熱膨張係数との差が小さい。このため、加熱した状態で平坦化絶縁膜１７を成膜しても、画素電極９ａおよび平坦化絶縁膜１７に大きな熱応力が発生しないので、画素電極９ａの表面にヒロック等の欠陥が発生しにくい。また、ドープトシリコン酸化膜１７０は、段差被覆性に優れている。 （もっと読む）

【課題】トランジスタのしきい値電圧の変動を抑制し、表示パネルに実装するドライバＩＣの接点数を削減し、表示装置の低消費電力化を達成し、表示装置の大型化又は高精細化を達成することを目的とする。
【解決手段】劣化しやすいトランジスタのゲート電極を、第１のスイッチングトランジスタを介して高電位が供給される配線、及び第２のスイッチングトランジスタを介して低電位が供給される配線に接続し、第１のスイッチングトランジスタのゲート電極にクロック信号を入力し、第２のスイッチングトランジスタのゲート電極に反転クロック信号を入力することで、劣化しやすいトランジスタのゲート電極に高電位、又は低電位を交互に供給する。 （もっと読む）

【課題】透明導電膜上層に形成される絶縁膜の膜浮きの発生を防止或いは抑制し、歩留り或いは信頼性を向上することの可能な薄膜トランジスタアレイ基板、及び液晶表示装置を得る。
【解決手段】この発明のＴＦＴアレイ基板１００においては、ＴＦＴ５１と、ソース電極５３及びドレイン電極５４、並びにソース電極５３及びドレイン電極５４と同一材料により同層に形成される金属パターン５の何れかに直接重なり形成される透明導電膜パターン６と、透明導電膜パターン６上を含むゲート絶縁膜８上を覆う上層絶縁膜９を備え、少なくとも額縁領域４２に形成される透明導電膜パターン６は、ソース電極５３、ドレイン電極５４或いは金属パターン５のパターン端面を覆うことなく形成される。 （もっと読む）

【課題】ギャップ保持部材が限られた画素領域内に均一性よく配置され、機械的信頼性に優れた液晶表示装置を提供する。
【解決手段】対向する二つの基板の間に、複数の柱状のギャップ保持部材と、液晶と、を備えるアクティブマトリクス型の液晶表示装置において、複数の薄膜トランジスタを構成する配線の少なくともいずれか一は、複数の薄膜トランジスタのいずれかの電極に接続される複数の非拡張部と、複数の非拡張部と同じ線幅である第１の領域と、該第１の領域に接する第２の領域と、からなる複数の拡張部と、を有し、複数の柱状のギャップ保持部材の一方は該第２の基板に設けられた形成物に接し、複数の柱状のギャップ保持部材の他方は第１の基板に設けられた形成物に接し、複数の柱状のギャップ保持部材は複数の拡張部と重畳させる。 （もっと読む）

【課題】構造及び製造工程を簡素化しながら、開口率を向上させた、ディスプレイ装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の実施形態に係るディスプレイ装置１０１は、基板１１１、前記基板１１１上に形成された前記第１透明導電膜１３０１及び前記第１透明導電膜１３０１上に形成された第１金属膜１３０２を含む多重膜構造と前記第１透明導電膜１３０１で形成された単一膜構造とを含むゲート配線、前記ゲート配線の一部の領域上に形成された半導体層１５３、そして前記半導体層上に形成された第２透明導電膜１７０１及び前記第２透明導電膜１７０１上に形成された第２金属膜１７０２を含む多重膜構造と前記第２透明導電膜１７０１で形成された単一膜構造とを含むデータ配線を含む。 （もっと読む）

【課題】電気特性及び信頼性の高い薄膜トランジスタを有する半導体装置を提案することを課題とする。
【解決手段】基板上に形成されたゲート電極と、ゲート電極上に形成された酸素過剰のＳｉＯ_Ｘ膜と、ＳｉＯ_Ｘ膜上に形成された酸化物半導体膜と、を有する半導体装置。 （もっと読む）

【課題】半導体層の損傷を防止しつつ製造工程を単純化できる構造を有する表示装置を提供する。
【解決手段】基板１１１と、基板上に形成されたゲート電極１３３及び第１キャパシタ電極１３８を含むゲート配線と、ゲート配線上に形成されたゲート絶縁膜１４０と、ゲート絶縁膜上に形成され、ゲート電極と少なくとも一部が重なるアクティブ領域１５３と、第１キャパシタ電極と少なくとも一部が重なるキャパシタ領域１５８とを含む半導体層パターンと、半導体層パターンのアクティブ領域の一部上に形成されたエッチング防止膜１６５と、エッチング防止膜の上から半導体層のアクティブ領域の上にわたって形成され、エッチング防止膜を介在して互いに離隔したソース電極１７５及びドレイン電極１７７と、半導体層のキャパシタ領域の上に形成された第２キャパシタ電極１７８とを含むデータ配線と、を含む。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタ基板およびこれの製造方法を開示する。
【解決手段】本発明の薄膜トランジスタ基板は、基板上に形成されたゲート電極、前記ゲート電極上に前記ゲート電極と重なるように形成され、多結晶シリコンを含むアクティブ層、前記アクティブ層上に前記ゲート電極を中心に両側に分離して形成された第１オーミックコンタクト層、前記第１オーミックコンタクト層上に形成された第２オーミックコンタクト層および前記第２オーミックコンタクト層上に形成されたソース電極およびドレーン電極を含む。 （もっと読む）

【課題】画素部や信号線駆動回路が形成された基板と、ドライバＩＣとの接続配線数を低減させる。
【解決手段】信号線駆動回路は第１乃至第３のトランジスタを有し、第１乃至第３のトランジスタは第１乃至第３の信号線と電気的に接続している。第１乃至第３の信号線は画素部へ延びている。第１乃至第３のトランジスタは共通して、ドライバＩＣの第１端子と電気的に接続している。このような構成により、接続配線数を１／３に低減することができる。 （もっと読む）

【課題】イオン性不純物を周辺電極近傍に確実に引き寄せて、周辺電極近傍に滞留させておくことにより、イオン性不純物に起因する表示品位の低下を確実に防止することができる液晶装置、および当該液晶装置を備えた投射型表示装置を提供すること。
【解決手段】液晶装置１００の第１基板１０において、画素領域１０ａとシール材１０７とに挟まれた周辺領域１０ｂには第１周辺電極９ｓおよび第２周辺電極９ｔが設けられ、第１周辺電極９ｓ、第２周辺電極９ｔ、および対向基板の共通電極に印加される電位の高低は、以下の条件
第２周辺電極９ｔ＜共通電極＜第１周辺電極９ｓ
を満たしている。このため、第１周辺電極９ｓと共通電極との間、第２周辺電極９ｔと共通電極との間、および第１周辺電極９ｓと第２周辺電極９ｔとの間に電界が形成される。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を作製する。
【解決手段】酸化物半導体用ターゲットに含まれる複数種の原子の原子量の違いを利用し、原子量の小さい亜鉛を優先的に酸化物絶縁膜に堆積させ、亜鉛を含む種結晶を形成すると共に、種結晶上に原子量の大きいスズ、インジウム等を結晶成長させつつ堆積させることで、複数の工程を経ずとも、結晶性酸化物半導体膜を形成することを要旨とする。さらには、種結晶として、六方晶構造の亜鉛を含む結晶を有する種結晶を核として、結晶成長させて結晶性酸化物半導体膜を形成することで、単結晶、または実質的に単結晶である結晶性酸化物半導体膜を形成することを要旨とする。 （もっと読む）

【課題】基板とＦＰＣとの貼り合わせにおいて、接続端子の電極（パッド）の線幅方向に位置ずれが生じると、ＦＰＣ端子と接続端子との接続面積が小さくなり、接触抵抗が大きくなってしまう。とくに、電源の電源電位が入力されている接続端子での接触抵抗の増加は表示不良の原因となる。そこで、電源供給ラインの抵抗を小さくし、電源供給ラインでの電圧降下を抑制し、表示不良を防止することを課題とする。
【解決手段】接続端子部には、複数の接続端子を有し、該複数の接続端子は、それぞれ接続端子の一部を成す接続パッドを備え、該複数の接続パッドには、第１の接続パッドと、該第１の接続パッドと線幅の異なる第２の接続パッドが含まれ、複数の接続パッドのピッチは等しくする。 （もっと読む）