【課題】基板とＦＰＣとの貼り合わせにおいて、接続端子の電極（パッド）の線幅方向に位置ずれが生じると、ＦＰＣ端子と接続端子との接続面積が小さくなり、接触抵抗が大きくなってしまう。とくに、電源の電源電位が入力されている接続端子での接触抵抗の増加は表示不良の原因となる。そこで、電源供給ラインの抵抗を小さくし、電源供給ラインでの電圧降下を抑制し、表示不良を防止することを課題とする。
【解決手段】接続端子部には、複数の接続端子を有し、該複数の接続端子は、それぞれ接続端子の一部を成す接続パッドを備え、該複数の接続パッドには、第１の接続パッドと、該第１の接続パッドと線幅の異なる第２の接続パッドが含まれ、複数の接続パッドのピッチは等しくする。 （もっと読む）

【課題】層数を減らしたＩＰＳ方式の液晶表示装置において、ゲート電圧のＯＮ、ＯＦＦ動作に起因する画素電極電位の変動を抑える。
【解決手段】ガラスで形成されたＴＦＴ基板１００の上に画素電極１０１が形成されている。画素電極１０１を覆ってゲート絶縁膜１０３が形成され、その上に無機パッシベーション膜１０９が形成され、その上にコモン電極１１１が形成されている。コモン電極１１１に形成されたスリット部１１２における電気力線によって液晶分子２００を駆動する。画素電極１０１とゲート絶縁膜１０３との間にコモン電極１１１と接続した容量電極１０８を形成し、画素電極１０１との間に付加容量１５０を形成する。この付加容量１５０によって、ゲート電圧の変動に起因する画素電極電位の変動を抑えることが出来る。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ＳＯＩにおいて適したゲッタリング方法を適用して得られる半導体装置を提供する。
【解決手段】埋め込み酸化膜と、埋め込み酸化膜上に表面シリコン層を有するＳＯＩ構造を有する半導体装置において、埋め込み酸化膜上に、表面シリコン層を活性層として有するトランジスタと、素子分離絶縁膜を有し、素子分離絶縁膜上に容量が形成されており、素子分離絶縁膜に希ガス元素又は金属元素が含まれていることを特徴とする半導体装置とする。 （もっと読む）

【課題】焼付率を低減可能な構造の液晶表示装置を提供する。
【解決手段】透明絶縁基板１１，２１の間に液晶３０が封入され、透明絶縁基板２１の液晶３０に対向する面に形成された画素電極２５Ａ及びコモン電極２３Ａを有する液晶表示パネルにおいて、画素電極２５Ａとコモン電極２３Ａとが第２絶縁膜２４Ａを介して重なり合う部分を有し、第１絶縁膜２６Ａは、上記画素電極２５Ａ上と上記コモン電極２３Ａ上とで厚みが実質的に同一である。 （もっと読む）

【課題】層数を減らしたＩＰＳ方式の液晶表示装置において、映像信号線、ドレイン電極、ソース電極の断線を防止し、製造歩留まりを向上させるとともに、信頼性を向上させる。
【解決手段】ＴＦＴ基板１００の上にゲート電極１０１が形成され、これを覆ってゲート絶縁膜１０２が形成され、その上に半導体層１０３が形成されている。半導体層１０３にはドレイン電極１０４とソース電極１０５が配置されている。ゲート絶縁膜１０２の上には平面形状の画素電極１０６が形成されている。画素電極１０６はドレイン電極１０４、ソース電極１０５、映像信号線等よりも先に形成され、その後、ソース電極１０５等を形成する。これによって、ＩＴＯをパターニングするときに、ＩＴＯにピンホール等が存在する場合に現像液を介した電池作用によって、映像信号線、ドレイン電極１０４、ソース電極１０５等が侵されて断線を引き起こすことを防止することが出来る。 （もっと読む）

【課題】簡単な工程で絶縁膜、半導体膜、導電膜等の膜パターンを有する基板を作製する方法、さらには、低コストで、スループットや歩留まりの高い半導体装置の作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上に形成された絶縁膜、半導体膜又は導電膜上に接して第１の膜を形成する工程と、第１の膜上に第１のマスク材料を含有する溶液を吐出して第１の膜上に第１のマスクを形成する工程と、第１のマスクを用いて第１の膜をパターニングして絶縁膜、半導体膜又は導電膜表面上に塗れ性の低い領域と塗れ性の高い領域を形成する工程と、第１のマスクを除去する工程と、塗れ性の低い領域に挟まれた塗れ性の高い領域に、第２のマスク材料を含有する溶液を吐出して第２のマスクを形成する工程と、第２のマスクを用いて、パターニングされた第１の膜をエッチングするとともに絶縁膜、半導体膜又は導電膜をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】結晶化された半導体層内に残存する金属触媒の含有量を効果的に減少させた薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ、その製造方法、及びこれを備えた表示装置において、本発明の実施形態に係る薄膜トランジスタは、基板と、前記基板上に位置し、金属触媒を利用して結晶化された半導体層と、前記半導体層の上に絶縁配置されたゲート電極と、前記半導体層と前記ゲート電極との間に配置され、前記半導体層内で前記金属触媒より拡散係数が低い酸化金属で形成されたゲッター層とを含む。 （もっと読む）

【課題】同一の層間膜上に画素電極と、ゲート配線を形成した半導体装置において、マスク枚数を追加することなく、液晶の焼きつきや特性劣化を低減する。
【解決手段】ゲート配線上に絶縁膜を設けることで、ゲート配線が非選択の期間に液晶にかかるゲート電圧の絶対値を減少させることができる。絶縁膜は遮光性樹脂膜、柱状スペーサーで形成すると、マスク枚数の増加を抑えることができる。また、絶縁膜上に画素電極を形成し、ゲート配線と画素電極が重なり合うようにすることで、画素電極の電界遮蔽効果によって、液晶にかかるゲート電圧を減少させることができる。 （もっと読む）

【課題】画質の低下を防ぐことができる液晶表示装置及びその駆動方法の提案を課題の一つとする。或いは、消費電力の低減を実現することができる液晶表示装置及びその駆動方法の提案を課題の一つとする。
【解決手段】第１の領域及び第２の領域を少なくとも有する画素部と、複数の光源とを有し、第１の領域及び第２の領域は、画像信号の電圧に従って透過率が制御される液晶素子と、電圧の保持を制御するオフ電流の著しく低いトランジスタとをそれぞれ有し、複数の光源は、第１の領域に異なる色相を有する複数の光を第１の輪番に従い順次供給すると共に、第２の領域に異なる色相を有する複数の光を第１の輪番とは異なる第２の輪番に従い順次供給する第１の駆動、或いは第１の領域及び第２の領域のいずれか一つまたは両方に単一の色相を有する光を連続して供給する第２の駆動を行い、電圧の保持を行う期間が、第１の駆動と第２の駆動とで異なる液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】遮光層の端部で回折した光が半導体層に照射されＴＦＴ特性の変動を引き起こしているため、この光の照射を防止する事により、高い表示品質をもつ液晶表示装置を提供する。
【解決手段】第３の遮光層１０８の端部で回折した光１１７を完全に遮光するため、半導体層１０３をゲート電極１０４と第２の遮光部１０６とで覆うことによって、回折した光の照射を防止し、ＴＦＴ特性の変動を回避でき、良好な表示画像を得る事ができる。 （もっと読む）

【課題】駆動電圧を低減させ、より高コントラスト化を可能とするブルー相を示す液晶材料を用いた液晶表示装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】ブルー相を示す液晶層を含む液晶表示装置において、第１の電極層（画素電極層）上に第１の壁状構造体、同様に第２の電極層（共通電極層）上に第２の壁状構造体を設け、これらを誘電体膜で被覆する構成とする。誘電体膜は、第１の壁状構造体及び第２の壁状構造体及び液晶層に用いられる液晶材料の誘電率より高い誘電率を有する絶縁体であり、液晶層に突出するように設けられる。 （もっと読む）

【課題】高精度にカラーフィルタと位置合わせすることができる反射型カラー画像表示装置の製造方法と、この製造方法を実施する際に用いて好適な画素電極基板とを提供する。
【解決手段】画素電極基板２が背面側に重ね合わされた画像表示体１の前面側にカラーフィルタ基板３を重ね合わせて構成される反射型カラー画像表示装置の製造方法であって、画素電極基板２として、通電により画像表示体１に位置合わせマークを表示させるための位置合わせマーク表示用電極２３を基材２１上に１又は複数設けた画素電極基板２を用い、画素電極基板２を重ね合わせた画素電極基板２の位置合わせマーク表示用電極２３に通電し、画像表示体１に位置合わせマークを表示させた状態で、表示させた位置合わせマークとカラーフィルタ基板３に予め設けられた位置合わせマーク３３とを用いて位置合わせしつつ、カラーフィルタ基板３を画像表示体１に重ね合わせて貼り合わせる。 （もっと読む）

【課題】反射型ゲストホスト液晶表示装置において、使用者の目に優しい紙面に近い表示が実現できることを課題の一とする。より視認性の良好で高画質な液晶表示装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】画素電極層（第１の電極層ともいう）である反射膜が設けられた第１の基板と、共通電極層（第２の電極層ともいう）が設けられた第２の基板とでゲストホスト液晶層を挟持する液晶表示装置において、画素電極層である反射膜が液晶層に突出し、ミクロンサイズの第１の凹凸、及び第１の凹凸上にナノサイズの第２の凹凸を形成して配置される。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化することを目的の一とする。
【解決手段】ゲート電極を形成し、ゲート電極上に第１の絶縁膜を形成し、第１の絶縁膜にハロゲンドープ処理を行って、第１の絶縁膜にハロゲン原子を供給し、第１の絶縁膜上に、ゲート電極と重畳して酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜に熱処理を行って、酸化物半導体膜中の水素原子を除去し、水素原子が除去された酸化物半導体膜に酸素ドープ処理を行って、酸化物半導体膜中に酸素原子を供給し、酸素原子が供給された酸化物半導体膜に熱処理を行い、酸化物半導体膜上に接して、ソース電極およびドレイン電極を形成し、第２の絶縁膜を形成する半導体装置の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】導電膜を有する半導体装置は、導電膜の内部応力の影響を受ける。内部応力について検討する。
【解決手段】絶縁表面上に設けられたｎチャネル型ＴＦＴを有する半導体装置は、半導体膜が引っ張り応力を受けるように、導電膜、例えばゲート電極に不純物元素が導入され、絶縁表面上に設けられたｐチャネル型ＴＦＴを有する半導体装置は、半導体膜が圧縮応力を受けるように、導電膜、例えばゲート電極に不純物が導入されている。 （もっと読む）

【課題】性能向上を図ることが可能な薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】有機ＴＦＴは、ゲート電極２および有機半導体層６と、それらの間に位置すると共に有機半導体層６に隣接するゲート絶縁層３とを備えている。このゲート絶縁層３は、スチレンおよびその誘導体のうちの少なくとも一方である第１単量体（α−メチルスチレンなど）と、炭素間二重結合および架橋性反応基を有する第２単量体（メタクリル酸グリシジルなど）とが共重合および架橋された材料を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】インプリントリソグラフィ工程でレジストパターンの不良を防止して、モールドの寿命を向上させることができるレジスト組成物、これを利用したレジストパターン形成方法、これを利用したアレイ基板の製造方法、及び、これを利用して製造されたアレイ基板を提供する。
【解決手段】ＵＶ硬化性樹脂及び添加剤を含んで、前記ＵＶ硬化性樹脂及び前記ＵＶ硬化性樹脂と接触するベース層間に化学的結合を誘導する接着増進剤を含むことを特徴とするレジスト組成物である。 （もっと読む）

【課題】より高コントラスト化を可能とするブルー相を示す液晶材料を用いた液晶表示装置を提供することを目的の一とする。また、ブルー相を示す液晶を用いた液晶表示装置において、より低消費電力化を達成することを目的の一とする。
【解決手段】画素電極層（第１の電極層ともいう）が設けられた第１の基板と、共通電極層（第２の電極層ともいう）が設けられた第２の基板とでブルー相を示す液晶層を挟持する液晶表示装置において、画素電極層及び共通電極層が、液晶層に突出し、かつ隣接するもの同士が液晶層を介在して間隔をもって噛み合うように配置される。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置において、製造工程中に残留する導電膜によって画素電極及びデータ配線が互いに短絡されることを防止して画素欠陥を減少させる。
【解決手段】液晶表示装置は、絶縁基板と、絶縁基板の上に位置するゲート線と、ゲート線を覆っているゲート絶縁膜３０と、ゲート絶縁膜上に位置し、ドレーン電極とデータ線とを含むデータ配線と、データ配線を覆っている保護膜７０と、保護膜の上に位置してデータ配線と電気的に連結されている画素電極８０とを含み、ゲート絶縁膜は第１開口部を有し、保護膜は第２開口部と接触口７２とを含み、第２開口部は前記第１開口部を露出させ、第１開口部と前記第２開口部は画素の縁領域に位置し、接触口７２は前記ドレーン電極の一部分を露出させる。 （もっと読む）

【課題】 遮光膜樹脂を現像液で取り除く工程において現像液が一方向に流れる場合でもコンタクトホール内に遮光膜樹脂の残渣が残らないようにする。
【解決手段】 薄膜トランジスタが形成された基板上にカラーフィルタが形成される液晶表示装置において、前記薄膜トランジスタ上および薄膜トランジスタのソース電極に接続されるデータ信号線上に遮光膜を備える。画素電極を細長い矩形上に形成し、遮光膜の現像時の現像液を画素電極の長手方向に流す。 （もっと読む）