【課題】半導体装置の作製工程において、フォトリソグラフィ工程数を削減する。
【解決手段】トランジスタの、ゲート電極となる導電膜、ゲート絶縁膜となる絶縁膜、チャネル領域が形成される半導体膜およびチャネル保護膜となる絶縁膜を連続で形成し、多階調マスクであるフォトマスクによって露光し現像したレジストマスクを用いて、（１）レジストマスクのない領域において、チャネル保護膜となる絶縁膜、チャネル領域が形成される半導体膜、ゲート絶縁膜となる絶縁膜およびゲート電極となる導電膜を連続してエッチングし、（２）レジストマスクをアッシングなどによって後退させ、レジストマスクを残膜厚が小さい領域のみを除去することで、チャネル保護膜となる絶縁膜の一部を露出させ、（３）露出したチャネル保護膜となる絶縁膜の一部をエッチングし、一対の開口部を形成する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層の側面からの酸素の脱離を防ぎ、酸化物半導体層中の欠陥（酸素欠損）が十分に少なく、ソースとドレインの間のリーク電流が抑制された半導体装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体膜に対して第１の加熱処理を施した後に該酸化物半導体膜を加工して酸化物半導体層を形成し、その直後に該酸化物半導体層の側壁を絶縁性酸化物で覆い、第２の加熱処理を施すことで、酸化物半導体層の側面が真空に曝されることを防ぎ、酸化物半導体層中の欠陥（酸素欠損）を少なくして半導体装置を作製する。該半導体装置はＴＧＢＣ（Ｔｏｐ Ｇａｔｅ Ｂｏｔｔｏｍ Ｃｏｎｔａｃｔ）構造とする。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いるトランジスタにおいて、電気特性の良好なトランジスタ及びその作製方法を提供する。
【解決手段】基板上に第１の酸化絶縁膜を形成し、該第１の酸化絶縁膜上に第１の酸化物半導体膜を形成した後、加熱処理を行い、第１の酸化物半導体膜に含まれる水素を脱離させつつ、第１の酸化絶縁膜に含まれる酸素の一部を第１の酸化物半導体膜に拡散させ、水素濃度及び酸素欠陥を低減させた第２の酸化物半導体膜を形成する。次に、第２の酸化物半導体膜を選択的にエッチングして、第３の酸化物半導体膜を形成した後、第２の酸化絶縁膜を形成して、当該第２の酸化絶縁膜を選択的にエッチングして、第３の酸化物半導体膜の端部を覆う保護膜を形成する。この後、第３の酸化物半導体膜及び保護膜上に一対の電極、ゲート絶縁膜、及びゲート電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】接触不良を低減し、コンタクト抵抗の増大を抑制し、開口率が高い液晶表示装置
を得ることを課題とする。
【解決手段】基板と、前記基板上に設けられ、ゲート配線と、ゲート絶縁膜と、島状半導
体膜と、ソース領域と、ドレイン領域を有する薄膜トランジスタと、前記基板上に設けら
れ、前記ソース領域に接続されたソース配線と、前記基板上に設けられ、前記ドレイン領
域に接続されたドレイン電極と、前記基板上に設けられた補助容量と、前記ドレイン電極
に接続された画素電極と、前記薄膜トランジスタ及び前記ソース配線上に形成された保護
膜を有し、前記保護膜は、前記ゲート配線および前記ソース配線とで囲まれた開口部を有
し、前記薄膜トランジスタ及び前記ソース配線は保護膜に覆われ、前記補助容量は保護膜
に覆われていない液晶表示装置に関する。 （もっと読む）

【課題】液晶素子に印加される電圧を異ならせて視野角特性を改善する。
【解決手段】 本発明の一は、一画素に三以上の液晶素子を有し、該液晶素子の各々に印
加される電圧値が異なる液晶表示装置である。各液晶素子に印加される電圧を異ならせる
には、加えた電圧を分圧する素子を配置することにより行う。印加される電圧を異ならせ
るためには、容量素子、抵抗素子、又はトランジスタ等を用いる。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、サンプリング用トランジスターの高速化とプッシュダウン現象の抑制を両立させ、高品位な表示を行う。
【解決手段】電気光学装置は、データ線（６）に画像信号線（６０）から供給される画像信号をサンプリングするサンプリング用トランジスター（７１）を備える。サンプリング用トランジスターのゲート絶縁膜（７３）は、ゲート電極（７１Ｇ）の第１ソースドレイン領域（７４Ｓ）側の縁部（７１Ｇｅｓ）に重なる部分及びゲート電極の第２ソースドレイン領域（７４Ｄ）側の縁部（７１Ｇｅｄ）に重なる部分の各々の膜厚が、ゲート電極の中央部（７１Ｇｃ）に重なる部分の膜厚よりも厚くなるように形成されている。 （もっと読む）

【課題】容易に簡素な構成でフリッカー等の表示不具合の発生を抑制して表示品位の向上を図ることが可能な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】画素電極１２を備えた素子基板１０と、素子基板１０に対向配置された、対向電極２２を備えた対向基板２０と、素子基板１０と前記対向基板２０との間に挟持された液晶層３０と、素子基板１０の液晶層３０の側に設けられた第１配向膜１５と、対向基板２０の液晶層３０の側に設けられた第２配向膜２５と、を備え、画素電極１２を構成する材料の仕事関数が、対向電極２２を構成する材料の仕事関数に比べて小さく、第１配向膜１５の密度と第２配向膜２５の密度とが概ね等しく、且つ、第１配向膜１５の厚みｄ１が第２配向膜２５の厚みｄ２よりも厚くなっている。 （もっと読む）

【課題】基板の大型化に対応し得る金属配線を作製する。
【解決手段】絶縁表面上に少なくとも一層の導電膜１２，１３を形成し、前記導電膜１２，１３上にレジストパターンを形成し、前記レジストパターンを有する導電膜にエッチングを行い、バイアス電力密度、ＩＣＰ電力密度、下部電極の温度、圧力、エッチングガスの総流量、エッチングガスにおける酸素または塩素の割合に応じてテーパー角αが制御された金属配線を形成する。このようにして形成された金属配線は、幅や長さのばらつきが低減されており、基板１０の大型化にも十分対応し得る。 （もっと読む）

【課題】本発明は、安定した特性を示す金属酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタとその製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】本発明の薄膜トランジスタは、ゲート電極１と、ゲート電極１上に設けられたゲート絶縁膜２と、ゲート絶縁膜２上に設けられたドレイン電極３Ｂ，４Ｂと、ゲート絶縁膜２上にドレイン電極３Ｂ，４Ｂと隣接して設けられ、金属酸化物半導体で構成されたチャネル層５とを備え、ドレイン電極３Ｂ，４Ｂは、ゲート電極１への電圧印加によりチャネル層５に形成される反転層１０１と接触すべくゲート絶縁膜２上に設けられ、チャネル層５を構成する金属酸化物半導体よりも酸化物生成自由エネルギーが若干小さい金属酸化物半導体で構成された第１ドレイン電極３と、第１ドレイン電極３上に設けられ、金属で構成された第２ドレイン電極４とを備える。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜をチャネルに用いたトランジスタに安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を作製する。
【解決手段】加熱処理により第１の結晶構造となりうる酸化物半導体膜と、加熱処理により第２の結晶構造となりうる酸化物半導体膜を積層して形成し、その後加熱処理を行うことによって、第２の結晶構造を有する酸化物半導体膜を種として第１の結晶構造を有する酸化物半導体膜へ結晶成長する。このようにして形成した酸化物半導体膜を、トランジスタの活性層に用いる。 （もっと読む）

【課題】横方向電界の強度を強め、コントラスト比を低下を抑制する。
【解決手段】ブルー相を示す液晶層を挟持する第１の基板及び第２の基板と、前記第１の基板上に設けられたトランジスタと、第１の画素電極および第１の共通電極と、前記第２の基板上に設けられた第２の画素電極および第２の共通電極とを有し、前記第１の画素電極は、前記トランジスタと電気的に接続され、前記第１の画素電極は、前記第２の画素電極と電気的に接続されている液晶表示装置に関する。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス基板の開口率を向上させる。
【解決手段】複数のトランジスタ素子を備えたアクティブマトリクス基板１０１Ａであって、可視光を透過させることが可能な基板１０と、基板上に形成され、亜鉛錫酸化物から構成される導電体材料よりなり、可視光を透過させることが可能な配線（Ｌ_Ｇ、Ｌ_Ｄ、Ｌ_Ｐ、Ｌ１、Ｌ２等）であってトランジスタ素子における電極として機能している、配線と、基板の垂直方向からみて配線の少なくとも一部と重なり、配線よりもキャリア濃度が低く、亜鉛錫酸化物から構成される半導体材料よりなり、かつ可視光を透過させることが可能な半導体層４４と、配線および半導体層の少なくとも一部を覆い、可視光を透過させることが可能な絶縁膜（４０、５０）と、を備えることを特徴とするアクティブマトリクス基板。 （もっと読む）

【課題】
横電界方式で液晶層を駆動する液晶表示装置において、その画像表示性能を向上させる。
【解決手段】
画素領域には、相互に離間して配置された複数の線形状を有する第１の透明導電膜ＰＸと、前記第１の透明導電膜と絶縁膜を介して重畳し、平板形状を有する第２の透明導電膜ＣＴを有し、
ドレイン信号線ＤＬと液晶ＬＣとの間に配置され、且つ前記第１の透明導電膜ＰＸと電気的に分離され第３の透明導電膜ＩＴＯ１を有し、
前記第１の透明導電膜ＰＸは薄膜トランジスタＴＦＴと接続され画素電位を供給され、前記第２の透明導電膜ＣＴは基準となる対向電位を供給されることを特徴とする液晶表示装置である。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴの光リーク電流が低減され、かつ、従来よりも少ないフォトリソフォグラフィ工程で製造することが可能なアクティブマトリックス基板を提供する。
【解決手段】アクティブマトリックス基板２０１は、絶縁性基板１上に、基板１側から、ゲート電極２と、ゲート電極２を覆うゲート絶縁膜６と、互いに離間形成されたドレイン電極９及びソース電極１１と、チャネル層を含む少なくとも１層の半導体膜２１とが順次形成された薄膜トランジスタ１０１と、画素電極１０とが複数対アレイ状に形成されたものである。ドレイン電極９及びソース電極１１は、基板１側から透光性導電膜ＥＭ２と非透光性導電膜ＥＭ３とが順次積層された積層構造を有し、かつ、ドレイン電極９の透光性導電膜ＥＭ２及び／又は非透光性導電膜ＥＭ３が延設され、この延設部分により画素電極１０が形成されたものである。 （もっと読む）

【課題】誘電体層に高誘電率絶縁膜を用い、高誘電率絶縁膜等のエッチングにドライエッチングを採用した場合でも、静電破壊の発生を防止することができる電気光学装置の製造方法、および当該方法により製造した電気光学装置を提供すること。
【解決手段】液晶装置１００を製造するにあたって、高誘電率絶縁膜形成工程および高誘電率絶縁膜パターニング工程によって誘電体層４２ａを所定領域に形成した後、第２電極形成用導電膜形成工程および第２電極形成用導電膜パターニング工程によって容量線５ｂ（第２電極）を形成する。このため、高誘電率絶縁膜４２は、広い領域にわたって形成された状態でドライエッチング時のプラズマを受けるのは、高誘電率絶縁膜パターニング工程の間だけであり、第２電極形成用導電膜パターニング工程を行う時点では、すでにパターニングされている。 （もっと読む）

【課題】短チャネル効果による電気特性の変動が生じにくい、チャネル領域に酸化物半導体を含むトランジスタを用いた半導体装置を作製する。
【解決手段】窒素を含む一対の酸窒化物半導体領域、および該一対の酸窒化物半導体領域に挟まれる酸化物半導体領域を有する酸化物半導体膜と、ゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜を介して酸化物半導体領域上に設けられるゲート電極とを有する半導体装置。ここで、一対の酸窒化物半導体領域はトランジスタのソース領域およびドレイン領域となり、酸化物半導体領域はトランジスタのチャネル領域となる。 （もっと読む）

【課題】有機ＥＬディスプレイや液晶ディスプレイなどの表示装置において、エッチストッパー層を設けなくてもウェットエッチング時の加工性に優れた配線構造を提供する。
【解決手段】本発明の配線構造は、基板の上に、基板側から順に、薄膜トランジスタの半導体層と、金属配線膜とを有しており、前記半導体層と前記金属配線膜との間にバリア層を有する配線構造であって、半導体層は酸化物半導体からなり、バリア層は、高融点金属系薄膜とＳｉ薄膜の積層構造を有し、Ｓｉ薄膜は半導体層と直接接続している。 （もっと読む）

【課題】ボトムコンタクト構造で、かつセルフアラインのＴＡＯＳ ＴＦＴを、大掛かりな設備投資や成膜装置の設置場所の確保を要することなく量産することができる製造方法、およびこのＴＡＯＳ ＴＦＴを用いた表示装置用電極基板の製造方法を得る。
【解決手段】ゲート電極１２、ソース電極１４およびドレイン電極１５上に形成された第１、第２ＴＡＯＳ層１６、１７に窒素プラズマを照射するステップと、第１、第２ＴＡＯＳ層１６、１７を窒素雰囲気中でアニールするステップと、第１、第２ＴＡＯＳ層１６、１７上に、ゲート電極１２をマスクとしたガラス基板１１側からの露光により樹脂絶縁膜である島状絶縁膜１８を形成するステップと、ガラス基板１１の全面に、島状絶縁膜１８をマスクとして、島状絶縁膜１８側からプラズマを照射するステップとを備える。 （もっと読む）

【課題】文字をくっきり表示でき、画像を滑らかに表示できる液晶表示装置を提供するこ
とを目的する。
【解決手段】面積階調方式を用いており、どの表示領域を用いて１画素を構成するかにつ
いて、モードによって切り替える。文字を表示したい場合には、ストライプ配置になるよ
うに選んで、１画素を構成する。これにより、くっきりとした表示が出来る。画像を表示
したい場合は、入りくんだ状態になるように選んで、１画素を構成する。これにより、滑
らかな表示をすることが出来る。 （もっと読む）

【課題】高融点メタルバリア層を有していなくても、高温熱処理後の電気特性を良好にする技術を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体装置は、透明絶縁性基板１上に形成されたゲート電極２と、ゲート電極２上にゲート絶縁膜６を介して順次に形成されたＳｉ半導体能動膜７と、ｎ型の導電型を有するオーミック低抵抗Ｓｉ膜８とを含む半導体層５１と、半導体層５１と直接接合された、少なくともアルミニウム（Ａｌ）を含むソース・ドレイン電極９，１０とを備える。半導体層５１は、平面視においてゲート電極２の外周よりも内側に形成され、Ｓｉ半導体能動膜７の側面とソース・ドレイン電極９，１０との界面近傍である第１領域には、少なくとも窒素（Ｎ）が含まれる。 （もっと読む）