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Fターム[2H095BD05]の内容

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Fターム[2H095BD05]に分類される特許

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【課題】 検査対象物のパターンの特徴に応じたパターン比較を選択することにより、適切な検査を行うこと。
【解決手段】検査対象物の光学画像100を取得する光学画像取得部10と、検査対象物のパターンの特徴を示す特徴データ202に基づいて、検査対象物上の異なる位置の同一パターン100を比較する複数種類の特徴比較部31と、光学画像100の同一パターンの比較において、検査対象のパターンの特徴データから特徴比較部31の種類を選択する選択部4とを備えている、パターン検査装置。
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【課題】マスクの欠陥修正に要する時間を大きく短縮し、マスクの製造コストと製造期間を削減するマスク欠陥修正方法及び半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の一形態のマスク欠陥修正方法は、光透過型フォトマスク(1)上の異物(3)による欠陥を修正するマスク欠陥修正方法において、光透過型フォトマスク(1)の光透過部上の異物(3)をマニピュレーター(11,12)により移動し、前記異物を前記光透過型フォトマスクの遮光部(2)上に載置する。 (もっと読む)


【課題】内部に気泡その他の異物を含むフォトマスク用ガラス基板であっても露光後にパターン欠陥が発生しないようなフォトマスクを提供することを技術的課題とする。
【課題を解決するための手段】本発明に係るフォトマスクは、気泡その他の異物(11)を内包するフォトマスク用ガラス基板(10)からなり、前記気泡が存在する位置に対応する入射面(12)近傍に、レンズ(14)を具備することを特徴とする。これにより、気泡がガラス基板の表面のごく近傍に存在する場合を除き、光線が気泡を通過しないようにすることができる。 (もっと読む)


【課題】 被転写体へのパターン転写に影響の大きな主表面近傍の内部欠陥を含む、ガラス基板の実質的に全ての領域の内部欠陥を良好に検出して、パターン転写の転写精度を向上できること。
【解決手段】 波長が200nm以下の短波長光を導入する端面2を有する合成石英ガラス基板4を準備する準備工程と、端面2から短波長光を導入し、当該ガラス基板の内部欠陥が発する上記短波長光よりも長い波長の光を他の端面から受光し、この受光した光に基づき内部欠陥を検出する検出工程を有し、この検出工程で内部欠陥が検出されない合成石英ガラス基板からマスクブランク用ガラス基板を製造する際に、上記準備工程において、端面2における面取り面51の幅tが、この端面に対向する端面18における面取り面53、57の幅Tよりも小さく設定された合成石英ガラス基板4を準備し、上記検出工程において、端面2の側面59に上記短波長光を導入するものである。 (もっと読む)


【課題】高精度な異物検査を実現する。
【解決手段】物体の被検査面の異物の有無を検査する異物検査装置であって、前記被検査面に検査光を照射する光照射手段と、前記被検査面上の異物により散乱された前記検査光を受光する受光手段と、前記光照射手段による前記検査光の照射範囲を前記被検査面内に制限するための遮光手段とを具備する。 (もっと読む)


【課題】レチクルの検査を簡易に行えると共に納品用ケースから露光用ケースへの移し替えも一連に行える装置を提供する。
【手段】検査装置は、入庫部12と、開蓋部15と、検査ステージ部10と、第1移載ユニット16と、第2移載ユニット17と、露光用ケースセット部14とを備えている。検査ステージ部10の検査テーブル23は姿勢変更自在であり、目視で異物を発見できる。レチクルRは、入庫部12(納品用ケース11)→第1移載ユニット16→検査ステージ部10→第1移載ユニット16→第2移載ユニット17→露光用ケースセット部14(露光用ケース13)、という経路で移動する。 (もっと読む)


【課題】 マスクの欠陥の有無を確実に検出し、マスクの欠陥により、一連のワークに不具合が発生するのを防止すること。
【解決手段】 レジストが塗布されたワークにマスクを介して露光光を照射して複数ショット露光し現像処理し、エッチング処理を行った後、形成されたパターンの検査を行うパターン形成方法において、露光・現像処理後であって、エッチング処理の前にマスクを検査する工程を設ける。ここでは、レジストパターンを少なくとも2ショット分取り出し、この内の少なくとも1ショット分のレジストパターンと、検査の基準となるマスタパターンとを比較して上記レジストパターンの欠陥の有無を検査し欠陥個所を抽出する。そして他のレジストパターンについて、上記欠陥個所と同一個所に欠陥が存在するかを検査し、同一個所に欠陥が存在する場合、露光に用いたマスクに欠陥があると判定する。 (もっと読む)


【課題】表面パターンを含む回折面上の欠陥を検出するための改良された高感度光学検査システムの提供
【解決手段】本発明のシステムは、回折面上の所定の領域を照射して、欠陥または表面パタンに応答して散乱強度分布を生成する第1および第2の照射手段と、回折面のまわりの複数の位置において散乱強度分布の強度レベルを検出する手段と、検出された最小強度レベルを確定する手段と、検出された最小強度レベルが閾値強度レベル未満である場合に回折面の照射領域上に欠陥が存在しないことを示し、検出された最小強度レベルが閾値強度レベルを超える場合に回折面の照射領域上に欠陥が存在することを示す、検出された最小強度レベルに応答する手段と、回折面を移動させ回折面上に走査パターンを生成し表面全体を検査する手段とを備える。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、撮像した画像に振動によるノイズが発生することがなく、自動的に且つ短時間で且つ正確に透明体に付着した異物等の欠陥を検査することが出来る欠陥検査装置及びその欠陥検査装置を用いた欠陥検査方法を提供することを可能にすることを目的としている。
【解決手段】 撮像手段8と照明手段9a、9bを搭載したキャリッジ7の移動加速度を加速度センサ11a,11bにより検知し、走査制御手段となる動作コントローラ20によりキャリッジ7の停止動作が実行され且つ該加速度センサ11a,11bにより検知された加速度が所定時間、予め設定された値以下になった時点で撮像手段8による撮像を開始するように構成したことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 マスクの大型化に伴う、マスク表面の撓みに対応することができる異物検出装置等を提案する。
【解決手段】 所定方向に沿って並べて配置された複数のラインセンサ61,71を所定方向に直交する方向に走査しつつ、マスク表面Ma,Mbに照射した光の反射光を受光して、マスク表面Ma,Mb上の異物を検出する異物検出装置60,70において、複数のラインセンサ61,71は、マスク表面Ma,Mbから離間しつつ、マスクMを保持した際のマスク表面Ma,Mbの撓み形状に沿うように配置する
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【課題】 簡便に高い検出感度を得ることができる検査装置及び検査方法並びにそれを用いたパターン基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】
本発明の一態様にかかる検査装置はレーザ光源101と、試料表面に光スポットを形成する対物レンズ102と、対物レンズ102から試料107に入射した光ビームのうち、試料表面で反射した反射光に基づく出力信号を出力する光検出器110と、試料107と光スポットとの相対的な位置を走査ラインに沿って走査するステージ108であって、前記光スポットが隣接する走査ラインの光スポットと重複した領域を照明するように走査するステージ108と、光検出器110からの出力信号に基づいて欠陥候補を検出する欠陥候補検出部202と、欠陥候補検出部202において検出された欠陥候補間の距離に基づいて欠陥か否かを判定する欠陥判定部208とを備えるものである。 (もっと読む)


【課題】
透過像と反射像とに基づいて正確に異物検査を行うことができる検査装置及び検査方法ならびにパターン基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】
本発明の一態様にかかる検査装置は、落射照明光源21と、落射照明光源21からの光を集光してフォトマスク33に出射するレンズ32と、レンズ32から出射した光のうち、フォトマスク33で反射した反射光をレンズ32を介して検出する反射側センサ44と、透過照明光源11と、透過照明光源11からの光を集光してフォトマスク33に出射するレンズ16と、レンズ16からフォトマスク33に出射した光のうち、フォトマスク33を透過した透過光をレンズ32を介して検出する透過側センサ43とを備え、落射照明光源からの光と透過照明光源からの光とがレンズ32の視野の一部の異なる位置を通過するものである。 (もっと読む)


【課題】 EUVLマスクのブランクスのMo/Si多層膜またはMo2C/Si多層膜中の位相欠陥を修正する。
【解決手段】 ガラス基板2裏面よりガラスに吸収されない波長のレーザー4をレーザーアブレーションや融解の起きない程度の低パワー密度で対物レンズ5を用いてガラス基板上の異物3で集束するように入射することで異物近傍を加熱してMo/Si界面にシリサイドを形成しMo/Si多層膜またはMo2C/Si多層膜1に生じた段差を緩和して多層膜中の位相欠陥を修正する。 (もっと読む)


欠陥の画像を検査システムからデータベースに自動的に送信するシステム及び方法が開示される。その方法は、検査システムにロードされたリソグラフィコンポーネント上の欠陥を特定し、特定された欠陥の画像を捕捉する。オペレータは、特定された欠陥用の欠陥コードの選択を促され、捕捉された画像は、オペレータの欠陥コードの選択に応じて自動的にデータベースに送信される。
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【課題】 EUVLマスクのMo/Si多層膜またはMo2C/Si多層膜中の振幅欠陥を修正する。
【解決手段】 Siを含む液体合金イオン源1から質量分離器3で質量分離され、イオン光学系6で集束された500V以下の低加速Siイオンビーム、または注入深さが浅くなるように斜めから500V〜2000Vの低加速Siイオンビームを入射させてMo/Si多層膜またはMo2C/Si多層膜表面近傍の振幅欠陥を下層のMo/Si多層膜またはMo2C/Si多層膜界面を壊されないように物理スパッタまたはガスアシストエッチングで除去する。 (もっと読む)


【課題】ステンシルマスクのようにマスクパターンにエッジ部分が存在するマスクであっても、精度の高い異物検出を行う。
【解決手段】本発明の実施の形態によると、露光用マスク(31)の表面に存在する異物を検査する装置において、露光用マスクの表面の高さの変位を測定する手段(33)と、高さの変位を所定のしきい値と比較する手段(36)とを有し、高さの変位が所定のしきい値を超えた場合に異物が存在すると認識する異物検査装置を提供する。 (もっと読む)


【課題】ステンシルマスクの支持部または梁の側壁に付着する異物を簡単な方法で効果的に検査する方法および装置を提供する。
【解決手段】ステンシルマスク(10)の表面に対して実質的に垂直に形成された支持枠(19)または梁(18)の側壁(21)を検査する方法であって、撮像手段(41)をその光軸(38)がステンシルマスクの表面に対する垂直の方向に対し、所定の角度(θ)で傾斜するように配置し、支持枠または梁の側壁に対し撮像手段の焦点位置を変えた複数の画像を撮影し、複数の画像から支持枠(19)または梁(18)の側壁に対する全焦点画像を合成し、全焦点画像を表示手段(51)により表示する工程を含む、支持枠(19)または梁(18)の側壁を検査する方法。 (もっと読む)


【課題】 原子間力顕微鏡技術を用いたフォトマスク上の微細パーティクル除去において石英またはガラス基板へのダメージを低減する。
【解決手段】 除去すべきパーティクル3上で300N/m以上のバネ定数を持った硬い原子間力顕微鏡探針4を押し込み、押し込み力に対するたわみを検知することでパーティクルの種類を判別し、パーティクルの種類に応じて除去に使用する探針の種類を変える。パーティクルが石英またはガラス基板よりも柔らかい場合にはパーティクルよりも硬く石英またはガラス基板よりも柔らかい原子間力顕微鏡探針5で物理的に除去する。除去すべきパーティクル3が石英またはガラス基板1より硬い場合には、そのまま押しこみに使用した高バネ定数のダイヤモンドのような硬い原子間力顕微鏡探針4を高加重で走査して物理的に除去する。 (もっと読む)


【課題】 洗浄気体を利用してパターンを備えたフォトマスクを洗浄し、さらに、フォトマスク保護装置と集積回路パターンを備えたフォトマスクを結合させ、フォトマスク保護装置とパターンを備えたフォトマスク間に洗浄気体を充満させることにより、外界環境で発生するいかなるパーティクルにも汚染されない、半導体部品の洗浄方法及びその装置の提供。
【解決手段】 パターンを備えたフォトマスクの提供と、フォトマスク保護装置の提供と、該パターンを備えた該フォトマスク及び該フォトマスク保護装置の洗浄の実施と、該パターンを備えた該フォトマスクと該フォトマスク保護装置を結合させる手順を含み、該フォトマスク保護装置が該パターンを備えた該フォトマスクの上方に位置すると共に、該パターンを備えた該フォトマスクと該フォトマスク保護装置間に洗浄気体を充満させた空間を形成する。
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この発明は、マスク基板(110)をクリーニングするためのマスククリーニング装置(101)及び方法に関する。本発明に係る実施の一形態は、トラップが冷却トラップ(120)を構成するマスククリーニング装置(101)である。更なるヒータ(130)が加熱機能を果たす。マスククリーニング装置(101)は、支持手段(105)と、エアロゾル(155)をマスク基板(110)へ吹き出すためのエアロゾルノズル(150)とを更に備えている。クリーニングプロセスの第1段階では、マスク基板(110)がヒータ(130)に接近し、マスク基板(110)が加熱される。クリーニングプロセスの第2段階では、ガス流(170)が停止され、マスク(110)が冷却トラップ(120)の近傍へ搬送される。冷却トラップ(120)は冷却される。クリーニングプロセスの第3段階では、エアロゾルノズル(150)がマスク基板(110)に向けてエアロゾル(155)を吹き出し、それにより、粒子がマスク基板(110)から分離されるようになる。この実施の形態は、分離された粒子を捕捉するためにサーモフォレティック力(thermophoretic:温度便乗性)を使用する。本発明に係る他の実施の形態は、分離された粒子を捕捉するために真空、静電力及び/又はゲッター金属を使用する。
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