【課題】光学部品の劣化が少なく、照明光の減衰が少ない照明装置を提供する。
【解決手段】照明装置は、基本波を発生する光源と、基本波を所定の形状に波形整形する波形整形部と、波形整形された基本波が照射され、基本波をより波長の短い照明光に変換し、所定の形状の照明光を発生するパターン発生部と、パターン発生部で発生した照明光を被照射物に照射するイメージリレー部と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 比較的容易な操作で高精度な修正を可能とし、連続的に長時間の作業を可能とし、熱ドリフトによる加工精度の低下も防止する。
【解決手段】 原子間力顕微鏡の自由端に探針１が形成されたカンチレバー１１と、上記カンチレバー１１を駆動して探針１も駆動する駆動手段であるＸＹＺスキャナー１２と、上記探針１にフェムト秒レーザー３を照射するフェムト秒レーザー光源４と対物レンズ５により構成されるフェムト秒レーザー照射手段を有し、上記探針１を一主面上にパターンが形成されてなるサンプル６に相対向させ、上記サンプル６上に形成されたパターンの余剰部分に接触させて駆動することにより、上記余剰部分を除去し、余剰部分除去後の探針１に付着している加工屑２にフェムト秒レーザー照射手段からフェムト秒レーザー３を照射し、上記加工屑２をレーザーアブレーションで除去する。 （もっと読む）

【課題】検出系からの検出画像信号を補正することにより、照明系、光学系、検出系など構成要素の特性ばらつきによる、複数の検査装置（機体）間での検査感度の機体差を低減する。
【解決手段】被検査対象に光束を照射する光源と、被検査対象から反射する反射散乱光を導く光学系と、反射散乱光を電気の検出信号に換える複数の光電セルが配列されている光電イメージセンサと、光電イメージセンサを分割した複数の領域毎に、それぞれに対応する信号補正部、Ａ／Ｄ変換器および画像生成部から構成されるチャンネルをもつ検出信号伝送部と、検出信号伝送部が出力する部分的な画像を合成して被検査対象表面の画像を作成する画像合成部と、合成された画像を処理することで被検査対象表面の欠陥あるいは異物の検査を行なう検査装置において、検出信号伝送部は、光電セルからの検出信号を各チャンネル毎に定めた基準検出信号強度の基準目標値に近づけるように補正できる。 （もっと読む）

【課題】フォトマスク（マスク）の表面に透明粒子が散布されても、粒状物による影響なく、マスクの欠陥を正確に検出できる欠陥検査方法及び欠陥検査装置。
【解決手段】粒状物が散布されたマスクを照明する光源装置、マスクの透過光を受ける対物レンズ、対物レンズからの光を受けてマスクの透過画像を撮像する撮像装置を含むカメラヘッドとを用い、オートフォーカス機構（ＡＦ機構）により撮像装置のフォーカスを基準動作点に制御しながらマスクの透過画像を撮像し、撮像装置から出力されるビデオ信号に基づいて欠陥検出を行う。欠陥検査に先立ってＡＦ機構の基準動作点を設定する際、撮像装置のフォーカス点を対物レンズの光軸方向に変位させながら、マスクの透過画像を撮像する。また、粒状物の画像の輝度が周囲の画像の輝度とほぼ等しい輝度に移行するフォーカス点を検出する。最後に、検出されたフォーカス点をＡＦ機構のフォーカス位置の基準点に設定する。 （もっと読む）

【課題】ペリクル膜の表側、裏側、並びに局所的な抽出を安定的に行えるペリクル膜評価用治具及びペリクル膜の評価方法を提供することを目的とする。
【解決手段】金属やフッ素樹脂などの耐水、耐溶剤性の高いプラスチック、合成石英ガラスなどの円形状の枠からなるペリクル膜評価用治具をペリクル膜５２とペリクルフレーム５１とからなるペリクル５０のペリクル膜５２の表側及び裏側に装着することにより、ペリクル膜５２上の上のイオン性物質、有機系物質、金属系物質等を一定の回収率で抽出して、ペリクル膜５２の安定的な評価を行うことができる （もっと読む）

【課題】表面スペックル形成に対するフィルタを提供する一方、コヒーレント光を保持すること。
【解決手段】物体からの放射を検出デバイスに結像する方法。方法は、コヒーレント放射ビームを物体に誘導することと、物体に対する入射面の内側または外側の角度に渡って放射ビームをスキャンすることと、物体からの散乱線を検出デバイスに結像することとを含む。 （もっと読む）

【課題】 フォトマスク上の単体では組成分析不可能な微細な異物の組成分析方法を提供する。
【解決手段】 異物除去探針3に組成分析可能な量まで付着蓄積した異物1または異物の削り滓2をレーザーマイクロプローブ質量分析法で組成分析する。導電性の異物除去探針の場合にはオージェ電子分光法または二次イオン質量分析法で異物または異物の削り滓を組成分析する。異物除去探針3で異物1または異物の削り滓2を移動させ組成分析可能な量まで寄せ集めたものにレーザーマイクロプローブ質量分析法で組成分析する。異物除去探針で導電性のパターン上に集めた場合にはオージェ電子分光または二次イオン質量分析法で異物または異物の削り滓を組成分析する。 （もっと読む）

【課題】レチクルのような検査対象物の洗浄後にその検査面に残留する汚染を分析する際に、検査の信頼度を向上させることができる汚染分析装置及びその方法を提供する。
【解決手段】検査対象物の検査面に残留する汚染を分析する装置であって、前記検査対象物の検査面と液とを接触させて、サンプリング液を抽出するサンプリングモジュールと、前記サンプリング液から前記検査対象物の検査面に残留する汚染物質を分析する分析器とを備え、前記サンプリングモジュールは、前記検査対象物の検査面が収容可能な収容空間が形成された液槽と、前記液槽の収容空間に液を供給する液供給ノズルとを備える。 （もっと読む）

【課題】正確な検査を短時間で行うことができる検査装置及び検査方法ならびにパターン基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の一態様にかかる検査装置は、フォトマスク３３を透過した透過光とフォトマスク３３で反射した反射光とを用いて検査を行う検査装置１であって、レンズ３２の視野６０の一部である同時照明領域６２を、フォトマスク３３のレンズ３２側から照明する反射照明光源２１と、同時照明領域６２と同時照明領域６２以外の透過照明領域６１とを照明する透過照明光学系１０と、同時照明領域６２からの透過光と反射光とを、レンズ３２を介して検出する合成像用センサ４４と、透過照明領域６１からの透過光を、レンズ３２を介して検出する透過像用センサ４３とを備えるものである。 （もっと読む）

フォトマスク内の欠陥を処理するための方法およびシステムが提供される。フォトマスク内の欠陥を処理するための方法は、少なくとも第１のフォトマスクの設計トポロジを表すデータを含むフォトマスク・トポグラフィ・データを分析するステップを含み、この第１のフォトマスクは、フォトリソグラフィ・プロセス内の第１の層に対応する。少なくともこの分析に基づいて、第１のフォトマスクの１つまたは複数の安全領域が識別され、各安全領域は、第１のフォトマスク内に存在する潜在的な欠陥の影響を受けない第１の層の領域に対応する。
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【課題】 単位パターンのピッチが例えば５０μｍ〜１０００μｍであるような繰り返しパターンに生じた欠陥を、短時間で、高信頼に検査する。
【解決手段】 単位パターンが周期的に配列された繰り返しパターンを備えた被検査体の、繰り返しパターンに生じた欠陥を検査するパターン欠陥検査方法であって、繰り返しパターンに所定の入射角で光を照射して回折光を生じさせる工程と、繰り返しパターンからの回折光を受光して結像させる工程と、回折光を結像させた像を観察することにより繰り返しパターンに生じた欠陥を検出する工程と、を有し、回折光を受光して結像させる工程では、繰り返しパターンからの回折光のうち、絶対値が４５次〜１６００次の超高次回折光を受光する。 （もっと読む）

【課題】レチクルにおける成長性異物の場所を特定して成長性異物を検査し、レチクルを管理するレチクルの管理方法又はレチクルにおける成長性異物の発生を予見し、レチクルを管理する。
【解決手段】透光性基板１１の表面に被転写体に転写するためのパターン１４を有するレチクル１０の使用を管理するレチクル１０の管理方法にあたり、成長性異物２０１、２０２の分析と成長していく過程を考慮して、レチクル１０の残留汚染物質とレチクル使用環境における環境物質と、これらの物質が結晶化して成長していくためのエネルギーとしての露光光とを検査することで、フォトリソグラフィ工程におけるレチクル１０を管理するものである。とくに、露光光として、波長が短くてエネルギーの強い紫外線２３の積算紫外線暴露量と紫外線暴露密度とで管理するものである。 （もっと読む）

リソグラフィにおいて有意な欠陥を特定する方法。フォトマスクが照射され、検査ツールによって結像されるとおりの、レチクルの異なるパラメータが施される画像が生成される。パラメータの例としては、透過強度画像および反射強度画像が挙げられる。前記画像は一緒に処理され、前記フォトマスクに関連する帯域制限されたマスクパターンが復元される。チップ製造のための露光リソグラフィシステムのモデルは、レジストモデル化画像を与えるフォトレジストモデルとともに処理される前記マスクパターンの空間像を取得するために前記モデルに入力される入力として前記帯域制限されたマスクパターンを収容するように適合される。前記レジストモデル化画像は、前記フォトマスクがリソグラフィにおいて有意な欠陥を有するかどうかを判断するために使用される。 （もっと読む）

【課題】微小化構造を有する物体を検査及び加工するための電子顕微鏡、微小化構造を有する物体の製造方法を提供する。
【解決手段】製造方法は、反応ガスを供給すると同時に、加工すべき箇所に電子ビームを当てて、材料を堆積するか、あるいは、材料を切除することにより、物体を加工する工程と、物体の表面を電子ビームによって走査し、生成された後方散乱電子及び二次電子をエネルギー選択器７に導入し、二次電子をエネルギー選択器７によって反射させ、エネルギー選択器７を通過する後方散乱電子を検出し、検出された後方散乱電子に応じて走査領域の電子顕微鏡像を形成して、物体を検査する工程と、形成された電子顕微鏡像を調べて、材料のさらなる堆積又は切除を実施すべきか否かを決定する工程とを含む。並びに、この方法を実施するように構成された電子顕微鏡及び加工システム。 （もっと読む）

【課題】半導体装置製造用レチクルに生じる異物の発生を検知する方法を提供する。
【解決手段】レチクル基板のパターン面上に、光非透過部と光透過部とが設置された検査部を設け、前記光非透過部の少なくとも一部と、前記光透過部の少なくとも一部とを含む所定の領域の実効透過率を測定し、前記実効透過率に基づいて、レチクルにおける異物を検知する。 （もっと読む）

【課題】試料全体における異物検出感度を向上させ、簡便に行うことができる異物検査方法及び異物検出装置を提供する。
【解決手段】試料の像の輝度が異物検出閾値よりも低い箇所を異物として検出する異物検出方法であって、透過率及び反射率が異なる複数の領域を有する試料に対して、落射照明光と反射照明光とを照射する照射ステップと、試料で反射した反射光と、前記試料を透過した透過光とを受光して、試料の像を撮像する撮像ステップと、最も低い領域のレベルに応じた異物検出閾値を用いて異物を検出する異物検出ステップと、異物検出閾値よりも高い領域抽出閾値によって、最も輝度の低い領域と、異物検出ステップで検出された異物とを含む領域を抽出する領域抽出ステップと、抽出された領域をマスクした像に対して、異物検出ステップと領域抽出ステップとを繰り返し行うステップとを備える異物検出方法。 （もっと読む）

【課題】基板の内部の欠陥を、基板の表面からの深さに関わらず検出する。
【解決手段】投光系は、光線の焦点を光が透過する基板１の表面に合わせ、光線を基板１の表面へ斜めに照射しながら、光線を移動して光線による基板１の走査を行う。下受光系は、複数の光ファイバーを束ねた受光部３２を有し、基板１の裏面側に配置され、基板１の表面又は内部の欠陥により散乱されて基板１を透過した散乱光を受光する。基板１の内部に欠陥が存在する場合、複数の光ファイバーを束ねた受光部３２で受光された散乱光は、縦横に広がった十字形状となる。欠陥検出回路３５は、受光部３２が受光した散乱光の形状的特徴から、基板１の内部の欠陥を検出する。 （もっと読む）

【課題】露光用マスク上の異物の大きさを精度良く推定することができる露光用マスク、露光用マスクの検査方法、及び露光用マスクの検査装置を提供すること。
【解決手段】(a)主面に粒状の基準サンプルS1〜S4が設けられた露光用マスク１０をアーム２１に載せるステップと、(b)基準サンプルS1〜S4からの散乱光の強度を基準電圧V_ref(S1)〜(S4)に変換するステップと、(c)露光用マスク１０において露光用パターンが形成されている領域に存在する異物Fからの散乱光の強度を測定電圧V_actに変換するステップと、(d)測定電圧V_actに基づいた異物Fの大きさの推定値が異物Fの実際の大きさに等しくなるように、基準電圧V_ref(S1)〜(S4)に基づいて検査装置２０を校正するステップと、(e)異物Fの大きさの推定値を求めるステップとを有する露光用マスクの検査方法による。 （もっと読む）

【課題】処理時間の短縮、設計効率の向上が可能な半導体集積回路の設計方法を提供する。
【解決手段】半導体集積回路のレイアウトデータから配線幅、配線長、配線間距離、および配線密度を含む配線データを抽出し、配線データを、予め定義されたネット分割単位に対応するように、複数の分割配線データに分割し、周囲データを抽出し、分割配線データおよび抽出された周囲データに基づいて、処理対象分割配線の容量値および抵抗値を算出し、それぞれの分割配線データに対応して算出された容量値、抵抗値をそれぞれ合成することにより、半導体集積回路の全体の容量値および抵抗値を算出し、周囲データに基づいて、処理対象分割配線がランダム欠陥により短絡または開放し得るクリティカルエリアをネット分割単位で算出する。 （もっと読む）

【課題】
開口数が１以上の半導体リソグラフィ用露光装置で用いられる、多孔質金属フッ化物の反射防止膜を有するペリクルの、多孔質金属フッ化物の反射防止膜に吸着して透過率を低下させる有機汚染物質を分解・除去してペリクルの透過率を回復させることで、高性能の半導体素子を歩留まり良く製造することを課題とする。
【解決手段】
ペリクル膜物質の光学吸収端の波長よりも長く、２５４ｎｍ以下の波長領域の紫外線を照射させたペリクルを用いる。 （もっと読む）