汚染分析装置及びその方法並びにそれを用いたレチクル洗浄システム
【課題】レチクルのような検査対象物の洗浄後にその検査面に残留する汚染を分析する際に、検査の信頼度を向上させることができる汚染分析装置及びその方法を提供する。
【解決手段】検査対象物の検査面に残留する汚染を分析する装置であって、前記検査対象物の検査面と液とを接触させて、サンプリング液を抽出するサンプリングモジュールと、前記サンプリング液から前記検査対象物の検査面に残留する汚染物質を分析する分析器とを備え、前記サンプリングモジュールは、前記検査対象物の検査面が収容可能な収容空間が形成された液槽と、前記液槽の収容空間に液を供給する液供給ノズルとを備える。
【解決手段】検査対象物の検査面に残留する汚染を分析する装置であって、前記検査対象物の検査面と液とを接触させて、サンプリング液を抽出するサンプリングモジュールと、前記サンプリング液から前記検査対象物の検査面に残留する汚染物質を分析する分析器とを備え、前記サンプリングモジュールは、前記検査対象物の検査面が収容可能な収容空間が形成された液槽と、前記液槽の収容空間に液を供給する液供給ノズルとを備える。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の製造に用いられるシステム及び方法に関し、さらに詳細には、洗浄されたレチクルの表面に残留する汚染を分析する装置及びその方法並びにその装置を有するレチクル洗浄システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体素子を製造するために、イオン注入工程、蒸着工程、拡散工程、フォトリソグラフィ工程、そしてエッチング工程などのような複数の工程が要求される。かかる工程の中でフォトリソグラフィ工程は、ウエハ上に所望のパターンを形成するために用いられる。
フォトリソグラフィ工程は、大きく、ウエハ上にフォトレジストを塗布する塗布工程、光を照射してウエハ上に塗布されたフォトレジストにマスクに形成されたパターンを転写する露光工程、及び露光後にウエハ上の特定領域からフォトレジストを除去する現像工程からなる。
【０００３】
上述の露光工程においてマスクとしてレチクルが用いられる。
露光工程を行う際に、レチクルの表面を浮遊粒子又はその他の汚染源から保護するために例えば薄くて透明な膜であるペリクル（Ｐｅｌｌｉｃｌｅ）が接着剤によりレチクル上に付着される。
レチクルは、周期的に洗浄される。レチクルを洗浄するために、ペリクルはレチクルから除去され、以後にレチクルの洗浄が完了すると、新しいペリクルがレチクルに付着される。ペリクルを除去する際に、レチクルから除去されずに残留する汚染物質及び大気からレチクルに新しく付着された汚染物質は、洗浄によりレチクルから除去される。
【０００４】
半導体素子が集積化するに伴い、過去には問題にならなかった分子レベルの汚染物質などにより、半導体素子の信頼性及び歩留まりが低下する。特に、上述したレチクル上にアンモニウム（ＮＨ３）、硫酸化物（ＳＯｘ）、及び有機物などのような汚染物質が残留した状態で露光工程を行う場合と、レチクルに照射される光により上述した汚染物質の光反応が引き起こされ、レチクルの表面に煙霧（ｈａｚｅ）が発生する。これは、レチクルの透過率を低下させ、これによってフォトレジストに形成されるパターンに限界寸法（Ｃｒｉｔｉｃａｌ Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ）不良又はパターンブリッジ現象などのような工程不良が引き起こされる。
【０００５】
上述した問題が発生するのを防止するために、レチクルの洗浄が完了した後に、光が照射されるレチクルの表面（以下、検査面と称す）の汚染を分析する。一般に、レチクルの洗浄が行われる装置と汚染を分析する装置とは、互いに独立した部署に提供される。
レチクル洗浄装置において、レチクルの洗浄が完了すると、作業者は、洗浄が完了したレチクルの汚染分析を行う部署に分析を依頼し、後に分析結果の通報を受ける。したがって、レチクルの洗浄が完了した後に分析結果の通報を受けるまで多くの時間がかかるので、露光装置の稼動率を向上するために、多くの数のレチクルを確保しなければならない。
【０００６】
また、一般に、レチクルの表面の汚染分析は、レチクルの検査面が上方に向かうように配置した後、レチクルの検査面に常温の脱イオン水を少量供給し待機する。一定時間が経過したあと、レチクルの検査面上の脱イオン水をイオンクロマトグラフィー（ｈｉｇｈ ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ ｉｏｎ ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈ、ＨＰＩＣ）分析器のような分析装置に供給して汚染を分析する。
【０００７】
しかしながら、上述した方法を使用する場合、脱イオン水がレチクルの全検査面に等しく提供されないことから、検査の信頼度が低下する。上述した問題は、レチクルの検査面が疎水性を有している場合にさらに大きい。
また、上述したように、脱イオン水が常温で供給されるために、レチクルの検査面上の汚染物質が脱イオン水に十分に含有されるようにするために、レチクルと脱イオン水とが接触した状態で長時間待機しなければならない。
【０００８】
また、作業者が脱イオン水をレチクルの検査面に直接供給するため、作業者に応じて供給される脱イオン水の量が異なって検査の信頼度が低い。
また、レチクルの検査面と脱イオン水との接触は、密閉されたチャンバーで行われるが、作業者が直接レチクルをチャンバー内に挿入し脱イオン水を供給するので、チャンバーのカバーが開いている時間が長くなって、チャンバー内の空間が外気に長時間露出する、というような問題がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
そこで、本発明は上記従来の汚染分析装置における問題点に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、レチクルのような検査対象物の洗浄後にその検査面に残留する汚染を分析する際に、検査の信頼度を向上させることができる汚染分析装置及びその方法を提供することにある。
また、本発明の他の目的は、レチクルのような検査対象物の洗浄後にその検査面に残留する汚染を分析する時に必要な時間を短縮できる汚染分析装置及びその方法を提供することにある。
【００１０】
また、本発明のさらに他の目的は、レチクルの洗浄が高い信頼度で行われるようにし、露光工程時に工程効率を向上させうるレチクル洗浄システムを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するためになされた本発明による汚染分析装置は、検査対象物の検査面に残留する汚染を分析する装置であって、前記検査対象物の検査面と液とを接触させて、サンプリング液を抽出するサンプリングモジュールと、前記サンプリング液から前記検査対象物の検査面に残留する汚染物質を分析する分析器とを備え、前記サンプリングモジュールは、前記検査対象物の検査面が収容可能な収容空間が形成された液槽と、前記液槽の収容空間に液を供給する液供給ノズルとを備えることを特徴とする。
【００１２】
前記サンプリングモジュールは、外部から隔離される空間を提供するチャンバーをさらに備え、前記チャンバーは、一面に前記検査対象物を出し入れする通路が形成され、内部に前記液槽が位置するハウジングと、前記通路を開閉するドアとを有することが好ましい。
前記サンプリングモジュールは、前記チャンバー内にパージ（ｐｕｒｇｅ）ガスを供給するパージガス供給部をさらに備えることが好ましい。
前記サンプリングモジュールは、前記収容空間に収容された液を加熱する加熱部をさらに備えることが好ましい。
前記サンプリングモジュールは、前記収容空間に収容された液の温度を感知する温度感知部をさらに備えることが好ましい。
【００１３】
前記収容空間は、前記液槽の上部に凹部を形成されることによって提供され、前記ドアは、前記ハウジングの上面に前記収容空間と対向するように配置されることが好ましい。
前記液槽は、前記収容空間内で前記検査対象物の検査面が前記収容空間の底面と離隔するように、前記検査対象物を支持する支持突起をさらに備えることが好ましい。
前記サンプリングモジュールは、前記検査対象物の検査面と接触した前記液が前記分析器に供給されるように、前記収容空間と分析器とを連結してそしてバルブが設置された液流出管をさらに備えることが好ましい。
前記サンプリングモジュールは、前記検査対象物として半導体工程に用いられるレチクルからサンプリング液を抽出できるような形状で形成されていることが好ましい。
【００１４】
上記目的を達成するためになされた本発明による汚染分析方法は、検査対象物の検査面を液と接触させた後に、該接触させた液内の汚染物質を分析することによって、前記検出対象物の検査面に残留する汚染を分析する汚染検査方法であって、液槽に満たされた液に前記検査対象物の検査面を浸してサンプリング液を得る段階と、前記サンプリング液を分析することによって汚染物質を分析する段階とを有してことを特徴とする。
【００１５】
前記サンプリング液を得る段階は、前記液を前記液槽の上面に形成された収容空間内に満たす段階と、前記検査対象物を、その検査面が前記液槽に満たされた液と面するようにした後に、前記検査対象物の検査面と対向する面は前記液から露出するように前記検査対象物の検査面を前記液に浸たす段階とを含むことが好ましい。
前記サンプリング液は、外部から密閉された空間内で得られるようにし、前記検査対象物を前記空間に出し入れする間は、前記空間にパージガスが噴射されることが好ましい。
前記検査対象物の検査面は、加熱された前記液に浸すことが好ましい。
前記検査対象物の検査面が前記液に浸っている間、前記液は加熱されることが好ましい。
前記収容空間に満たされた液の量が一定になるように、前記収容空間に液を供給する液供給管に設置されたバルブの開放時間は、制御器により制御されることが好ましい。
前記検査対象物は、レチクル（ｒｅｔｉｃｌｅ）であることが好ましい。
【００１６】
上記目的を達成するためになされた本発明によるレチクル洗浄システムは、レチクルを洗浄するシステムであって、レチクルを洗浄する洗浄装置と、前記洗浄装置により洗浄されたレチクルの検査面に残留する汚染を検査する汚染分析装置とを備え、前記汚染分析装置は、チャンバーと、前記チャンバー内に備えられ、上部に前記レチクルの検査面が収容可能な収容空間が形成された液槽と、前記液槽の収容空間に液を供給する液供給ノズルと、前記レチクルの検査面を前記液に浸すことによって得られたサンプリング液から前記レチクルの検査面に残留する汚染物質を分析する分析器とを備えることを特徴とする。
【００１７】
前記チャンバーは、上面に前記レチクルを出し入れする通路が形成され、内部に前記液槽が位置するハウジングと、前記通路を開閉するドアとを有し、前記汚染分析装置は、前記チャンバー内にパージガスを供給するパージガス供給部をさらに備えることが好ましい。
前記汚染分析装置は、前記収容空間に収容された液を加熱する加熱部をさらに備えることが好ましい。
前記レチクル洗浄システムは、前記分析器から分析結果が伝送され、これにより、前記洗浄装置の洗浄処方（ｒｅｃｉｐｅ）を調節し、さらに、前記液供給ノズルからの液供給、前記パージガス供給部からのパージガス供給、及び前記加熱部を制御する制御器をさらに備えることが好ましい。
【発明の効果】
【００１８】
本発明に係る汚染分析装置及びその方法並びにそれを用いたレチクル洗浄システムによれば、レチクルのような検査対象物の洗浄後に行うその検査面に残留する汚染分析時の分析の信頼度を向上させることができるという効果がある。
また、レチクルの検査面を除いた他の面が脱イオン水と接触するのを最小化できることから、分析の信頼度を向上させることができるという効果がある。
また、レチクルの検査面が脱イオン水に浸るようにしてサンプリング液を抽出するので、分析の信頼度を向上させることができるという効果がある。
【００１９】
また、レチクルのような検査対象物の洗浄後にその検査面に残留する汚染を分析する際に必要な時間を短縮することができるという効果がある。
また、分析の結果、レチクルが要求されるレベルの洗浄が行われていない場合に、レチクルの再洗浄又は洗浄処方（ｒｅｃｉｐｅ）の変更が行われるので、レチクルの洗浄が高い信頼度で行われることがことができるという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
次に、本発明に係る汚染分析装置及びその方法並びにそれを用いたレチクル洗浄システムを実施するための最良の形態の具体例を図面を参照しながら説明する。
【００２１】
本発明の実施の形態は、多様な形態に変形され、本発明の範囲が後述する実施の形態に限定されないと解釈されねばならない。本実施の形態は、単に当業者に本発明をより完全な形で説明するために提供される。したがって、図面での要素の形状などは、より明確な説明として強調するために一部が誇張されて示すこともある。
【００２２】
本実施の形態では、検査対象物としてレチクル７０を例に挙げて説明する。しかしながら、本発明の技術的思想は、これに限定されず、レチクル７０の他に異なる種類の対象物にも適用可能である。
【００２３】
図１は、本発明の好ましい一実施形態によるレチクル洗浄システムを概略的に示すブロック図である。
図１に示すように、レチクル洗浄システム１は、洗浄装置１０、汚染分析装置２０、及び制御器３０を有する。
【００２４】
洗浄装置１０は、露光工程に用いられた後に光が照射される面に付着されたペリクル（図示せず）が除去されたレチクル７０を洗浄する。以下、レチクル７０の両面のうち、光が照射される面（すなわち、ペリクルが付着される面）を検査面７２と称する。
汚染分析装置２０は、洗浄が完了したレチクル７０の検査面７２に残留する汚染を分析する。
制御器３０は、汚染分析装置２０から検査結果を送信され、検査結果に応じて洗浄装置１０の洗浄処方（ｒｅｃｉｐｅ）を調節する。以下、それぞれの構成について詳細に説明する。
【００２５】
図２は、レチクルを洗浄する洗浄装置の一例を概略的に示す模式図である。
図２に示すように、洗浄装置１０は、ロード部１２ａ、洗浄部１３、及びアンロード部１２ｂを有する。
【００２６】
露光工程に用いられたレチクル７０は、ロード部１２ａを介して洗浄装置１０に導入し、洗浄部１３においてレチクル７０の表面に付着された汚染が除去された後、アンロード部１２ｂを介して洗浄装置１０から導出される。
洗浄部１３には、複数の洗浄ユニット（１４ａ、１４ｂ、１６ａ、１６ｂ、１８）が提供される。洗浄ユニットは、薬液を使用してレチクル７０を洗浄する薬液洗浄ユニット１４ａ、１４ｂ、常温又は高温の脱イオン水を用いてレチクル７０を水洗する水洗ユニット１６ａ、１６ｂ、及びレチクル７０を乾燥する乾燥ユニット１８を有する。
【００２７】
薬液は、アンモニア、硫酸、フッ酸、又は窒酸などが使用されるか、ＳＣ−１洗浄液（ａｍｍｏｎｉａ−ｈｙｄｒｏｇｅｎ ｐｅｒｏｘｉｄｅ ｍｉｘｔｕｒｅ）又はＳＣ−２洗浄液（ｈｙｄｒｏｃｈｌｏｒｉｃ ａｃｉｄ−ｈｙｄｒｏｇｅｎ ｐｅｒｏｘｉｄｅ Ｍｉｘｔｕｒｅ）などが使用可能である。
【００２８】
乾燥は、イソプロピルアルコール蒸気を用いて行うことができる。それぞれの洗浄ユニットは、薬液又はリンス液に浸すようにして工程を行う構造で提供されるか、又は回転するレチクル７０上に薬液又はリンス液を供給する構造で提供されうる。薬液洗浄とリンスは、順次に複数回繰り返されて行われ、最後に乾燥が行われるように洗浄ユニット（１４ａ、１４ｂ、１６ａ、１６ｂ、１８）が配置される。
【００２９】
汚染分析装置２０は、洗浄が完了したレチクル７０の表面に残留する汚染の程度を分析する。洗浄が完了したレチクル７０の中から選択されたレチクル７０は、汚染分析装置２０に移送される。レチクル７０は、ロボットなどのような自動移送装置（図示せず）により汚染分析装置２０に移送されるか、又は作業者により直接汚染分析装置２０に移送される。汚染分析装置２０は、サンプリング液の抽出が行われるサンプリングモジュール２２と、サンプリング液から汚染の程度を分析する分析器２４とを有する。
【００３０】
図３は、サンプリングモジュールの概略的な構成を示す断面図である。
図３に示すように、サンプリングモジュール２２は、チャンバー１００、液槽２００、加熱部４００、温度感知部４６０、液供給ノズル５２０、及びパージガス供給部６００を有する。
【００３１】
チャンバー１００は、外部から密閉可能な空間１０２を提供する。チャンバー１００は、ハウジング１２０とドア１４０とを有する。ハウジング１２０は、たとえば六面体の筒状を有し、上面にレチクル７０の出し入れが可能な開口を有する。ドア１４０は、開口を開閉可能なように提供される。ドア１４０は、たとえば、一端と支点として回動することにより開口を開閉するように提供されることができる。
【００３２】
チャンバー１００内には、液槽２００が提供される。
液槽２００は、液を収容することができる収容空間２２０を有する。例えば、液槽２００は、上面に凹んだ溝が形成された直六面体の板状を有し、溝は、収容空間２２０として提供される。したがって、収容空間２２０は、側面２２２と底面２２４とにより形成される。収容空間２２０は、上述した開口と対向するように配置する。
【００３３】
レチクル７０は、開口を介してハウジング１２０内を垂直に下方向へ移動して、その検査面７２が液槽２００内に挿入される。溝つまり収容空間２２０は、レチクル７０の検査面７２が収容されうる大きさで提供される。液槽２００は、収容空間２２０内に満たされた液が汚染されないように石英材質などからなる。また、液槽２００は、ハウジング１２０の底面から離隔するように受け台２６０により支持される。
【００３４】
収容空間２２０内に収容されたレチクル７０の検査面７２が収容空間２２０の底面２２４と接触しないように、底面２２４には、上部に突出した支持突起２４０が設けられる。
支持突起２４０は、レチクル７０のエッジと接触する位置に提供される。また、それぞれの支持突起２４０は、レチクル７０と点接触するような形状で付けられる。例えば、支持突起２４０は、半球状で提供されうる。上述の支持突起２４０の位置及び形状は、多様に変化されうる。
【００３５】
レチクル７０の検査面７２に液を供給して、サンプリング液を抽出する場合に、検査面７２の全体が溶液と接触が行われないと分析の信頼度が低下しうる。しかしながら、本実施形態のように、レチクル７０の検査面７２が液に浸った状態でサンプリング液の抽出が行われると、レチクル７０の検査面７２の全体領域が液と接触するので、分析の信頼度を向上させることができる（図４参照）。
【００３６】
実際上、作業者がレチクル７０の検査面７２に液を供給する場合に、平均的に約４５ｍｌの液が消費されたが、上述した構造の液槽２００を使用する場合には、約１００ｍｌの液が消費された。レチクル７０が液に浸る方式で構造を変更しても、消費される液の量は、大きく増加しない。
【００３７】
また、上述したものとは異なり、レチクル７０の検査面７２と対向する面が支持突起２４０と接触するようにレチクル７０を収容空間２２０内に収容することもできるが、この場合、レチクル７０のすべての面が液と接触するので、レチクル７０の検査面７２における汚染に対する分析の信頼度は低下する。したがって、レチクル７０の検査面７２を除いた他の面が液と接触するのを最小限にするために、レチクル７０の検査面７２が支持突起２４０に置かれるようにレチクル７０を収容空間２２０内に収容することが好ましい。
【００３８】
液供給ノズル５２０は、液槽２００の収容空間２２０内に液を供給する。液には、脱イオン水が使用されうる。
一例によれば、液供給ノズル５２０は、その噴射口が収容空間２２０の一側のエッジに向かうように配置される。液供給ノズル５２０は、ハウジング１２０の内側壁から液槽２００の一側の上部まで上向き傾斜した供給ロッド５２４とその先端から下方向に下向き傾斜するように延びた噴射ロッド５２２を有する。噴射ロッド５２２は、レチクル７０が収容空間２２０へ移動されるときに、レチクル７０の移動に干渉しないように配置する。
【００３９】
液供給管５４０は、ハウジング１２０の外部に配置され、液貯蔵容器（図示せず）から液供給ノズル５２０に液を供給するように、液貯蔵容器と液供給ノズル５２０とを連結する。液供給管５４０には、その内部通路を開閉するバルブ５４２が設けられる。バルブ５４２の開閉は、制御器３０により制御される。
【００４０】
制御器３０は、バルブ５４２が一定時間の間に開かれるようにして、収容空間２２０に供給される液の量を一定にする。収容空間２２０に供給される液の量は、最小、レチクル７０の検査面７２が液内に浸ることができるようにする。また、収容空間２２０に供給される液の量は、検査面７２と対向するレチクル７０の面が液に浸らないようにする。可能なかぎり、レチクル７０の側面も、液に浸る部分が少ないように、液の供給量を決めることが好ましい。
図４は、収容空間２２０内で液に浸るレチクル７０の領域の好ましい一例を示す。
【００４１】
上述したものとは異なり、収容空間２２０への液の供給は、作業者により手動で行うこともできる。しかしながら、この場合、収容空間２２０に供給される液の量が相異なるので、分析の信頼度が低下しうる。したがって、収容空間２２０に供給される液の量が常に一定になるように、バルブ５４２が開放される時間が制御器３０により調節されることが好ましい。
【００４２】
加熱部４００は、レチクル７０の検査面７２と接触する液を加熱する。一例によれば、加熱部４００は、レチクル７０の検査面７２と液とが接触している間、液が加熱され続けるように提供される。加熱部４００は、液槽２００の底面に装着された加熱板４２０と、その内部に挿入されたヒータ４４０とを有する。ヒータ４４０としては、熱線が提供されうる。選択的に加熱部４００は、液槽２００内に挿入されたヒータを備えることもできる。
【００４３】
また、収容空間２２０の底面には、温度感知部４６０が設置される。温度感知部４６０としては、温度センサが用いられる。温度センサは、液の温度を測定し続け、測定値は、制御器３０に伝送される。制御器３０は、測定値に基づいてヒータ４４０に提供される電力の大きさを調節することができる。
【００４４】
レチクル７０の検査面７２と常温の液とを接触してサンプリング液を抽出する場合に、検査面７２上の汚染物質が脱イオン水に十分に含有されるようにするために、レチクル７０と液との接触時間は、十分に長くなければならない。しかしながら、上述のようにレチクル７０の検査面７２と加熱した液との接触の場合、比較的短い時間の接触が行われても、検査面上の汚染物質が脱イオン水に十分に含有される。実験によると、約９０℃の液とレチクル７０の検査面７２との接触が３０分間行われる場合は、常温の液とレチクル７０の検査面７２とが１時間の間に接続される場合に比べて、分析の信頼度がさらに高い。
【００４５】
本実施形態では、加熱部４００が液槽２００に装着される構造を例に挙げて説明したが、加熱部４００の位置及び加熱部４００の種類は、多様に変化できる。
選択的に、加熱部４００は、液供給管５４０にヒータを設置したような形式にすることもできる。しかしながら、この場合に時間が経過するに伴い、液の温度が下降するので、要求される分析の信頼度を得るために、レチクル７０の検査面７２と液の接触時間が増加させなければならない。したがって、レチクル７０の検査面７２と液とが接触される間、液が加熱され続けることが好ましい。
【００４６】
パージガス供給部６００は、チャンバー１００内にパージガスを供給する。パージガス供給部６００は、ガス噴射ノズル６２０とガス供給管６４０とを有する。ガス噴射ノズル６２０は、チャンバー１００内の上側に提供される。ガス供給管６４０は、チャンバー１００の外部に位置し、ガス噴射ノズル６２０にガスを供給する。ガス供給管６４０には、バルブ６４２が設置され、バルブ６４２は、制御器３０により調節されうる。
パージガスとしては、例えば、窒素、又はヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノンなどの不活性ガスが採用されうる。
【００４７】
パージガスは、ドア１４０が開いてレチクル７０がチャンバー１００に出し入れされる間、噴射される。また、パージガスは、レチクル７０と液とが接触している間にも供給され続けることが好ましい。パージガスは、外部空気がチャンバー１００内に流入するのを最小化し、チャンバー１００内に残留する空気をチャンバー１００から排出する。ハウジング１２０の底面又は側面の下部には、パージガスが排出される排出管１６０が連結される。
【００４８】
レチクル７０が液に一定時間浸ることによって、レチクル７０の検査面７２上の汚染物質を含有するサンプリング液が得られる。レチクル７０は、収容空間２２０から除去され、サンプリング液は、分析器２４に送られる。
【００４９】
一例によれば、液槽２００は、チャンバー１００から脱着可能な構造で提供される。例えば、液槽２００は、加熱部４００又は受け台２６０上に置かれる構造で提供されているが、選択的に液槽２００を加熱部４００又は受け台２６０上に締結部材（図示せず）を介して固定することもできる。この場合、サンプリング液が得られると、作業者は、液槽２００をチャンバー１００から分離してサンプリング液を分析器２４に提供しうる。
【００５０】
図５は、図１のサンプリングモジュールの他の例を概略的に示す断面図である。
選択的に、図５のように液槽２００には、液流出管７００が連結されることも可能である。液流出管７００は、液槽２００の収容空間２２０に満たされたサンプリング液を分析器２４に供給する。液流出管７００には、その内部通路を開閉するバルブ７２０が設置される。バルブ７２０は、制御器３０により制御されうる。
【００５１】
分析器２４は、サンプリング液内に含有されているアンモニウム（ＮＨ３）、硫酸化物（ＳＯｘ）、及び有機物などのような汚染物質を検出する。分析器２４には、イオンクロマトグラフィー（ｈｉｇｈ ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ ｉｏｎ ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈ、ＨＰＩＣ）分析器２４などのような分析装置が使用されうる。イオンクロマトグラフィー分析器２４などのように液内に含有されている汚染物質を分析する装置は、業界において広く使用されているので、その詳細な説明は省略する。
【００５２】
分析器２４により分析された結果は、制御器３０に伝送される。制御器３０は、分析結果により、汚染の濃度が許容範囲内であると判断すると、レチクル７０を露光装置（図示せず）に提供して、工程が行われ続けるようにする。しかしながら、分析結果により、汚染の濃度が許容範囲外であると判断すると、警報器等を介してアラームを発生させて作業者に知らせる。これと共に、制御器３０は、レチクル７０が再び洗浄されるように、レチクル７０の移動を制御する。追加的には、制御器３０は、洗浄装置１０で洗浄液の量又は洗浄時間などのような洗浄処方を修正することができる。
【００５３】
上述した例では、サンプリングモジュール２２内へのレチクル７０の出し入れが作業者によりなされることで説明した。しかしながら、これとは異なり、サンプリングモジュール２２にレチクル７０の出し入れ、洗浄装置１０とサンプリングモジュール２２のレチクル７０の移送などのような、レチクル７０の一連の移動が全て自動的に行われるように、ロボットを含む運送メカニズム（図示せず）が提供されることも可能である。
【００５４】
次に、図６〜図１５を参照して、レチクルを洗浄する方法を説明する。
図６は、レチクルの洗浄工程を示すフローチャートであり、図７は、レチクルの洗浄工程のうち、レチクルを検査するステップの詳細を示すフローチャートであり、図８〜図１５は、レチクルの洗浄工程のうち、レチクルを検査するステップを順次に説明するためのサンプリングモジュールの概略断面図である。図８〜図１５に示すバルブ１６２、５４２、６４２のうち、内部が空いたバルブは、その通路が開いた状態を示し、内部が満たされたバルブは、その通路が閉められた状態を示す。
【００５５】
まず、露光工程に用いられたレチクル７０は、洗浄装置１０に移送される。レチクル７０は、洗浄装置１０内の洗浄ユニットを経由しつつ洗浄される（ステップＳ１００）。薬液による洗浄が行われた後に、脱イオン水を用いてレチクル７０を水洗する工程が複数回繰り返され、最後にレチクル７０の乾燥が行われる。
【００５６】
次に、複数のレチクル７０に対して洗浄が完了すると、その内の１つのレチクル７０に対して洗浄が要求されるレベルで行われたか否かに対する検査が行われる（ステップＳ２００）。
はじめは、図８に示すように、サンプリングモジュール２２内に提供された液槽２００の収容空間２２０に脱イオン水が満たされる（ステップＳ２１０）。脱イオン水は、液供給ノズル５２０を介して収容空間２２０に供給され、予め設定された量のみが収容空間２２０に供給されるように、制御器３０によりバルブ５４２の開放時間が調節される。
【００５７】
次に、図９に示すように、収容空間２２０に満たされた脱イオン水は、ヒータ４４０により予め設定された温度まで加熱される（ステップＳ２２０）。一例として、予め設定される温度は、約９０℃である。
【００５８】
次に、図１０に示すように、ガス噴射ノズル６２０を介してチャンバー１００内にパージガスが供給される（ステップＳ２３０）。パージガスの供給は、収容空間２２０に脱イオン水の供給又は脱イオン水の加熱に先行して行われうる。
【００５９】
次に、図１１に示すように、チャンバー１００のドア１４０が開いてハウジング１２０の上部が開放され、レチクル７０がチャンバー１００内に収容される（ステップＳ２４０）。レチクル７０は、その検査面７２が下方を向くように垂直に下方向へ移送されて、収容空間２２０内の支持突起２４０上に置かれる。レチクル７０の移送は、作業者により行われるか、又は移送ロボットにより行われることができる。
【００６０】
次に、図１２に示すように、レチクル７０は、その検査面７２が脱イオン水に浸った状態で予め設定された時間の間、待機する（ステップＳ２５０）。一例として、予め設定された時間は、約３０分である。レチクル７０が脱イオン水に浸っている間、脱イオン水は、上述した予め設定された温度を維持するように加熱され続ける。
【００６１】
予め設定された時間が過ぎると、図１３に示すように、チャンバー１００のドア１４０が開いてハウジング１２０の上部が開放され、レチクル７０は、チャンバー１００から摘出される（ステップＳ２６０）。図１０において行われたパージガスの供給は、ここまで行われ続ける。
【００６２】
次に、図１４に示すように、収容空間２２０内に残っているサンプリング液（レチクルが浸っていた脱イオン水）を分析器２４に提供する（ステップＳ２７０）。図３の装置を使用する場合は、作業者が液槽２００をチャンバー１００から分離した後に手作業でサンプリング液を分析器２４に供給する。しかし、選択的に、図５の装置を使用する場合は、液槽２００に連結した液流出管７００を用いて、サンプリング液が分析器２４に供給されうる。
【００６３】
以後、図１５に示すように、チャンバー１００のドア１４０が閉められた後に、チャンバー１００内にパージガスが供給され、液槽２００の収容空間２２０に洗浄液としての脱イオン水が供給されて、サンプリングモジュール２２の内部が洗浄される（ステップＳ２８０）。パージガス及び洗浄液は、排出管１６０を介してチャンバー１００から排出される。洗浄液（脱イオン水）は、液供給ノズル５２０を介して供給することができ、選択的に液供給ノズル５２０とは異なるノズルを介して液槽２００の収容空間２２０に供給されうる。
【００６４】
分析器２４は、サンプリング液から汚染の濃度を分析し、分析結果は、制御器３０に伝送される（ステップＳ３００）。制御器３０は、汚染の濃度が許容範囲内であると、レチクル７０を露光装置に移送させ（ステップＳ４００）、汚染の濃度が許容範囲外であると、警告音等を発生させた後にレチクル７０を洗浄装置１０に搬送して再び洗浄が行われるようにする。このとき、洗浄装置１０の洗浄処方が修正されるように調節されうる（ステップＳ５００）。
【００６５】
尚、本発明は、上述の実施形態に限られるものではない。本発明の技術的範囲から逸脱しない範囲内で多様に変更実施することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】本発明の好ましい一実施形態によるレチクル洗浄システムを概略的に示すブロック図である。
【図２】図１のレチクルを洗浄する洗浄装置の一例を概略的に示す模式図である。
【図３】図１のサンプリングモジュールの概略的な構成を示す断面図である。
【図４】収容空間内で液に浸るレチクルの領域の好ましい一例を示す概略断面図である。
【図５】図１のサンプリングモジュールの他の例を概略的に示す断面図である。
【図６】レチクルの洗浄工程を示すフローチャートである。
【図７】図６のレチクルの洗浄工程のうち、レチクルを検査するステップの詳細を示すフローチャートである。
【図８】レチクルを検査するステップを順次に説明するためのサンプリングモジュールの概略断面図である。
【図９】レチクルを検査するステップを順次に説明するためのサンプリングモジュールの概略断面図である。
【図１０】レチクルを検査するステップを順次に説明するためのサンプリングモジュールの概略断面図である。
【図１１】レチクルを検査するステップを順次に説明するためのサンプリングモジュールの概略断面図である。
【図１２】レチクルを検査するステップを順次に説明するためのサンプリングモジュールの概略断面図である。
【図１３】レチクルを検査するステップを順次に説明するためのサンプリングモジュールの概略断面図である。
【図１４】レチクルを検査するステップを順次に説明するためのサンプリングモジュールの概略断面図である。
【図１５】レチクルを検査するステップを順次に説明するためのサンプリングモジュールの概略断面図である。
【符号の説明】
【００６７】
１ レチクル洗浄システム
１０ 洗浄装置
２０ 汚染分析装置
２２ サンプリングモジュール
２４ 分析器
３０ 制御器
４０ 警報器
７０ レチクル
７２ 検査面
１００ チャンバー
１２０ ハウジング
１４０ ドア
１６０ 排出管
１６２、５４２、６４２、７２０ バルブ
２００ 液槽
２２０ 収容空間
２４０ 支持突起
２６０ 受け台
４００ 加熱部
４２０ 加熱板
４４０ ヒータ
４６０ 温度感知部
５２０ 液供給ノズル
５２２ 噴射ロッド
５２４ 供給ロッド
５４０ 液供給管
６００ パージガス供給部
６２０ ガス噴射ノズル
６４０ ガス供給管
７００ 液流出管
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の製造に用いられるシステム及び方法に関し、さらに詳細には、洗浄されたレチクルの表面に残留する汚染を分析する装置及びその方法並びにその装置を有するレチクル洗浄システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体素子を製造するために、イオン注入工程、蒸着工程、拡散工程、フォトリソグラフィ工程、そしてエッチング工程などのような複数の工程が要求される。かかる工程の中でフォトリソグラフィ工程は、ウエハ上に所望のパターンを形成するために用いられる。
フォトリソグラフィ工程は、大きく、ウエハ上にフォトレジストを塗布する塗布工程、光を照射してウエハ上に塗布されたフォトレジストにマスクに形成されたパターンを転写する露光工程、及び露光後にウエハ上の特定領域からフォトレジストを除去する現像工程からなる。
【０００３】
上述の露光工程においてマスクとしてレチクルが用いられる。
露光工程を行う際に、レチクルの表面を浮遊粒子又はその他の汚染源から保護するために例えば薄くて透明な膜であるペリクル（Ｐｅｌｌｉｃｌｅ）が接着剤によりレチクル上に付着される。
レチクルは、周期的に洗浄される。レチクルを洗浄するために、ペリクルはレチクルから除去され、以後にレチクルの洗浄が完了すると、新しいペリクルがレチクルに付着される。ペリクルを除去する際に、レチクルから除去されずに残留する汚染物質及び大気からレチクルに新しく付着された汚染物質は、洗浄によりレチクルから除去される。
【０００４】
半導体素子が集積化するに伴い、過去には問題にならなかった分子レベルの汚染物質などにより、半導体素子の信頼性及び歩留まりが低下する。特に、上述したレチクル上にアンモニウム（ＮＨ３）、硫酸化物（ＳＯｘ）、及び有機物などのような汚染物質が残留した状態で露光工程を行う場合と、レチクルに照射される光により上述した汚染物質の光反応が引き起こされ、レチクルの表面に煙霧（ｈａｚｅ）が発生する。これは、レチクルの透過率を低下させ、これによってフォトレジストに形成されるパターンに限界寸法（Ｃｒｉｔｉｃａｌ Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ）不良又はパターンブリッジ現象などのような工程不良が引き起こされる。
【０００５】
上述した問題が発生するのを防止するために、レチクルの洗浄が完了した後に、光が照射されるレチクルの表面（以下、検査面と称す）の汚染を分析する。一般に、レチクルの洗浄が行われる装置と汚染を分析する装置とは、互いに独立した部署に提供される。
レチクル洗浄装置において、レチクルの洗浄が完了すると、作業者は、洗浄が完了したレチクルの汚染分析を行う部署に分析を依頼し、後に分析結果の通報を受ける。したがって、レチクルの洗浄が完了した後に分析結果の通報を受けるまで多くの時間がかかるので、露光装置の稼動率を向上するために、多くの数のレチクルを確保しなければならない。
【０００６】
また、一般に、レチクルの表面の汚染分析は、レチクルの検査面が上方に向かうように配置した後、レチクルの検査面に常温の脱イオン水を少量供給し待機する。一定時間が経過したあと、レチクルの検査面上の脱イオン水をイオンクロマトグラフィー（ｈｉｇｈ ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ ｉｏｎ ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈ、ＨＰＩＣ）分析器のような分析装置に供給して汚染を分析する。
【０００７】
しかしながら、上述した方法を使用する場合、脱イオン水がレチクルの全検査面に等しく提供されないことから、検査の信頼度が低下する。上述した問題は、レチクルの検査面が疎水性を有している場合にさらに大きい。
また、上述したように、脱イオン水が常温で供給されるために、レチクルの検査面上の汚染物質が脱イオン水に十分に含有されるようにするために、レチクルと脱イオン水とが接触した状態で長時間待機しなければならない。
【０００８】
また、作業者が脱イオン水をレチクルの検査面に直接供給するため、作業者に応じて供給される脱イオン水の量が異なって検査の信頼度が低い。
また、レチクルの検査面と脱イオン水との接触は、密閉されたチャンバーで行われるが、作業者が直接レチクルをチャンバー内に挿入し脱イオン水を供給するので、チャンバーのカバーが開いている時間が長くなって、チャンバー内の空間が外気に長時間露出する、というような問題がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
そこで、本発明は上記従来の汚染分析装置における問題点に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、レチクルのような検査対象物の洗浄後にその検査面に残留する汚染を分析する際に、検査の信頼度を向上させることができる汚染分析装置及びその方法を提供することにある。
また、本発明の他の目的は、レチクルのような検査対象物の洗浄後にその検査面に残留する汚染を分析する時に必要な時間を短縮できる汚染分析装置及びその方法を提供することにある。
【００１０】
また、本発明のさらに他の目的は、レチクルの洗浄が高い信頼度で行われるようにし、露光工程時に工程効率を向上させうるレチクル洗浄システムを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するためになされた本発明による汚染分析装置は、検査対象物の検査面に残留する汚染を分析する装置であって、前記検査対象物の検査面と液とを接触させて、サンプリング液を抽出するサンプリングモジュールと、前記サンプリング液から前記検査対象物の検査面に残留する汚染物質を分析する分析器とを備え、前記サンプリングモジュールは、前記検査対象物の検査面が収容可能な収容空間が形成された液槽と、前記液槽の収容空間に液を供給する液供給ノズルとを備えることを特徴とする。
【００１２】
前記サンプリングモジュールは、外部から隔離される空間を提供するチャンバーをさらに備え、前記チャンバーは、一面に前記検査対象物を出し入れする通路が形成され、内部に前記液槽が位置するハウジングと、前記通路を開閉するドアとを有することが好ましい。
前記サンプリングモジュールは、前記チャンバー内にパージ（ｐｕｒｇｅ）ガスを供給するパージガス供給部をさらに備えることが好ましい。
前記サンプリングモジュールは、前記収容空間に収容された液を加熱する加熱部をさらに備えることが好ましい。
前記サンプリングモジュールは、前記収容空間に収容された液の温度を感知する温度感知部をさらに備えることが好ましい。
【００１３】
前記収容空間は、前記液槽の上部に凹部を形成されることによって提供され、前記ドアは、前記ハウジングの上面に前記収容空間と対向するように配置されることが好ましい。
前記液槽は、前記収容空間内で前記検査対象物の検査面が前記収容空間の底面と離隔するように、前記検査対象物を支持する支持突起をさらに備えることが好ましい。
前記サンプリングモジュールは、前記検査対象物の検査面と接触した前記液が前記分析器に供給されるように、前記収容空間と分析器とを連結してそしてバルブが設置された液流出管をさらに備えることが好ましい。
前記サンプリングモジュールは、前記検査対象物として半導体工程に用いられるレチクルからサンプリング液を抽出できるような形状で形成されていることが好ましい。
【００１４】
上記目的を達成するためになされた本発明による汚染分析方法は、検査対象物の検査面を液と接触させた後に、該接触させた液内の汚染物質を分析することによって、前記検出対象物の検査面に残留する汚染を分析する汚染検査方法であって、液槽に満たされた液に前記検査対象物の検査面を浸してサンプリング液を得る段階と、前記サンプリング液を分析することによって汚染物質を分析する段階とを有してことを特徴とする。
【００１５】
前記サンプリング液を得る段階は、前記液を前記液槽の上面に形成された収容空間内に満たす段階と、前記検査対象物を、その検査面が前記液槽に満たされた液と面するようにした後に、前記検査対象物の検査面と対向する面は前記液から露出するように前記検査対象物の検査面を前記液に浸たす段階とを含むことが好ましい。
前記サンプリング液は、外部から密閉された空間内で得られるようにし、前記検査対象物を前記空間に出し入れする間は、前記空間にパージガスが噴射されることが好ましい。
前記検査対象物の検査面は、加熱された前記液に浸すことが好ましい。
前記検査対象物の検査面が前記液に浸っている間、前記液は加熱されることが好ましい。
前記収容空間に満たされた液の量が一定になるように、前記収容空間に液を供給する液供給管に設置されたバルブの開放時間は、制御器により制御されることが好ましい。
前記検査対象物は、レチクル（ｒｅｔｉｃｌｅ）であることが好ましい。
【００１６】
上記目的を達成するためになされた本発明によるレチクル洗浄システムは、レチクルを洗浄するシステムであって、レチクルを洗浄する洗浄装置と、前記洗浄装置により洗浄されたレチクルの検査面に残留する汚染を検査する汚染分析装置とを備え、前記汚染分析装置は、チャンバーと、前記チャンバー内に備えられ、上部に前記レチクルの検査面が収容可能な収容空間が形成された液槽と、前記液槽の収容空間に液を供給する液供給ノズルと、前記レチクルの検査面を前記液に浸すことによって得られたサンプリング液から前記レチクルの検査面に残留する汚染物質を分析する分析器とを備えることを特徴とする。
【００１７】
前記チャンバーは、上面に前記レチクルを出し入れする通路が形成され、内部に前記液槽が位置するハウジングと、前記通路を開閉するドアとを有し、前記汚染分析装置は、前記チャンバー内にパージガスを供給するパージガス供給部をさらに備えることが好ましい。
前記汚染分析装置は、前記収容空間に収容された液を加熱する加熱部をさらに備えることが好ましい。
前記レチクル洗浄システムは、前記分析器から分析結果が伝送され、これにより、前記洗浄装置の洗浄処方（ｒｅｃｉｐｅ）を調節し、さらに、前記液供給ノズルからの液供給、前記パージガス供給部からのパージガス供給、及び前記加熱部を制御する制御器をさらに備えることが好ましい。
【発明の効果】
【００１８】
本発明に係る汚染分析装置及びその方法並びにそれを用いたレチクル洗浄システムによれば、レチクルのような検査対象物の洗浄後に行うその検査面に残留する汚染分析時の分析の信頼度を向上させることができるという効果がある。
また、レチクルの検査面を除いた他の面が脱イオン水と接触するのを最小化できることから、分析の信頼度を向上させることができるという効果がある。
また、レチクルの検査面が脱イオン水に浸るようにしてサンプリング液を抽出するので、分析の信頼度を向上させることができるという効果がある。
【００１９】
また、レチクルのような検査対象物の洗浄後にその検査面に残留する汚染を分析する際に必要な時間を短縮することができるという効果がある。
また、分析の結果、レチクルが要求されるレベルの洗浄が行われていない場合に、レチクルの再洗浄又は洗浄処方（ｒｅｃｉｐｅ）の変更が行われるので、レチクルの洗浄が高い信頼度で行われることがことができるという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
次に、本発明に係る汚染分析装置及びその方法並びにそれを用いたレチクル洗浄システムを実施するための最良の形態の具体例を図面を参照しながら説明する。
【００２１】
本発明の実施の形態は、多様な形態に変形され、本発明の範囲が後述する実施の形態に限定されないと解釈されねばならない。本実施の形態は、単に当業者に本発明をより完全な形で説明するために提供される。したがって、図面での要素の形状などは、より明確な説明として強調するために一部が誇張されて示すこともある。
【００２２】
本実施の形態では、検査対象物としてレチクル７０を例に挙げて説明する。しかしながら、本発明の技術的思想は、これに限定されず、レチクル７０の他に異なる種類の対象物にも適用可能である。
【００２３】
図１は、本発明の好ましい一実施形態によるレチクル洗浄システムを概略的に示すブロック図である。
図１に示すように、レチクル洗浄システム１は、洗浄装置１０、汚染分析装置２０、及び制御器３０を有する。
【００２４】
洗浄装置１０は、露光工程に用いられた後に光が照射される面に付着されたペリクル（図示せず）が除去されたレチクル７０を洗浄する。以下、レチクル７０の両面のうち、光が照射される面（すなわち、ペリクルが付着される面）を検査面７２と称する。
汚染分析装置２０は、洗浄が完了したレチクル７０の検査面７２に残留する汚染を分析する。
制御器３０は、汚染分析装置２０から検査結果を送信され、検査結果に応じて洗浄装置１０の洗浄処方（ｒｅｃｉｐｅ）を調節する。以下、それぞれの構成について詳細に説明する。
【００２５】
図２は、レチクルを洗浄する洗浄装置の一例を概略的に示す模式図である。
図２に示すように、洗浄装置１０は、ロード部１２ａ、洗浄部１３、及びアンロード部１２ｂを有する。
【００２６】
露光工程に用いられたレチクル７０は、ロード部１２ａを介して洗浄装置１０に導入し、洗浄部１３においてレチクル７０の表面に付着された汚染が除去された後、アンロード部１２ｂを介して洗浄装置１０から導出される。
洗浄部１３には、複数の洗浄ユニット（１４ａ、１４ｂ、１６ａ、１６ｂ、１８）が提供される。洗浄ユニットは、薬液を使用してレチクル７０を洗浄する薬液洗浄ユニット１４ａ、１４ｂ、常温又は高温の脱イオン水を用いてレチクル７０を水洗する水洗ユニット１６ａ、１６ｂ、及びレチクル７０を乾燥する乾燥ユニット１８を有する。
【００２７】
薬液は、アンモニア、硫酸、フッ酸、又は窒酸などが使用されるか、ＳＣ−１洗浄液（ａｍｍｏｎｉａ−ｈｙｄｒｏｇｅｎ ｐｅｒｏｘｉｄｅ ｍｉｘｔｕｒｅ）又はＳＣ−２洗浄液（ｈｙｄｒｏｃｈｌｏｒｉｃ ａｃｉｄ−ｈｙｄｒｏｇｅｎ ｐｅｒｏｘｉｄｅ Ｍｉｘｔｕｒｅ）などが使用可能である。
【００２８】
乾燥は、イソプロピルアルコール蒸気を用いて行うことができる。それぞれの洗浄ユニットは、薬液又はリンス液に浸すようにして工程を行う構造で提供されるか、又は回転するレチクル７０上に薬液又はリンス液を供給する構造で提供されうる。薬液洗浄とリンスは、順次に複数回繰り返されて行われ、最後に乾燥が行われるように洗浄ユニット（１４ａ、１４ｂ、１６ａ、１６ｂ、１８）が配置される。
【００２９】
汚染分析装置２０は、洗浄が完了したレチクル７０の表面に残留する汚染の程度を分析する。洗浄が完了したレチクル７０の中から選択されたレチクル７０は、汚染分析装置２０に移送される。レチクル７０は、ロボットなどのような自動移送装置（図示せず）により汚染分析装置２０に移送されるか、又は作業者により直接汚染分析装置２０に移送される。汚染分析装置２０は、サンプリング液の抽出が行われるサンプリングモジュール２２と、サンプリング液から汚染の程度を分析する分析器２４とを有する。
【００３０】
図３は、サンプリングモジュールの概略的な構成を示す断面図である。
図３に示すように、サンプリングモジュール２２は、チャンバー１００、液槽２００、加熱部４００、温度感知部４６０、液供給ノズル５２０、及びパージガス供給部６００を有する。
【００３１】
チャンバー１００は、外部から密閉可能な空間１０２を提供する。チャンバー１００は、ハウジング１２０とドア１４０とを有する。ハウジング１２０は、たとえば六面体の筒状を有し、上面にレチクル７０の出し入れが可能な開口を有する。ドア１４０は、開口を開閉可能なように提供される。ドア１４０は、たとえば、一端と支点として回動することにより開口を開閉するように提供されることができる。
【００３２】
チャンバー１００内には、液槽２００が提供される。
液槽２００は、液を収容することができる収容空間２２０を有する。例えば、液槽２００は、上面に凹んだ溝が形成された直六面体の板状を有し、溝は、収容空間２２０として提供される。したがって、収容空間２２０は、側面２２２と底面２２４とにより形成される。収容空間２２０は、上述した開口と対向するように配置する。
【００３３】
レチクル７０は、開口を介してハウジング１２０内を垂直に下方向へ移動して、その検査面７２が液槽２００内に挿入される。溝つまり収容空間２２０は、レチクル７０の検査面７２が収容されうる大きさで提供される。液槽２００は、収容空間２２０内に満たされた液が汚染されないように石英材質などからなる。また、液槽２００は、ハウジング１２０の底面から離隔するように受け台２６０により支持される。
【００３４】
収容空間２２０内に収容されたレチクル７０の検査面７２が収容空間２２０の底面２２４と接触しないように、底面２２４には、上部に突出した支持突起２４０が設けられる。
支持突起２４０は、レチクル７０のエッジと接触する位置に提供される。また、それぞれの支持突起２４０は、レチクル７０と点接触するような形状で付けられる。例えば、支持突起２４０は、半球状で提供されうる。上述の支持突起２４０の位置及び形状は、多様に変化されうる。
【００３５】
レチクル７０の検査面７２に液を供給して、サンプリング液を抽出する場合に、検査面７２の全体が溶液と接触が行われないと分析の信頼度が低下しうる。しかしながら、本実施形態のように、レチクル７０の検査面７２が液に浸った状態でサンプリング液の抽出が行われると、レチクル７０の検査面７２の全体領域が液と接触するので、分析の信頼度を向上させることができる（図４参照）。
【００３６】
実際上、作業者がレチクル７０の検査面７２に液を供給する場合に、平均的に約４５ｍｌの液が消費されたが、上述した構造の液槽２００を使用する場合には、約１００ｍｌの液が消費された。レチクル７０が液に浸る方式で構造を変更しても、消費される液の量は、大きく増加しない。
【００３７】
また、上述したものとは異なり、レチクル７０の検査面７２と対向する面が支持突起２４０と接触するようにレチクル７０を収容空間２２０内に収容することもできるが、この場合、レチクル７０のすべての面が液と接触するので、レチクル７０の検査面７２における汚染に対する分析の信頼度は低下する。したがって、レチクル７０の検査面７２を除いた他の面が液と接触するのを最小限にするために、レチクル７０の検査面７２が支持突起２４０に置かれるようにレチクル７０を収容空間２２０内に収容することが好ましい。
【００３８】
液供給ノズル５２０は、液槽２００の収容空間２２０内に液を供給する。液には、脱イオン水が使用されうる。
一例によれば、液供給ノズル５２０は、その噴射口が収容空間２２０の一側のエッジに向かうように配置される。液供給ノズル５２０は、ハウジング１２０の内側壁から液槽２００の一側の上部まで上向き傾斜した供給ロッド５２４とその先端から下方向に下向き傾斜するように延びた噴射ロッド５２２を有する。噴射ロッド５２２は、レチクル７０が収容空間２２０へ移動されるときに、レチクル７０の移動に干渉しないように配置する。
【００３９】
液供給管５４０は、ハウジング１２０の外部に配置され、液貯蔵容器（図示せず）から液供給ノズル５２０に液を供給するように、液貯蔵容器と液供給ノズル５２０とを連結する。液供給管５４０には、その内部通路を開閉するバルブ５４２が設けられる。バルブ５４２の開閉は、制御器３０により制御される。
【００４０】
制御器３０は、バルブ５４２が一定時間の間に開かれるようにして、収容空間２２０に供給される液の量を一定にする。収容空間２２０に供給される液の量は、最小、レチクル７０の検査面７２が液内に浸ることができるようにする。また、収容空間２２０に供給される液の量は、検査面７２と対向するレチクル７０の面が液に浸らないようにする。可能なかぎり、レチクル７０の側面も、液に浸る部分が少ないように、液の供給量を決めることが好ましい。
図４は、収容空間２２０内で液に浸るレチクル７０の領域の好ましい一例を示す。
【００４１】
上述したものとは異なり、収容空間２２０への液の供給は、作業者により手動で行うこともできる。しかしながら、この場合、収容空間２２０に供給される液の量が相異なるので、分析の信頼度が低下しうる。したがって、収容空間２２０に供給される液の量が常に一定になるように、バルブ５４２が開放される時間が制御器３０により調節されることが好ましい。
【００４２】
加熱部４００は、レチクル７０の検査面７２と接触する液を加熱する。一例によれば、加熱部４００は、レチクル７０の検査面７２と液とが接触している間、液が加熱され続けるように提供される。加熱部４００は、液槽２００の底面に装着された加熱板４２０と、その内部に挿入されたヒータ４４０とを有する。ヒータ４４０としては、熱線が提供されうる。選択的に加熱部４００は、液槽２００内に挿入されたヒータを備えることもできる。
【００４３】
また、収容空間２２０の底面には、温度感知部４６０が設置される。温度感知部４６０としては、温度センサが用いられる。温度センサは、液の温度を測定し続け、測定値は、制御器３０に伝送される。制御器３０は、測定値に基づいてヒータ４４０に提供される電力の大きさを調節することができる。
【００４４】
レチクル７０の検査面７２と常温の液とを接触してサンプリング液を抽出する場合に、検査面７２上の汚染物質が脱イオン水に十分に含有されるようにするために、レチクル７０と液との接触時間は、十分に長くなければならない。しかしながら、上述のようにレチクル７０の検査面７２と加熱した液との接触の場合、比較的短い時間の接触が行われても、検査面上の汚染物質が脱イオン水に十分に含有される。実験によると、約９０℃の液とレチクル７０の検査面７２との接触が３０分間行われる場合は、常温の液とレチクル７０の検査面７２とが１時間の間に接続される場合に比べて、分析の信頼度がさらに高い。
【００４５】
本実施形態では、加熱部４００が液槽２００に装着される構造を例に挙げて説明したが、加熱部４００の位置及び加熱部４００の種類は、多様に変化できる。
選択的に、加熱部４００は、液供給管５４０にヒータを設置したような形式にすることもできる。しかしながら、この場合に時間が経過するに伴い、液の温度が下降するので、要求される分析の信頼度を得るために、レチクル７０の検査面７２と液の接触時間が増加させなければならない。したがって、レチクル７０の検査面７２と液とが接触される間、液が加熱され続けることが好ましい。
【００４６】
パージガス供給部６００は、チャンバー１００内にパージガスを供給する。パージガス供給部６００は、ガス噴射ノズル６２０とガス供給管６４０とを有する。ガス噴射ノズル６２０は、チャンバー１００内の上側に提供される。ガス供給管６４０は、チャンバー１００の外部に位置し、ガス噴射ノズル６２０にガスを供給する。ガス供給管６４０には、バルブ６４２が設置され、バルブ６４２は、制御器３０により調節されうる。
パージガスとしては、例えば、窒素、又はヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノンなどの不活性ガスが採用されうる。
【００４７】
パージガスは、ドア１４０が開いてレチクル７０がチャンバー１００に出し入れされる間、噴射される。また、パージガスは、レチクル７０と液とが接触している間にも供給され続けることが好ましい。パージガスは、外部空気がチャンバー１００内に流入するのを最小化し、チャンバー１００内に残留する空気をチャンバー１００から排出する。ハウジング１２０の底面又は側面の下部には、パージガスが排出される排出管１６０が連結される。
【００４８】
レチクル７０が液に一定時間浸ることによって、レチクル７０の検査面７２上の汚染物質を含有するサンプリング液が得られる。レチクル７０は、収容空間２２０から除去され、サンプリング液は、分析器２４に送られる。
【００４９】
一例によれば、液槽２００は、チャンバー１００から脱着可能な構造で提供される。例えば、液槽２００は、加熱部４００又は受け台２６０上に置かれる構造で提供されているが、選択的に液槽２００を加熱部４００又は受け台２６０上に締結部材（図示せず）を介して固定することもできる。この場合、サンプリング液が得られると、作業者は、液槽２００をチャンバー１００から分離してサンプリング液を分析器２４に提供しうる。
【００５０】
図５は、図１のサンプリングモジュールの他の例を概略的に示す断面図である。
選択的に、図５のように液槽２００には、液流出管７００が連結されることも可能である。液流出管７００は、液槽２００の収容空間２２０に満たされたサンプリング液を分析器２４に供給する。液流出管７００には、その内部通路を開閉するバルブ７２０が設置される。バルブ７２０は、制御器３０により制御されうる。
【００５１】
分析器２４は、サンプリング液内に含有されているアンモニウム（ＮＨ３）、硫酸化物（ＳＯｘ）、及び有機物などのような汚染物質を検出する。分析器２４には、イオンクロマトグラフィー（ｈｉｇｈ ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ ｉｏｎ ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈ、ＨＰＩＣ）分析器２４などのような分析装置が使用されうる。イオンクロマトグラフィー分析器２４などのように液内に含有されている汚染物質を分析する装置は、業界において広く使用されているので、その詳細な説明は省略する。
【００５２】
分析器２４により分析された結果は、制御器３０に伝送される。制御器３０は、分析結果により、汚染の濃度が許容範囲内であると判断すると、レチクル７０を露光装置（図示せず）に提供して、工程が行われ続けるようにする。しかしながら、分析結果により、汚染の濃度が許容範囲外であると判断すると、警報器等を介してアラームを発生させて作業者に知らせる。これと共に、制御器３０は、レチクル７０が再び洗浄されるように、レチクル７０の移動を制御する。追加的には、制御器３０は、洗浄装置１０で洗浄液の量又は洗浄時間などのような洗浄処方を修正することができる。
【００５３】
上述した例では、サンプリングモジュール２２内へのレチクル７０の出し入れが作業者によりなされることで説明した。しかしながら、これとは異なり、サンプリングモジュール２２にレチクル７０の出し入れ、洗浄装置１０とサンプリングモジュール２２のレチクル７０の移送などのような、レチクル７０の一連の移動が全て自動的に行われるように、ロボットを含む運送メカニズム（図示せず）が提供されることも可能である。
【００５４】
次に、図６〜図１５を参照して、レチクルを洗浄する方法を説明する。
図６は、レチクルの洗浄工程を示すフローチャートであり、図７は、レチクルの洗浄工程のうち、レチクルを検査するステップの詳細を示すフローチャートであり、図８〜図１５は、レチクルの洗浄工程のうち、レチクルを検査するステップを順次に説明するためのサンプリングモジュールの概略断面図である。図８〜図１５に示すバルブ１６２、５４２、６４２のうち、内部が空いたバルブは、その通路が開いた状態を示し、内部が満たされたバルブは、その通路が閉められた状態を示す。
【００５５】
まず、露光工程に用いられたレチクル７０は、洗浄装置１０に移送される。レチクル７０は、洗浄装置１０内の洗浄ユニットを経由しつつ洗浄される（ステップＳ１００）。薬液による洗浄が行われた後に、脱イオン水を用いてレチクル７０を水洗する工程が複数回繰り返され、最後にレチクル７０の乾燥が行われる。
【００５６】
次に、複数のレチクル７０に対して洗浄が完了すると、その内の１つのレチクル７０に対して洗浄が要求されるレベルで行われたか否かに対する検査が行われる（ステップＳ２００）。
はじめは、図８に示すように、サンプリングモジュール２２内に提供された液槽２００の収容空間２２０に脱イオン水が満たされる（ステップＳ２１０）。脱イオン水は、液供給ノズル５２０を介して収容空間２２０に供給され、予め設定された量のみが収容空間２２０に供給されるように、制御器３０によりバルブ５４２の開放時間が調節される。
【００５７】
次に、図９に示すように、収容空間２２０に満たされた脱イオン水は、ヒータ４４０により予め設定された温度まで加熱される（ステップＳ２２０）。一例として、予め設定される温度は、約９０℃である。
【００５８】
次に、図１０に示すように、ガス噴射ノズル６２０を介してチャンバー１００内にパージガスが供給される（ステップＳ２３０）。パージガスの供給は、収容空間２２０に脱イオン水の供給又は脱イオン水の加熱に先行して行われうる。
【００５９】
次に、図１１に示すように、チャンバー１００のドア１４０が開いてハウジング１２０の上部が開放され、レチクル７０がチャンバー１００内に収容される（ステップＳ２４０）。レチクル７０は、その検査面７２が下方を向くように垂直に下方向へ移送されて、収容空間２２０内の支持突起２４０上に置かれる。レチクル７０の移送は、作業者により行われるか、又は移送ロボットにより行われることができる。
【００６０】
次に、図１２に示すように、レチクル７０は、その検査面７２が脱イオン水に浸った状態で予め設定された時間の間、待機する（ステップＳ２５０）。一例として、予め設定された時間は、約３０分である。レチクル７０が脱イオン水に浸っている間、脱イオン水は、上述した予め設定された温度を維持するように加熱され続ける。
【００６１】
予め設定された時間が過ぎると、図１３に示すように、チャンバー１００のドア１４０が開いてハウジング１２０の上部が開放され、レチクル７０は、チャンバー１００から摘出される（ステップＳ２６０）。図１０において行われたパージガスの供給は、ここまで行われ続ける。
【００６２】
次に、図１４に示すように、収容空間２２０内に残っているサンプリング液（レチクルが浸っていた脱イオン水）を分析器２４に提供する（ステップＳ２７０）。図３の装置を使用する場合は、作業者が液槽２００をチャンバー１００から分離した後に手作業でサンプリング液を分析器２４に供給する。しかし、選択的に、図５の装置を使用する場合は、液槽２００に連結した液流出管７００を用いて、サンプリング液が分析器２４に供給されうる。
【００６３】
以後、図１５に示すように、チャンバー１００のドア１４０が閉められた後に、チャンバー１００内にパージガスが供給され、液槽２００の収容空間２２０に洗浄液としての脱イオン水が供給されて、サンプリングモジュール２２の内部が洗浄される（ステップＳ２８０）。パージガス及び洗浄液は、排出管１６０を介してチャンバー１００から排出される。洗浄液（脱イオン水）は、液供給ノズル５２０を介して供給することができ、選択的に液供給ノズル５２０とは異なるノズルを介して液槽２００の収容空間２２０に供給されうる。
【００６４】
分析器２４は、サンプリング液から汚染の濃度を分析し、分析結果は、制御器３０に伝送される（ステップＳ３００）。制御器３０は、汚染の濃度が許容範囲内であると、レチクル７０を露光装置に移送させ（ステップＳ４００）、汚染の濃度が許容範囲外であると、警告音等を発生させた後にレチクル７０を洗浄装置１０に搬送して再び洗浄が行われるようにする。このとき、洗浄装置１０の洗浄処方が修正されるように調節されうる（ステップＳ５００）。
【００６５】
尚、本発明は、上述の実施形態に限られるものではない。本発明の技術的範囲から逸脱しない範囲内で多様に変更実施することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】本発明の好ましい一実施形態によるレチクル洗浄システムを概略的に示すブロック図である。
【図２】図１のレチクルを洗浄する洗浄装置の一例を概略的に示す模式図である。
【図３】図１のサンプリングモジュールの概略的な構成を示す断面図である。
【図４】収容空間内で液に浸るレチクルの領域の好ましい一例を示す概略断面図である。
【図５】図１のサンプリングモジュールの他の例を概略的に示す断面図である。
【図６】レチクルの洗浄工程を示すフローチャートである。
【図７】図６のレチクルの洗浄工程のうち、レチクルを検査するステップの詳細を示すフローチャートである。
【図８】レチクルを検査するステップを順次に説明するためのサンプリングモジュールの概略断面図である。
【図９】レチクルを検査するステップを順次に説明するためのサンプリングモジュールの概略断面図である。
【図１０】レチクルを検査するステップを順次に説明するためのサンプリングモジュールの概略断面図である。
【図１１】レチクルを検査するステップを順次に説明するためのサンプリングモジュールの概略断面図である。
【図１２】レチクルを検査するステップを順次に説明するためのサンプリングモジュールの概略断面図である。
【図１３】レチクルを検査するステップを順次に説明するためのサンプリングモジュールの概略断面図である。
【図１４】レチクルを検査するステップを順次に説明するためのサンプリングモジュールの概略断面図である。
【図１５】レチクルを検査するステップを順次に説明するためのサンプリングモジュールの概略断面図である。
【符号の説明】
【００６７】
１ レチクル洗浄システム
１０ 洗浄装置
２０ 汚染分析装置
２２ サンプリングモジュール
２４ 分析器
３０ 制御器
４０ 警報器
７０ レチクル
７２ 検査面
１００ チャンバー
１２０ ハウジング
１４０ ドア
１６０ 排出管
１６２、５４２、６４２、７２０ バルブ
２００ 液槽
２２０ 収容空間
２４０ 支持突起
２６０ 受け台
４００ 加熱部
４２０ 加熱板
４４０ ヒータ
４６０ 温度感知部
５２０ 液供給ノズル
５２２ 噴射ロッド
５２４ 供給ロッド
５４０ 液供給管
６００ パージガス供給部
６２０ ガス噴射ノズル
６４０ ガス供給管
７００ 液流出管
【特許請求の範囲】
【請求項１】
検査対象物の検査面に残留する汚染を分析する装置であって、
前記検査対象物の検査面と液とを接触させて、サンプリング液を抽出するサンプリングモジュールと、
前記サンプリング液から前記検査対象物の検査面に残留する汚染物質を分析する分析器とを備え、
前記サンプリングモジュールは、前記検査対象物の検査面が収容可能な収容空間が形成された液槽と、
前記液槽の収容空間に液を供給する液供給ノズルとを備えることを特徴とする汚染分析装置。
【請求項２】
前記サンプリングモジュールは、外部から隔離される空間を提供するチャンバーをさらに備え、
前記チャンバーは、一面に前記検査対象物を出し入れする通路が形成され、内部に前記液槽が位置するハウジングと、
前記通路を開閉するドアとを有することを特徴とする請求項１に記載の汚染分析装置。
【請求項３】
前記サンプリングモジュールは、前記チャンバー内にパージ（ｐｕｒｇｅ）ガスを供給するパージガス供給部をさらに備えることを特徴とする請求項２に記載の汚染分析装置。
【請求項４】
前記サンプリングモジュールは、前記収容空間に収容された液を加熱する加熱部をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の汚染分析装置。
【請求項５】
前記サンプリングモジュールは、前記収容空間に収容された液の温度を感知する温度感知部をさらに備えることを特徴とする請求項４に記載の汚染分析装置。
【請求項６】
前記収容空間は、前記液槽の上部に凹部を形成されることによって提供され、
前記ドアは、前記ハウジングの上面に前記収容空間と対向するように配置されることを特徴とする請求項２に記載の汚染分析装置。
【請求項７】
前記液槽は、前記収容空間内で前記検査対象物の検査面が前記収容空間の底面と離隔するように、前記検査対象物を支持する支持突起をさらに備えることを特徴とする請求項６に記載の汚染分析装置。
【請求項８】
前記サンプリングモジュールは、前記検査対象物の検査面と接触した前記液が前記分析器に供給されるように、前記収容空間と分析器とを連結してそしてバルブが設置された液流出管をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の汚染分析装置。
【請求項９】
前記サンプリングモジュールは、前記検査対象物として半導体工程に用いられるレチクルからサンプリング液を抽出できるような形状で形成されていることを特徴とする請求項１に記載の汚染分析装置。
【請求項１０】
検査対象物の検査面を液と接触させた後に、該接触させた液内の汚染物質を分析することによって、前記検出対象物の検査面に残留する汚染を分析する汚染検査方法であって、
液槽に満たされた液に前記検査対象物の検査面を浸してサンプリング液を得る段階と、
前記サンプリング液を分析することによって汚染物質を分析する段階とを有してことを特徴とする汚染分析方法。
【請求項１１】
前記サンプリング液を得る段階は、前記液を前記液槽の上面に形成された収容空間内に満たす段階と、
前記検査対象物を、その検査面が前記液槽に満たされた液と面するようにした後に、前記検査対象物の検査面と対向する面は前記液から露出するように前記検査対象物の検査面を前記液に浸たす段階とを含むことを特徴とする請求項１０に記載の汚染分析方法。
【請求項１２】
前記サンプリング液は、外部から密閉された空間内で得られるようにし、
前記検査対象物を前記空間に出し入れする間は、前記空間にパージガスが噴射されることを特徴とする請求項１１に記載の汚染分析方法。
【請求項１３】
前記検査対象物の検査面は、加熱された前記液に浸すことを特徴とする請求項１０に記載の汚染分析方法。
【請求項１４】
前記検査対象物の検査面が前記液に浸っている間、前記液は加熱されることを特徴とする請求項１０に記載の汚染分析方法。
【請求項１５】
前記収容空間に満たされた液の量が一定になるように、前記収容空間に液を供給する液供給管に設置されたバルブの開放時間は、制御器により制御されることを特徴とする請求項１１に記載の汚染分析方法。
【請求項１６】
前記検査対象物は、レチクル（ｒｅｔｉｃｌｅ）であることを特徴とする請求項１０に記載の汚染分析方法。
【請求項１７】
レチクルを洗浄するシステムであって、
レチクルを洗浄する洗浄装置と、
前記洗浄装置により洗浄されたレチクルの検査面に残留する汚染を検査する汚染分析装置とを備え、
前記汚染分析装置は、チャンバーと、
前記チャンバー内に備えられ、上部に前記レチクルの検査面が収容可能な収容空間が形成された液槽と、
前記液槽の収容空間に液を供給する液供給ノズルと、
前記レチクルの検査面を前記液に浸すことによって得られたサンプリング液から前記レチクルの検査面に残留する汚染物質を分析する分析器とを備えることを特徴とするレチクル洗浄システム。
【請求項１８】
前記チャンバーは、上面に前記レチクルを出し入れする通路が形成され、内部に前記液槽が位置するハウジングと、
前記通路を開閉するドアとを有し、
前記汚染分析装置は、前記チャンバー内にパージガスを供給するパージガス供給部をさらに備えることを特徴とする請求項１７に記載のレチクル洗浄システム。
【請求項１９】
前記汚染分析装置は、前記収容空間に収容された液を加熱する加熱部をさらに備えることを特徴とする請求項１７に記載のレチクル洗浄システム。
【請求項２０】
前記レチクル洗浄システムは、前記分析器から分析結果が伝送され、これにより、前記洗浄装置の洗浄処方（ｒｅｃｉｐｅ）を調節し、さらに、前記液供給ノズルからの液供給、前記パージガス供給部からのパージガス供給、及び前記加熱部を制御する制御器をさらに備えることを特徴とする請求項１７に記載のレチクル洗浄システム。
【請求項１】
検査対象物の検査面に残留する汚染を分析する装置であって、
前記検査対象物の検査面と液とを接触させて、サンプリング液を抽出するサンプリングモジュールと、
前記サンプリング液から前記検査対象物の検査面に残留する汚染物質を分析する分析器とを備え、
前記サンプリングモジュールは、前記検査対象物の検査面が収容可能な収容空間が形成された液槽と、
前記液槽の収容空間に液を供給する液供給ノズルとを備えることを特徴とする汚染分析装置。
【請求項２】
前記サンプリングモジュールは、外部から隔離される空間を提供するチャンバーをさらに備え、
前記チャンバーは、一面に前記検査対象物を出し入れする通路が形成され、内部に前記液槽が位置するハウジングと、
前記通路を開閉するドアとを有することを特徴とする請求項１に記載の汚染分析装置。
【請求項３】
前記サンプリングモジュールは、前記チャンバー内にパージ（ｐｕｒｇｅ）ガスを供給するパージガス供給部をさらに備えることを特徴とする請求項２に記載の汚染分析装置。
【請求項４】
前記サンプリングモジュールは、前記収容空間に収容された液を加熱する加熱部をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の汚染分析装置。
【請求項５】
前記サンプリングモジュールは、前記収容空間に収容された液の温度を感知する温度感知部をさらに備えることを特徴とする請求項４に記載の汚染分析装置。
【請求項６】
前記収容空間は、前記液槽の上部に凹部を形成されることによって提供され、
前記ドアは、前記ハウジングの上面に前記収容空間と対向するように配置されることを特徴とする請求項２に記載の汚染分析装置。
【請求項７】
前記液槽は、前記収容空間内で前記検査対象物の検査面が前記収容空間の底面と離隔するように、前記検査対象物を支持する支持突起をさらに備えることを特徴とする請求項６に記載の汚染分析装置。
【請求項８】
前記サンプリングモジュールは、前記検査対象物の検査面と接触した前記液が前記分析器に供給されるように、前記収容空間と分析器とを連結してそしてバルブが設置された液流出管をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の汚染分析装置。
【請求項９】
前記サンプリングモジュールは、前記検査対象物として半導体工程に用いられるレチクルからサンプリング液を抽出できるような形状で形成されていることを特徴とする請求項１に記載の汚染分析装置。
【請求項１０】
検査対象物の検査面を液と接触させた後に、該接触させた液内の汚染物質を分析することによって、前記検出対象物の検査面に残留する汚染を分析する汚染検査方法であって、
液槽に満たされた液に前記検査対象物の検査面を浸してサンプリング液を得る段階と、
前記サンプリング液を分析することによって汚染物質を分析する段階とを有してことを特徴とする汚染分析方法。
【請求項１１】
前記サンプリング液を得る段階は、前記液を前記液槽の上面に形成された収容空間内に満たす段階と、
前記検査対象物を、その検査面が前記液槽に満たされた液と面するようにした後に、前記検査対象物の検査面と対向する面は前記液から露出するように前記検査対象物の検査面を前記液に浸たす段階とを含むことを特徴とする請求項１０に記載の汚染分析方法。
【請求項１２】
前記サンプリング液は、外部から密閉された空間内で得られるようにし、
前記検査対象物を前記空間に出し入れする間は、前記空間にパージガスが噴射されることを特徴とする請求項１１に記載の汚染分析方法。
【請求項１３】
前記検査対象物の検査面は、加熱された前記液に浸すことを特徴とする請求項１０に記載の汚染分析方法。
【請求項１４】
前記検査対象物の検査面が前記液に浸っている間、前記液は加熱されることを特徴とする請求項１０に記載の汚染分析方法。
【請求項１５】
前記収容空間に満たされた液の量が一定になるように、前記収容空間に液を供給する液供給管に設置されたバルブの開放時間は、制御器により制御されることを特徴とする請求項１１に記載の汚染分析方法。
【請求項１６】
前記検査対象物は、レチクル（ｒｅｔｉｃｌｅ）であることを特徴とする請求項１０に記載の汚染分析方法。
【請求項１７】
レチクルを洗浄するシステムであって、
レチクルを洗浄する洗浄装置と、
前記洗浄装置により洗浄されたレチクルの検査面に残留する汚染を検査する汚染分析装置とを備え、
前記汚染分析装置は、チャンバーと、
前記チャンバー内に備えられ、上部に前記レチクルの検査面が収容可能な収容空間が形成された液槽と、
前記液槽の収容空間に液を供給する液供給ノズルと、
前記レチクルの検査面を前記液に浸すことによって得られたサンプリング液から前記レチクルの検査面に残留する汚染物質を分析する分析器とを備えることを特徴とするレチクル洗浄システム。
【請求項１８】
前記チャンバーは、上面に前記レチクルを出し入れする通路が形成され、内部に前記液槽が位置するハウジングと、
前記通路を開閉するドアとを有し、
前記汚染分析装置は、前記チャンバー内にパージガスを供給するパージガス供給部をさらに備えることを特徴とする請求項１７に記載のレチクル洗浄システム。
【請求項１９】
前記汚染分析装置は、前記収容空間に収容された液を加熱する加熱部をさらに備えることを特徴とする請求項１７に記載のレチクル洗浄システム。
【請求項２０】
前記レチクル洗浄システムは、前記分析器から分析結果が伝送され、これにより、前記洗浄装置の洗浄処方（ｒｅｃｉｐｅ）を調節し、さらに、前記液供給ノズルからの液供給、前記パージガス供給部からのパージガス供給、及び前記加熱部を制御する制御器をさらに備えることを特徴とする請求項１７に記載のレチクル洗浄システム。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【公開番号】特開２００８−１９７１０９（Ｐ２００８−１９７１０９Ａ）
【公開日】平成２０年８月２８日（２００８．８．２８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−３４４４０（Ｐ２００８−３４４４０）
【出願日】平成２０年２月１５日（２００８．２．１５）
【出願人】（３９００１９８３９）三星電子株式会社 (8,520)
【氏名又は名称原語表記】ＳＡＭＳＵＮＧ ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ ＣＯ．，ＬＴＤ．
【住所又は居所原語表記】４１６，Ｍａｅｔａｎ−ｄｏｎｇ，Ｙｅｏｎｇｔｏｎｇ−ｇｕ，Ｓｕｗｏｎ−ｓｉ，Ｇｙｅｏｎｇｇｉ−ｄｏ ４４２−７４２（ＫＲ）
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年８月２８日（２００８．８．２８）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年２月１５日（２００８．２．１５）
【出願人】（３９００１９８３９）三星電子株式会社 (8,520)
【氏名又は名称原語表記】ＳＡＭＳＵＮＧ ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ ＣＯ．，ＬＴＤ．
【住所又は居所原語表記】４１６，Ｍａｅｔａｎ−ｄｏｎｇ，Ｙｅｏｎｇｔｏｎｇ−ｇｕ，Ｓｕｗｏｎ−ｓｉ，Ｇｙｅｏｎｇｇｉ−ｄｏ ４４２−７４２（ＫＲ）
【Ｆターム（参考）】
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