【課題】微細な凹部に付着した異物の除去が可能な異物除去方法及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】カーボンナノチューブ１３の先端を、異物５が存在する凹部１１に向けて下降させ凹部（溝）１１の底面１１ａにカーボンナノチューブ１３の先端を接触させた後、さらにカーボンナノチューブ１３を下降させてカーボンナノチューブ１３をたわませてカーボンナノチューブ１３の側面１３ａを凹部１１の底面１１ａに押し付け、その側面１３ａを凹部１１の底面１１ａに押し付けた状態のままカーボンナノチューブ１３を凹部１１の底面１１ａ上で移動させることで、異物５に対して力を加える。 （もっと読む）

【課題】 真イメージングを使用した粒子検出のシステムおよび方法を提供すること。
【解決手段】 オブジェクト表面を検査するシステムおよび方法が開示される。一実施形態では、システムは、オブジェクト表面を照明する照明源と、照明されたオブジェクト表面からの散乱光を遮断して、オブジェクト表面の所望の領域の実像を投影する光学系と、投影された実像を受け取るセンサとを含む。実像を記憶および分析するために、センサにコンピュータシステムを結合することができる。一実施形態では、方法は、オブジェクト表面を照明ビームで照明すること、照明されたオブジェクト表面からの散乱光を遮断すること、およびオブジェクト表面の所望の領域の実像をセンサ上に投影することを含む。実像は、オブジェクト表面上にある粒子を検出するように処理することができる。このように、レチクル上の汚染物質または欠陥をインシチュ（ｉｎ−ｓｉｔｕ）で検出するシステムおよび方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】確実に異物を除去することができる異物除去装置、異物除去方法、並びにパターン基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】異物除去装置は、ペリクルフレーム１１を介してペリクル膜１２が装着されたマスク１０の異物を除去する異物除去装置であって、ペリクル膜１２側からマスク１０に対して超音波を照射して、マスク１０のペリクル膜１２側に節を有する定在波を発生させる超音波トランスデューサ２２と、マスク１０の異物１５が付着した箇所に光を照射して、異物１５をマスク１０から離脱させる光源２３と、を備え、マスク１０から離脱した異物を、定在波の節の方向に移動させて、ペリクル膜１２又はペリクルフレーム１１に付着させるものである。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハに回路パターンを露光する際に用いられるレチクル等のマスク用基板を表裏反転できるようにして、単一の検査光学系機構で測定できるようにしつつも、マスク用基板を表裏反転させるときの回転機構及びその回転駆動系構造を簡単な構成で実現できるマスク用基板検査装置１００を提供する。
【解決手段】検査光学系機構１０１に対して相対移動可能なステージ３に姿勢調整可能に支持基体４を取り付け、この支持基体４にレチクルＷを保持する基板保持体５を反転可能に支持させる。そして、基板保持体５を、前記マスク用基板を挟圧把持する把持状態及び基板を抜き差しすることができる非把持状態のいずれかの状態をとることが可能なものとするとともに、前記基板保持体５を前記２状態のいずれかに駆動するための把持駆動機構１１を前記支持基体４側に設けるようにした。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハに回路パターンを露光する際に用いられるレチクル等のマスク用基板における表裏面の異物等を、簡単かつ安価な構成で検査できるマスク用基板検査装置１００を提供する。
【解決手段】検査光学系機構１０１に対して相対移動可能なステージ３に姿勢調整可能に支持基体４を取り付け、この支持基体４にレチクルＷを保持する基板保持体５を回転可能に支持させる。そして、前記基板保持体５の回転角度位置を、表面に検査光が照射される表面検査角度位置、裏面に前記検査光が照射される裏面検査角度位置に保持する検査角度位置保持機構９を設けるとともに、前記基板保持体５に保持されたレチクルＷの表裏面が、基板保持体５の回転軸線Ｃと平行になるように当該基板保持体５の支持基体４に対する姿勢を調整可能な平行調整機構８を設けた。 （もっと読む）

【課題】一つの検査装置で複数種類の検査を行うことができる荷電粒子ビーム検査技術を提供する。
【解決手段】荷電粒子ビーム検査装置１は、電子ビームを試料Ｓに照射する電子銃４１と、試料Ｓから得られる信号を検出する検出器４７と、検出器４７からの信号から像を形成する画像処理部６１と、試料Ｓへ照射する電子ビームのビームエネルギーを制御するエネルギー制御部６５とを備える。同一の荷電粒子ビーム検査装置１が複数種類の検査を行う。写像投影式の検査装置が適用されてよい。パターン欠陥検査、異物検査及び多層膜欠陥検査が行われる。それら検査のビームエネルギＥ１、Ｅ２、Ｅ３が、Ｅ１＞Ｅ２、Ｅ３＞Ｅ２の関係を有する。各検査の前に、搬送チャンバ９等の真空チャンバで除電が行われる。 （もっと読む）

【課題】異物を良好に検出できる異物検出方法を提供する。
【解決手段】異物検出方法、物体上に液体で局所的に液浸領域を形成することと、少なくとも一部に液浸領域が形成される空間の外側に配置された複数の検出点と物体とを相対的に移動することによって、物体表面の複数の検出領域のそれぞれで物体表面の高さ方向の位置検出動作を複数回実行することと、複数の検出領域のそれぞれについて、複数の検出値を統計演算することと、演算結果に基づいて、複数回の位置検出動作を実行する間に実質的に動かない異物が存在したか否かを、複数の検出領域のそれぞれで判断することと、を含む。 （もっと読む）

【解決手段】暗視野検査を容易にする反射屈折対物光学系を含む検査システムが提供される。対物光学系は、試料の方向に向いた外側要素部分反射性表面を有し、かつ、前記試料から最も遠い位置に配置された外側要素と、前記試料から離れる方向に向いた内側要素部分反射性表面を有し、かつ、前記試料に最も近い位置に配置された内側要素と、外側レンズ及び内側レンズの間に位置する中央要素とを備える。前記外側要素、前記内側要素及び前記中央要素のうち、少なくとも一つの要素は、非球面の表面を有する。前記内側要素は、前記試料の暗視野検査を容易にするよう、空間的に構成される。 （もっと読む）

【課題】フォトマスク上の異物をフォトマスクを損傷させることなく容易に除去することができる異物除去方法を得ること。
【解決手段】フォトマスク上に付着した異物を除去する異物除去方法において、エネルギー硬化物質を吐出するノズル６を、異物の位置情報に基づいて異物の位置に応じた位置に相対的に移動させる移動ステップと、ノズル６が異物上にエネルギー硬化物質を吐出して、異物をエネルギー硬化物質によって被覆させる被覆ステップと、所定のエネルギーを出力するエネルギー供給部３が、異物を被覆したエネルギー硬化物質にエネルギーを付与してエネルギー硬化物質を硬化させる硬化ステップと、硬化したエネルギー硬化物質をフォトマスク８から除去する除去ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】暗視野検出だけでは困難であった欠陥高さの高い位相欠陥や振幅欠陥に対する検出感度や検出信頼性を向上できるマスクブランク検査装置および方法を提供する。
【解決手段】マスクブランク検査装置は、反射型マスクブランクＭＢを載置するステージ２と、検査光ＢＭを発生する光源１と、照明光学系としてのミラー１０と、結像光学系Ｌと、２次元アレイセンサＳと、欠陥検出信号蓄積部６と、欠陥検出処理部７と、欠陥情報格納部８と、装置全体を制御する主制御部９などで構成される。ステージ２は、マスクブランクＭＢに対する検査光ＢＭの入射角度および正反射角度が可変となるように、傾斜機構が設けられる。 （もっと読む）

【課題】
誤検出を低減した異物検査装置を提供すること。
【解決手段】
被異物検査装置は、被検査物の表側の被検査面および裏側の被検査面それぞれに光束を照射する照射手段と、前記表側の被検査面からの散乱光を検出する第１検出手段と、前記裏側の被検査面からの散乱光を検出する第２検出手段と、前記第１検出手段および前記第２検出手段からの出力に基づいて前記表側の被検査面および前記裏側の被検査面それぞれの異物を検査する演算手段と、照射手段と第１検出手段と第２検出手段と演算手段とを制御する制御手段とを有する。照射手段は、表側の被検査面または前記裏側の被検査面へ光束の照射を選択的に行え、制御手段は、選択的な光束の照射を受けた被検査面に対応した第１検出手段および第２検出手段のうち少なくとも一方に関し、同時の光束の照射に応じた出力と選択的な光束の照射に応じた出力とに基づいて演算手段に異物を検査させる。 （もっと読む）

【課題】 ＳＰＭ装置で観察する試料において、試料凹部にある物質を凹部外へ除去することを課題とする。
【解決手段】 異物2が凹部3にある、試料9を、探針1を用いて形状観察する。この時の3次元形状データを元にして、探針1先端と、試料9間距離を、垂直方向には異物水平直径7以下、水平方向には異物直径8以下となるように制御したまま、探針1が異物2に側面から接触するようにする。このとき、探針1を振動させたまま、異物2と接触させることで異物2が探針1に付着することを防ぐ。そして、探針1先端により異物2を凹部3の外に移動させた後、凹部3外で探針1の振動が停止するほどに試料9に接触させることにより、異物2を接触させた場所へ脱落させる。この作業の繰り返すことにより、凹部3内にあった異物2を除去し、凹部3外へ移動させることができる。 （もっと読む）

【課題】フォトマスクを露光装置に装填する前のパージ作業時に、成長性の異物の発生を誘発することなくフォトマスク上の異物を除去する。
【解決手段】フォトマスク１に対して略水平方向から圧力が調整されたパージガス４を吹付けてフォトマスク１表面にパージガス４による層流を形成し（図１（Ａ））、パージガス４の吹付け方向またはパージノズル３のフォトマスク１表面からの高さを変化させてパージガス４をフォトマスク１表面に吹付ける（図１（Ｂ）、図１（Ｃ））。また、パージガス４の吹付け時には、パージガス４またはフォトマスク１表面を熱する。 （もっと読む）

【課題】レチクルとペリクルの分離等を図る。
【解決手段】レチクルカセット４を２枚の板材９、１０で構成する。板材９にレチクル２を入れ得る形状の刳り抜き部９ｈを形成する一方、板材１０にレチクル２のレジスト７の形状よりやや大きい形状の刳り抜き部１０ｈを形成する。こうして板材９と板材１０とに凹部を形作る。刳り抜き部１０ｈ外周にペリクルフレーム８を配設してペリクルフレーム８に保護膜３ｆを張設する。上記凹部に、レチクル２のレジスト７を刳り抜き部１０ｈ向きにしてレチクル２を納める。レジスト７は、密閉空間内にある。 （もっと読む）

【課題】装置の冗長性及び長期安定性を確保しつつ、基板表面Ｗａ上又は裏面Ｗｂ上の欠陥を区別することができる。
【解決手段】基板表面Ｗａに検査光Ｌ１を照射した場合の光検出信号から表面照射検出欠陥の位置、基板裏面Ｗｂに検査光を照射した場合の光検出信号から裏面照射検出欠陥の位置を算出し、その表面照射検出欠陥の位置及び裏面照射検出欠陥の位置の位置関係をパラメータとして、表面照射検出欠陥及び裏面照射検出欠陥が前記各測定系により共通して検出された同一欠陥であるか否かを判断する。 （もっと読む）

【課題】 階調マスクにおける、ハーフトーン領域を形成するハーフトーン膜パターン内の欠陥部を修正する、階調マスクの欠陥修正方法で、効率的に、且つ、均一に修正できる欠陥修正方法を提供する。
【解決手段】 ハーフトーン膜パターン内の第１の欠陥部を整形して、該第１の欠陥部を含み、且つ、該ハーフトーン膜パターン領域内に矩形状の白欠陥部である第２の欠陥部を新たに形成し、該第２の欠陥部に対して、前記露光光を遮光する遮光膜からなり、且つ、転写しない線幅の、ラインパターンを、複数、前記ハーフトーン膜パターン領域内において隙間を開けて並列にして配し、複数のラインパターンからなるスリット状パターンを、透過率調整して、配設するもので、前記スリット状パターンの配設は、レーザＣＶＤにより、レーザ光をアパーチャを介して一括照射し、照射領域に前記ラインパターンを配設するものである。 （もっと読む）

【課題】レジストパターンと、シリコンを含む有機膜である反射防止膜と、が上側からこの順番で積層された基板に対して、電子線を照射することにより、当該パターン上への有機成分からなる残渣の付着の有無を検査するにあたり、精度高く残渣の付着の有無を判別すること。
【解決手段】基板と、基板から放出される電子を検出するための検出手段と、の間に負のバイアス電圧を印加することにより、基板の内部から放出される２次電子を基板側に押し戻し、一方基板の極表層から放出される反射電子を検出手段に到達させる。これにより、残渣が極めて薄い場合や、パターンの幅が狭い場合などであっても精度高く残渣を検出することができる。また、反射電子では物質の組成に基づいた画像が得られることから、残渣と反射防止膜との組成が近い場合であっても、残渣を精度高く検出できる。 （もっと読む）

【課題】 マスクブランクからマスクを作製する際、マスクブランク起因によるパターン不良を抑制する。
【解決手段】 準備した基板に対応する平面座標系における位置情報および該位置情報に関連付けられた基板の状態を示す状態情報を含む基板情報を取得後、基板の面上に膜を成膜し、成膜された膜に対応する平面座標系における位置情報および該位置情報に関連付けられた膜の状態を示す状態情報を含む膜情報を取得し、基板情報及び膜情報を含むマスクブランク情報を生成する。基板情報及び膜情報の平面座標系の基準点は、基板に形成されたマーク及び膜に形成されたマークのうち、少なくとも一方を基準として定められる。 （もっと読む）

【課題】ペリクルを剥がすことなく、ペリクル付きフォトマスクに存在する成長性異物を除去するペリクル付きフォトマスクのリペア方法及び装置を提供する。
【解決手段】ガス混合機５によりチャンバー２内に収容されたペリクル付きフォトマスク１の内部空間および外部空間に活性ガスと不活性ガスとの混合ガスを供給し、これによりペリクル付きフォトマスク１の異物を反応させて溶解させる。さらに、光照射装置３によりペリクル付きフォトマスク１および活性ガスに低波長の光を照射し、異物の反応性を高め、混合ガスの気流によりペリクル付きフォトマスク１の異物を除去する。 （もっと読む）

【課題】 従来の元素分析方法では困難だったフォトマスク上の微細な異物の元素分析方法を提供する。
【解決手段】 導電性AFMのAFM機能で異物1の位置出しを行い、導電性探針2を異物1直上に配置して異物1を含む領域に放射光3を照射し特定元素の内殻電子を励起しフェルミ準位近傍に現れる電子状態変化を導電性AFMのSTM機能でトンネルしてくる電子6をトンネル電流検出系13で検出し異物1の元素分析を行う。もしくは導電性AFMのAFM機能で異物の位置出しを行い、導電性探針を異物直上に配置して導電性AFMのSTM機能で異物に導電性探針から電子を注入し出てきた光を電子対解離型超伝導センサーでエネルギーを測定し異物の元素分析を行う。あるいは導電性AFMのAFM機能で異物の位置出しを行い、導電性探針を異物直上に配置して導電性AFMのSTS機能で電流-電圧特性を測定しその形状から異物材料の推定を行う。 （もっと読む）