【課題】ネガ現像において得られるレジストパターンに適用できるだけでなく、ポジ現像で得られるレジストパターンにも適用できるレジスト下層膜形成用組成物、及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）一般式（１）で表される加水分解性ケイ素化合物と一般式（２）で表される加水分解性化合物とを含有する混合物を加水分解縮合することにより得られるケイ素含有化合物、及びＲ^１_ｍ１Ｒ^２_ｍ２Ｒ^３_ｍ３Ｓｉ（ＯＲ）_{（４−ｍ１−ｍ２−ｍ３）}（１）Ｕ（ＯＲ^４）_ｍ４（ＯＲ^５）_ｍ５（２）（Ｂ）一般式（３）で表される加水分解性ケイ素化合物と一般式（４）で表される加水分解性ケイ素化合物とを含有する混合物を加水分解縮合することにより得られるケイ素含有化合物、Ｒ^６_ｍ６Ｒ^７_ｍ７Ｒ^８_ｍ８Ｓｉ（ＯＲ^９）_{（４−ｍ６−ｍ７−ｍ８）}（３）Ｓｉ（ＯＲ^１０）_４（４）を含むケイ素含有レジスト下層膜形成用組成物。 （もっと読む）

【課題】ハンプのない半導体装置の製造方法と半導体装置とを提供する。
【解決手段】被加工膜２の上に下層レジスト膜となる感光性のポジ型のレジスト材料が塗布される。下層レジスト材料膜に周辺露光処理と現像処理とを施すことにより、外周領域に位置する下層レジスト材料膜の部分が除去される。中間層レジスト膜となる感光性のポジ型のレジスト材料を塗布し、周辺露光処理と現像処理とを施すことにより、外周領域に位置する中間層レジスト材料膜の部分が除去される。 （もっと読む）

【課題】 リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜材料であって、ドライエッチング耐性に非常に優れ、基板エッチング中のよれの発生を高度に抑制できると共に、化学増幅型レジストを用いた上層パターン形成におけるポイゾニング問題を回避できるレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜材料、レジスト下層膜形成方法、パターン形成方法、及びフラーレン誘導体を提供することを目的とする。
【解決手段】 リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜材料であって、少なくとも、（Ａ）フラーレン骨格を有する物質と電子吸引基含有１，３−ジエン化合物誘導体との反応生成物であるフラーレン誘導体、（Ｂ）有機溶剤とを含むものであることを特徴とするレジスト下層膜材料。 （もっと読む）

【課題】高いドライエッチング耐性を有するレジストパターンを形成できるレジスト用重合体組成物およびレジスト組成物を製造する方法を提供する。
【解決手段】酸脱離性基を有する構成単位（ａ）を有する重合体（Ａ）と、重合体（Ａ）１００質量部に対して３質量部以上のラジカル捕捉剤（Ｂ）を含有する、レジスト用重合体組成物。前記重合体（Ａ）、ラジカル捕捉剤（Ｂ）のほかに、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する光酸発生剤（Ｃ）、および溶媒を含有し、重合体（Ａ）の１００質量部に対して、前記ラジカル捕捉剤（Ｂ）の含有量が３〜４０質量部、前記化合物（Ｃ）の含有量が０．１〜２０質量部である、レジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】異なる領域のパターン間に重ね合わせズレを発生させずに、一の領域に微細な狭ピッチパターンを形成すると同時に他の領域に微細パターンを形成する。
【解決手段】第１領域１０１及び第２領域１０２を含む基板１００上に被加工膜１２１を形成した後、各領域間で膜厚が異なる下層レジスト膜１２２及び１２３を形成し、その後、中間層レジスト膜１２４及び上層レジスト膜１２５を形成する。ホールパターン形成用の露光マスクを用いて上層レジスト膜１２５をパターニングした後、それをマスクとして中間層レジスト膜１２４をパターニングし、その後、それをマスクとして下層レジスト膜１２２及び１２３をパターニングした後、それをマスクとして被加工膜１２１をエッチングすることにより、各領域で開口寸法が異なる複数のホール１５１ａ及び１５１ｂを同時に形成する。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜材料であって、反射率を低減でき、エッチング耐性が高く、高い耐熱性、耐溶媒性を有し、特に基板のエッチング中によれの発生がないレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜材料及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜材料であって、少なくとも、下記一般式（１）で示される繰り返し単位ａ１を有するポリフルオレンを含有することを特徴とするレジスト下層膜材料。
【化３７】
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【課題】露光光の反射を抑制し良好なパターン形成が可能であり、ケイ素含有反射防止膜の上層であるフォトレジスト膜、下層であるナフタレン骨格を有する有機膜との間で良好なドライエッチング特性を有し、保存安定性の良好なケイ素含有反射防止膜を形成するための、熱硬化性ケイ素含有反射防止膜形成用組成物、この熱硬化性ケイ素含有反射防止膜形成用組成物から形成されるケイ素含有反射防止膜が形成された基板、更にこれを用いたパターン形成方法の提供。
【解決手段】少なくとも、ナフタレン骨格を有する下層膜としての有機膜の上に、１９３ｎｍにおける屈折率ｎと消衰係数ｋが以下の式の関係を満たすケイ素含有反射防止膜を形成可能な熱硬化性ケイ素含有反射防止膜形成用組成物。２ｎ−３．０８≦ｋ≦２０ｎ−２９．４であり、０．０１≦ｋ≦０．５ （もっと読む）

【課題】ダブルパターンニングにおいて、処理工程を煩雑化させることなく、先に形成されたレジストパターンがその上に塗布されたレジスト材料の溶剤に溶けることを防止する。
【解決手段】基板に第１レジスト材料を用いて第１レジスト膜を形成し、第１レジスト膜に対して露光および現像処理を行って、第１レジストパターンを形成する。ただし、第１レジスト膜形成処理後に行われる塗布後加熱処理、もしくは、第１レジスト膜に対する露光処理後に行われる露光後熱処理において、第１レジスト膜が形成された基板を第１レジスト材料に含まれる樹脂のガラス転移点以上の温度で加熱する。そして、第１レジストパターンが形成された基板に第２レジスト材料を用いて第２レジスト膜を形成し、第２レジスト膜に対して露光および現像処理を行って、第２レジストパターンを形成する。 （もっと読む）

新規のダブルおよびトリプルパターニング方法が提供される。上記方法は、パターニングされたテンプレート構造（例えば、ラインを有する構造）に収縮性組成物を塗布することと、上記組成物を加熱することと、を含む。上記収縮性組成物は、加熱の間収縮する特性を有するように選択される。その結果、上記収縮性組成物は、パターニングされたテンプレート構造を覆うようにコンフォーマル層を形成する。その後、上記層は、プレスペーサー構造を残すようにエッチングされる。プレスペーサー構造は、隆起物と、隆起物の側壁に隣接した収縮性組成物の残部とを有する。上記隆起物は除去され、２倍になったパターンが残る。別の態様では、テンプレート構造上に隆起物を形成する前に、追加のエッチング工程が行われ、その結果、パターンは２倍ではなく３倍になる。
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【課題】シリコン含有膜を有する多層マスクを、シリコン化合物を含む残渣を残存させることなく、容易に確実に除去できる多層マスクの除去方法および半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコンを含有しない第１膜１３と、シリコン含有膜からなる第２膜１４と、レジスト層からなる第３膜１５とを順に形成してなる多層膜の第３膜１５をパターニングし、パターニングされた第３膜１５を有する多層膜に不具合がない場合には、第３膜１５をマスクとして、ドライエッチングにより第２膜１４をパターニングし、多層膜に不具合がある場合には、多層膜に不具合のない場合におけるドライエッチングよりも、第１膜１３のエッチング速度と第２膜１４のエッチング速度との差が大きいドライエッチングにより第２膜１４を除去する多層マスクの除去方法とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ドライ剥離でないと除去することができなかったケイ素含有膜を、剥離液による剥離（以後、ウェット剥）工程で除去できるようにする工程を提供することにある。
【解決手段】リソグラフィーで用いられるケイ素含有膜材料を基板上に塗布して得られた塗布型ケイ素含有膜を、剥離して除去する塗布型ケイ素含有膜剥離方法であって、少なくとも、硫酸イオン及び/またはフッ素イオンを含有する酸性剥離液で処理する第１工程と、窒素化合物を含有するアルカリ性剥離液で処理する第２工程とを含むことを特徴とする塗布型ケイ素含有膜剥離方法。 （もっと読む）

【課題】エッチング耐性に優れ、ドライエッチングプロセスにおいて折れ曲がり難く、レジストパターンを忠実に再現性よく被加工基板に転写することが可能な下層膜を形成することができるレジスト下層膜形成用組成物を提供する。
【解決手段】アルデヒド基及び水酸基の少なくともいずれかを有するピレン骨格を含むノボラック樹脂と有機溶媒とを含有するレジスト下層膜形成用組成物。 （もっと読む）

【課題】本発明は、多層レジスト法（特には２層レジスト法及び３層レジスト法）において、レジスト上層膜であるフォトレジスト層より下層を形成するために用いられ、該下層形成後はアルカリ現像液に不溶又は難溶となるレジスト下層膜材料であって、耐ポイゾニング効果が高く、環境への負荷の少ないレジスト下層膜を提供する。
【解決手段】リソグラフィーで用いられる多層レジスト法において、レジスト上層膜であるフォトレジスト層より下層を形成するために用いられ、該下層の形成後はアルカリ現像液に不溶又は難溶となるレジスト下層材料であって、該レジスト下層材料は、少なくとも、熱酸発生剤を含み、該熱酸発生剤は、１００℃以上の加熱により下記一般式（１）で示される酸を発生するものであることを特徴とするレジスト下層材料。
ＲＣＯＯ−ＣＨ_２ＣＦ_２ＳＯ_３⁻Ｈ^＋ （１） （もっと読む）

【課題】パターン転写性（特に、ＲＩＥでのレジスト曲がり耐性）に優れた下層膜を形成する可能なレジスト下層膜形成用組成物を提供する。
【解決手段】２つ以上のフェノール性水酸基、及び、アルキルチエニル基を有する芳香族環を繰り返し構造単位として含むノボラック樹脂（Ａ）と、有機溶剤（Ｂ）と、を含有するレジスト下層膜形成用組成物。 （もっと読む）

【課題】 リソグラフィーで用いられる多層レジスト法において、フォトレジスト膜の良好なパターン形成が可能であり、良好なドライエッチング耐性を有するエッチングマスク用金属酸化物含有膜を形成でき、保存安定性が良好であり、剥離プロセスで使用される溶液で剥離が可能な金属酸化物含有膜形成用組成物、金属酸化物含有膜形成基板、更にパターン形成方法を提供する
【解決手段】 リソグラフィーで用いられる多層レジスト法において成膜される金属酸化物含有膜を形成するための熱硬化性金属酸化物含有膜形成用組成物であって、少なくとも、（Ａ）加水分解性ケイ素化合物と、加水分解性金属化合物とを加水分解縮合することにより得られる金属酸化物含有化合物、（Ｂ）熱架橋促進剤、（Ｃ）炭素数が１〜３０の１価又は２価以上の有機酸、（Ｄ）３価以上のアルコール、（Ｅ）有機溶剤とを含むことを特徴とする熱硬化性金属酸化物含有膜形成用組成物。 （もっと読む）

【課題】 リソグラフィーで用いられる多層レジスト法において、フォトレジスト膜の良好なパターン形成が可能であり、良好なドライエッチング耐性を有するエッチングマスク用ケイ素含有膜を形成でき、保存安定性が良好であり、剥離プロセスで使用される溶液で剥離が可能なケイ素含有膜形成用組成物、ケイ素含有膜形成基板、更にパターン形成方法を提供する
【解決手段】 リソグラフィーで用いられる多層レジスト法において成膜されるケイ素含有膜を形成するための熱硬化性ケイ素含有膜形成用組成物であって、少なくとも、（Ａ）酸を触媒として用いて加水分解性ケイ素化合物を加水分解縮合することにより得られるケイ素含有化合物、（Ｂ）熱架橋促進剤、（Ｃ）炭素数が１〜３０の１価又は２価以上の有機酸、（Ｄ）３価以上のアルコール、（Ｅ）有機溶剤、を含むことを特徴とする熱硬化性ケイ素含有膜形成用組成物。 （もっと読む）

【課題】重ね合わせ露光を行うことなくリソグラフィ・プロセスを用いて、露光装置の解像限界を超えるような微細パターンを形成する。
【解決手段】パターン形成方法は、ウエハＷ上にネガレジスト３及びより高感度のポジレジスト４を塗布することと、ウエハＷのポジレジスト４及びネガレジスト３をライン・アンド・スペースパターンの像で露光することと、ポジレジスト４及びネガレジスト３をウエハＷの表面の法線に平行な方向に現像することとを有する。 （もっと読む）

【解決手段】置換又は非置換のヒドロキシアルキルナフタレンを有する繰り返し単位と、酸によってアルカリに可溶になる繰り返し単位とを有する高分子化合物を含むポジ型レジスト材料を基板上に塗布してレジスト膜を形成する工程と、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜を露光する工程と、加熱処理後に現像液を用いて上記レジスト膜を現像する工程と、その後に熱あるいは酸と熱によってレジスト膜を架橋硬化させる工程とを有することを特徴とするパターン形成方法。
【効果】本発明によれば、上記高分子化合物と、酸発生剤とを添加したレジスト材料を用いて第１のパターンを形成後、熱あるいは酸と熱による架橋反応によってアルカリ現像液やレジスト溶液に不溶化させ、その上に更にレジスト溶液を塗布し、露光現像することにより、パターン間のピッチを半分にするダブルパターニングを行い、一度のドライエッチングによって基板を加工できる。 （もっと読む）

【課題】微細なパターンを形成するための半導体素子のパターンの形成方法を提供する。
【解決手段】エッチング対象膜上にフォトレジストパターンが形成された半導体基板が提供される段階と、前記フォトレジストパターンを含む前記半導体基板上に補助膜が形成される段階と、前記フォトレジストパターンの表面に形成された前記補助膜が変性されて第１補助パターンが形成される段階と、前記第１補助パターン及び前記補助膜を含む前記半導体基板上にフォトレジスト膜が形成される段階と、前記フォトレジスト膜の下部に形成された前記補助膜が変性されて第２補助パターンが形成され、前記補助膜が前記フォトレジストパターンの間のみに残留される段階と、前記フォトレジスト膜、前記第１及び第２補助パターンを除去して前記フォトレジストパターン及び前記補助膜を含むエッチングマスクパターンを形成する段階と、を含む。 （もっと読む）

【課題】ラインアンドスペースパターン疎密部の下層レジスト層のサイドエッチを防止し、疎密差なく異方性形状に加工する多層レジスト膜のドライエッチング方法を提供する。
【解決手段】無機系中間層２０２のエッチング後、窒素を主成分として含んだ化合物（例えばＮ２）と酸素を主成分として含んだ化合物（例えばＯ２）に加え、サイドエッチを防止するために臭化水素（ＨＢｒ）を添加した混合プロセスガスを用いて下層レジスト層２０３をエッチングする。無機系中間層２０２に対して高い選択比を維持しつつ、ＣｘＢｒｙ，ＣｘＮｙなどの反応生成物を下層レジスト層２０３の側壁に堆積させ側壁保護効果を高めることにより、パターン疎密部において疎密差を制御しながら下層レジスト層２０３をサイドエッチなく異方性形状に加工できる。 （もっと読む）