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Fターム[2H147AC01]の内容

光集積回路 (45,729) | 使用状態下の素子に対する制御因子 (786) | 電圧、電界 (345)

Fターム[2H147AC01]に分類される特許

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【課題】誘電体基板の同一端面内に複数の光入出力部を有する光素子に、複数の光ファイバを接合する場合であっても、各光入出力部に繋がる複数の光導波路の長さを等しくし、変調特性などの光導波路毎の光路差に起因する光学特性の劣化を抑制することが可能な、光素子と光ファイバとの接合構造を提供する。
【解決手段】誘電体基板1に形成された光導波路21を有する光素子と、該光導波路と光学的に結合すると共に、該誘電体基板の端面に接合される光ファイバ4との接合構造において、該光導波路は該端面内に複数の光入出力部を有し、該光ファイバは、各光入出力部に対応する複数の光ファイバであり、該光ファイバが接合される誘電体基板の該端面は、各光入出力部を有する光導波路の光軸方向に垂直であり、かつ、該誘電体基板の厚み方向に傾斜している傾斜面(傾斜角θ)となっている。 (もっと読む)


【課題】MZ型導波路のY合波部におけるモード不整合光の発生やモード不整合光の放射モード光や出力光への混入を抑制すると共に、放射モード光と出力光を効率良く分離抽出することが可能な光変調器を提供する。
【解決手段】誘電体基板の表面にマッハツェンダー型導波路を形成した光変調器において、該マッハツェンダー型導波路の出射側のY合波部の合波後の導波路がマルチモード導波路2であり、該マルチモード導波路2をシングルモード導波路となる出力主導波路3に変更する箇所に高次モード用導波路である出力副導波路4を接続し、該マルチモード導波路2は、長さが150μm以上である。 (もっと読む)


【課題】小型化と省電力化を同時に実現する。
【解決手段】基板1と、光導波路2及び光変調のために電圧を印加する中心電極4及び接地電極5a,5bとを備え、光導波路2が、入力光導波路2aと、分岐光導波路2bと、相互作用光導波路2c1 ,2c2 と、合波光導波路2dと、合波点2gと、出力光導波路2eとからなり、位相変調された光が合波された高次モード光が出力光導波路2eをほとんど伝搬せずに合波点2gから放射光6a,6bとして放射される光変調器100と、キャピラリ14と、放射光6a,6bを受光するフォトディテクタ9と、光変調器100、キャピラリ14及びフォトディテクタ9を収容する筐体12とを備える光変調器モジュール101において、筐体12はその内壁面13が放射光6a,6bを反射するように形成され、フォトディテクタ9を内壁面13で反射した放射光6a,6bを受光する位置に配置した。 (もっと読む)


【課題】光変調部において厚さ10μm以下の薄板を採用して速度整合を図った光変調器において、光変調器と外側の光ファイバとの間の結合損失および光変調器内部での結合損失を抑制することである。
【解決手段】光変調器10Aは、支持基板1、電気光学材料からなる変調用基板3、この変調用基板3の一方の主面側3aに設けられている光導波路4、変調用基板3の他方の主面3b側に設けられており、光導波路を伝搬する光を変調するための電圧を印加する電極、および変調用基板3の一方の主面3aを支持基板1へと接着する接着層2を備える。変調用基板3が、少なくとも光導波路4を伝搬する光の変調を行うための厚さ10μm以下の変調部7と、変調部7よりも厚い光ファイバ結合部6とを備える。 (もっと読む)


【課題】複数のマッハツェンダ変調器を備える光デバイスのサイズを小さくする。
【解決手段】基板1の表面領域に、複数のマッハツェンダ変調器A、B、および入力分岐導波路2が形成されている。入力分岐導波路2は、入力光を分岐して複数のマッハツェンダ変調器A、Bに導く。各マッハツェンダ変調器は、それぞれ、入力分岐導波路2に結合する分岐部11、21、分岐部11、21に結合する平行導波路12(12a、12b)、22(22a、22b)、平行導波路12、22に結合する合波部13、平行導波路12a、22bに信号を与える信号電極14、24を備える。各マッハツェンダ変調器の分岐部11、21の向きが互いに異なっている。 (もっと読む)


【課題】暗電流を低減でき、かつ、高速応答が可能な光検出器を提供する。
【解決手段】n型c−Ge層2、i型c−Ge層3およびp型c−Ge層4が光導波路30に近接してシリコン基板1上に積層される。光導波路30は、クラッド20に接してクラッド20上に形成されている。n型c−Ge層2の膜厚(0.6μm)がクラッド20の厚み(1.4μm)よりも薄く、かつ、n型c−Ge層2の膜厚とi型c−Ge層3の膜厚との合計(2.0μm)がクラッド20の厚みと光導波路30の厚みとの合計(1.7μm)よりも大きい。その結果、光導波路30中を伝搬する光は、光検出器10のi型c−Ge層3へ入射され、n型c−Ge層2およびp型c−Ge層4へ入射されない。 (もっと読む)


【課題】単純な構成及び製造方法によって、光のパワー密度の低下及び重なり積分の低下をともに防止する。
【解決手段】基板面11aから凸状に突出したリッジ部13を一体的に有する基板11を具え、リッジ部は、屈折率が等しい第1クラッド23及び第2クラッド25と、これら第1クラッド及び第2クラッドと比して高屈折率であるコア27とを有する光導波路構造21を含み、コアは、第1クラッド及び第2クラッド間に、リッジ部の厚み方向に沿って挟み込まれている。 (もっと読む)


【課題】高速で長距離伝送にすぐれた光通信用光源を提供する。
【解決手段】光通信用光源は、特定波長の光波を出力できる半導体レーザ10と、半導体レーザ10からの出力光が入力され、その入力波長に応じて出力光強度が変化する外部波長フィルターとを備える。外部波長フィルターは、パワー透過率の波長周期が異なる第1、第2の波長フィルターが縦列接続された構成であり、半導体レーザ10において周波数変調された光波を外部波長フィルターにより強度変調に変換する。第1、第2の波長フィルターは、波長の共振周期の異なる2つの導波路型光共振器15,16からなる。 (もっと読む)


【課題】小型化が可能な光変調器を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態によるマッハツェンダ型の光変調器は、アーム導波路が形成された電気光学材料の第1の基板と、アーム導波路に結合したY分岐部およびY合波部の少なくとも一方が形成された第2の基板とを備える。第1の基板は、アーム導波路上に形成された変調用の第1の電極を備え、第2の基板は、第1の電極に結合する第2の電極を備える。第1および第2の電極は、誘電体の接着剤で接合される。このように、電極間を誘電体の接着剤で接合することにより、DCブロック用のキャパシタンスを形成することができる。また、この接着剤は、電極間の接合のみならず、基板間の接合にも使用することができる。 (もっと読む)


【課題】パッシブコア層をエッチングすることなく光回路を形成できる導波路素子の製造方法の提供。
【解決手段】下部クラッド層を形成する工程と、前記下部クラッド層の表面に電気光学的効果を示すアクティブコア層を形成する工程と、前記アクティブコア層の表面にアクティブコア層の屈折率よりも小さく、下部クラッド層の屈折率よりも大きな屈折率を有する保護層を形成する工程と、前記保護層の表面に、パッシブコア層を形成する工程と、パッシブコア層を所定のパターンで露光して光回路を形成する工程と、前記光回路が形成されたパッシブコア層の表面に上部クラッド層を形成する工程と、上部クラッド層の表面に上部電極を形成する工程と、上部電極形成後に分極配向処理を行う工程と、を有する導波路素子の製造方法。 (もっと読む)


【課題】高精度の微細加工をしなくても容易に作製することが可能な半導体光集積素子を提供すること。
【解決手段】本発明に係る半導体光集積素子は、半導体基板上に下部クラッド層3、下部コア層4、中間クラッド層5、上部コア層6、及び上部クラッド層7がこの順に積層されており、第一領域、第二領域、及び第三領域に亘って、下部クラッド層3、下部コア層4、中間クラッド層5、上部コア層6、及び上部クラッド層7がそれぞれ形成されており、第一領域及び第三領域における中間クラッド層5の厚みD1が、第二領域における中間クラッド層5の厚みD2と異なることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】充分に長い共振器長を確保できるとともに、作成を容易とすること。
【解決手段】共通の平面12a内において1個の交差領域Cで交差して配置された線分状の3本の光導波路W1〜W3と、 交差領域から外側に向かって延在する光導波路の部分のそれぞれを、時計回りに第1〜第6光導波路部分とするとき、第2i−1及び第2i光導波路部分(iは1〜3の整数)の交差領域とは反対側の端部同士を接続する湾曲光導波路Piと、平面に垂直に入出力される光を光導波路に結合するととともに、光導波路が接続されていて交差領域を含む領域に形成された光カプラKとを備える (もっと読む)


光チップ(平面光波回路)からなる光デバイスが開示され、この光デバイスは、光学的に対称か、もしくは一致する設計および特性、ならびに光デバイス内に非対称性を作り出す光学素子を有する。このデバイスは、コヒーレント光通信システムおよび非コヒーレント光通信システムにおける検出に用途を見出す。 (もっと読む)


【課題】アド・ドロップ機能、光路の切り換え機能を有し、多入力−多出力が可能な波長選択装置を実現する。
【解決手段】互いに交差して配置された2つの直線状光導波路109,110と、2つの直線状光導波路109,110にそれぞれ光学的に結合されて配置されたリング状光導波路108と、このリング状光導波路108に設けられリング状光導波路108の実効屈折率を変化させるためのヒーター112と、を備える。 (もっと読む)


【課題】電極の配線によるクロストークの影響を低減することができるマッハツェンダ型光変調器を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態によるマッハツェンダ型の光変調器は、アーム導波路が形成された強誘電体の基板と、アーム導波路に結合したY分岐部およびY合波部の少なくとも一方が形成された常誘電体の基板とを備える。強誘電体の基板は、アーム導波路上に形成された変調用の電極を備え、常誘電体の基板は、電極の配線を備える。常誘電体の基板は、強誘電体の基板に比べて電気光学効果による影響が小さいので、電極の配線が常誘電体の基板の導波路と交差しても、クロストークの影響が小さい。また、電極の配線を常誘電体の基板に配置すれば、配線が導波路と交差しても影響が小さいので、配線の等長化のための設計がし易くなる。 (もっと読む)


【課題】駆動電圧を低くし、かつ、全長を短くすることが可能な光導波路スイッチを提供する。
【解決手段】光導波路スイッチ10は、基板の面内方向DR2においてゾルゲルガラスからなるコア4の両側面に電気光学ポリマからなるコア6,7をテーパ構造によって接触させた構造からなる。そして、電気光学ポリマからなる方向性結合相互作用領域のクラッド5をコア4,6,7に接触するように配置する。コア4、コア6,7およびクラッド5は、それぞれ、1.5、1.632、1.630の屈折率を有する。コア4,6,7およびクラッド5は、クラッド3によって囲まれている。また、クラッド5と接触するコア6,7の部分に電圧を印加するための電極13,14がそれぞれ設けられる。光導波路スイッチ10は、電極13,14への電圧の印加/不印加を制御することによってコア6またはコア7から導波光を出射する。 (もっと読む)


【課題】 大型化を抑制しかつ接続損失を抑制しつつ曲がり導波路と別の導波路とを交差させることができる光デバイスおよび光送信器を提供する。
【解決手段】 光デバイスは、基板(30)と、基板に形成され曲がり部を有する第1光導波路(10)と、第1光導波路の曲がり部と交差する第2光導波路(20)と、を備え、基板において、第1光導波路の曲がり部の外側に溝(40)が形成されている。光送信器は、光デバイスと、入力光を強度変調して変調された第1変調光および第2変調信号を第1光導波路および第2光導波路にそれぞれ入力する強度変調部(210)と、第1光導波路を経由した第1変調光を第1データ信号で変調する第1変調部(220)と、第2光導波路を経由した第2変調光を第2データ信号で変調する第2変調部(230)と、第1変調部および第2変調部で変調された各変調信号光を偏波多重する偏波多重部(240)と、を備える。 (もっと読む)


【課題】光集積回路と光ファイバとの結合が容易となる光集積回路要素、及び、光デバイスを提供する。
【解決手段】光スイッチ等の光路制御用の光集積回路に適する成分を含む膜をガラス等の材料の上に付け、薄膜の上からレーザ等による光を照射して、薄膜の中に所定の熱処理相を形成する。前記レーザ光は、主に基板においてそのエネルギーが吸収され、その吸収されたエネルギーによる熱で、薄膜を熱処理する。パターンニングが可能で、光スイッチ等の光デバイスに応用できる。基板は、所定の範囲の波長の光を吸収でき、耐熱性があり、熱膨張が低い材料からなることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】表面プラズモンポラリトンベースデバイスと誘電体ベースデバイスとの高度混合集積を実現し、多種類の制御可能な光電気集積デバイスを実現すること。
【解決手段】本発明は、誘電体基板層と、前記誘電体基板層上に位置する誘電体導波路層と、前記誘電体導波路層上に位置する結合整合層と、前記結合整合層上に形成された、ショートレンジ表面プラズモンポラリトンを伝導するためのショートレンジ表面プラズモン導波路部とを含むことを特徴とする、ショートレンジ表面プラズモンポラリトンと一般誘電体導波路との混合結合構造である。また、本発明は、下から上に向けて、それぞれ、誘電体基板層と、誘電体導波路層と、結合整合層と、ロングレンジ表面プラズモン導波路部とを含むことを特徴とする、ロングレンジ表面プラズモンポラリトンと誘電体導波路との結合構造である。 (もっと読む)


【課題】反射型の偏波変換デバイスにおいて、出力光の偏波消光比の劣化を効果的に防止する。
【解決手段】偏波変換デバイスは、第1導波路2に入力された光の偏波状態、すなわち、光のTE/TMモードを変換して第1導波路2から出力する。第1導波路2に入力されたTMモードの光は、接続導波路4を伝搬する間に1/4波長板20を2回通過してTEモードに変換され(モード変換部)、偏波ビームスプリッタ10に入力する。偏波ビームスプリッタ10は、入力した光をTEモードの光とTMモードの光とに分離し、TEモードの光を第1導波路2に出力する(偏波分離部)。 (もっと読む)


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