【課題】
薄板化した主基板を伝播する信号光の光学的な特性劣化を抑制し、製品の光学特性を向上させることが可能な光導波路素子を提供すること。
【解決手段】
電気光学効果を有する厚さが３０μｍ以下の基板に光導波路が形成された光導波路基板と、該光導波路基板が補強基板と接着剤層を介して接合されている光導波路素子において、該光導波路基板の該補強基板側の面上であって、該光導波路が形成された部分にバッファ層が形成され、
該バッファ層を覆うように該光導波路基板の該補強基板側に、光吸収膜が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
ネスト型光導波路のように、光導波路が複数の光導波路部分を有し、該光導波路部分が互いに平行配置される光導波路素子において、光導波路部分が近接して配置される場合でも、各光導波路に印加される変調信号のクロストークを効果的に抑制することが可能な光導波路素子を提供すること。
【解決方法】
電気光学効果を有する基板と、該基板上に形成された光導波路と、該光導波路内を導波する光波を変調するための変調用電極とを有する光導波路素子において、該光導波路は、複数の光導波路部分が互いに平行配置され、少なくとも一つの該光導波路部分には該変調用電極による電界が印加される構成を有し、該光導波路部分間の距離が３００μｍ以下であり、かつ該光導波路部分間には溝が形成され、該溝の内側には、導電性材料が充填又は付着されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光電子装置を提供する。
【解決手段】光電子装置は、半導体基板内に形成されたｐドーピング領域とｎドーピング領域と、ｐドーピング領域とｎドーピング領域との間に形成された光導波路コア領域と、光導波路コア領域とｐドーピング領域との間に形成され、それぞれが第１距離だけ離隔して形成され、光導波路コア領域の厚さと同じ厚さを有する複数の第１スラブと、光導波路コア領域とｎドーピング領域との間に形成され、それぞれが第２距離だけ離隔して形成され、光導波路コア領域の厚さと同じ厚さを有する複数の第２スラブと、を含む。 （もっと読む）

【課題】光離散フーリエ変換をスラブ型スターカプラで主に実現することにより、チャネル数Ｕが２の整数のべき乗個である必要はなく、チャネル数Ｕが増加しても光回路サイズを小型に保つことが可能な光直交周波数分割多重信号の分離回路を提供すること。
【解決手段】本発明においては、光離散フーリエ変換をスラブ型スターカプラで主に実現する。これにより、任意のチャネル数で動作し、チャネル数が増加しても光回路サイズを小型に保つことが可能な光直交周波数分割多重信号の分離回路を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】Ｉｎを含まないＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる半導体層と基板のＳｉ面とを接合させる構造において、Ｉｎを含まないＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる半導体層と基板とに剥がれが生じることを抑制すること。
【解決手段】本発明は、ＧａＡｓ基板３２の主面上に形成された光を発振する活性層３８を含む積層半導体層４６のうちの最表面の層である、Ｉｎを含まないＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体であるＧａＡｓからなるコンタクト層４４の表面に、ＩｎＡｓの複数の量子ドットからなる接合層２２を形成する工程と、コンタクト層４４の表面を、接合層２２を介して、基板１０に含まれるＳｉ薄膜層１６のＳｉ面に接合させる工程と、を有する半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】有機導波路を作製する際に高温・高圧印加下で作製せざるを得ないプロセスの困難性と、配向緩和によるＥＯ効果消失の問題とを同時に解決すること。
【解決手段】電気光学効果を呈する有機材料が添加されたポリマーを硬化して構成される長尺状のコアと、前記コアの周囲に積層されたクラッドとを備えた有機導波路であって、前記有機導波路は、前記コアが硬化した後に当該コアの長手方向に延伸されていることを特徴とする有機導波路。好ましくは、前記ポリマーは、熱硬化特性またはＵＶ硬化特性を有する樹脂である。また、入力光を２つの分岐部分で分波し、一方の光波にのみ位相シフトを与え、位相シフトを与えない他方の光波と合波させ、入力光に変調が加わった出力光を得るマッハツェンダ変調器において、前記２つの分岐部分のうち、位相シフトを与えるコアとして上記有機導波路を使用することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 大型化を抑制しつつ、分岐比の劣化を抑制することができる、光導波路、光変調器、および、光カプラを提供する。
【解決手段】 光導波路は、基板に形成され、曲がり導波路と、前記曲がり導波路に接続されて分岐する分岐部と、を備え、前記曲がり導波路の前記分岐部と反対側の始点から前記分岐部に至るまでの導波路において、前記曲がり導波路の始点の実効屈折率よりも低い実効屈折率を有する低屈折率部が設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】埋め込み素子の導波路とハイメサリッジ素子の導波路がずれるのを防ぐ。
【解決手段】ｎ型ＩｎＰ基板１０上に半導体積層構造３０と半導体積層構造３２を横並びに形成する。半導体積層構造３０，３２上にｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層３６を形成する。ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層３６をパターニングして、半導体積層構造３０上のｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層３６を除去する。半導体積層構造３０をエッチングして導波路リッジ４０を形成し、ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層３６及び半導体積層構造３２をエッチングしてハイメサリッジ４２を形成する。導波路リッジ４０の両サイドを埋め込み層４４，４６，４８で埋め込む。導波路リッジ４０及びその近傍の埋め込み層上にｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層５２を形成する。ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層３６，５２をマスクとして埋め込み層をエッチングして埋め込み素子とハイメサリッジ素子とを形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、スーパコンティニューム光源（ｓｕｐｅｒｃｏｎｔｉｎｕｕｍ ｌｉｇｈｔ ｓｏｕｒｃｅ）および光位相配列（ｏｐｔｉｃａｌ ｐｈａｓｅｄ ａｒｒａｙ）方式を用いたビームスキャニングに基づいて癌、微生物などを含むバイオ物質を検出するビームスキャニングシステムに関する。
【解決手段】本発明におけるビームスキャニングシステムは、スーパコンティニューム光ビーム（ｓｕｐｅｒｃｏｎｔｉｎｕｍｍ ｌｉｇｈｔ ｂｅａｍ）を生成して出射する光源と、前記スーパコンティニューム光ビームを受信して少なくとも２つの経路にガイドする光素子と、前記経路のうちの１つの経路に可変的に電圧を供給して該経路にガイドされる光ビームの位相を変化させる電圧供給部とを備える。 （もっと読む）

【課題】光の伝播損失が少なく、バラツキの少ない導波路型共振器デバイスを提供する。
【解決手段】光入力端及び光出力端を有し、前記光入力端より入射した光を伝播させる光導波路と、前記光導波路に近接して配置された所定の周波数で共振する共振器と、を有し、前記光導波路及び前記共振器は、単結晶のシリコン層により形成されるものであって、前記共振器は前記シリコン層の一部によりコアが形成されるＰＩＮ接合構造を有し、前記共振器は、直線部分と角部分を有する略多角形状で形成されており、前記共振器は、前記角部分のいずれか１つにおいて前記光導波路と最も近接して配置されており、前記直線部分は、前記シリコン層における［１ ０ ０］方向、［０ １ ０］方向、［０ ０ １］方向、［１ １ ０］方向、［１ ０ １］方向、［０ １ １］方向のいずれかに沿って形成されていることを特徴とする導波路型共振器デバイスにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】出力光ビーム位置を空間的にシフトさせるための偏波ビームディスプレーサを不要とする、偏光依存性を有するアレイ導波路回折格子合波器を用いた波長選択スイッチを提供する。
【解決手段】空間光学系(51, 61, 62, 52)により結合された、入力ポートを有する波長分波器(1)と、波長分波器により分波された各波長の光信号の偏光状態を独立に制御する偏光制御素子アレイ(2)と、２つの出力ポートを有するアレイ導波路回折格子合波器(241)とを備えた波長選択スイッチにおいて、アレイ導波路回折格子合波器(241)が、偏光制御素子アレイにより偏光状態が制御された各波長の光信号を合波して２つ出力ポートのいずれかから出力し、かつ出力ポートの透過中心波長が偏光依存性を有しており、当該偏光依存性による透過中心波長シフトが２つの出力ポート間の透過中心波長差に等しくなるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体ＭＺＭ位相光変調器においても、環境温度の変化に対して、同一変調電圧での駆動を可能とし、ペルチェ素子等を用いた温度調整機構を省略し、消費電力を低減することができる光送信機を提供する。
【解決手段】ｎｐｉｎ構造を有する変調領域を有する半導体ＭＺ変調器１と、前記半導体ＭＺ変調器１の温度を監視する温度センサ４３と、前記半導体ＭＺ変調器１の変調電極にバイアス電圧を印加するバイアス回路４１とを備え、前記バイアス回路４１は、前記温度センサ４３からの入力が変化すると、前記バイアス電圧を変化させて変調振幅電圧を一定として前記半導体ＭＺ変調器１を駆動する。 （もっと読む）

【課題】長波長用の可変光モジュールに用いることができる電気光学特性に優れた光学素子を提供する。
【解決手段】シリコンを含有する単結晶基板１１０と、単結晶基板１１０上にエピタキシャル成長により形成された第１の電極１３０と、第１の電極１３０上にエピタキシャル成長により形成された電気光学効果を有する電気光学膜１６０と、電気光学膜１６０上に形成された第２の電極１８０とを備え、第１及び第２の電極１３０及び１８０は、電気光学膜１６０の膜厚方向に電圧を印加するためのものであり、電気光学膜１６０は、単一配向を有しない結晶化膜である光学素子。 （もっと読む）

【課題】
特別な製造工程を用いることなく、光導波路自体に偏光子作用を安定的に付加することが可能な導波路型偏光子を提供すること。
【解決手段】
Ｚカット型のニオブ酸リチウム基板１と、該基板上にリッジ構造の光導波路が形成された導波路型偏光子において、該リッジ構造の幅は、該光導波路を伝播する光波の常光の光分布が変化するリッジ幅であり、かつ、該光波の異常光の光分布が変化しないリッジ幅であり、該リッジ構造の角度は９０°よりも小さく、該リッジ構造の側面に、膜厚が０≦ｎ・ｔ／λ≦０．３７４２の条件（ただし、ｎは屈折率，ｔは膜厚，λは光波の波長であり、膜厚、波長の単位はμｍである。）を満足する低屈折率膜３が形成され、該低屈折率膜の上に、膜厚が０．０８９≦ｎ・ｔ／λの条件を満足する高屈折率膜４が形成されて、異常光透過偏光子機能を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、光損失および駆動電圧を低減でき、かつ半導体レーザとの集積が容易な光変調器を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の光変調器は、光を変調する変調領域と、該変調領域に隣接したパッシブ領域とを有し、該変調領域および該パッシブ領域には、半導体基板と、該半導体基板上のｎ型クラッド層と、該ｎ型クラッド層上のコア層と、該コア層上のｐ型クラッド層と、が形成され、該変調領域には、該ｐ型クラッド層と、該ｐ型クラッド層上のコンタクト層と、該コンタクト層上のＰ側電極と、が形成され、 該パッシブ領域において、該コア層と該ｐ型クラッド層との間にノンドープクラッド層が形成されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】小型で高性能な光変調器を提供する。
【解決手段】分極を反転しない領域と反転する領域を有する基板と、その側部に溝部が形成された第１及び第２の光導波路とを備えた光導波路を具備し、第１及び第２の光導波路を伝搬する光と、中心導体及び接地導体からなる進行波電極を伝搬する電気信号が相互作用する相互作用部が、互いに異なる方向に分極した第１及び第２の相互作用部を含み、中心導体は第１及び第２の相互作用部で第１もしくは第２の光導波路に対向し、第１及び第２の相互作用部で第１及び第２の光導波路を伝搬する光の位相を変調する光変調器であって、第１及び第２の相互作用部の間に光導波路シフト部を設け、第１及び第２の相互作用部にて、中心導体及び接地導体と、第１及び第２の光導波路の相対位置が入れ替わるようにし、相互作用部における中心導体は直線でなり、光導波路シフト部にて中心導体の下方以外に溝部が形成される。 （もっと読む）

【課題】ＰＬＣと他の導波路型光素子とが付き合わせ接続されて構成された光素子チップをパッケージに収納する光モジュールにおいて、熱応力による光学的・機械的信頼性の低下を抑制すること。
【解決手段】光モジュール３００は、ＧａＮ系光変調器３１１の両端に第１及び第２のＰＬＣ３１２、３１３が突き合わせ接続された光素子チップ３１０と、ＧａＮ系光変調器３１１が固定された凸部３２０Ａを有するパッケージ３２０とを備える。パッケージ３２０の材料を、熱膨張係数がＧａＮ系光変調器とＰＬＣの両方に合うように選択することが可能であり、そのような場合、ＧａＮ系光変調器３１１に加えて、第１及び第２のＰＬＣ３１２、３１３もパッケージ３２０の凸部３２０Ａに固定することができる。たとえば、パッケージ３２０の材料として、熱膨張係数が５．３×１０^-6／Ｋ程度のコバールを用いることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体ＭＺ光変調器を備えた光伝送装置であって、消光比が高く、かつ、チャープが少ない形で光を変調できる光伝送装置を提供する。
【解決手段】光伝送装置は、一方のアーム１１_１に、その光吸収係数が他の部分に比べて大きな、出力光の強度が最小となる電圧を各電極１５に印加した場合におけるアーム１１_１の伝搬損失とアーム１１_２の伝搬損失とが一致するように、その形状が定められた損失調整部１４が設けられている半導体ＭＺ光変調器１０と、半導体ＭＺ光変調器１０の各電極１５に、同時刻における時間変化率の正負が逆の，振幅が等しい変調電圧を印加する駆動回路１８とを、備える。 （もっと読む）

【課題】ＭＺ型導波路の合波部における不要な高次モードの励起を抑制し、出力光の安定化を図ると共に、放射モード光を効率良く導出することが可能な光導波路素子を提供する。
【解決手段】基板にマッハツェンダー型導波路を形成した光導波路素子において、該マッハツェンダー型導波路の出射側の合波部１３に入力される２つの導波路１１，１２の傾きが０度であり、該合波部の合波後の導波路がマルチモード導波路であり、さらに、該合波部から出力される導波路が、出力主導波路１４とそれを挟む２本の出力副導波路１５，１６からなる３分岐導波路で構成される。 （もっと読む）

【課題】従来よりも高品質なｎ−ｉ−ｎ構造の光変調器を提供すること。
【解決手段】光変調器３００は、サファイア基板３０１上に、低温成長ＧａＮバッファ層３０２、第１のｎ−ＧａＮ電極層３０３、第１のｉ−Ａｌ_xＧａ_1-xＮクラッド層３０４、ｉ−ＧａＮ光導波層３０５、第２のｉ−Ａｌ_x'Ｇａ_1-x'Ｎクラッド層３０６、ｉ−Ａｌ_x''Ｇａ_1-x''Ｎ電子ブロック層３０７、第２のｎ−ＧａＮ電極層３０８が順次積層されている。エッチングプロセスにより第１のｎ−ＧａＮ電極層３０３に至るまでエッチングを行い、ハイメサ導波路構造の光導波路３２０を作製している。光導波路３２０は、コア層である光導波層３０５を、屈折率の小さい第１のクラッド層３０４及び第２のクラッド層３０６で挟んで光閉じ込めを行うＡｌＧａＮ／ＧａＮ／ＡｌＧａＮ光導波路であり、当該光導波路に印加される電圧により光の位相変調が実現される。 （もっと読む）