【課題】小型化可能であって、変調効率を高めた光変調装置を得る。
【解決手段】基板上に間隔を隔てて形成された第１の光導波路及び第２の光導波路と、前記第１の光導波路または前記第２の光導波路における屈折率を変化させるため、前記第１の光導波路または前記第２の光導波路に沿って設けられた電極と、前記電極に接続されており、前記第１の光導波路または前記第２の光導波路に電圧を印加するための電源と、を有し、前記第１の光導波路または前記第２の光導波路のうち、どちらか一方または双方の光導波路は、波長λの光を反射する構造の回折格子領域と、０からλ／２の範囲で位相シフトさせる位相シフト領域により形成されていることを特徴とする光変調装置により上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】高度な機能性を達成しつつ、長さを短縮し小型化することも可能な基板型光導波路デバイスを提供する。
【解決手段】二通りのブラッググレーティングパターン１２，１３が光の導波方向と直交する断面において互いに異なる領域に位置し、かつ光の導波方向に沿って並列した領域に形成され、かつ、導波路コア１０がＰ型及びＮ型の半導体領域１０ａ，１０ｂを有する基板型光導波路素子である。二通りのブラッググレーティングパターン１２，１３は、水平方向の凹凸として光導波路のコアの両側壁に形成された第一のブラッググレーティングパターン１２と、コア１０の幅方向中央かつ垂直方向上部に形成された突起状の構造および／または溝状の構造１３からなる第２のブラッググレーティングパターンからなることもできる。 （もっと読む）

本発明は、コンパクト性が高く且つ光波及び電波の適合性に利するように改良された電気光学変調の素子、デバイス及びシステム、並びに製造方法に関する。本発明によれば、前記素子は、導波路（６９０）のアーキテクチャを備えており、そして、制御電気信号の進む経路の長さ（Ｌ６０９）に対して、光束の進む経路の長さ（Ｌ６１１）が、光束と電気信号との伝播速度（Ｖ６０９，Ｖ６１１）の差を低減又は補正するように決定された差を有するように、前記導波路を配置する。特に、変調領域は光束の経路を含み、前記光束は、これらの制御要素の少なくとも２つから出ている少なくとも２つの欠刻を連続的に通過し、そして、それ自体巻かれている。このようにして、前記光束経路は、例えば、この制御信号とこの光束との間の相互作用の第一領域（Ｒ１ａ）と第二領域（Ｒ２ａ）との間で、電気信号が進む長さより大きい長さを備えている。
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【課題】光回路にプリント配線板を精度良く、簡易に実装できる光回路アセンブリを提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態による光回路アセンブリは、導波路型光回路と、プリント配線板とから構成される。導波路型光回路は、平面基板上に形成された光導波路と、光導波路上に形成された抵抗発熱体と、抵抗発熱体と電気的に接続された電極とを有する。プリント配線板は、配線と、電極と、開口窓とを有する。導波路型光回路の電極とプリント配線板の電極とが電気的に接続されるようにプリント配線板の開口窓を設けることにより、光回路にプリント配線板を精度良く、簡易に実装することができるようになる。 （もっと読む）

【課題】コアとなる電気光学材料に電荷が注入されるのを抑制し、電気光学素子の内部を伝搬する光ビームのビーム形状歪みを防止することが可能な電気光学素子を提供する。
【解決手段】本発明の電気光学素子１は、電気光学材料からなる薄膜をコア層４としてコア層４の両側に誘電体材料からなるクラッド層を介して光導波路２が形成されかつコア層４はクラッド層を介して対向する一対の電極層７ａ、７ｂの間に配置され、一対の電極層７ａ、７ｂに電圧Ｖを印加することによりコア層４の屈折率が変化する。
クラッド層は第１クラッド層５ａ、５ｂと第２クラッド層６ａ、６ｂとからなる。第２クラッド層６ａ、６ｂの誘電率は第１クラッド層５ａ、５ｂの誘電率よりも大きく、かつ、第２クラッド層６ａ、６ｂの膜厚は第１クラッド層５ａ、５ｂの膜厚よりも厚い。 （もっと読む）

【課題】高度な機能性を達成しつつ、長さを短縮し小型化することも可能であり、しかも製造工程における加工精度の管理を容易化できるグレーティング構造を有する基板型光導波路デバイスの設計方法を提供する。
【解決手段】フォトリソグラフィー工程及びエッチング工程によって加工してなるグレーティング構造を有する基板型光導波路デバイスの設計方法であって、所望の光学特性を入力し逆散乱問題を解くことによって、ｚ軸（光導波路の長手方向）に沿ったコア幅を間隔Δｚごとに算出して、グレーティングピッチＰ_ＧがΔｚの整数倍となるグレーティング構造を設計し、Ｐを設計中心波長／（参照実効屈折率×２）とするとき、Ｐ−Δｚがフォトリソグラフィー工程及びエッチング工程の適用可能な最小ピッチＰ_ｍｉｎ以上となるように、Δｚを設定する。 （もっと読む）

光導波路のコアが、凸部と凹部とを交互に有するグレーティング構造を有し、前記凹部におけるコアの幅が不均一である基板型光導波路デバイスの製造方法であって、高屈折率材料層を形成する高屈折率材料層形成工程と、前記高屈折率材料層の上に、フォトレジスト層を形成するフォトレジスト層形成工程と、位相シフト型のフォトマスクを用いて、遮光領域を前記フォトレジスト層上に形成する第１の露光工程と、バイナリ型のフォトマスクを用いて、遮光領域を前記フォトレジスト層上に形成する第２の露光工程と、前記フォトレジスト層を現像する現像工程と、前記現像工程により得られたフォトレジストパターンを用いて前記高屈折率材料層をエッチングするエッチング工程と、を有する基板型光導波路デバイスの製造方法。
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【課題】再成長が不要である分離溝を形成する光変調器において、分離溝部で損失の増大を抑制することができる光変調器を提供することにある。
【解決手段】導波路構造の活性領域１６ａに接続して形成され、キャリアバリア層１４より上層にある層１５の少なくとも一部の幅が、導波路内光伝搬方向にて徐々に狭くなる第１のテーパ部１８と、第１のテーパ部に対向し、前記導波路構造の非活性領域に接続して形成され、キャリアバリア層１４より上層にある層１５の少なくとも一部の幅が、徐々に広くなる第２のテーパ部１９とを具備する。 （もっと読む）

【課題】信頼性に優れ、低コストおよび小型化が可能な光変調器を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態による光変調器は、光導波路から構成される分岐回路を備えた第１の基板と、複数の変調回路を備えた第２の基板と、石英系の導波路から構成される合波回路を備えた第３の基板とを備える。光変調器の各回路に要求される特性に応じて、基板を分けることにより、信頼性に優れ、低コストおよび小型化が可能になる。 （もっと読む）

【課題】低消費電力である導波路型分散補償回路を提供すること。
【解決手段】複数の導波路からなる導波路アレイ１０９と該導波路アレイの入出力端に設けられたスラブ導波路１０８、１０９とを有し、入力された信号光を複数の波長に分波する第１のアレイ導波路回折格子１０２と、上記波長ごとに分波された信号光の位相を制御する位相制御手段をそれぞれ有する複数の単一モード導波路によって構成される位相制御導波路アレイ１０４と、複数の導波路からなる導波路アレイと該導波路アレイの入出力端に設けられたスラブ導波路とを有し、上記位相制御された信号光を合波して出力する第２のアレイ導波路回折格子１０６とを備え、上記第１のアレイ導波路回折格子の出力部と、上記第２のアレイ導波路回折格子の入力部に、上記スラブ導波路と上記位相制御導波路アレイとの間の伝搬損失を減らす断熱的モード変換回路１０３、１０５を配置したことを特徴とする導波路型分散補償回路。 （もっと読む）

【課題】半導体の光吸収により生じる直交成分による周波数チャーピングの影響を低減す
ることができる光位相変調器および光位相変調装置を提供する。
【解決手段】光変調器１００は、使用波長における初期位相差がπの第１及び第２のメイ
ンアーム光導波路１１ａ，１１ｂを有するメインマッハツェンダ干渉計１１と、第１のメ
インアーム光導波路１１ａに形成された使用波長における初期位相差が０の第１及び第２
のサブアーム光導波路２１ａ，２１ｂを有する第１のサブマッハツェンダ干渉計２１と、
第２のメインアーム光導波路に形成された使用波長における初期位相差が０の第３及び第
４のサブアーム光導波路２２ａ，２２ｂを有する第２のサブマッハツェンダ干渉計２２と
を有する。各メインアーム光導波路および第１乃至第４のサブアーム光導波路のうち、少
なくとも高周波電極が形成された部分は、半導体光導波路からなる。 （もっと読む）

【課題】偏波依存性をなくすること。
【解決手段】方向性結合器１４ａ，１４ｂ及び方向性結合器に光学的に接続された光干渉器１６を備えたマッハツェンダ干渉計１８を基板１２の第１主面１２ａ側に備えていて、方向性結合器及び光干渉器の両者は、共通のリッジ形光導波路２０を用いて形成されていて、リッジ形光導波路は、第１主面側に積層された第１及び第２クラッド２２，２４と、第１及び第２クラッド間に介在するコア２６とを備えていて、コアは、平行平板状に延在する平面導波路部２８と、コアを伝播する光の光伝播方向に直交する横断面が矩形状であり、平面導波路部から突出した凸条としてのリッジ部３０とが一体に形成されていて、コアが、所定の条件を満たすように形成されていることを特徴とする偏波無依存型光装置。 （もっと読む）

【課題】支持部材と基板との熱膨張差に起因した応力により生じる光導波路の動作点変動を抑制する。
【解決手段】導波部２２の伸延方向Ｄ１に交差する交差方向Ｄ２において、支持部材１３による応力の応力分布中心に近い方にある接地電極２５の架橋部２５ｃ−ｉｎと、応力分布中心から遠い方にある接地電極２５の架橋部２５ｃ−ｏｕｔとが、異なる形状で形成されている、光導波路デバイス１０とする。接地電極２５の構造を工夫することにより、支持部材１３から基板１１にかかる応力で生じる、複数の導波部２２間の応力特性の相異を打ち消すような応力を、接地電極２５から基板１１へかける。 （もっと読む）

【課題】光制御素子の製造工程を複雑化させず、不要な高次モード光を効率良く除去することが可能な光制御素子を提供する。
【解決手段】電気光学効果を有する基板１と、該基板に形成された光導波路（２〜５）と、該光導波路を伝搬する光波を制御するための制御電極とを有する光制御素子において、該光導波路は、基本モード光を導出する出力用導波路部４と該出力用導波路部に接続され高次モード光を導出する副導波路部５と有し、該副導波路部に接触して形成され、該副導波路部を伝搬する高次モード光を除去するための除去手段６が設けられている。 （もっと読む）

【課題】リブ型シリコン細線導波路を利用した可変光減衰器において、無駄な電力を必要とせずに低消費電力で高速動作ができるようにする。
【解決手段】電極１４１および電極１５１に挟まれた領域のコア１０３の上面に、この領域のコア１０３を酸化することで形成した酸化シリコン層１０７を備える。例えば、よく知られた熱酸化法、もしくはプラズマ酸化法により、酸化シリコン層１０７が形成できる。酸化シリコン層１０７は、層厚５ｎｍ程度であればよい。酸化シリコン層１０７を備えることで、電圧印加において、不要な電流の流れが防止でき、低消費電力化を図ることができるようになる。 （もっと読む）

【課題】それぞれの位相変調領域が電気的に分離され、かつ高い光透過率を有する半導体マッハツェンダー光変調器及びその製造方法並びに半導体光集積素子及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、基板１１上にコア層１３と上部クラッド層１５とが積層されている。その上には、光導波路１ａ及び１ｂ、ＭＭＩ分波器２ａ、ＭＭＩ合波器２ｂを備える。光導波路１ａ及び１ｂには位相変調領域が設けられている。ＭＭＩ分波器２ａから出射された光は、光導波路１ａ及び１ｂで位相変調され、ＭＭＩ合波器２ｂへ出射する。また、光導波路１ａ及び１ｂの両側にコア層１３を貫通して形成された２本のトレンチ５に挟まれたメサ部１９が形成されている。なお、光導波路１ａ及び１ｂは、位相変調領域とＭＭＩ分波器２ａ及び位相変調領域とＭＭＩ合波器２ｂとの間で長さＬｇａｐの分離溝Ｇａｐで分離されている。 （もっと読む）

【課題】カップリング損失および伝達損失が、従来の光デバイスと比較して低い光デバイスの提供。
【解決手段】残余の部分よりも高い屈折率ｎ２を有する光回路が形成されたパッシブコア層と、光回路の少なくとも一部を覆うと共に、電気光学的効果を示し、且つ、光回路の屈折率ｎ２よりも高い屈折率ｎ１を有するアクティブコア層と、パッシブコア層がその上に形成されているとともに、光回路の屈折率ｎ２よりも低い屈折率ｎ３を有する下部クラッド層と、アクティブコア層およびパッシブコア層を覆うとともに、アクティブコア層の屈折率ｎ１よりも低い屈折率ｎ５を有する上部クラッド層と、下部クラッド層の下に形成された下部電極と、上部クラッド層の上に形成された上部電極と、を備え、アクティブコア層の入口部と出口部とは夫々テーパ状とされている光デバイス。 （もっと読む）

【課題】光導波路と電極が形成された光導波路素子の製造工程において、電極の屈折率を簡便且つ正確に測定する。
【解決手段】電気光学効果を有するウエハ１に、複数の光導波路１０１と、光導波路１０１に沿ってホット電極及びアース電極が配置されてなる、該電極間に電気信号を進行させて該光導波路を伝搬する光を制御するための進行波型制御電極と、ホット電極と同一断面形状及び同一延伸方向を有し、長さがそれぞれ異なる少なくとも２つの検査用電極２０１，２０２と、を形成する。 （もっと読む）

【課題】２値の電気信号で光変調手段を駆動し、光変調手段の出力光信号のベクトル加算により多値の光信号を生成する光変調器において、ベクトル合成に伴う原理過剰損失を低減して光損失を小さくすること。
【解決手段】２並列のQPSK変調器を入力側及び出力側の非対称カプラで接続している。入力側非対称カプラは２本の出力ポートを備え、メイン入力ポートから光を順方向入力するとアーム１及び２に光強度分岐比2:1で分岐する。出力側非対称カプラは２本の入力ポートを備え、メイン出力ポートから光を逆方向入力するとアーム１及び２に光強度分岐比2:1（67%:33%）で分岐する。各アームを経由し出力側非対称カプラにおいてベクトル加算される各QPSK変調器の出力光信号の位相差θを０とする。本構成により、各QPSK変調器からの出力QPSK信号を電場振幅比2:1で合波し、ベクトル加算により16QAM信号を生成することができる。 （もっと読む）

【課題】９０度ハイブリッドにおける位相遅延の偏波依存性を抑制する。
【解決手段】信号光分岐部１Ａと、参照光分岐部１Ｂと、第１検波光生成部１Ａと、第２検波光生成部１Ｂと、光位相シフト部５と、をそなえ、かつ、信号光分岐部１Ａと第１検波光生成部１Ａとの間の光路に、信号光の直交する２つの偏波成分の位相を個別に制御して出力する第１偏波位相制御部６−１，６−２が挿入されるとともに、参照光分岐部１Ｂと前記第２検波光生成部１Ｂとの間の光路に、参照光の直交する２つの偏波成分の位相を個別に制御して出力する第２偏波位相制御部６−３，６−４が挿入される。 （もっと読む）