【課題】波長特性が広帯域で可変である波長可変光フィルタ、および広帯域でレーザ光の波長が可変である波長可変レーザを提供すること。
【解決手段】コア部を有するマルチモード干渉型導波路部と、前記マルチモード干渉型導波路部の長さ方向の一端に設けられた第１光入出力部と、前記マルチモード干渉型導波路部の他の一端に設けられた第２光入出力部とを有し、前記マルチモード干渉型導波路部は前記第１光入出力部から入力し第２光入出力部から出力する光に対して損失波長特性を有する光フィルタ部と、前記マルチモード干渉型導波路部のコア部の側部に設けられた、該コア部よりも屈折率または等価屈折率が低い側部クラッド部と、前記側部クラッド部の屈折率または等価屈折率を変化させる屈折率調整機構と、を備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、従来技術による光パルスシンセサイザが離散的な透過スペクトルを有する、ある周波数間隔のモードを独立に制御することは可能であるものの、連続したスペクトルを制御することはできないという問題点を解決する導波路型分散補償回路を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の導波路型分散補償回路は、第１のアレイ導波路回折格子と、第２のアレイ導波路回折格子と、上記２つのアレイ導波路回折格子を結合する位相制御導波路アレイとを備える導波路型分散補償回路において、上記位相制御導波路アレイの導波路本数が、第１及び第２のアレイ導波路回折格子のアレイの導波路本数の２倍以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】小型で低損失な光導波路を含むリッジ光導波路を提供する。
【解決手段】基板上に形成された光導波路にして、前記光導波路の少なくとも一部に所定の曲率半径で変形した曲がり部を有し、前記曲がり部の両側に前記基板の一部が掘り下げられて形成された所定深さの溝部を有するリッジ光導波路であって、前記曲がり部の曲率の外側の一部には、前記溝部が形成され、前記曲がり部の曲率の外側において前記溝部が実質的に形成されている領域と前記溝部が実質的に形成されていない領域とを成しており、前記曲がり部の曲率の外側において前記溝部が実質的に形成されていない領域における前記曲がり部の曲率半径が、前記曲がり部の曲率の外側において前記溝部が形成されている領域における前記曲がり部の曲率半径よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】 主信号が通る光導波路とオフ光導波路との結合効率低下を抑制しつつ、オフ光導波路の製造ばらつきが抑制されたマッハツェンダ型光変調器を提供する。
【解決手段】 マッハツェンダ型光変調器は、電気光学効果を有する基板を備え、基板は、入力導波路部と、入力導波路部から分岐して接続される２つの中間導波路部と、２つの中間導波路部が結合して接続される出力導波路部と、出力導波路部の少なくともいずれかの脇に出力導波路部と離間して設けられ、２つの中間導波路部が結合する結合部から放出されるオフ光をガイドする副光導波路部と、を備え、副光導波路部は、開始点において出力導波路部よりも広い幅を有する。 （もっと読む）

【課題】 負のグース−ヘンシェンシフトを利用して光速度を遅延させる光素子を提供する。
【解決手段】 入射された光をガイドして出射する光導波路と、光導波路の一側に形成されている第１反射層と、光導波路の他側に形成されている第２反射層と、を備え、第１反射層及び第２反射層のうち少なくとも一つは、負のグース−ヘンシェンシフト特性を表す物質からなる光素子。 （もっと読む）

【課題】マッハツェンダ部間のクロストークを抑制すること。
【解決手段】電気光学効果を有する基板１０と、前記基板に設けられたメイン導波路１４と、前記基板に設けられ前記メイン導波路に結合された複数の第１導波路と、少なくとも前記第１導波路間と前記第１導波路上とに設けられ前記第１導波路内にＤＣ電界を発生させる第１ＤＣ電極２４と、を備える第１マッハツェンダ部５０と、前記第１導波路それぞれに対応し、前記基板に設けられ前記第１導波路のそれぞれに複数結合された第２導波路１６と、前記第２導波路内にＤＣ電界を発生させる第２ＤＣ電極２６と、を備える複数の第２マッハツェンダ部５２と、を具備し、前記複数の第２マッハツェンダ部のうち少なくとも１つは、前記第２ＤＣ電極が前記第２導波路間に設けられておらず少なくとも前記第２導波路上に設けられている光デバイス。 （もっと読む）

【課題】選択的に可変である、共鳴波長の光線を反射することの出来るチューナブル共鳴格子フィルタを提供する。
【解決手段】フィルタは、回折格子３と、平面状導波路４と、フィルタをチューニングすることを許容し得るよう選択的に可変の屈折率を有する光透過性材料とを備え、該光透過性材料は、導波路に対するチューナブルクラッディング層５、好ましくは、液晶ＬＣ材料で形成する。回折格子３が平面状導波路４に対してチューナブル層５の反対側部に配置され、これによりフィルタのチューニング可能性に顕著に影響を与えずに、格子パラメータを所望のフィルタの帯域幅に特に合わせることができる。共鳴構造体１内にて、コア層４をチューナブル層と直接接触するか又はコアとチューナブル層との間に介在された相対的に薄い中間層と直接接触するチューナブル層５に近接する位置に配置することで、コア層４の有効屈折率を効率的に変化させることができる。 （もっと読む）

【課題】任意の隣接する２個の出力ポートに対して、２個の出力ポートへの光分岐を担う単位光合分岐回路から、出力ポートに至る２つの経路において、経路の途中で付加される位相が等しい光合分岐回路を提供すること。
【解決手段】第１段方向性結合器１１１の２つの出力は、それぞれ接続導波路１２１、１２２を介して、第２段方向性結合器１３１、１３２の片方の入力に接続されている。また、第１段方向性結合器１１２の２つの出力は、それぞれ接続導波路１２３、１２４を介して、第２段方向性結合器１３１、１３２の他方の入力に接続されている。
入力ポート１１に入力された光波は、第１段方向性結合器１１２によって、第２段方向性結合器１３１、１３２へ分岐される。分岐された光波の一方は、第２段方向性結合器１３１によって出力ポート２１、２２へ、また他方は第２段方向性結合器１３２によって出力ポート２３、２４へ分岐される。 （もっと読む）

【課題】ＬＮ導波路およびＰＬＣ導波路を有する光変調器において、熱応力による機械的信頼性の低下を抑制すること。
【解決手段】光変調器１００は、ＬＮ導波路１１１及びＰＬＣ導波路１１２で構成されたＰＬＣ−ＬＮチップ１１０と、ＰＬＣ−ＬＮチップ１１０を収納するパッケージ１４０と、パッケージ１４０のパイプ部１４０Ａを通るファイバ１３０と、ファイバ１３３０をＰＬＣ１１２に接続するファイバブロック１２０とを備える。ＬＮ導波路１１１がパッケージ１４０に固定されている。パイプ部１４０Ａ内にはフェルール１５０が挿入されており、その端面１５０Ａで、ファイバ１３０の一端が固定されている。ファイバ１３０の他端はファイバブロック１２０との接点で固定されている。この二点の間のファイバ１３０の長さΔＬ_max（以下「ファイバ自由長」と言う。）が式（２）の関係ΔＬ_max／Ｌ_fiber＜０．０１２５を満たす。 （もっと読む）

【課題】ＰＬＣ導波路およびＬＮ導波路を備える光変調器において、ＬＮ導波路の高周波電気配線のためのＲＦコネクタをパッケージの自由な位置に配置可能とするとともに、高周波電気配線のクロストークを抑制すること。
【解決手段】光変調器１００は、ＰＬＣ−ＬＮ導波路１１０と、ＰＬＣ−ＬＮ導波路１１０を囲むパッケージ１２０と、パッケージ１２０に設けられた高周波（ＲＦ）コネクタ１２１と、ＲＦコネクタ１２１とＰＬＣ−ＬＮ導波路１１０を構成するＬＮ導波路１１１の高周波電極１１１Ａとの間の高周波電気配線１３０とを備える。光変調器１００では、高周波電気配線１３０としてフレキシブル配線基板（ＦＰＣ）を用いる。ＦＰＣは、例えばポリイミドや液晶ポリマー（ＬＣＰ）等の基板上に銅配線が形成されたものだが、これらの材料は比誘電率がセラミックよりも小さい。 （もっと読む）

【課題】 小型で、正確にプッシュプル駆動し、低損失な半導体マッハツェンダ型光変調器を提供する。
【解決手段】
分波器１１ａと、合波器１１ｂと、半導体光導波路１３および１４と、信号電極１５と、正バイアス電極１７と、負バイアス電極１８とを有し、
分波器１１ａと合波器１１ｂとは、２本の半導体光導波路１３および１４により連結され、
信号電極１５は、２本の半導体光導波路１３および１４の上部に接続され、かつ、２本の半導体光導波路１３および１４の上部に共通の高周波信号を入力可能であり、
正バイアス電極１７は、半導体光導波路１３の下部に接続され、負バイアス電極１８は、他方の半導体光導波路１４の下部に接続されていることを特徴とする半導体マッハツェンダ型光変調器。 （もっと読む）

【課題】例えば作製プロセスなどにおいて位相シフタ領域の導波路の幅や角度などが所望の値からずれてしまった場合であっても、特性が劣化してしまうのを抑制し、大きな作製トレランスが得られるようにする。
【解決手段】光デバイス１を、光信号を分岐する第１カプラ２と、光信号を干渉させる第２カプラ３と、第１カプラ２と第２カプラ３とを接続する第１導波路４と、第１カプラ２と第２カプラ３とを接続する第２導波路５とを備え、第１導波路４が、端部よりも幅が狭い部分を有する第１位相シフタ領域６を備え、第２導波路５が、端部よりも幅が広い部分を有する第２位相シフタ領域７を備えるものとする。 （もっと読む）

【課題】小型で低損失な光導波路を含むマッハツェンダ光導波路、および当該マッハツェンダ光導波路を具備し、光導波路に入射した光を高周波電気信号で変調して光信号パルスとして出射する光変調器を提供する。
【解決手段】基板上に、入力光導波路と、出力光導波路と、前記入力光導波路と前記出力光導波路とにそれぞれ接続され、前記入力光導波路からの光が入力される、または前記出力光導波路へ光を出力する分岐光導波路と、前記分岐光導波路に接続され、曲率半径を有して曲線上に形成されたアームと、前記アームに沿って前記基板の一部が掘り下げられた溝部とが形成されたリッジ型のマッハツェンダ光導波路であって、前記アームは、前記アームの根元部近傍において実質的に前記溝部が形成されておらず、当該実質的に溝部が形成されていない領域における前記アームの曲率半径が、前記溝部が形成されている領域における前記アームの曲率半径よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】電磁波の偏向素子を実現すること。
【解決手段】絶縁層と金属層とを厚さ方向のｚ軸方向に周期的に積層した光偏向素子において、絶縁層の面上において、ｚ軸に垂直な方向にｘ軸、ｚ軸とｘ軸に垂直な方向にｙ軸をとるとき、ｚ軸方向に伝搬する電磁波に対して、第１周波数に関してｘ軸方向に沿って屈折率が、電磁波の存在する範囲において、一定の変化率で、増加、又は、減少するように、屈折率の分散特性をｘ軸方向に沿って変化させた特性としたメタマテリアル素子とした。電磁波の存在範囲において、第１周波数に関してｘ軸方向に沿って屈折率が、一定の変化率で増加し、第１周波数と異なる第２周波数に関してｘ軸方向に沿って屈折率が、一定の変化率で減少するように、屈折率の分散特性をｘ軸方向に沿って変化させた特性とする。これにより、ｚ軸に対して両側に偏向させることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、レーザ光源から射出された光束を２次高調波に変換し射出するレーザ光源ユニットに関し、ＳＨＧ素子の変換効率を高めてレーザ光源ユニットの高出力化を目的とする。
【解決手段】この目的を達成するために本発明は、レーザ光源１と集光光学素子４とＳＨＧ素子２とビーム成形素子を備えたレーザ光源ユニットにおいて、ＳＨＧ素子２はオフカット角を有する単結晶からなる強誘電体基板６に分極反転領域を設けた光導波路３を有し、レーザ光源１から射出される光束の偏波面１２の傾きと強誘電体基板６におけるＣ軸９の傾きを一致させるとともに、集光光学素子４としてアナモフィックレンズ４ｂを用いレーザ光源１から射出された光束のアスペクト比を調節し光導波路３内に集光させる構造とした。 （もっと読む）

【課題】 光機能導波路に関し、高度な加工技術を要することなく、無害なニオブ酸リチウム基板を用いた光機能導波路を小型化且つ高機能化する。
【解決手段】 ニオブ酸リチウム基板と、前記ニオブ酸リチウム基板の表面上に前記ニオブ酸リチウム基板とは異なった材料で形成されたストライプ状の異種材料光導波路と、前記ニオブ酸リチウム基板の前記異種材料光導波路に対向する表面側に前記異種材料光導波路中を伝搬する光が漏れ出して形成された基板内光導波部分、或いは、前記異種材料光導波路に対向する表面側に形成したＴｉ若しくはプロトンを導入した基板内光導波路のいずれか一方と、前記異種材料光導波路と、前記基板内光導波部分或いは前記基板内光導波路のいずれか一方とに変調電圧を印加する第１の電極と第２の電極とで光機能導波路を構成する。 （もっと読む）

【課題】電圧を印加することにより屈折率が可変な半導体コア領域と屈折率が可変ではないコア領域との接続部において、屈折率が可変な半導体コア領域から屈折率が可変ではないコア領域を経由した不要なリーク電流を低減することが可能な光学素子を提供する。
【解決手段】光学素子ＷＧ１のコア１は、第１導電型の第１半導体コア領域３２と、第１半導体コア領域３２とギャップ部４０を挟んで対向配置された第２導電型の第２半導体コア領域３３と、第１半導体コア領域３２と光の導波方向において隣接する第２導電型又は無極性の第３半導体コア領域２２と、第２半導体コア領域３３と光の導波方向において隣接し、第３半導体コア領域２２とギャップ部４０を挟んで対向配置された第１導電型又は無極性の第４半導体コア領域２３と、を部分領域として含み、第１半導体コア領域３２と第２半導体コア領域３３とに電極が接続されている。 （もっと読む）

【課題】
信号光と放射光とを確実に分離することが可能な光変調器を提供すること。
【解決手段】
電気光学効果を有する基板１と、該基板上に形成された光導波路（２〜４）と、該光導波路を伝播する光波を変調するための変調電極とを有する光変調器において、該光導波路は、複数の光導波路２を伝播する光波を合波するための合波部３と、該合波部から基板端部まで導出される出力用導波路４とを少なくとも有し、該合波部から放出される２つの放射光５はスラブ導波路又は三次元導波路により該基板端部１０まで導出され、該出力用導波路４は、該合波部から放出される放射光が該基板端部１０に至るまでの光路を横切り、該基板端部における前記２つの放射光の外側に該出力用導波路の端部が配置され、該出力用導波路と該放射光との交差角度の小さい方の角度が３度以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】戻り光が少なく、小型の光導波路デバイスを提供する。
【解決手段】第１の出力導波路が出力端面に対して斜めに形成され、第２の出力導波路が前記第１の出力導波路と前記出力端面の双方に対して斜めに形成された光導波路素子と、前記第１及び第２の出力導波路からそれぞれ出射された光を互いに平行な光にするレンズと、を備える。 （もっと読む）

【課題】小型化可能であって、変調効率を高めた光変調装置を得る。
【解決手段】基板上に間隔を隔てて形成された第１の光導波路及び第２の光導波路と、前記第１の光導波路または前記第２の光導波路における屈折率を変化させるため、前記第１の光導波路または前記第２の光導波路に沿って設けられた電極と、前記電極に接続されており、前記第１の光導波路または前記第２の光導波路に電圧を印加するための電源と、を有し、前記第１の光導波路または前記第２の光導波路のうち、どちらか一方または双方の光導波路は、波長λの光を反射する構造の回折格子領域と、０からλ／２の範囲で位相シフトさせる位相シフト領域により形成されていることを特徴とする光変調装置により上記課題を解決する。 （もっと読む）