【課題】光ファイバと導波路の相対位置を容易に決めることができるようにする。
【解決手段】光ファイバ１００の一部には、導波路取付部１０２が形成されている。導波路取付部１０２は、光ファイバ１００の一部を、光ファイバ１００のコア１２０を通る断面で光ファイバ１００の延伸方向に切り欠くことにより、形成されている。導波路取付部１０２には、第１凹部１２２が形成されている。第１凹部１２２は、光ファイバ１００のコア１２０を除去することにより、形成されている。そして、リッジ構造の導波路２２０が、第１凹部１２２に填め込まれている。 （もっと読む）

【課題】ハイメサ光導波路においてハイメサの機械的強度が弱くなりプロセス中に折れやすくなる。
【解決手段】光デバイスであって、基板と、前記基板側から順に配置された第１の下側クラッド層部と、コア層部と、第１の上側クラッド層部と、を含むメサ、を備える第１の光導波路と、前記基板上に積層されるとともに、前記第１の光導波路を形成する際のエッチングを停止させる第１のエッチストップ層と、を有し、前記第１の光導波路は、前記第１のエッチストップ層上に積層されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】位相調整用の液状樹脂を滴下する特定区間の光導波路の近傍に位相調整用の樹脂が漏洩し難い構造を導入し、光導波路の位相調整を確実に実施する手段を備えた光導波路素子を提供すること。
【解決手段】伝搬する光のフィールドが光導波路の外に染み出すように光導波路コア及びクラッドの幅が設定されているメサ型またはリッジ型の光導波路を備えた光導波路素子において、前記光導波路コアに沿って形成した窪みのうち、屈折率を変化のための樹脂を充填する特定区間の窪みの周囲を囲むように光導波路の高さよりも高く表面が水平で平滑な漏洩防止構造体を形成することを特徴とする光導波路素子である。好ましくは、前記漏洩防止構造体の表面に、該漏洩防止構造体の縁部に沿った周囲を一周囲った溝を設ける。 （もっと読む）

【課題】マイクロディスペンサ法を用いて微小領域に滴下する際に、光導波路の上面や側面に滴下し易くかつ安全に液状の充填材料を滴下する構造を備えた光導波路素子を提供すること。
【解決手段】伝搬する光のフィールドが光導波路５の外に染み出すように光導波路コア及びクラッドの幅が設定されているメサ型１またはリッジ型６の光導波路を備えた光導波路素子において、前記光導波路の近傍に、光導波路の高さよりも高い突起構造３ａ、３ｂ、３ｃを設けた光導波路素子。または、前記突起構造の代わりに、前記光導波路の近傍から当該光導波路の上方に突出して形成した梁状の構造を設けてもよい。さらに、前記突起構造の代わりに、前記光導波路の片側に、当該光導波路の長手方向に沿って、該光導波路の高さよりも高い壁構造を設けてもよい。 （もっと読む）

【課題】 光干渉素子のクロスポイントチューニングを行うことなく、光デバイスの位置決めを行うことができる、光デバイスの位置決め方法を提供する。
【解決手段】 光デバイスの位置決め方法は、入力カプラと、前記入力カプラに接続された複数の半導体アームと、前記半導体アームの出力を干渉させる出力カプラと、を備える光干渉素子において、前記複数の半導体アームのうち、１つを除く他のすべての半導体アームに光吸収特性を生じさせる制御を行う第１ステップと、前記第１ステップの後に、前記出力カプラから出力される前記入力光を測定しつつ、前記光干渉素子と光結合する光デバイスの位置決めを行う第２ステップと、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 オフセットを設けることなく光損失を低減することを可能とする光導波路構造の形成方法を提供する。
【解決手段】 半導体積層６０Ａを基板２の上に設け、マスク７１を半導体積層６０Ａの上に形成し、マスク７１を用いて半導体積層６０Ａをエッチングして導波路メサ５、第１のテラス３、第２のテラス４、第１のトレンチ６、第２のトレンチ７を形成し、導波路メサ５を埋め込むように樹脂体９を設け、導波路メサ５の上面５ａ及び樹脂体９の上に金属体１０を設け、金属体１０を加熱した後に冷却する。金属体１０は、第１の領域２１の上に設けられた第１の部分１１と、第２の領域２２の上に設けられた第２の部分１２と、第１の部分と第２の部分とに接続され導波路メサ５の上面５ａに接合する第３の部分１３とを含む。第１の部分１１は、第２の部分１２よりも長い。 （もっと読む）

【課題】共通の基板に形成され、複数のメサ型導波路を含む光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】光素子の製造方法は、第１半導体積層部および第２半導体積層部を形成する段階と、第１形成マスク及び第１保護マスクを形成する段階と、第１形成マスクおよび第１保護マスクが形成されていない半導体層をエッチングし、第３半導体積層部を結晶成長させ、埋込メサ型導波路を形成する段階と、第４半導体積層部を結晶成長させる段階と、第２保護マスク及び第１保護マスクより幅の小さい第２形成マスクを形成する段階と、第２保護マスクおよび第２形成マスクが形成されていない半導体層をエッチングして、ハイメサ型導波路を形成する段階とを備える。 （もっと読む）

【課題】挿入損失の波長依存性、位相誤差を低減して、使用可能な波長範囲を拡大できる光集積回路を提供することにある。
【解決手段】入力導波路１１ａ，１１ｂ、出力導波路１２ａ，１２ｂ、マルチモード干渉型光導波路部１３からなる、任意の数の入出力導波路を有する光集積回路であって、所望の光の波長範囲に対して、入力導波路１１ａ，１１ｂ、出力導波路１２ａ，１２ｂの少なくともどちらか一つの部分の導波路幅が光の伝搬方向に沿って変化し、前記入力導波路、前記出力導波路中の任意の点において、前記入力導波路の入力端からの入力フィールドの順伝搬のフィールドの波面と、前記出力導波路の出力端からの出力フィールドの逆伝搬させたフィールドの波面とが一致するように変動している。 （もっと読む）

【課題】内部での光の散乱及び反射を抑制することができる光半導体集積素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１導電型の第１の半導体層３２が埋め込まれた高抵抗半導体基板３１と、第１の半導体層３２上に形成された光活性層３３及び第２導電型の第２の半導体層３４と、高抵抗半導体基板３１上に形成された導波路コア層３６を含む導波路部と、が設けられている。そして、光活性層３３と導波路コア層３６とが光の伝播方向に沿って互いに接触している。 （もっと読む）

【課題】精度の高い複屈折率調整が可能な半導体基板上の位相シフタを提供すること。
【解決手段】ＰＢＳ１００は、第１の光カプラ１１０と、複屈折率付与部１２０と、た複屈折率調整部１３０と、第２の光カプラ１４０とを、閃亜鉛鉱型構造を有する１０１半導体基板上に備える。複屈折率付与部１２０及び複屈折率調整部１３０が位相シフタとして機能する。第１のアーム導波路１０２の第５の導波路部１０２Ｃの上に、第１の電極１０２Ｄが配置され、第２のアーム導波路１０３の第４の導波路部１０３Ｂが有する第２の傾斜部分の上に第２の電極１０３Ｄが配置されている。第１の電極１０２Ｄが配置された第１の方向と、第２の電極１０３Ｄが配置された第２の方向は、複屈折率調整部１３０において、両電極に単位電圧を印加したときに、ＴＭ偏光に対する上下アーム導波路間の位相差が抑制され、ＴＥ偏光に対する上下アーム導波路間の位相差が増大される方向である。 （もっと読む）

【課題】精度の高い複屈折率調整が可能な半導体基板上の位相シフタを提供すること。
【解決手段】ＰＢＳ１００は、第１の光カプラ１１０と、第１の複屈折率調整部１２０と、第２の複屈折率調整部１３０と、第２の光カプラ１４０とを閃亜鉛鉱型構造を有する半導体基板１０１上に備える。第１の複屈折率調整部１２０及び第２の複屈折率調整部１３０が位相シフタとして機能する。第１の複屈折率調整部１２０は、第１の幅の第１の導波路部１０２Ａと、第２の幅の第２の導波路部１０３Ａと、第１の電極１０２Ｂと、第２の電極１０３Ｂとで構成され、ここで、第１の幅は第２の幅よりも大きい。第２の複屈折率調整部１３０は、第１の導波路部１０２Ａから傾斜して配置された第３の導波路部１０２Ｃと、第２の導波路部１０３Ｂから傾斜して第３の導波路部１０２Ｃと平行に配置された第４の導波路部１０３Ｃと、第３の電極１０２Ｄと、第４の電極１０３Ｄとで構成される。 （もっと読む）

【課題】安定した特性を得ることが可能であるとともに設計の自由度を高めることが可能な光ハイブリッド回路および光受信器ならびに、その光ハイブリッド回路に好適に用いられうる光カプラを提供する。
【解決手段】光ハイブリッド回路１００は、平行四辺形形状の２：２光カプラ１と、平行四辺形形状の４：４多モード干渉カプラ２と、長方形形状の出力側２：２光カプラ３とを備える。これらを従属接続することにより、出力チャンネルを構成する２つの出力導波路１９，２０が隣接した構造を有する光９０°ハイブリッド回路を実現できる。平行四辺形の傾斜角度に応じて２つの出力光の間の相対的位相差を変更できる。したがって複数段の光カプラからなる複合カプラの特性を所望の特性に容易に設計できる。 （もっと読む）

【課題】光通信システムに用いられる光導波路素子に関し、製造誤差による導波路幅のずれやモード揺らぎによる特性劣化の小さい光導波路素子を提供する。
【解決手段】入力光を分岐して第１の信号光及び第２の信号光を出力する第１の光カプラと、互いに光路長が異なる第１及び第２の光導波路を有し、第１の信号光と第２の信号光との間に位相差を与える光位相シフタと、第１の光導波路から出力される第１の信号光と第２の光導波路から出力される第２の信号光とを結合する第２の光カプラとを有する。第１の光導波路及び第２の光導波路は、実質的に等しい曲率半径で屈曲する曲げ光導波路を有している。 （もっと読む）

【課題】 入射光の強度が大きくなっても、光強度のピーク値の上昇を抑制する技術が望まれている。
【解決手段】 テーパ導波路が、入力導波路とフォトダイオードとを接続する。入力導波路に接続された入力端から、フォトダイオードに接続された出力端に向かって、テーパ導波路の幅が広がる。テーパ導波路の広がり半角は、入力導波路から信号光が入力されると、高次モードを励振する大きさである。フォトダイオードの幅は一定であるか、またはテーパ導波路の出力端から遠ざかる向きに広がっており、その広がり半角は、テーパ導波路の広がり半角以下である。 （もっと読む）

【課題】 半導体光集積回路装置及びその製造方法に関し、吸収効率の向上と素子抵抗の低減を両立する。
【解決手段】 半導体基板上に形成された少なくともメサ状部を有する導波路コア層からなる導波路部と、前記導波路コア層の延長部上に順次積層された第１導電型スペーサ層、吸収層及び前記第１導電型と反対の第２導電型上部クラッド層を少なくとも有するフォトダイオード部とを少なくとも設け、前記第１導電型スペーサ層の少なくとも一部がメサ状であり、前記メサ状の第１導電型スペーサ層の側面に接するように、前記第１導電型スペーサ層の屈折率より小さな屈折率の第１導電型半導体層を設ける。 （もっと読む）

【課題】 非透過波長帯域の迷光が多モード光干渉導波路の出力ポートから射出されることを抑制して、透過波長帯域の信号光に対する非透過波長帯域の迷光によるクロストークを改善することができる光フィルタを提供するものである。
【解決手段】 光フィルタ１００は、コア層１２を有する多モード光干渉導波路５と、多モード光干渉導波路５の導波方向に対して垂直なコア層１２における信号光が結像する結像点８ａを含む仮想面８のうち当該結像点８ａを除く非結像領域８ｂに、コア層１２の屈折率と異なる屈折率の媒質を介在させてなる迷光除去部７と、を備える。 （もっと読む）

【課題】光の挿入損失について改善された光デバイスを提供する。
【解決手段】基板と、基板に形成された光を導波するための光導波路と、光導波路の両側に基板の一部が掘り下げられて形成された所定深さの凹部が形成されてリッジ部を成す光デバイスにおいて、凹部の所定深さが、当該凹部の端に向かって徐々に浅くなって形成され、光が当該凹部の端の方向に導波するにしたがって導波する光のスポットサイズが徐々に大きくなる。これにより、リッジ部と当該リッジ部と連続して形成されるプレーナ部との境界部における光の結合損失を低減する。 （もっと読む）

【課題】メサ部上の樹脂領域の開口が狭い場合であっても、ＡｕＺｎ膜を含む金属膜をメサ部上に容易に形成することが可能な半導体光変調素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】メサ部３２を保護膜２２によって覆う第１の絶縁膜形成工程と、メサ部３２を樹脂領域２０によって埋め込むとともに、メサ部３２上の該樹脂領域２０の部分に開口２０ｃを形成する工程と、開口２０ｃにおいて露出した保護膜２２、及び樹脂領域２０を保護膜２４によって覆う第２の絶縁膜形成工程と、メサ部３２上の保護膜２２，２４の部分に開口を形成する工程と、Ｔｉ膜を含む金属膜２６ａを、該Ｔｉ膜と保護膜２４とが互いに接触するように開口２０ｃ内を除く樹脂領域２０上に形成する工程と、Ａｕ膜を含む金属膜２６ｂを、該Ａｕ膜とメサ部３２とが互いに接触するようにメサ部３２上から金属膜２６ａ上に亘って形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】小型で低光損失な光導波路の折り返し回路を提供し、素子の小型化・低損失化を実現すると共に、機械的信頼性を高めた光変調器を提供する。
【解決手段】ニオブ酸リチウム材料からなるＬＮ変調器と、ガラス材料からなり、前記ＬＮ変調器への光信号の入出力のために前記ＬＮ変調器と突き合わせ接続された第１及び第２のＰＬＣとを含む光変調器であって、前記第１のＰＬＣの光導波回路は、一方の端面にファイバブロックを介して接続された少なくとも２本のファイバと、他方の端面に突き合わせ接続された前記ＬＮ変調器の光導波路とを接続し、前記第２のＰＬＣの光導波回路は、一方の端面に突き合わせ接続された前記ＬＮ変調器の光導波路どうしを接続する折り返し光導波路であり、該折り返し光導波路は、前記第２のＰＬＣ上に実装された半導体光導波回路に形成されている。 （もっと読む）

【課題】任意の偏波方向の光入力信号に対するサンプリングを可能とするとともに、光ファイバや光導波路素子との結合効率が良好な光ゲート素子を提供する。
【解決手段】半導体基板上に、下部クラッド層、活性層１３、および、上部クラッド層が順次積層された導波路構造を備え、該導波路構造は、ハイメサ導波路構造Ｉと、光入射端面１０ａおよび光出射端面１０ｂのうちの少なくとも一方の端面とハイメサ導波路構造Ｉとの間に形成され、ハイメサ導波路構造Ｉと光の導波方向に連続する埋込み導波路構造ＩＩ_a、ＩＩ_bと、を含み、埋込み導波路構造ＩＩ_a、ＩＩ_bは、活性層１３の光の導波方向に直交する幅が、前記少なくとも一方の端面に向かって狭くなる幅減少領域を有することを特徴とする。 （もっと読む）