【課題】従来は３つ必要であったＡＷＧを２つないし１つに統合し、かつ交差導波路を一切含まない１×２波長選択スイッチを提供する。
【解決手段】Ｎ波長分割多重信号を入力信号とする１入力２出力の波長選択スイッチであって、入力された信号を波長分割してＮ個の出力導波路へと出力する第１のアレイ導波路回折格子と、Ｎ個の出力光が並列に入力される１入力２出力の光スイッチをＮ個有する光スイッチアレイと、２つの光スイッチからの出力光が並列に入力される２入力１出力の波長カプラをＮ−１個有する波長カプラアレイと、入力光を２つの出力ポートの少なくとも１方から出力する第２のアレイ導波路回折格子とを備え、第２のアレイ導波路回折格子の第１番目の入力ポートに第１番目の光スイッチの出力が入力され、第ｋ＋１番目の入力ポートに第ｋ番目の波長カプラの出力が入力され、第Ｎ＋１番目の入力ポートに第Ｎ番目の光スイッチの出力が入力される。 （もっと読む）

【課題】ＡＷＧを２つないし１つに統合し交差導波路の数が少なく、交差導波路の数がスイッチ状態にほとんど依存しないグリッドレス型１×２波長選択スイッチを提供する。
【解決手段】１つの入力導波路から入力されたＮ波長分割多重信号を波長分割して、Ｎ個の出力導波路へと出力する第１のアレイ導波路回折格子１０１と、Ｎ個の出力導波路からの出力光が並列に入力される１入力２出力の光スイッチをＮ個有する光スイッチアレイと、隣接する波長の光を出力する２つの光スイッチからの出力光が並列に入力される２入力１出力の波長カプラをＮ−Ｐ（Ｐは１以上の整数）個有する波長カプラアレイと、Ｎ＋Ｐ個の入力ポートを有し、入力された光を２つの出力ポートの少なくとも１方から出力する第２のアレイ導波路回折格子１０３とを備える。 （もっと読む）

【課題】ハイメサ光導波路においてハイメサの機械的強度が弱くなりプロセス中に折れやすくなる。
【解決手段】光デバイスであって、基板と、前記基板側から順に配置された第１の下側クラッド層部と、コア層部と、第１の上側クラッド層部と、を含むメサ、を備える第１の光導波路と、前記基板上に積層されるとともに、前記第１の光導波路を形成する際のエッチングを停止させる第１のエッチストップ層と、を有し、前記第１の光導波路は、前記第１のエッチストップ層上に積層されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】マイクロディスペンサ法を用いて微小領域に滴下する際に、光導波路の上面や側面に滴下し易くかつ安全に液状の充填材料を滴下する構造を備えた光導波路素子を提供すること。
【解決手段】伝搬する光のフィールドが光導波路５の外に染み出すように光導波路コア及びクラッドの幅が設定されているメサ型１またはリッジ型６の光導波路を備えた光導波路素子において、前記光導波路の近傍に、光導波路の高さよりも高い突起構造３ａ、３ｂ、３ｃを設けた光導波路素子。または、前記突起構造の代わりに、前記光導波路の近傍から当該光導波路の上方に突出して形成した梁状の構造を設けてもよい。さらに、前記突起構造の代わりに、前記光導波路の片側に、当該光導波路の長手方向に沿って、該光導波路の高さよりも高い壁構造を設けてもよい。 （もっと読む）

【課題】 光干渉素子のクロスポイントチューニングを行うことなく、光デバイスの位置決めを行うことができる、光デバイスの位置決め方法を提供する。
【解決手段】 光デバイスの位置決め方法は、入力カプラと、前記入力カプラに接続された複数の半導体アームと、前記半導体アームの出力を干渉させる出力カプラと、を備える光干渉素子において、前記複数の半導体アームのうち、１つを除く他のすべての半導体アームに光吸収特性を生じさせる制御を行う第１ステップと、前記第１ステップの後に、前記出力カプラから出力される前記入力光を測定しつつ、前記光干渉素子と光結合する光デバイスの位置決めを行う第２ステップと、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】平面光波回路素子を高精度で製造できる方法を提供する。
【解決手段】第１コア部を有する第１導波路回路部と、前記第１導波路回路部の第１コア部よりも最大厚さが厚い第２コア部を有する第２導波路回路部とを備えた平面光波回路素子の製造方法であって、下部クラッド層上に、前記第１コア部の厚さに対応する厚さを有する第１コア層と前記第２コア部の最大厚さに対応する厚さを有する第２コア層とを形成するコア層形成工程と、前記第１コア層を少なくとも該第１コア層の厚さだけ前記第１コア部のパターンにエッチングするとともに、前記第２コア層を少なくとも前記第１コア層の厚さだけ前記第２コア部のパターンにエッチングする第１エッチング工程と、前記第２コア層の残りの厚さの部分を選択的に前記第２コア部のパターンにエッチングする第２エッチング工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】光半導体装置とその製造方法において、光半導体装置の信頼性を高めること。
【解決手段】半導体基板１を途中の深さまでエッチングすることにより、断面形状が凸状のコア４ａを半導体基板１に形成する工程と、コア４ａの一方の側面４ｘと他方の側面４ｙの各々に酸化防止膜２２を形成する工程と、酸化防止膜２２が形成された状態で、コア４ａの両脇の半導体基板１の表面を熱酸化する工程と、コア４ａの一方の側面４ｘの横の半導体基板１に第１の不純物領域を形成する工程と、コア４ａの他方の側面４ｙの横の半導体基板１に第２の不純物領域を形成する工程とを有する光半導体装置の製造方法による。 （もっと読む）

【課題】制御装置などを必要とせずに、素子自体が動作点シフト抑制機能を有するネスト型光導波路構造の光導波路素子を提供する。
【解決方法】電気光学効果を有する基板上に形成された光導波路は、光波の進行方向において分岐して少なくとも２本のメイン光導波路を構成し、各メイン光導波路は光波の進行方向においてさらに分岐して少なくとも２本のサブ光導波路を構成し、 少なくとも２本のメイン光導波路は、メインマッハツェンダー型光導波路を構成するとともに、少なくとも２本のサブ光導波路は、メインマッハツェンダー型光導波路内に組み込まれるようにしてそれぞれが近接してサブマッハツェンダー型光導波路を構成し、サブ光導波路から構成される少なくとも２つのサブマッハツェンダー型光導波路は、光波の前記進行方向を基準とした場合において、光のクロストークを抑止するように相異なる位置に形成されているようにして光導波路素子を構成する。 （もっと読む）

【課題】ＤＣドリフトが抑制された光導波路素子の製造方法を提供する。さらには、製造プロセスの途中で、ＤＣドリフトを調整することを可能とし、製造の歩留まりを改善する、光導波路素子の製造方法を提供する。
【解決手段】電気光学効果を有する基板に、光導波路を形成する工程と、バッファ層を形成する工程と、電極を形成する工程とを有する、光導波路素子の製造方法において、該バッファ層を形成した後に、該バッファ層内の特定物質の濃度分布を加熱によって調整するための１段階又は複数段階の界面拡散層熱調整工程（Ｓ１，Ｓ２）を組み込む。 （もっと読む）

【課題】 光半導体素子及びその製造方法に関し、イオン注入工程を削減して、簡易な製造工程で光半導体素子を製造する。
【解決手段】 各スラブ導波路部とそれに接する隆起領域とに注入イオン分布のピークが、前記スラブ導波路部の厚さよりも深い位置となり且つ前記隆起領域の厚さよりも浅い位置になる条件で各導電型の不純物をイオン注入する。 （もっと読む）

【課題】より低消費電力化を実現した熱光学位相シフタ、およびこれを用いた可変光減衰器、１×Ｍ光スイッチ、可変波長フィルタを提供すること。
【解決手段】請求項１に記載された発明は、光信号を導波するための光導波路１３と、該光導波路１３の一部を加熱することで前記光信号に位相変化を与えるヒータ１５とを備え、前記ヒータ１５の長手方向と前記光導波路１３の加熱される部分１３１、１３２の長手方向とが同じ向きになるように重なって設けられており、前記光導波路の加熱される部分が、複数本の互いに平行な光導波路を光学的に結合して往復する１本の導波路となるようにした折り返し構造に形成されることで、前記加熱される部分の光導波路が前記ヒータと重なる位置に高密度に設けられていることを特徴とする熱光学位相シフタである。可変光減衰器、１×Ｍ光スイッチ、可変波長フィルタはこの熱光学位相シフタを用いて構成できる。 （もっと読む）

【課題】可変光バッファ回路の回路全体のサイズを小さくし、簡単な製造工程と製造設備を使用でき、経路間の損失のばらつきも解消する。
【解決手段】可変光バッファ回路は、半導体基板上に形成した光スイッチ回路と合波回路とを接続して構成され、光導波路で形成された遅延線を含め一体形成される。合波回路は光導波路で形成された遅延線と光結合器で構成される。同一遅延線を用いる場合、光結合器と、その一方の入力端に接続された遅延線とからなる組が、遅延線および光結合器が交互に縦続してＮ個の経路を構成するよう接続される。光結合器の各々の結合率は、各経路の各々に対し、光結合器の結合率に基づいた損失を除いた損失を最小としたときの最小損失値の測定値に基づき設定される。 （もっと読む）

【課題】精度の高い複屈折率調整が可能な半導体基板上の位相シフタを提供すること。
【解決手段】ＰＢＳ１００は、第１の光カプラ１１０と、第１の複屈折率調整部１２０と、第２の複屈折率調整部１３０と、第２の光カプラ１４０とを閃亜鉛鉱型構造を有する半導体基板１０１上に備える。第１の複屈折率調整部１２０及び第２の複屈折率調整部１３０が位相シフタとして機能する。第１の複屈折率調整部１２０は、第１の幅の第１の導波路部１０２Ａと、第２の幅の第２の導波路部１０３Ａと、第１の電極１０２Ｂと、第２の電極１０３Ｂとで構成され、ここで、第１の幅は第２の幅よりも大きい。第２の複屈折率調整部１３０は、第１の導波路部１０２Ａから傾斜して配置された第３の導波路部１０２Ｃと、第２の導波路部１０３Ｂから傾斜して第３の導波路部１０２Ｃと平行に配置された第４の導波路部１０３Ｃと、第３の電極１０２Ｄと、第４の電極１０３Ｄとで構成される。 （もっと読む）

【課題】精度の高い複屈折率調整が可能な半導体基板上の位相シフタを提供すること。
【解決手段】ＰＢＳ１００は、第１の光カプラ１１０と、複屈折率付与部１２０と、た複屈折率調整部１３０と、第２の光カプラ１４０とを、閃亜鉛鉱型構造を有する１０１半導体基板上に備える。複屈折率付与部１２０及び複屈折率調整部１３０が位相シフタとして機能する。第１のアーム導波路１０２の第５の導波路部１０２Ｃの上に、第１の電極１０２Ｄが配置され、第２のアーム導波路１０３の第４の導波路部１０３Ｂが有する第２の傾斜部分の上に第２の電極１０３Ｄが配置されている。第１の電極１０２Ｄが配置された第１の方向と、第２の電極１０３Ｄが配置された第２の方向は、複屈折率調整部１３０において、両電極に単位電圧を印加したときに、ＴＭ偏光に対する上下アーム導波路間の位相差が抑制され、ＴＥ偏光に対する上下アーム導波路間の位相差が増大される方向である。 （もっと読む）

【課題】リッジ形状やメサ形状といった凸状部分上の樹脂若しくはレジストのエッチングの停止タイミングを容易に且つ精度良く判断することが可能な光半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】この光半導体デバイスの製造方法は、一対の溝に挟まれた光導波路において光の導波を行う光変調器を製造する方法であって、ウエハ１６上に設定された評価用領域（ＴＥＧ領域）に、複数対の評価用溝３１ａ，３１ｂを形成する工程と、ウエハ１６上に樹脂層１３を塗布する工程と、樹脂層１３に対してエッチングを行い、光導波路の頂部を露出させる露出工程と、光導波路上に電極を形成する工程とを備え、評価用領域における複数対の評価用溝３１ａ，３１ｂの幅が各対毎に異なっており、露出工程の際に、エッチングによって評価用領域における少なくとも一対の評価用溝３１ａ，３１ｂに挟まれた領域３３の頂部を露出させる。 （もっと読む）

【課題】熱膨張係数の差に起因して光導波路基板の内部に発生する応力を低減することのできる光導波路デバイスを提供する。
【解決手段】厚さ３０μｍ以下の光導波路基板１１と、光導波路基板１１を保持し光導波路基板１１より誘電率が低い液晶ポリマ基板１２と、を有し、光導波路基板１１と液晶ポリマ基板１２が接着剤層１４によって接着された光導波路デバイス１０であって、光導波路基板１１と液晶ポリマ基板１２の熱膨張係数はそれぞれ基板面内に異方性を有し、光導波路基板１１の異方性の軸方向と液晶ポリマ基板１２の異方性の軸方向が揃うように、光導波路基板１１と液晶ポリマ基板１２の相対的向きが調整されている。 （もっと読む）

【課題】屈折率が異なる第１の平面光波回路と第２の平面光波回路とが、それぞれの平面光波回路に形成された複数の光導波路同士を光結合するように端面で突き合わせ接続された光部品において、使用環境の温度変化に対して安定な光部品を提供すること。
【解決手段】光部品５００は、第１の屈折率ｎ₁を有する第１の平面光波回路５０１と、第１の屈折率ｎ₁と異なる第２の屈折率ｎ₂を有する第２の平面光波回路５０２とが光軸方向に対して直角な端面で突き合わせ接続されている。第１及び第２の平面光波回路５０１、５０２には、それぞれ第１〜第ｎ（ｎは２以上の整数）の光導波路が形成されている。第１の平面光波回路５０１の第ｉ（ｉは１以上ｎ以下の整数）の光導波路と第２の平面光波回路５０２の第ｉの光導波路の位置が接続界面において一致するように調心して接続する。この際、第１の平面光波回路５０１の第ｉの光導波路が界面の法線となす角度φ_iがスネルの法則を満足する範囲でｉ毎に異なるようにする。 （もっと読む）

【課題】Ｎ入力Ｎ出力（Ｎ×Ｎ）の導波路型光スイッチ（マトリックススイッチ）において、クロスコネクト（１対１の接続関係の切り替え）機能と一つの入力信号を複数の出力ポートに分配する機能を併せ持ち提供する。
【解決手段】本発明は、Ｎ行Ｎ列のマトリックスの格子上に２入力２出力のＮ^２個の要素スイッチを配置する。このＮ^２個の要素スイッチはそれぞれ、２つの出力の分岐比を可変にして出力する可変分岐構成を有し、かつ、このＮ^２個の要素スイッチは、クロス状態に設定した要素スイッチ及びバー状態に設定した要素スイッチだけでなく、所定の分岐比で２出力に分配動作させる設定にした要素スイッチを包含する。 （もっと読む）

【課題】
光導波路が集積された場合でも不要光を効率良く基板外又は光導波路全体の外側に導出することが可能な光導波路素子を提供すること。
【解決手段】
基板１に光導波路２が、高屈折率物質を熱拡散することにより形成され、該光導波路は、信号光を伝播する主導波路２６と、該主導波路から不要光を除去する不要光用導波路（３４〜３６、６１〜６３）とから構成される光導波路素子において、該不要光用導波路は、該主導波路を伝播する高次モード光を、該不要光として、該主導波路から除去し、該基板外又は該光導波路全体の外側に導出するように配置されると共に、該不要光用導波路と該主導波路とが交差する交差部では、該不要光用導波路（３５〜３６、６２〜６３）は、該主導波路を挟んで分断されていることを特徴とする。 （もっと読む）