【課題】 半導体光集積素子及びその製造方法に関し、光導波路の伝播損失を増大させることなく、ＰＤの暗電流を１０ｎＡ以下まで低減する。
【解決手段】 ｎ型クラッド層側から順に少なくとも光吸収層及びＺｎドープｐ型クラッド層が積層されたフォトダイオード領域の傾斜側面に対して[０１１]方向にバットジョイント結合した光導波路領域における光導波路層に（１００）面方位での飽和濃度以下の濃度のＦｅをドープし、上側クラッド層に（１００）面方位での飽和濃度以上の濃度のＦｅをドープする。 （もっと読む）

【課題】光を変調し得る波長帯域が狭いリング共振器の共振波長を入力光の波長に容易に一致させ、高効率で入力光を変調し得る光半導体素子を提供する。
【解決手段】入力光が入力される第１の導波路と、第１の導波路と光学的に結合するように配されたリング変調器と、第１の導波路と光学的に結合するように配され、リング変調器の周回光路長より小さな周回光路長を有する第１のリング共振器と、第１の導波路と光学的に結合するように配され、リング変調器の周回光路長より大きな周回光路長を有する第２のリング共振器と、リング変調器と第１のリング共振器と第２のリング共振器とに近接して配されたヒータと、第１のリング共振器中の光パワーをモニタする第１の光検出器と、第２のリング共振器中の光パワーをモニタする第２の光検出器と、第１の光検出器及び第２の光検出器により検出された信号に基づいて、リング変調器の共振波長が入力光の波長と一致するようにヒータを制御する制御部とを有する。 （もっと読む）

【課題】より低消費電力化を実現した熱光学位相シフタ、およびこれを用いた可変光減衰器、１×Ｍ光スイッチ、可変波長フィルタを提供すること。
【解決手段】請求項１に記載された発明は、光信号を導波するための光導波路１３と、該光導波路１３の一部を加熱することで前記光信号に位相変化を与えるヒータ１５とを備え、前記ヒータ１５の長手方向と前記光導波路１３の加熱される部分１３１、１３２の長手方向とが同じ向きになるように重なって設けられており、前記光導波路の加熱される部分が、複数本の互いに平行な光導波路を光学的に結合して往復する１本の導波路となるようにした折り返し構造に形成されることで、前記加熱される部分の光導波路が前記ヒータと重なる位置に高密度に設けられていることを特徴とする熱光学位相シフタである。可変光減衰器、１×Ｍ光スイッチ、可変波長フィルタはこの熱光学位相シフタを用いて構成できる。 （もっと読む）

【課題】精度の高い複屈折率調整が可能な半導体基板上の位相シフタを提供すること。
【解決手段】ＰＢＳ１００は、第１の光カプラ１１０と、第１の複屈折率調整部１２０と、第２の複屈折率調整部１３０と、第２の光カプラ１４０とを閃亜鉛鉱型構造を有する半導体基板１０１上に備える。第１の複屈折率調整部１２０及び第２の複屈折率調整部１３０が位相シフタとして機能する。第１の複屈折率調整部１２０は、第１の幅の第１の導波路部１０２Ａと、第２の幅の第２の導波路部１０３Ａと、第１の電極１０２Ｂと、第２の電極１０３Ｂとで構成され、ここで、第１の幅は第２の幅よりも大きい。第２の複屈折率調整部１３０は、第１の導波路部１０２Ａから傾斜して配置された第３の導波路部１０２Ｃと、第２の導波路部１０３Ｂから傾斜して第３の導波路部１０２Ｃと平行に配置された第４の導波路部１０３Ｃと、第３の電極１０２Ｄと、第４の電極１０３Ｄとで構成される。 （もっと読む）

【課題】光導波路にＴＯ効果を低消費電力で発現できるとともに、光導波路の偏波保持特性の低下を抑制できること。
【解決手段】本発明の一態様にかかる光導波回路は、基板上に形成されたクラッド層と、クラッド層内に形成された光導波路と、クラッド層の上部であって光導波路の上方に形成され、光導波路を加熱するヒータとを備える。クラッド層は、光導波路の両側方に、この光導波路の延伸方向に沿って形成された溝領域を有する。この溝領域には、クラッド層の上面に平行であって光導波路の延伸方向に垂直な方向に向けて、少なくとも光導波路の側面に至る深さの溝部と中実部とが交互に形成される。この中実部は、この垂直な方向に溝領域の両端をつなぐように連続する。 （もっと読む）

【課題】
駆動電圧のより一層の低減が可能な光導波路素子を提供すること。また、駆動電圧の低減により、光導波路素子の小型化や利用する駆動装置の低コスト化を図ること。
【解決手段】
厚みが１０μｍ以下の電気光学効果を有する薄板１と、該薄板に少なくとも一つのリッジ型光導波路が形成された光導波路素子において、該薄板の該リッジ型光導波路が形成された面の反対面上であって、該リッジ型光導波路の下部に該当する部分に、該薄板より屈折率の高い高屈折率膜１０を配置し、該高屈折率膜の幅が、該リッジ型光導波路の幅と同じか、又は当該幅より狭く構成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
光素子の駆動回路または増幅回路ＬＳＩと光素子との電気配線を薄膜配線層により短距
離で接続することで、チャネル当たりの伝送速度を高くしかつ消費電力の増大を防ぐ。また、伝送装置への接続方式がコネクタ等簡便であり、ＬＳＩの実装も従来技術によるものであるため、組立が容易でかつ高信頼が実現できる。すなわち、本発明によれば、性能、量産性ともに優れた光電気複合配線モジュールを提供する。
【解決手段】
光素子２ａ、２ｂを、回路基板１に形成された光導波路１１と光結合できるように、回路基板上１に配置し、光素子の上層に電気配線層３を光素子の電極と電気配線層３の配線が電気的に接続されるように積層し、光素子が応力や水分から保護されるよう光素子周辺部を樹脂で封止し、電気配線層３上にＬＳＩを実装して電気的に接続した構造とすることを特徴とする光電気複合配線モジュール。 （もっと読む）

【課題】半導体光素子の消費電力または素子長を小さくする。
【解決手段】第１クラッド層４と、第２クラッド層６と、第１クラッド層４と第２クラッド層６に挟まれた光導波層８とを有し、光導波層８は、第１半導体層１０と、第１半導体層１０上に設けられ一方向に延在する第２半導体層１２とを有し、第１半導体層１０は、第２半導体層１２の片側に設けられたｎ型領域１４と、第２半導体層の反対側に設けられたｐ型領域１６と、ｎ型領域１４とｐ型領域１６の間に設けられたｉ型領域１８とを有し、第２半導体層１２は、第１半導体層１０より狭いバンドギャップを有する。 （もっと読む）

【課題】低消費電力である可変光減衰器、ならびに温度に依存した波長シフトが生じないDPSK受信回路となる、位相制御回路およびこの位相制御回路を用いた光干渉回路を提供する。
【解決手段】基板上における、２つのモード変換器と、これらを連結する複数の光導波路とからなる位相制御回路であって、複数の光導波路の間または外側に、ある材料を充填した溝を、複数の光導波路の上方および、または複数の光導波路の間の上方に薄膜ヒータを有する。熱光学定数の絶対値が光導波路の熱光学定数の絶対値より大きい、溝に充填された材料および、または光導波路の周囲の材料を用いることにより、低消費電力である可変光減衰器を実現する位相制御回路を提供する。さらに、上記の位相制御回路および、同様の構造であるが、溝を有さない位相制御回路、ヒータを有さない位相制御回路を複数適宜組み合わせることにより、温度に依存した波長シフトが生じないDPSK受信回路や波長合分波フィルタなどの光干渉回路を提供する。 （もっと読む）

【課題】パターン形状の設計の自由度が広く、寸法精度の高いコア部（光路）を簡単な方法で形成することができ、また、耐熱性および耐久性に優れる光導波路を備えた光導波路構造体および電子機器を提供すること。
【解決手段】光導波路構造体１は、導体層５を備えた基板２と、コア層９３とクラッド層９１、９２とを積層してなる光導波路９と、光導波路９の一方の端部に設けられた発光素子３と、他方の端部に設けられた受光素子４とを有している。また、これらの各部により光配線９８が構成されており、さらにこの光配線９８を覆うように被覆層７が設けられている。この被覆層７は、難燃材で構成されたものであり、この難燃材としては、例えば、ポリイミド系樹脂、ポリアミド系樹脂等が挙げられる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、光損失および駆動電圧を低減でき、かつ半導体レーザとの集積が容易な光変調器を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の光変調器は、光を変調する変調領域と、該変調領域に隣接したパッシブ領域とを有し、該変調領域および該パッシブ領域には、半導体基板と、該半導体基板上のｎ型クラッド層と、該ｎ型クラッド層上のコア層と、該コア層上のｐ型クラッド層と、が形成され、該変調領域には、該ｐ型クラッド層と、該ｐ型クラッド層上のコンタクト層と、該コンタクト層上のＰ側電極と、が形成され、 該パッシブ領域において、該コア層と該ｐ型クラッド層との間にノンドープクラッド層が形成されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 熱光学位相シフタ等の光素子の製造時に光素子自身や製造装置に悪影響を与えずに、高い歩留まりで光素子を製造できるエッチング終点検出パターンを提供する。
【解決手段】 基板４上に少なくとも光素子用膜（第１膜）と犠牲層５が積層形成されていて、基板４と前記光素子用膜の間にある犠牲層５を選択的にエッチングする際に使用されるエッチング終点検出パターンは、前記光素子用膜で形成され、それぞれが異なる幅を持つ細線パターン３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄを含む細線パターン部３と、細線パターン部３を基板４に接続して保持する保持パターン部２とを備える。犠牲層５のエッチングにより細線パターン３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄに生じる構造的・光学的変化を利用してそのエッチング量を判別する。 （もっと読む）

【課題】小型で低損失な光導波路を含むマッハツェンダ光導波路、および当該マッハツェンダ光導波路を具備し、光導波路に入射した光を高周波電気信号で変調して光信号パルスとして出射する光変調器を提供する。
【解決手段】基板上に、入力光導波路と、出力光導波路と、前記入力光導波路と前記出力光導波路とにそれぞれ接続され、前記入力光導波路からの光が入力される、または前記出力光導波路へ光を出力する分岐光導波路と、前記分岐光導波路に接続され、曲率半径を有して曲線上に形成されたアームと、前記アームに沿って前記基板の一部が掘り下げられた溝部とが形成されたリッジ型のマッハツェンダ光導波路であって、前記アームは、前記アームの根元部近傍において実質的に前記溝部が形成されておらず、当該実質的に溝部が形成されていない領域における前記アームの曲率半径が、前記溝部が形成されている領域における前記アームの曲率半径よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】電圧を印加することにより屈折率が可変な半導体コア領域と屈折率が可変ではないコア領域との接続部において、屈折率が可変な半導体コア領域から屈折率が可変ではないコア領域を経由した不要なリーク電流を低減することが可能な光学素子を提供する。
【解決手段】光学素子ＷＧ１のコア１は、第１導電型の第１半導体コア領域３２と、第１半導体コア領域３２とギャップ部４０を挟んで対向配置された第２導電型の第２半導体コア領域３３と、第１半導体コア領域３２と光の導波方向において隣接する第２導電型又は無極性の第３半導体コア領域２２と、第２半導体コア領域３３と光の導波方向において隣接し、第３半導体コア領域２２とギャップ部４０を挟んで対向配置された第１導電型又は無極性の第４半導体コア領域２３と、を部分領域として含み、第１半導体コア領域３２と第２半導体コア領域３３とに電極が接続されている。 （もっと読む）

【課題】小型化可能であって、変調効率を高めた光変調装置を得る。
【解決手段】基板上に間隔を隔てて形成された第１の光導波路及び第２の光導波路と、前記第１の光導波路または前記第２の光導波路における屈折率を変化させるため、前記第１の光導波路または前記第２の光導波路に沿って設けられた電極と、前記電極に接続されており、前記第１の光導波路または前記第２の光導波路に電圧を印加するための電源と、を有し、前記第１の光導波路または前記第２の光導波路のうち、どちらか一方または双方の光導波路は、波長λの光を反射する構造の回折格子領域と、０からλ／２の範囲で位相シフトさせる位相シフト領域により形成されていることを特徴とする光変調装置により上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】厳しい温度制御が必要なＥＡ／ＬＤを使うことなく、簡便な温度制御でＧＥ−ＰＯＮと１０ＧＥ−ＰＯＮとにおいて高速光信号を送受信可能な、小型で低消費電力の双方向光通信モジュールを提供する。
【解決手段】双方向光通信モジュール１は、波長λ１の信号光を送信する第１ＬＤ素子３と、波長λ１の信号光より伝送速度が高い波長λ２の信号光を送信する第２ＬＤ素子４と、波長λ３の信号光を受信するＰＤ素子２を備えるものであって、第１ＬＤ素子３の信号光の光強度をモニタする第１モニタＰＤ素子５と、第２ＬＤ素子４の信号光の光強度をモニタする第２モニタＰＤ素子６と、第２ＬＤ素子４の信号光を「１」レベルの波長光と「０」レベルの波長光とに分波する分波フィルタ１１と、「０」レベルの波長光の光強度をモニタする第３モニタＰＤ素子７と、を備え、分波フィルタ１１の分波特性が調整可能とされている。 （もっと読む）

【課題】低消費電力である導波路型分散補償回路を提供すること。
【解決手段】複数の導波路からなる導波路アレイ１０９と該導波路アレイの入出力端に設けられたスラブ導波路１０８、１０９とを有し、入力された信号光を複数の波長に分波する第１のアレイ導波路回折格子１０２と、上記波長ごとに分波された信号光の位相を制御する位相制御手段をそれぞれ有する複数の単一モード導波路によって構成される位相制御導波路アレイ１０４と、複数の導波路からなる導波路アレイと該導波路アレイの入出力端に設けられたスラブ導波路とを有し、上記位相制御された信号光を合波して出力する第２のアレイ導波路回折格子１０６とを備え、上記第１のアレイ導波路回折格子の出力部と、上記第２のアレイ導波路回折格子の入力部に、上記スラブ導波路と上記位相制御導波路アレイとの間の伝搬損失を減らす断熱的モード変換回路１０３、１０５を配置したことを特徴とする導波路型分散補償回路。 （もっと読む）

【課題】半導体の光吸収により生じる直交成分による周波数チャーピングの影響を低減す
ることができる光位相変調器および光位相変調装置を提供する。
【解決手段】光変調器１００は、使用波長における初期位相差がπの第１及び第２のメイ
ンアーム光導波路１１ａ，１１ｂを有するメインマッハツェンダ干渉計１１と、第１のメ
インアーム光導波路１１ａに形成された使用波長における初期位相差が０の第１及び第２
のサブアーム光導波路２１ａ，２１ｂを有する第１のサブマッハツェンダ干渉計２１と、
第２のメインアーム光導波路に形成された使用波長における初期位相差が０の第３及び第
４のサブアーム光導波路２２ａ，２２ｂを有する第２のサブマッハツェンダ干渉計２２と
を有する。各メインアーム光導波路および第１乃至第４のサブアーム光導波路のうち、少
なくとも高周波電極が形成された部分は、半導体光導波路からなる。 （もっと読む）

【課題】複数のマッハツェンダ変調器を備える光デバイスのサイズを小さくする。
【解決手段】基板１の表面領域に、複数のマッハツェンダ変調器Ａ、Ｂ、および入力分岐導波路２が形成されている。入力分岐導波路２は、入力光を分岐して複数のマッハツェンダ変調器Ａ、Ｂに導く。各マッハツェンダ変調器は、それぞれ、入力分岐導波路２に結合する分岐部１１、２１、分岐部１１、２１に結合する平行導波路１２（１２ａ、１２ｂ）、２２（２２ａ、２２ｂ）、平行導波路１２、２２に結合する合波部１３、平行導波路１２ａ、２２ｂに信号を与える信号電極１４、２４を備える。各マッハツェンダ変調器の分岐部１１、２１の向きが互いに異なっている。 （もっと読む）

【課題】小型化が可能な光変調器を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態によるマッハツェンダ型の光変調器は、アーム導波路が形成された電気光学材料の第１の基板と、アーム導波路に結合したＹ分岐部およびＹ合波部の少なくとも一方が形成された第２の基板とを備える。第１の基板は、アーム導波路上に形成された変調用の第１の電極を備え、第２の基板は、第１の電極に結合する第２の電極を備える。第１および第２の電極は、誘電体の接着剤で接合される。このように、電極間を誘電体の接着剤で接合することにより、ＤＣブロック用のキャパシタンスを形成することができる。また、この接着剤は、電極間の接合のみならず、基板間の接合にも使用することができる。 （もっと読む）