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Fターム[2K002AB29]の内容

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【課題】波長390〜420nm領域において強い二光子吸収特性を示す二光子吸収材料を提供し、同波長領域での三次元微細光造形や三次元メモリ等において、小型でエネルギー消費の少ないレーザー光源の利用を可能にする。
【解決手段】一般式(1)で示されるベンゼン誘導体には、波長390〜420nm領域において強い二光子吸収特性を備えており、この波長領域のレーザー光源を利用する二光子吸収材料として有用である。


(1) (もっと読む)


【課題】二光子吸収特性を大きく増感できる二光子吸収薄膜とその製造方法を提供する。
【解決手段】表面が荷電された基板[10]を、該基板と逆極性の荷電を有する有機高分子イオン(a)及び金属ナノ粒子を含有する水性塗布液に浸漬、乾燥して薄膜[11]とする工程と、前記
(a)と逆極性の荷電を有する有機高分子イオン(b)及び二光子吸収材料を含有する水性塗布液に浸漬、乾燥して薄膜[12]とする工程、もしくは、表面が荷電された前記基板を、該基板と逆極性の荷電を有する有機高分子イオン(b)及び二光子吸収材料を含有する水性塗布液に浸漬、乾燥して薄膜[12]とする工程と、前記(b)と逆極性の荷電を有する有機高分子イオン(a)及び金属ナノ粒子を含有する水性塗布液に浸漬、乾燥して薄膜[11]とする工程により、基板[10]上に、薄膜[11]と薄膜[12]との交互積層薄膜を備えた二光子吸収薄膜とする。 (もっと読む)


【課題】光デジタル信号だけでなく、光多値信号や光位相変調信号も記録できる光メモリを提供する。
【解決手段】コアの複素屈折率が伝搬光の強度に応じて一時的に変化する非線形光ファイバ6からなり、第1の端面8から第1の光信号が入射する光記録ファイバ12と、第1の光信号が光記録ファイバ12の第2の端面26に到達する前に、第1の光信号の1ビットに対応する光パルスよりパルス幅が狭く、且つ第1の光信号と干渉して、複素屈折率を一時的に変化させることにより、コア4に回折格子を形成する書込み光パルスを、第2の端面26から光記録ファイバ6に入射させる書込み光パルス供給ユニット28とを有する。 (もっと読む)


【課題】本発明の目的は、波長変換を介さず、シリアルデータを1ビット毎に共振器に取り込み、シリアルデータをパラレルデータに変換し、共振器に取り込まれたデータをパルス列として読み出すことも可能にするフォトニック結晶光ビットメモリおよびフォトニック結晶光ビットメモリアレイを提供することを目的とする。
【解決手段】複数のフォトニック結晶中のそれぞれに配置され、双安定動作を行い、3つの共振モードを有する複数の共振器と、上記複数の共振器をシリアルに接続し多ビットメモリを構成するバス導波路と、上記複数の共振器のそれぞれの脇に配置される複数のドロップ導波路とを備え、上記バス導波路は、上記3つの共振モードのうちの1つの共振モードのみ伝播でき、上記ドロップ導波路は、上記3つの共振モードの全てを伝播できることを特徴とするフォトニック結晶光ビットメモリアレイ。 (もっと読む)


【課題】700nmよりも短波長の領域の光を2光子吸収できる2光子吸収材料、該2光子吸収材料を含有することにより、上記波長領域の記録光を用いて2光子吸収記録でき、かつ十分な記録再生特性を有する2光子吸収記録材料、及び2光子吸収記録媒体を提供する。
【解決手段】下記一般式(I)で表される化合物を含有する2光子吸収材料、これを用いる2光子吸収記録材料、及び2光子吸収記録媒体。


(一般式(I)中、Arは芳香族炭化水素環を、HetおよびHetは芳香族へテロ環を表し、RおよびRは炭素数1〜30の置換基を、nは0または1を表す。) (もっと読む)


【課題】ナノスケールで構成することができ、しかも蓄積時における光損失を極力抑えることが可能な量子ドットを用いた光遅延器を提供する。
【解決手段】格納すべきデータに応じた光信号を入力用の量子ドット12へ供給することにより、その波長に応じて励起された第1の励起子を遅延用の量子ドット14へ注入させ、入力用の量子ドット12から遅延用の量子ドット14へ注入された第1の励起子を共鳴準位間で互いに伝送させることによりこれを格納させるとともに、光信号とは異なる波長からなる緩和防止用光信号を供給して下位準位へ更に第2の励起子を励起させることにより、共鳴準位間において伝送させている第1の励起子の上記下位準位を介した緩和を遅延させる。 (もっと読む)


【課題】小型で安価なレーザを使って、二光子吸収を利用した実用用途を実現するために、高効率の二光子吸収材料を提供する。また、イオン化ポテンシャルが高い電子吸引性化合物と、電子供与性基を有することにより前記電子吸引性化合物で化学増感され得るパイ電子共役系の二光子吸収化合物とを含有する二光子吸収材料の二光子吸収を利用して書き換えできない方式で記録を行った後、光を記録材料に照射してその発光強度の違いを検出することにより再生することを特徴とする二光子吸収光記録再生方法及びそのような記録再生が可能な二光子吸収光記録材料を提供する。さらに、それらを用いた二光子吸収三次元光記録材料及び二光子吸収三次元光記録方法及び再生方法を提供する。
【解決手段】非環状で、末端の少なくとも一つが電子供与基で修飾されたパイ電子共役系からなる二光子吸収化合物と電子吸引性化合物を含有する二光子吸収材料。 (もっと読む)


【課題】大きな外部バイアス電圧の印加を必要とすることなく、優れたフォトリフラクティブ特性を提供する材料を含む光学装置を提供すること。
【解決手段】フォトリフラクティブ層と少なくとも2つの不活性層とを含み、フォトリフラクティブ層が2つの不活性層の間に挟まれる光学装置が、本明細書に記述される。フォトリフラクティブ層は、レーザービーム照射によりフォトリフラクティブであるフォトリフラクティブ組成物を含むことが可能である。いくつかの実施形態では、フォトリフラクティブ組成物中に照射される回折格子が、外部のバイアス電圧を印加することなくフォトリフラクティブ組成物から読み出すことができるようにフォトリフラクティブ組成物は処方される。さらに、組成物中に書き込まれる回折格子は、熱処理を用いて制御することが可能である。 (もっと読む)


【課題】大きな外部バイアス電圧の印加を必要とすることなく、優れたフォトリフラクティブ特性を提供する材料を含む光学装置を提供すること。
【解決手段】光を変調する方法であって、増感剤とポリマーとを含むフォトリフラクティブ組成物を提供する工程であって、ここで、増感剤は、アントラキノン、2−ニトロ−9−フルオレノンおよび2,7−ジニトロ−9−フルオレノンからなる群から選択される少なくとも1つを含む工程、ならびにレーザーでフォトリフラクティブ組成物を照射する工程を含む、方法。フォトリフラクティブ組成物は、外部バイアス電圧を使用することなく回折格子を提供する。 (もっと読む)


【課題】可視から近赤外波長領域の光電場と表面プラズモンの相互作用を利用した、表面プラズモンの共鳴周波数、金属−材料間の距離制御が容易で、かつプラズモン増強効果を効果的に利用することができ、三次元的な特性の均一性と環境安定性に優れた混合物、及び該混合物を利用したプラズモニクスデバイスの提供。
【解決手段】(1)表面が高分子材料で被覆され、更にその表面が無機酸化物で被覆された金属微粒子と、二光子吸収有機材料とを含有する混合物。
(2)前記高分子材料が水溶性である(1)に記載の混合物。
(3)前記高分子材料が電解質である(1)又は(2)に記載の混合物。
(4)前記金属微粒子が金である(1)〜(3)のいずれかに記載の混合物。 (もっと読む)


【課題】多(二)光子吸収材料を実用化レベルまで高感度化した複合部材と、これを用いた三次元記録媒体、光制限素子及び光造形システム等を提供する
【解決手段】光照射によりプラズモン増強場を発生させる金属微粒子(例えば、金ナノロッド)を含む金属微粒子含有体と、多(二)光子吸収材料を含む多(二)光子吸収材料含有体とを少なくとも1つのスペーサ膜(例えば、酸化物膜:膜厚は図10に示すように多光子吸収強度が増強されるように選択する)を介して一体に複合構成して複合部材(「薄膜」または「バルク」)とする。この複合部材を用いて、三次元記録媒体、光制限素子及び光造形システム等を構成する。 (もっと読む)


【課題】モードギャップ型共振器の屈折率を変調することによって、断熱的な波長変換を実現し、その結果導波路との結合が変化することを利用することで、光メモリ、可変な光遅延線、及び高効率な波長変換素子を実現する。
【解決手段】本発明は、波長選択性を持つ反射ミラーによって形成された光共振器を用いた光メモリ、光遅延性、波長変換素子において,共振器の屈折率を変化させる機構を設け、共振器部分の屈折率を共振器の光子寿命よりも早く変化させることによって,共振器に閉じ込められた光を断熱的に変化させ、光の波長を波長選択性を持つ反射ミラーの透過帯域に合わせることによって、共振器内の光の導波路との結合を強め、光の波長を変換しつつ、光を導波路に素早く取り出す。またはその逆の操作を行うことで、光を共振器に閉じ込める。 (もっと読む)


【課題】スペクトル、屈折率または偏光状態の変化を、高感度に実現する、効率良く二光子を吸収する有機材料、すなわち二光子吸収断面積の大きな新規な有機材料を提供する。さらに、二光子吸収断面積が大きい二光子吸収化合物を少なくとも有し、二光子吸収化合物の二光子吸収を利用して書き換えできない方式で記録を行なった後、光を記録材料に照射してその発光、反射強度等の違いを検出することにより記録再生が可能な二光子吸収光記録材料及び記録媒体を提供する。
【解決手段】下記一般式(I)で示されるサレン型金属錯体からなる二光子吸収材料。
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【課題】信号光としての光パルスを、光パルスごとに光記憶素子に書き込み又は読み出す。
【解決手段】光を保持可能な複数の光記憶素子20と、光遅延素子30とを備える光バッファ装置10が提供される。複数の光記憶素子は、信号光及び制御光が互いに逆方向に伝播する光路上に並べて配置されている。また、光遅延素子は、隣接する光記憶素子の間にそれぞれ設けられている。各光遅延素子は、信号光と制御光に異なる遅延を与える。この光バッファ装置の好適実施形態によれば、光記憶素子は、信号光及び制御光が伝播する光導波路と、この光導波路と近接して設けられた光共振器とを備え、制御光の入力の有無に応じて、光導波路及び光共振器の間のカップリングの生成又は解除がなされる。 (もっと読む)


【課題】二光子吸収断面積の大きな有機材料、即ち、高感度な二光子吸収有機材料を提供すること。また、二光子吸収断面積が大きい本発明の二光子吸収材料を少なくとも有し、記録を書き換えできない方式で行なう光記録材料を提供すること。
【解決手段】下記一般式(I)で表わされる繰り返し単位を有することを特徴とする二光子吸収ポリマー。


(式中、ArおよびArは、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基の2価基であり、Arは置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基を表わす。R、RおよびRは、それぞれ独立に、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルコキシ基、または置換もしくは無置換のアルキルチオ基から選択された基を表わし、同一でも別異でもよく、x、yおよびzは、それぞれ0から2までの整数を表わし、同一でも別異でもよく、nは1以上の整数を表わす。) (もっと読む)


【課題】非線形2光子吸収により起こる光重合により3次元的屈折率変調が可能な2光子吸収重合性組成物を提供する。
【解決手段】少なくとも2光子吸収化合物、重合開始剤、重合性化合物及びバインダーを有し、非共鳴2光子吸収により起こる光重合により3次元的屈折率変調が可能である2光子吸収重合性組成物。 (もっと読む)


【課題】強誘電相であるキラルスメクティックC相を示し、可視域に吸収帯を有し、良好なホール輸送性を示し、液晶化合物であるフルオロフェニルオリゴチオフェン誘導体を提供する。
【解決手段】下記一般式(1)で示される液晶化合物
【化1】


(式中、R1は炭素数1〜18の直鎖アルキル基を、R2は水素又は炭素数1〜3の直鎖アルキル基、R3は炭素数2〜18のアルキル基を、nは0〜2の整数を示す。)
本材料は、強誘電性液晶を利用したフォトリフラクティブ素子、偏光面を制御できる直線偏光発光素子、キラルスメクティックC相の螺旋構造を利用したレーザー素子に応用可能である (もっと読む)


【課題】光学部品点数を低減させ、低コスト化を図ることができ、光パルス信号列を電気変換を行うことなく蓄積し、常温で使用可能であり、高速光ネットワークや量子コンピュータといった最新の光技術への本格的な対応が期待される光バッファメモリ装置を提供する。
【解決手段】本光バッファメモリ装置は、特定の波長のパルス状の信号光5を、信号光5とは異なる波長のパルス状の変換光7に変換する波長変換器1と、波長変換器1により波長変換されたパルス状の変換光7の情報を、書込み及び読出し可能な記録媒体に一時的に記録させた後、前記特定の波長のパルス状の信号光10として取出す記録再生装置2を有する。波長変換器1は、信号光5に対し吸収性を示し変換用光6に対し透過性を示す波長帯域を持つ光吸収層を含み、所定の光照射条件で熱レンズ形成光素子11を形成する。熱レンズ形成光素の光吸収層には、信号光5と変換用光6とを各々集光点を光軸に対して直角方向で異ならせて集光させる。 (もっと読む)


【課題】二光子吸収断面積が大きく、二光子吸収を起こし易く、しかも、安定性、溶解性に優れた高効率の二光子吸収材料の提供。
【解決手段】式Iで表される新規アリールエチニル化合物。このアリールエチニル化合物を構成成分の少なくとも一部として含有する二光子吸収材料。


(式中、中心環Dは炭素数4〜6の芳香環を表す。Arx〜Arxは、それぞれ独立に、芳香環基、または、芳香環基と連結基が複数結合した置換基を表す。) (もっと読む)


【課題】積層導波路型の記録媒体において、ある1つの記録層に対して、当該記録層の全体を記録し直すことなく、一部の情報の追加記録や書き換え記録を可能とする。
【解決手段】積層導波路型記録媒体1は、光を導波させるコア層3と、二光子吸収材料で構成される記録層4と、クラッド層2とが多重に積層されて構成される。記録層4は、ビット単位ごとに予め定められる領域の二光子吸収材料の屈折率を変化させることによりビット単位ごとの情報の記録が行われる。また、再生時には、平面光をコア層3の端面から入射することで、ある1つの記録層4の層内の記録領域から散乱光が出射され、出射される散乱光を撮像することで、二次元でビット単位での情報の再生を行う。 (もっと読む)


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