【課題】本発明は、従来と比較して表面における傷の発生を抑制したガラスの製造方法を提供する。
【解決手段】ガラス基板の表面を研磨処理する研磨工程と、前記研磨処理されたガラス基板をウェットエッチングするエッチング工程と、を含んでなるガラスの製造方法において、前記研磨工程は、平均砥粒径（又はＤ５０）が０．０５〜２．０μｍである研磨砥粒を用い、硬度（ショアＡ硬度）が３０〜８０の研磨パッドにより０．０２〜１５ｋＰａの研磨圧で研磨処理するガラスの製造方法。 （もっと読む）

【課題】一表面のみを情報の記録等に使用し、他表面を使用しない円盤状基板を製造する場合において、円盤状基板の生産能力をより向上させることができる円盤状基板の製造方法を提供する。
【解決手段】一表面に情報を記録するガラス基板１０の製造方法であって、ガラス基板１０の一表面、他表面、外周面、内周面を研削する研削工程と、ガラス基板１０の内周面を研磨する内周研磨工程と、ガラス基板１０の外周面を研磨する外周研磨工程と、一表面が研磨面となった２枚のガラス基板１０を、ガラス基板１０が合わせられた際の間隔を定める間隔規制部材を含む接着剤を用いて一表面とは反対側の他表面で接合する接合工程と、接合工程により接合された２枚のガラス基板１０の各々の一表面を同時に研磨する研磨工程と、を有することを特徴とするガラス基板１０の製造方法。 （もっと読む）

【課題】研磨機により円盤状基板の研磨を行う際に、一方の面が優先的に研磨される現象を抑制し、両面の研磨量の差をより小さくすることができる円盤状基板の製造方法を提供する。
【解決手段】表面に測定溝１０３，１０４が形成された測定基板１００をガラス基板の両面を同時に研磨する研磨機に配置し、研磨機に配置された測定基板１００の両面を同時に研磨し、研磨後の測定基板１００に残された測定溝１０３，１０４の深さを測定し、研磨機によるガラス基板の両面の研磨条件を調整することを特徴とする円盤状基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】研磨液を供給するために研磨剤を流通させる樋を使用する場合でも、研磨液の流通に阻害が生じにくく、安定的に研磨を行なうことができる円盤状基板の製造方法等を提供する。
【解決手段】ガラス基板の主表面を研削する研削工程と、研削工程を経たガラス基板を研磨液を用いて研磨する研磨工程とを有する円盤状基板の製造方法であって、研磨工程に用いられる研磨機５０は、研磨液槽１０１から樋１０４を介してガラス基板に対して研磨液を供給されるとともに樋１０４の内面が撥水性被材によって被覆されていることを特徴とする円盤状基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】平面度、平行度の良好なガラス薄板を、生産能率を低下させることなく製造することができるガラス薄板の製造方法を提供すること。
【解決手段】剛性基板の両面にそれぞれ吸着パッドを貼設して成るダミー板５を準備する準備工程と、ダミー板５の両面の吸着パッドにそれぞれガラス板６を吸着させて取り付ける取付け工程と、ダミー板５に取り付けた一対のガラス板６を、キャリヤ７のワーク保持孔７１内で保持して両面研磨機の上定盤１と下定盤２との間に挟み、上定盤１及び下定盤２と一対のガラス板６とを相対移動させて各ガラス板６の定盤側の片面６１を研磨する研磨工程と、片面を研磨した一対のガラス板６をダミー板５から取り外して一対のガラス薄板を得る取外し工程と、からガラス薄板の製造方法を構成した。 （もっと読む）

【課題】 研磨物のラッピングにおいて、研磨レート、被磨物の表面平滑性に優れるとともに研磨傷を発生させにくいラッピング方法を提供する。
【解決手段】 金属製ラッピング用定盤上に下記（１）〜（３）を満足する研磨パッドを貼り付け、被研磨物と該研磨パッドの間に研磨用砥粒を供給してラッピングすることを特徴とする被研磨物のラッピング方法。
（１）単繊維の平均断面積が０．０１〜３０μｍ²の極細長繊維束からなる不織布および高分子弾性体から構成され、
（２）研磨パッドの見掛け密度が０．７〜１．２ｇ／ｃｍ^３であり、かつ
（３）研磨パッドの研磨面のＪＩＳ Ｄ硬度が４５〜７５ （もっと読む）

【課題】積層した多数枚のガラス基板をずれないように保持して精度良く切削加工などの加工を各ガラス基板に同時に施すことのできるガラス基板加工方法を提案すること。
【解決手段】本発明のガラス基板加工方法では、加工対象の複数枚のガラス基板３を、液体を含浸させて湿潤状態の液体吸収性シート３１を挟み、厚さ方向に重ね合わせて基板積層体４を形成し、これを厚さ方向の両側からクランプ機構５によってクランプし、クランプ状態の基板積層体４に、走行状態の１本のワイヤー２を押し付けてガラス基板に対して同時に同一の切削加工を施す。湿潤状態の液体吸収性シートを挟んだ状態で多数枚のガラス基板３がクランプされるので、ガラス基板間の密着力が高く、加工時におけるガラス基板のずれを防止でき、加工精度を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】円形状基板を保持回転機構により保持して回転させ、テープ移送機構により研磨テープを間欠的又は連続的に移送させ、圧接機構によりテープ研磨機構の迂回研磨部と円孔の内周端面とを圧接し、研磨部揺動機構により迂回研磨部を円孔の内周端面に対向する方向に間欠的又は連続的に揺動運動させて研磨することにより円孔の内周端面をＣ面又はＲ面に研磨することができる。
【解決手段】研磨テープＴを間欠的又は連続的に移送させるテープ移送機構Ｃと、迂回案内部Ｃ_３により側方に迂回案内された研磨テープの側方迂回部分Ｔ_３を円孔Ｑの内周端面Ｍを研磨可能な迂回研磨部Ｋとするテープ研磨機構Ｄと、迂回研磨部を円孔の内周端面に対向する方向に間欠的又は連続的に揺動運動させて迂回研磨部により円孔の内周端面をＣ面又はＲ面に研磨するための研磨部揺動機構Ｆとを備えてなる。 （もっと読む）

【課題】表面の平滑性が高く、表面のうねりが少ない磁気記録媒体用ガラス基板を高い生産性で製造することができる磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法を提供する。
【解決手段】１次、２次及び３次ラップ加工には、それぞれダイヤモンドパッド２０Ａ，２０Ｂ，２０Ｃを用い、ダイヤモンドパッド２０Ａは、ダイヤモンド砥粒の平均粒径が４μｍ〜１２μｍ、ダイヤモンド砥粒の含有量が５〜７０体積％であり、ダイヤモンドパッド２０Ｂは、ダイヤモンド砥粒の平均粒径が１μｍ〜５μｍ、ダイヤモンド砥粒の含有量が５〜８０体積％であり、ダイヤモンドパッド２０Ｃは、ダイヤモンド砥粒の平均粒径が０．２μｍ以上２μｍ未満、ダイヤモンド砥粒の含有量が５〜８０体積％であり、１次ポリッシュ加工には、研磨剤として酸化セリウムを用いずに酸化ケイ素を用いる。 （もっと読む）

【課題】フッ素を実質的に含有せず、ハードディスク基板に用いられる加工性の悪いガラス基板に対しても、高い研磨速度で表面粗さを小さくし、かつ研磨傷の発生を抑制することが可能な酸化セリウム系研磨剤、及びガラス製ハードディスク基板の製造方法を提供する。
【解決手段】下記（１）〜（５）を満たすガラス製ハードディスク基板製造用酸化セリウム系研磨剤、及び該研磨剤も用いたガラス製ハードディスク基板の製造方法である。（１）総酸化希土類量（ＴＲＥＯ）が９５質量％以上であり、かつ当該ＴＲＥＯに対する酸化セリウム量が９９質量％以上である。（２）フッ素の含有量が０．０５質量％以下である。（３）粉末Ｘ線回折から算出される前記酸化セリウムの結晶子径が７００〜１０００Åである。（４）平均粒子径（Ｄ₅₀）が０．４〜０．８μｍである。（５）前記ガラス製ハードディスク基板のビッカース硬度が５７０Ｈｖ以上である。 （もっと読む）

【課題】研磨装置により円盤状基板の研磨を行う際に、研磨時間を抑制しつつ、特にエッジロールオフ（端ダレ）を抑え、円盤状基板をより均等に研磨することができる円盤状基板の製造方法等を提供する。
【解決手段】ガラス基板の主表面を研削する研削工程と、研削工程を経たガラス基板を研磨する研磨工程と、を有し、研磨工程は、ガラス基板の主表面に対する研磨の圧力を最大圧力まで単調増加させた後にこの最大圧力に留めることなく徐々に低下させると共に、研磨開始から研磨の圧力が最大圧力に達するまでの時間を研磨の圧力が最大圧力に達してから研磨終了までの時間より短くなるように設定することを特徴とする円盤状基板の製造方法。 （もっと読む）

【解決手段】コラーゲン由来の物質及びコロイド溶液を含むことを特徴とする合成石英ガラス基板用研磨剤。
【効果】本発明によれば、フォトマスク、ナノインプリント、磁気ディスクなどに重要な光リソグラフィー法に使用される合成石英ガラス基板等の合成石英ガラスの製造において、基板表面の高感度欠陥検査装置で検出される欠陥の生成が抑制され、製造の歩留まり向上だけではなく、半導体工業の更なる高精細化につながる。 （もっと読む）

【課題】円盤状基板の研磨を行なう研磨装置の洗浄を行なう場合でも、研磨装置に温度変化が生じにくく、研磨に要求される精度を維持しやすい円盤状基板の製造方法等を提供する。
【解決手段】ガラス基板を研削する研削工程と、研削工程を経たガラス基板の主表面を研磨機５０により研磨剤を用いて研磨するとともに研磨に際して温度管理された処理水を用いる研磨工程と、研磨工程に用いられる処理水の温度管理と同様に温度管理された洗浄水を用いて研磨機５０を洗浄する工程と、を有することを特徴とする円盤状基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板を研削するときにガラス基板の切屑に起因する研削レートの低下を抑制するようにした研削パッド、磁気ディスク用ガラス基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】研削パッド１０が上定盤５０及び下定盤６０に貼付される。被研削物としてのガラス基板Ｇが上定盤５０及び下定盤６０で狭持され、ガラス基板Ｇと上定盤５０及び下定盤６０とを相対的に移動させることでガラス基板Ｇが研削パッド１０により研削加工される。研削パッド１０は、円環形状の平板の樹脂成形部と、実質的に中心から前記円環形状の外縁に向かって延びる樹脂成形部の溝部に配置されている砥石と、を備える。 （もっと読む）

【課題】円盤状基板の外周研磨を行なう工程を別途設ける必要がない、または別途設ける必要がある場合でもその研磨時間を短縮でき、円盤状基板の生産性を向上させることができると共に円盤状基板の製造費用を低減させることができる円盤状基板の製造方法等を提供する。
【解決手段】ガラス基板の主表面を研削する研削工程と、ガラス基板の少なくとも外周端面を研削する端面研削工程と、研削工程および端面研削工程を経たガラス基板の主表面および外周端面を共に研磨する研磨工程と、を有し、研磨工程は、孔部３４と孔部３４の内周端面にガラス基板の外周端面を研磨するブラシ部３６とを有する保持具３０Ｂの孔部３４にガラス基板を保持して研磨を行なうことを特徴とする円盤状基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】酸化セリウム砥粒を用いる研磨工程に由来する（１）最終研磨での研磨量が多く、材料ロスが大きくなること、（２）洗浄コストが高いこと、（３）砥粒が高価であること、等の問題を解消するとともに、ロールオフが小さく、高研磨レートで研磨できる方法、並びに研磨液を提供する。
【解決手段】磁気ディスク用ガラス基板を製造する際に、最終研磨工程よりも前の研磨工程で使用される研磨液であって、ＢＥＴ粒径が６０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であるコロイダルシリカ砥粒と、ノニオン界面活性剤と、水とを含有し、好ましくは更に１０ミリモル/リットル以上１２０ミリモル/リットル以下の無機電解質を含有し、表面張力が２５ｍＮ／ｍ以上５０ｍＮ／ｍ以下である研磨液を用いて研磨する。 （もっと読む）

【課題】基板の裏面を研磨することによるスループットの低減や基板の劣化を防止し、また、研磨部材の交換に要する労力や時間やコストを低減すること。
【解決手段】本発明では、基板（５）の裏面を研磨する基板裏面研磨装置（９）、基板裏面研磨装置（９）を有する基板裏面研磨システム（１）、基板裏面研磨装置（９）で用いる基板裏面研磨方法や基板裏面研磨プログラムにおいて、基板（５）の前工程での処理に関する情報に応じて基板（５）の裏面を基板研磨手段（１６、１７）で研磨することにした。また、基板（５）の前工程での処理に関する情報に基づいて決定した研磨範囲を基板研磨手段（１６、１７）で研磨することにした。さらに、基板（５）の前工程での処理に関する情報に基づいて決定したいずれか又は全ての基板研磨手段（１６、１７）を用いて研磨することにした。 （もっと読む）

【課題】精密部品の表面に残存している研磨用のシリカ微粒子を検出すること。
【解決手段】研磨液は、チタン、バナジウム、亜鉛、ガリウム、ゲルマニウム、ルビジウム、ストロンチウム、ジルコニウム、ニオブ、モリブデン、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、インジウム、錫、アンチモン、テルル、セシウム、バリウム、ハフニウム、タンタル、タングステン、レニウム、イリジウム、白金、金、鉛、ビスマス、並びに希土類元素のグループのうち、前記精密部品に含まれる元素を除く元素を不純物として何れか一つ以上を組成の中に含有するシリカ微粒子を有する。不純物をマーカーとしてサンプル検査工程１０で検出することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】高研磨速度と高清浄性の両立を実現でき、循環研磨において長時間高い研磨速度を維持できるガラスハードディスク基板用研磨液組成物の提供。
【解決手段】アミン化合物と、酸と、シリカ粒子と、水とを含有するガラスハードディスク基板用研磨液組成物であって、前記アミン化合物は、アミノアルコール並びにピペラジン及びその誘導体からなる群から選択され、分子内に窒素原子を２個又は３個有し、そのうち少なくとも１個は１級アミンもしくは２級アミンであるガラスハードディスク基板用研磨液組成物。 （もっと読む）

【課題】ガラス等の研磨性を確保しつつ、酸化セリウム量を低減できる研磨材を提供する。
【解決手段】本発明の研磨材は、酸化セリウムよりも比重が小さい無機材からなる基粒子により形成されたコア部と合成された酸化セリウムを含み基粒子の外表面に形成されたシェル部とを有する複合砥粒を含有することを特徴とする。この複合砥粒は、研磨性に影響するシェル部に酸化セリウムを有し、研磨性に直接影響しないコア部は比重の小さい無機粒子からなる。このため、酸化セリウムによる研磨性の確保と酸化セリウムの低減が両立されることに加えて、複合砥粒のスラリー中における分散安定性も高まり、さらなる研磨性の向上も図られる。 （もっと読む）