【課題】高い加工レートを実現できると共に、表面の平滑化が可能な加工方法を提供する。
【解決手段】過酸化水素水を含んだ水酸化カリウム溶液２中にＳｉＣ基板８を配置し、ＳｉＣ基板８の表面に紫外光を照射する。紫外光の照射によってＳｉＣ基板８の表面に形成されたＳｉＯ_２層９を水酸化カリウム溶液によって化学的に除去すると共に、合成石英定盤３ａによってもＳｉＯ_２層９を除去する。 （もっと読む）

【課題】本発明はめっき膜の均一性に優れた電子材料用銅合金を提供する。
【解決手段】圧延平行方向の断面をＳＩＭで観察したときに、表層からの深さが０．５μｍ以下の範囲において非晶質組織及び粒径が０．１μｍ未満の結晶粒の占める面積率が１％以下であり、表層からの深さが０．２〜０．５μｍの範囲において粒径が０．１μｍ以上０．２μｍ未満の結晶粒の占める面積率が５０％以上である電子材料用銅合金。 （もっと読む）

【課題】ポリシリコンよりも窒化ケイ素および酸化ケイ素の少なくとも１種の除去に有利に働くように適合した除去速度および除去速度選択性を示す化学機械研磨組成物を提供する。
【解決手段】酸化ケイ素および窒化ケイ素の少なくとも１種とポリシリコンとを含む基体を提供し；６〜３０個の炭素原子を有する非環式疎水性部分および１０〜３００個の炭素原子を有する非イオン性非環式親水性部分を有する非環式有機スルホン酸化合物、水、および研磨剤を当初成分として含む化学機械研磨組成物を提供し；化学機械研磨パッドに研磨面を提供し；基体に対して研磨面を動かし；化学機械研磨組成物を研磨面上に分配し；基体の少なくとも一部分を摩耗させて、基体を研磨し；ポリシリコンの少なくとも幾分かが基体から除去され；酸化ケイ素および窒化ケイ素の少なくとも１種の少なくとも幾分かが基体から除去される；ことを含む基体を化学機械研磨する方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】研磨対象物を高い研磨速度で研磨することができるのに加えて、研磨後の研磨対象物に付着して研磨対象物上に残留する砥粒を洗浄により効率よく除去することができる研磨用組成物を提供する。
【解決手段】本発明の研磨用組成物中に含まれる砥粒は、研磨時の砥粒のゼータ電位をＸ１［ｍＶ］、研磨時の研磨対象物のゼータ電位をＹ１［ｍＶ］としたときにＸ１×Ｙ１≦０の関係が成り立ち、かつ、洗浄時の砥粒のゼータ電位をＸ２［ｍＶ］、洗浄時の研磨対象物のゼータ電位をＹ２［ｍＶ］としたときにＸ２×Ｙ２＞０の関係が成り立つように選択されている。砥粒は、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化セリウム、酸化ジルコニウム、炭化ケイ素又はダイヤモンドからなることが好ましい。また、研磨対象物は、ニッケル含有合金、酸化ケイ素又は酸化アルミニウムからなることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウェハを研磨するための方法を提供する。
【解決手段】 半導体ウェハの研磨方法は、研磨パッドを用いて半導体ウェハの表面を研磨するステップを含む。第１のステップにおいては、研磨材を含む研磨スラリーを供給し、次いで研磨スラリーの供給を止め、第２のステップにおいては、固体を含まず１２以上のｐＨ値を有する研磨液を供給する。使用される研磨パッドは、半導体ウェハのうち研磨されるべき面と接触する側に隆起部を含む表面構造を有している。研磨パッドは、研磨作用を有する物質を含んでいない。 （もっと読む）

【課題】研磨パッドの目詰まりに起因する研磨速度の著しい低下を抑制可能な研磨用組成物及びそれを用いた研磨パッドの目詰まり低減方法を提供する。
【解決手段】この研磨用組成物は、研磨パッドによる基板の研磨に使用され、コロイダルシリカを含有している。前記コロイダルシリカの粒子径は、ＢＥＴ法に基づいて算出された平均一次粒子径と、レーザー光回折法に基づいて測定された平均二次粒子径とで示される。平均一次粒子径をＤ_SAで表し、平均二次粒子径をＤ_N4で表したとき、Ｄ_SA及びＤ_N4の間には、Ｄ_SA≦Ｄ_N4の関係が成立する。さらにＤ_N4は３０ｎｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】下地金属層の研磨速度を維持しつつ従来の研磨液を用いた場合よりもパラジウム層の研磨速度を向上させると共に、砥粒の凝集沈降を抑制することができるＣＭＰ研磨液及び研磨方法を提供する。
【解決手段】本発明のＣＭＰ研磨液は、１，２，４−トリアゾールと、リン酸類と、酸化剤と、表面がアニオン改質されている第１の砥粒と、表面がアニオン改質されていない第２の砥粒とを含有し、第１の砥粒及び第２の砥粒の平均二次粒子径が３０〜１００ｎｍであり、第１の砥粒及び第２の砥粒の会合度が１．７〜２．３であり、第１の砥粒の含有量及び第２の砥粒の含有量の合計に対する第１の砥粒の含有量の割合が５．０〜７０．０質量％であり、ｐＨが７以下である。本発明の研磨方法は、基板と研磨布との間に本発明のＣＭＰ研磨液を供給しながら、基板を研磨布で研磨する研磨工程を備え、基板が、下地金属層３、及び、パラジウム層であるアンダーバリアメタル層４を有する基板である。 （もっと読む）

【課題】研磨後の半導体基板表面のヘイズを低減することが可能であるのに加えて、同表面へのパーティクルの付着も抑えることが可能な研磨用組成物、及びそのような研磨用組成物を用いて半導体基板を研磨する方法を提供する。
【解決手段】本発明の研磨用組成物は、分子量が１，０００以上１００，０００未満でかつＨＬＢ値が１７以上のノニオン活性剤、塩基性化合物及び水を含有する。ノニオン活性剤は、オキシアルキレンの単独重合体又は複数の種類のオキシアルキレンの共重合体であることが好ましい。研磨用組成物は、二酸化ケイ素及び水溶性高分子の少なくともいずれか一方をさらに含有してもよい。 （もっと読む）

【課題】半導体プロセスにおいて窒化ケイ素膜のＣＭＰによる研磨速度を向上することができる窒化ケイ素研磨用組成物を提供する。
【解決手段】本発明の窒化ケイ素研磨用組成物は、コロイダルシリカと、リン酸系化合物および硫酸化合物からなる研磨助剤とを含む。さらに酸化剤を含むことで、窒化ケイ素膜の研磨速度に対する金属膜の研磨速度の比である第１選択比、および窒化ケイ素膜の研磨速度に対する酸化絶縁膜の研磨速度の比である第２選択比を制御する。 （もっと読む）

【課題】少なくともパラジウム層の研磨速度を、従来の研磨液を用いた場合よりも向上させることができるＣＭＰ研磨液、及びこのＣＭＰ研磨液を用いた研磨方法を提供する。
【解決手段】本発明のＣＭＰ研磨液は、下記一般式（１）で表されるα−アミノ酸、リン酸類、酸化剤及び砥粒を含有する。本発明の研磨方法は、基板と研磨布の間にＣＭＰ研磨液を供給しながら、基板を研磨布で研磨する基板の研磨方法であって、基板が、パラジウム層を有する基板であり、ＣＭＰ研磨液が、下記一般式（１）で表されるα−アミノ酸、リン酸類、酸化剤及び砥粒を含有する。
【化１】


［一般式（１）中、Ｒ^１は、水酸基で置換されていてもよい炭素数１〜２のアルキル基、又は、水素原子を示す。］ （もっと読む）

【課題】精緻且つ均一な駆動系歯車の歯面仕上げ（研磨）を、平易且つ低コストに、また、省資源・省エネルギー・環境保全の見地からも有効に達成し得る歯車の歯面研磨剤及びこれを用いた研磨方法を提供する。
【解決手段】シリカとアルミナを主成分とする火山灰７と、潤滑油８と、油粘土９を含有して外力を加えると自在に流動する可塑性を有する研磨剤２をシリンダー１内に充填し、歯車３を研磨剤２の中で移動させるか又は歯車３を固定した状態で研磨剤２を流動させることによって、研磨剤２が歯車３の歯溝３ｂを流動しながら接触し、歯車歯面を３ａを研磨する。 （もっと読む）

【課題】沈殿形成がなく、研磨速度が速い化学的機械的研磨液、及び、研磨方法を提供すること。
【解決手段】（Ａ）シリカ粒子、（Ｂ）酸化剤、（Ｃ）０．０１ｐｐｍ以上、１０ｐｐｍ未満の範囲内にある金属イオン、及び、（Ｄ）酸化剤と金属イオンとによる反応活性を向上させる化合物を含有し、ｐＨが２．０〜５．０の範囲内にあることを特徴とする化学的機械的研磨液。前記化学的機械的研磨液を、研磨定盤上に貼付した研磨パッドに供給する工程、及び、前記研磨定盤を回転させることで、前記研磨パッドを被研磨体の被研磨面と接触させつつ相対運動させて研磨する工程を含むことを特徴とする研磨方法。 （もっと読む）

【課題】鋼線の表面に樹脂を被覆した樹脂被覆ソーワイヤを用い、樹脂被覆ソーワイヤに砥粒を吹き付け、ワークを樹脂被覆ソーワイヤで切断するにあたり、樹脂被覆ソーワイヤを長期に亘って使用できる切断体の製造方法を提供する。
【解決手段】鋼線の表面に樹脂を被覆した樹脂被覆ソーワイヤに砥粒を吹き付け、ワークを前記樹脂被覆ソーワイヤで切断して切断体を製造するにあたり、前記樹脂の厚みｔと前記砥粒の平均粒径ｄの比（ｔ／ｄ）を０．７〜２．５としてワークを切断する。 （もっと読む）

【課題】ガラスに傷を発生させ難いスラリーの製造方法、スラリー、研磨方法及び研磨装置を提供すること。
【解決手段】本発明では、原材料から粒径１００ｎｍ以下の砥粒を含む砥粒を製造し、製造した砥粒を個別に分散させ、分散させた各砥粒をポリマーで被覆し、被覆した砥粒の中から粒径１００ｎｍ以下の砥粒を選別する。次に、選別した砥粒をスラリーの液体成分に混合することによりスラリーを製造し、スラリーにｐＨ調整剤及び増粘剤を添加する。製造したスラリーを用いて、ガラス基板の研磨を行う。粒径が１００ｎｍより大きい砥粒又は凝集した砥粒の塊がガラスに接触して大きな傷が発生することが無く、研磨中にガラスに７０ｎｍ以上の傷が発生することを抑制することが可能となる。 （もっと読む）

レーザー光回析によって測定して１〜５００ｎｍの平均一次粒子径を有し且つその表面に化学的に結合された電子供与基（ａ２）を有する、無機粒子、有機粒子、及び無機−有機ハイブリッド粒子（ａ１）からなる群から選択される固体研磨粒子（Ａ）を含有する研磨物品が提供される。前記固体研磨粒子（Ａ）は、固体マトリックス（Ｂ）の全体にわたって又はその上面に又は全体にわたって及びその上面に分布されている。研磨物品の製造方法及び電子機器及び光学装置の製造に有用な基材の処理方法が提供される。前記方法は前記研磨物品を使用する。 （もっと読む）

【課題】従来の研磨液と比較して酸化ケイ素膜に対する研磨速度を向上させることができると共に、表面に酸化ケイ素膜を有する基板の面内均一性を向上させることが可能なＣＭＰ用研磨液、及び、これを用いた研磨方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るＣＭＰ用研磨液は、砥粒と、第１の添加剤と、水とを含有し、第１の添加剤として所定の条件を満たす化合物を含有し、表面張力が２５℃で６８ｄｙｎ／ｃｍ未満である。本発明に係る研磨方法は、表面に酸化ケイ素膜を有する基板を研磨する方法であって、上記ＣＭＰ用研磨液を酸化ケイ素膜と研磨パッドとの間に供給しながら、研磨パッドによって酸化ケイ素膜の研磨を行う工程を備える。 （もっと読む）

研磨材として、水相中に微分散し且つ研磨されるべき表面上で金属及び／又は金属酸化物と相互作用でき且つ前記金属及び金属カチオンと錯体を形成できる複数の少なくとも１種の官能基（ａ１）をその表面上に有する少なくとも１種のポリマー粒子（Ａ）を含む、水性研磨剤であって、前記ポリマー粒子（Ａ）は、複数の官能基（ａ１）を有する少なくとも１種のオリゴマー又はポリマーの存在下で少なくとも１つのラジカル重合性二重結合を有する少なくとも１種のモノマーのエマルション重合又は懸濁重合によって製造される、水性研磨剤；少なくとも１種のオリゴマー又はポリマーのアミノトリアジン−ポリアミン縮合物の存在下で少なくとも１つのラジカル重合性二重結合を有する少なくとも１つのモノマーのエマルション重合又は懸濁重合によって製造される、グラフトコポリマー；及び前記水性研磨剤を使用してパターン形成された及び構造化されていない金属表面の化学機械研磨方法。 （もっと読む）

【課題】シリコンウエハを高い速度で研磨でき、しかも、フィルターの目詰まりも低減できるシリコンウエハ用研磨液組成物、および当該研磨液組成物を用いた半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】-CH2-CH-OHで表される構成単位（ａ１）、-CH2-CH-OCORで表される構成単位（ａ２）、及び-X-で表される構成単位（ａ３）を有し、構成単位（ａ３）の合計が高分子化合物中０．００１〜１．５モル％である高分子化合物、研磨材及び水系媒体を含有するシリコンウエハ用研磨液組成物。 （もっと読む）

【課題】研磨液を循環使用する場合であっても、優れた研磨品質を安定的に供給することのできるガラス基板の研磨方法を提供する。
【解決手段】ガラス基板の表面に研磨砥粒を含む研磨液を供給してガラス基板の表面を鏡面研磨するガラス基板の研磨方法であって、研磨方法は、ゼータ電位をモニターするゼータ電位モニターステップと、ゼータ電位モニターステップにおけるゼータ電位の絶対値が所定値を下回ったときに、ゼータ電位の絶対値が所定値以上になるようにゼータ電位調整剤を添加するゼータ電位調整ステップと、を備える。 （もっと読む）

【課題】従来の研磨液を用いた場合よりも、少なくともパラジウム層の研磨速度を向上させることができるＣＭＰ研磨液及び研磨方法を提供する。
【解決手段】本発明のＣＭＰ研磨液は、アニオン性官能基を有する砥粒と、１，２，４−トリアゾールと、リン酸類と、酸化剤と、水とを含有し、ｐＨが７以下である。本発明の研磨方法は、少なくとも一方面上にパラジウム層が形成された基板と研磨布との間にＣＭＰ研磨液を供給しながら、パラジウム層を研磨布で研磨する工程を備え、ＣＭＰ研磨液が、アニオン性官能基を有する砥粒と、１，２，４−トリアゾールと、リン酸類と、酸化剤と、水とを含有し、ＣＭＰ研磨液のｐＨが７以下である。 （もっと読む）