【課題】 水晶片に均一なベベル加工をする。
【解決手段】 水晶片にベベル加工をするベベル加工方法であって、内面にダイヤモンド砥粒が設けられつつ有底で一方が開口する円筒体とこの円筒体の開口端部と密着固定される蓋体とからなるベベリング用筒体に複数の水晶片と液状物とを入れて、前記円筒体の円の中心を通る中心軸線を回転軸に前記円筒体を回転させて前記水晶片にベベル加工をすることを特徴とし、前記液状物が水であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ４価の金属水酸化物粒子を水に分散させたスラリーを、ｐＨを変動させることなく安定に保存する方法を提供する。このスラリーは半導体素子製造における基板表面の平坦化工程において研磨に使用される。
【解決手段】 水と、水に分散させた４価の金属水酸化物粒子とを含むスラリーを容器内に保存する方法であって、容器内に二酸化炭素吸収剤をスラリーと直接接触させずに備えることを特徴とし、好ましくは前記二酸化炭素吸収剤を、耐水性とガス透過性とを少なくとも一部に備えた包装材で包装する保存方法。 （もっと読む）

【課題】効率よくＡｌＮ結晶にモフォロジーの良好な表面を形成するＡｌＮ結晶の表面処理方法を提供する。
【解決手段】ＡｌＮ結晶１の表面を化学的機械的に研磨するＡｌＮ結晶の表面処理方法であって、化学的機械的研磨に用いられるスラリー１７の砥粒が、ＡｌＮ結晶１よりも硬度の高い高硬度砥粒と、ＡｌＮ結晶１以下に硬度の低い低硬度砥粒とを含むＡｌＮ結晶の表面処理方法。ここで、スラリー１７の砥粒１６における高硬度砥粒と低硬度砥粒との体積比率を、高硬度砥粒：低硬度砥粒＝５：９５〜７０：３０とすることができる。 （もっと読む）

【課題】硬質基板を高い研磨速度にて研磨可能な研磨剤組成物を提供する。
【解決手段】平均粒子径０．１〜１５μｍの多結晶ダイヤモンド及び／又は単結晶ダイヤモンドの砥粒と、多価アルコールと水とを含む水性分散媒とを含有し、粘度が２．０〜１００ｍＰａ・ｓである研磨剤組成物とする。 （もっと読む）

【課題】研磨速度を向上できる研磨液組成物を提供する。
【解決手段】下記式（Ｉ）で表される構成単位と２０℃の水１００ｇに対する溶解度が２ｇ以下の疎水性モノマーに由来する構成単位とを有する共重合体、及びシリカ粒子を含有するガラス基板用研磨液組成物である。下記式（Ｉ）で表される構成単位を形成するためのモノマーとしてはメトキシポリエチレングリコールメタクリレート等が、前記疎水性モノマーとしてはスチレン等が挙げられる。
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【課題】半導体結晶等、特に硬脆性のＧａ含有窒化物結晶などの半導体結晶等をスライスする際の加工ダメージを低減させる手法を提供すること。
【解決手段】先ず、マルチワイヤーソー（１）で結晶をスライスするため、ＧａＮ結晶（１００）とツルーイング用砥石（２０）を接着させたカーボン台座（２００）が固定されている金属台座（４００）を切削装置内にセットする。続いて、ワイヤー（１０）を揺動させ、板状のＧａＮ結晶（１００）の切削時の揺動角度を決定し、ワイヤー（１０）の揺動を繰り返しながら該ワイヤー（１０）をＧａＮ結晶（１００）の端部から中心部に向かう方向に走行させ、かつ、金属台座（４００）を昇降モータで上昇させることにより、切削が進行する。 （もっと読む）

細長い物体と、細長い物体の表面上を覆う結合層と、約０．０２ｃｔ／ｍと約０．３０ｃｔ／ｍの間の範囲内の平均砥粒集中度で結合層内に含まれる砥粒とを含む研磨物品。
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光学素子を仕上げ処理する方法は、上記光学素子と重なる複数の基準を有する光学マウント内に上記光学素子を取り付けるステップと、上記光学素子と上記複数の基準の為に第１計量マップを取得するステップとを含む。また、この方法は、複数の基準を伴わずに光学素子の為に第２の計量マップを取得するステップと、上記第１計量マップと上記第２計量マップとの間の差異マップを形成するステップと、上記第１計量マップと上記第２計量マップとを整列させるステップとを含む。上記方法は、上記異なるマップを使用して上記第２計量マップ上に数学的基準を配置し、第３計量マップを形成するステップと、上記第３計量マップを上記光学素子に関連付けるステップとを更に含む。さらに、上記方法は、上記光学素子をＭＲＦツール内の取付け具に取り付けるステップと、上記取付け具に上記光学素子を位置決めするステップと、上記複数の基準を除去するステップと、上記光学素子を仕上げ処理するステップと、を含む。
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【課題】半導体集積回路装置の製造において、単結晶シリコンを含む被研磨面を化学的機械的に研磨するために好適であり、研磨速度の制御性が向上した研磨剤および研磨方法を提供する。
【解決手段】本発明の研磨剤は、単結晶シリコンを含む被研磨面を化学的機械的に研磨するための研磨剤であり、酸化セリウム粒子と水溶性ポリアミンと水をそれぞれ含有し、ｐＨが８〜１３の範囲にあることを特徴とする。本発明の研磨方法は、研磨剤を研磨パッドに供給し、半導体集積回路装置の単結晶シリコンを含む被研磨面と研磨パッドとを接触させて相対運動により研磨する方法であって、酸化セリウム粒子と水溶性ポリアミンと水をそれぞれ含有しｐＨが８〜１３の範囲にある研磨剤を使用して研磨を行なう。 （もっと読む）

【課題】バリア層のバリア層に対する良好な研磨速度を維持しつつ、キャップ層の二酸化珪素に対する高い研磨速度と、ｌｏｗ−ｋ膜に対する低い研磨速度を達成できる研磨液及び研磨方法を提供する。
【解決手段】砥粒、酸化金属溶解剤、酸化剤、水及び第四級ホスホニウム塩を含有してなり、前記砥粒は、ＣＭＰ用研磨液中において正のゼータ電位を有し、且つ前記第四級ホスホニウム塩は、アルキルトリフェニルホスホニウム塩構造を有してなるＣＭＰ用研磨液とする。 （もっと読む）

【課題】銅を含む金属を高速且つ平坦性欲研磨することができるＣＭＰ研磨液を提供する。
【解決手段】銅を含む金属を研磨するためのＣＭＰ研磨液は、砥粒１０、酸化金属溶解剤、酸化剤、防食剤、水溶性ポリマ及び水を含有し、ＣＭＰ研磨液のｐＨが７以下であり、砥粒がアニオン処理されており、砥粒の平均一次粒子径が１０〜８０ｎｍであり、砥粒の平均二次粒子径が２５〜２５０ｎｍであり、平均二次粒子径を平均一次粒子径で除して求められる会合度が２．３以上であるＣＭＰ研磨液。 （もっと読む）

表面、及び、結合マトリックスによって前記表面に結合したダイアモンド粒子を含み、各ダイアモンド粒子は表面粗さが約０．６０〜約０．８０でありそして真球度が約０．２５〜約０．５０である、ワイヤ。
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【課題】アルカリアルミノシリケートガラスからなるガラス円板について、酸化セリウム砥粒を含むスラリーを用いる研磨工程を経て情報記録媒体用ガラス基板を製造する方法において、酸化セリウム砥粒の残留を抑制し、更に主表面の面荒れを少なくする。
【解決手段】（ＳｉＯ_２−Ａｌ_２Ｏ_３）が６２モル％以下のＬｉ_２Ｏ−Ａｌ_２Ｏ_３−ＳｉＯ_２系ガラスからなる円板を、酸化セリウム研磨工程の跡、硫酸濃度２０質量％以上８０質量％以下、過酸化水素濃度１質量％以上１０質量％以下である洗浄液を用いて５０℃以上１００℃以下の液温にて洗浄し、その後、ガラス円板の主表面をコロイダルシリカ砥粒を含むスラリーを用いて仕上げ研磨する。 （もっと読む）

【課題】鮮明な磁気記録パターンを有する磁性層の平滑化プロセスを高速で行うことを可能とした磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】研磨加工は、非磁性基板１を回転させながら、非磁性基板１の表面にダイヤモンドスラリーＳを供給し、走行する研磨テープ１０５を非磁性基板１の表面に押し付けることにより行い、ダイヤモンドスラリーＳは、単結晶のダイヤモンド粒子と研磨助剤とを含み、ダイヤモンド粒子は、その１次粒子径が１〜１０ｎｍの範囲、その２次粒子径が５０〜１００ｎｍの範囲にあり、研磨助剤は、スルホン酸基又はカルボン酸基を有する有機重合物を含む。 （もっと読む）

【課題】被研磨物の平坦性を向上させることができる研磨パッドを提供する。
【解決手段】研磨パッド２０は、湿式成膜法により連続的に形成され内部にセル３が形成されたウレタンシート１２を備えている。ウレタンシート１２は、湿式成膜後に成膜基材の成膜樹脂が形成された面の反対側の面を圧接ローラに圧接させ、スキン層側にバフ処理が施されている。スキン層はバフ処理により除去され研磨面Ｐに開孔５が形成されている。バフ処理時に使用されるサンドペーパは、ＰＥＴ等の可撓性のフィルム基材を有しており、フィルム基材の表面にはウレタン樹脂で砥粒が固定されている。バフ処理による砥粒の脱落が低減する。 （もっと読む）

【課題】所望の表面粗さに修正処理された固定砥粒シートを用いて、バッチ間で板厚のばらつきが小さくなるように研削加工を行うことができる磁気ディスク用ガラス基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法は、固定砥粒を有するシートを用いて磁気ディスク用ガラス基板の主表面の平坦度を調整する表面研削工程を備えた磁気ディスク用ガラス基板の製造方法であって、前記表面研削工程において、ジルコニアを含有する遊離砥粒を含む研磨液及び鋳鉄製リングを用いて修正した前記シートを用いて表面研削を行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】過硫酸塩化合物を含有しても保存安定性が高く、可使時間が十分に長いＣＭＰ用研磨組成物を提供すること。
【解決手段】過硫酸塩化合物、および、ヒドラジド化合物を含有してなることを特徴とするＣＭＰ用研磨組成物。 （もっと読む）

【解決手段】（Ａ）アセチレングリコール及び／又はそのアルキレンオキサイド付加物を０．０１〜２０質量％を含むことを特徴とする水性切削液。
【効果】本発明によれば、アセチレングリコール及び／又はそのアルキレンオキサイド付加物を水性切削液中に０．０１〜２０質量％含むことにより、砥粒の分散安定性及び水性切削剤の粘度安定性に優れ、しかも従来よりも加工精度の高いという効果を有する。 （もっと読む）

【課題】ウェハエッジ部の段差、エッジ領域における望ましくない被覆物またはエッジ領域における望ましくない厚さの増加を除去する。
【解決手段】半導体ウェハを研磨板上に位置し且つ固定された砥粒を含有する研磨パッドに押しつけ、研磨ヘッドは弾力性のあるメンブレンと共に提供され且つガスまたは液体のクッションによる複数の室に放射状に細分化され、及ぼされる研磨圧力をそれぞれの室について異なって選択でき、半導体ウェハはリテーナーリングによって所定の位置に保持されており、研磨剤が半導体ウェハと研磨パッドとの間に導入され、半導体ウェハのエッジ領域に位置する室において半導体ウェハ上に及ぼされる研磨ヘッドの研磨圧力、およびリテーナーリングの適用圧力が、本質的に半導体ウェハのエッジ部でのみ材料が除去されるように選択される、半導体ウェハの片面の部分研磨方法によって解決される。 （もっと読む）

【課題】実際のエッジの領域中のみならず、前面及び／又は裏面の隣接する領域中でも除去が行われることに対して解決手段を提供し、且つ従来技術の欠点を回避する。
【解決手段】（ａ）端面が研磨されており、且つラウンドエッジを有する半導体ウェーハを準備すること；（ｂ）中心で回転するチャック上に該半導体ウェーハを固定し、該半導体ウェーハと、チャックに対して傾斜されており、固定砥粒を含有する研磨パッドが適用されている、中心で回転する研磨ドラムとを位置決めし、及び固体を含有しない研磨剤溶液の連続的な供給下で半導体ウェーハと研磨ドラムとを互いに押し付けることによって半導体ウェーハのエッジを研磨することを有する、半導体ウェーハのエッジを研磨する方法によって解決される。 （もっと読む）