【課題】従来の研磨液を用いた場合よりも、少なくともパラジウム層の研磨速度を向上させることができるＣＭＰ研磨液及び研磨方法を提供する。
【解決手段】本発明のＣＭＰ研磨液は、アニオン性官能基を有する砥粒と、１，２，４−トリアゾールと、リン酸類と、酸化剤と、水とを含有し、ｐＨが７以下である。本発明の研磨方法は、少なくとも一方面上にパラジウム層が形成された基板と研磨布との間にＣＭＰ研磨液を供給しながら、パラジウム層を研磨布で研磨する工程を備え、ＣＭＰ研磨液が、アニオン性官能基を有する砥粒と、１，２，４−トリアゾールと、リン酸類と、酸化剤と、水とを含有し、ＣＭＰ研磨液のｐＨが７以下である。 （もっと読む）

【課題】 除去しようとするブリケット造粒品の硬さが、転動方式では変形しない程度に硬い場合に有効な、バリ取り装置と、そのバリ取り装置を使用したバリの無い造粒品の製造方法を提供する。
【解決手段】
一端を造粒品を投入する投入口とし、他端を端面で絞った排出口とする円筒ケースと、該円筒ケースの内部に該円筒ケースと同軸となるように設けたスクリューと、からなるバリ取り装置であって、該スクリューの外周と前記円筒ケースの内壁の間に空洞を設けたことを特徴とする。円筒ケースの排出口を絞りスクリュー外周部と円筒ケース内壁との間に空洞を設けることにより、スクリュー外周部付近の造粒品の移動速度より円筒ケース内壁付近の造粒品の移動速度が遅くなり、スクリュー軸方向のせん断力及びスクリュー回転方向のせん断力が働き、造粒品同士が擦れ合う作用が発生する。 （もっと読む）

【課題】複数段の研磨工程を備える半導体ウェーハの製造方法において、デバイスの高集積化に適応し得る高い表面品質を有する半導体ウェーハを得るために研磨起因欠陥を低減するための手段を提供すること。
【解決手段】半導体ウェーハ表面を研磨する研磨工程を含む半導体ウェーハの製造方法。前記研磨工程は、少なくとも仕上げ２段前研磨工程、仕上げ前研磨工程および仕上げ研磨工程の３段階の研磨工程を含み、かつ、仕上げ前研磨工程に使用される研磨剤は、下記（１）および（２）を満たす。
（１）含有される研磨砥粒（仕上げ前研磨砥粒）の粒径が、仕上げ２段前研磨工程に使用される研磨剤に含まれる研磨砥粒（仕上げ２段前研磨砥粒）の粒径以上である。
（２）仕上げ前研磨砥粒の濃度が、仕上げ２段前研磨工程に使用される研磨剤の仕上げ２段前研磨砥粒の濃度以下である。 （もっと読む）

【課題】化学的機械的研磨組成物とそれによる基板の研磨方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、（ａ）シリカ粒子、（ｂ）研磨組成物の全重量に対し、約５×１０^-3から約１０ミリモル／ｋｇの、カルシウム、ストロンチウム、バリウムおよびそれらの混合物からなる群から選択される少なくとも１種のアルカリ土類金属、（ｃ）約０．１から約１５ｗｔ％の酸化剤、および（ｄ）水を含んでなる液体キャリア、を含んでなる化学的機械的研磨組成物を提供する。本発明はまた、酸化剤を随意に含み、約５×１０^-3から約１０ミリモル／ｋｇの、カルシウム、ストロンチウムおよびそれらの混合物からなる群から選択される少なくとも１種のアルカリ土類金属を含む研磨組成物を提供する。本発明はさらに、上述の研磨組成物を用いて基板を研磨する方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】表面粗さを０．０１μm以下に効率よく仕上げることができるサファイア基板の研磨工具を提供する。
【解決手段】光デバイス層が積層されるサファイア基板１０を平滑に加工するためのサファイア基板の研磨工具であって、基台４６と、基台の下面に装着される研磨パッド４７とからなり、研磨パッドはシリカ粒子とゴム粒子を混合した混合物を焼結して形成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハの良好な幾何学的形状のみならず良好なナノトポグラフィも達成し、且つ４５０ｍｍのウェハにも適している、半導体ウェハを製造するための新規の処理シーケンスを提供する。
【解決手段】規定の順序において：（ａ）単結晶からスライスされた半導体ウェハを同時に両面で材料除去する加工工程；（ｂ）アルカリ性媒体による該半導体ウェハの両面の処理工程；（ｃ）該半導体ウェハの前面及び裏面の研削工程；（ｄ）０．１〜１．０μｍの平均粒径を有する砥粒を含有する研磨パッドによる半導体ウェハの両面の研磨工程；（ｅ）砥粒を含有する研磨剤の供給下での、砥粒を含有しない一次研磨パッドによる該半導体ウェハの前面の研磨工程；（ｆ）該前面の化学機械的研磨（ＣＭＰ）工程
を有する、半導体ウェハの製造法によって達成される。 （もっと読む）

【課題】 硬質金属材料からなるワークの表面粗さを小さくする平滑研磨作用と、外形寸法を調製する研削作用とを兼ね備えるとともに、研磨槽への１バッチあたりのワークの研磨処理量（＝投入量）を多くすることができ、且つワークとメディアの選別工程を不要として生産効率を向上させることができる研磨方法を提供すること。
【解決手段】 研磨装置に流動バレル研磨装置を用い、研磨槽（１）内に、ワークと研磨の進行に伴い粉砕される砥粒Ａと水を投入し、メディアを使用せずに研磨する研磨工程Ａ（１６）と、洗浄用水を研磨槽（１）内に洗浄水を給水して研磨槽（１）内に洗浄水を貯留したのち回転盤（４）を回転させて流動洗浄し、研磨使用済みの砥粒Ａと水と研磨屑を洗浄水とともに研磨槽（１）外に排出し、該研磨槽（１）内に洗浄されたワークのみを残留させる洗浄工程Ａ（１７）を備える。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体層を有する半導体ウェーハの製造方法において、サファイア基板の反りの影響を低減させる。
【解決手段】半導体ウェーハの製造方法であって、基板と基板上に成膜された半導体層とを有するウェーハの反り量を測定する反り量測定工程と、反り量を測定したウェーハの被研削面を研削後、被研削面をラッピング処理する第１のラッピング工程と、第１のラッピング工程によりラッピング処理されたウェーハの被研削面を、ウェーハの反り量に応じた荷重下でさらにラッピング処理する第２のラッピング工程と、を有することを特徴とする半導体ウェーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】スラリー組成物を使用して半導体素子の表面を平坦化する方法を提供する。
【解決手段】窒化物層１４の表面が露出されるまで、窒化物層１４上に残留する酸化物層１８ｂに対して２次化学的機械研磨工程を遂行し、トレンチ領域１６内にだけ酸化物層が埋められるようにする。２次化学的機械研磨工程では、本発明に係るセリアスラリーが使用される。 （もっと読む）

【課題】 研磨量の多いＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍ）用の基板であっても、高研磨速度で平坦化可能な基板の研磨方法を、提供する。
【解決手段】 少なくとも１μｍ以上の膜厚と、少なくとも１μｍ以上の初期段差を有する酸化ケイ素膜を形成した基板を、研磨定盤の研磨布に押し当て加圧し、酸化セリウム粒子、分散剤及び水を含有してなる研磨液を、酸化ケイ素膜と研磨布との間に供給しながら、基板の酸化ケイ素膜と研磨布とを相対的に動かして、酸化ケイ素膜を研磨する基板の研磨方法。 （もっと読む）

【課題】 半導体基板裏面を高スループットで研削、研磨加工し、基板を薄肉化・平坦化することができる異物の付着が少ない半導体基板を製造する平坦化加工装置の提供。
【解決手段】 半導体基板のローディング／アンローディングステージ室１１ａ、裏面研磨ステージ室１１ｃ、裏面研削加工ステージ室１１ｂに各々の機械要素を収納した平坦化装置１であって、同時に２枚の基板を研磨加工する裏面研磨ステージ７０のスループット時間を１枚の基板を研削加工する裏面研削加工ステージ２０のスループット時間の約２倍に設計した平坦化加工装置１。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ガラス基板の研削加工に適した研削面を維持しながらガラス基板を研削加工する、生産性に優れたガラス基板の研削方法及び該研削方法を用いたガラス基板の製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】板形状を有するガラス基板の形状付与工程と、前記ガラス基板を回転しながら主平面を研削する研削工程と、前記主平面の研磨工程と、前記ガラス基板の洗浄工程と、を有するガラス基板の製造方法において、前記研削工程はガラス基板の両主平面を同時に研削するものであり、両面研削装置の上定盤とキャリアとの相対回転方向と、下定盤とキャリアとの相対回転方向を所定の基準に従って決定することにより、生産性に優れたガラス基板の研削方法及びガラス基板の製造方法と板厚特性に優れたガラス基板を提供できる。 （もっと読む）

【課題】ポリシリコン膜の研磨速度に対して酸化ケイ素膜及び窒化ケイ素膜の研磨速度を向上させることが可能であり、ポリシリコン膜をストッパ膜として酸化ケイ素膜、窒化ケイ素膜を研磨する研磨工程に適用することが可能なＣＭＰ研磨液を提供する。
【解決手段】本発明のＣＭＰ研磨液は、第１の液と第２の液とを混合して使用されるＣＭＰ研磨液であって、第１の液がセリウム系砥粒と分散剤と水とを含有し、第２の液がポリアクリル酸化合物と界面活性剤とｐＨ調整剤とリン酸化合物と水とを含有し、第２の液のｐＨが６．５以上であり、リン酸化合物の含有量が所定範囲となるように第１の液と第２の液とが混合される。また、本発明のＣＭＰ研磨液は、セリウム系砥粒と、分散剤と、ポリアクリル酸化合物と、界面活性剤と、ｐＨ調整剤と、リン酸化合物と、水とを含有し、リン酸化合物の含有量が所定範囲である。 （もっと読む）

【課題】ワイヤーの外周面に電着で固定された複数の超砥粒を有する電着ワイヤー工具のワイヤー自身が幅広い加工液に適切に濡れるようにしたワイヤー工具およびその製造方法の提供。
【解決手段】ワイヤー４の外周面に電着で固定された複数のダイヤモンド砥粒５を有する電着ワイヤー工具１であって、ワイヤー４の表面に面粗度Ｒａ０．０５〜１μｍの微細な突起構造を有し、ワイヤーの表面に平均粒径０．１〜２μｍの金属粒子を有する。 （もっと読む）

【課題】３工程ＣＭＰ−ＳＴＩ法の最終工程で使用するための、酸化ケイ素及び窒化ケイ素の両方の除去を促進するケミカルメカニカル研磨組成物を提供する。
【解決手段】酸化ケイ素材料及び窒化ケイ素材料を含む基材を研磨するためのケミカルメカニカル研磨組成物であって、初期成分として、第一の物質（ジエチレントリアミンペンタキス（メチルホスホン酸））及び第二の物質（テトラメチルグアニジン）の少なくとも一つ；砥粒；及び水を含む。 （もっと読む）

ウェハ研磨装置が開示される。ウェハ研磨装置は、ウェハ上に配置され、前記ウェハが延長される方向に延長される第１研磨ローラと、前記ウェハ下に配置され、前記ウェハが延長される方向に延長される第２研磨ローラと、を含む。ウェハ研磨装置は、ローラを使用してウェハを研磨する。よって、ウェハ研磨装置は、大面積のウェハを容易に研磨することができる。 （もっと読む）

【課題】研磨後の基板表面のスクラッチ及びナノ突起欠陥の低減を実現できるＮｉ−Ｐメッキされたアルミニウム合金基板用研磨液組成物の提供。
【解決手段】Ｎｉ−Ｐメッキされたアルミニウム合金基板用研磨液組成物であって、前記研磨液組成物は、研磨材、酸、酸化剤、複素環芳香族化合物、脂肪族アミン化合物又は脂環式アミン化合物、及び水を含有し、前記複素環芳香族化合物は、複素環内に窒素原子を２個以上含み、前記脂肪族アミン化合物又は脂環式アミン化合物は分子内に窒素原子を２〜４個含む。 （もっと読む）

連続性ポリマー相の中に有機微粒子を含む研磨パッド、並びに、このようなパッドの製造方法及び研磨プロセスにおけるこのようなパッドの使用方法。一例示的実施形態では、研磨パッドは、シート内に一体成形された複数の研磨要素を含む。別の例示的実施形態では、研磨要素は、例えば、熱接着により、支持層に接着される。特定の実施形態では、研磨パッドは、支持層に取り付けられた柔軟性層、並びに、場合により、研磨組成物分布層を追加的に含んでもよい。 （もっと読む）

【課題】保管、搬送時における粗大な固形物の発生が抑えられ、十分な研磨速度が維持され、スクラッチが発生しない化学機械研磨用水系分散体を提供する。
【解決手段】研磨粒子、両親媒性化合物及び水を含有する水系分散体とする。この両親媒性化合物は、水系分散体と大気との界面に、水の散逸が抑えられる境界膜を形成し、保管時、或いは搬送時における研磨粒子等からなる固形物の発生が防止される。両親媒性化合物としては、脂肪族アルコール類、脂肪酸、ソルビタン脂肪酸エステル、グリセリン脂肪酸エステル、プロピレングリコール脂肪酸エステル及びポリエチレングリコールと脂肪酸とのエステル等を使用することができる。この両親媒性化合物としては、親水親油バランスを表すＨＬＢ値が０より大きく６以下である化合物が特に好ましい。 （もっと読む）

【課題】基板の研磨方法を提供する。
【解決手段】本発明は、（ｉ）（ａ）８以上のモース硬さを有する第１の研磨粒子を５〜４５ｗｔ％、（ｂ）より小さな一次粒子の凝集体を含む三次元構造を有する第２の研磨粒子を１〜４５ｗｔ％、及び（ｃ）シリカを含む第３の研磨粒子を１０〜９０ｗｔ％含む研磨材と、（ｉｉ）液体キャリヤーとを含む、研磨用組成物を提供する。本発明はまた、（ｉ）上記の研磨用組成物を用意する工程、（ｉｉ）表面を有する基板を用意する工程、及び（ｉｉｉ）基板表面の少なくとも一部を研磨用組成物で削って基板を研磨する工程を含む、基板の研磨方法を提供する。 （もっと読む）